CN218549488U - Opp保护电路 - Google Patents

Opp保护电路 Download PDF

Info

Publication number
CN218549488U
CN218549488U CN202222522841.1U CN202222522841U CN218549488U CN 218549488 U CN218549488 U CN 218549488U CN 202222522841 U CN202222522841 U CN 202222522841U CN 218549488 U CN218549488 U CN 218549488U
Authority
CN
China
Prior art keywords
diode
field effect
pole
effect transistor
protection circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202222522841.1U
Other languages
English (en)
Inventor
程厚明
卢嘉和
徐友平
曹明玉
刘先明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Qingzhou Photoelectric Technology Co ltd
Original Assignee
Guangdong Qingzhou Photoelectric Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Qingzhou Photoelectric Technology Co ltd filed Critical Guangdong Qingzhou Photoelectric Technology Co ltd
Priority to CN202222522841.1U priority Critical patent/CN218549488U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN218549488U publication Critical patent/CN218549488U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本实用新型提供一种OPP保护电路,包括场效应管,所述场效应管的D极连接电源正极,其S极通过第一电阻组件接地,其G极通过第二电阻组件与电源芯片的门驱动端口连接;所述第一电阻组件上并联有第一二极管,所述第一二极管的一端与所述场效应管的S极连接,其另一端接地。通过在场效应管S极处的第一电阻组件上并联第一二极管,能够避免场效应管失效时产生的瞬间大电流导致电阻短路而引起的烧毁现象,避免PCB背面出现烧毁发黑的情况,以起到保护电阻和PCB的作用。

Description

OPP保护电路
技术领域
本实用新型涉及电源保护领域,尤其涉及一种OPP保护电路。
背景技术
过功率保护(Over Power Protection,简称OPP)又称过载保护,当电器在供电时超压,或后级负载有短路过流等超实际功率的故障发生时,电路中的过载保护电路通过反馈电路动作切断主供电以保护电路。
目前常用场效应管来对电源进行过载保护,但当场效应管失效时,瞬间的大电流会经过与场效应管S极连接的电阻,导致电阻处于短路状态并产生高温,甚至出现烧毁的情况。
实用新型内容
本实用新型的目的旨在提供一种OPP保护电路,具有保护电阻的作用,能够避免场效应管失效时的瞬间大电流造成电阻短路而烧毁的情况。
为了实现上述目的,本实用新型提供以下技术方案:
一种OPP保护电路,包括场效应管,所述场效应管的D极连接电源正极,其S极通过第一电阻组件接地,其G极通过第二电阻组件与电源芯片的门驱动端口连接;
所述第一电阻组件上并联有第一二极管,所述第一二极管的一端与所述场效应管的S极连接,其另一端接地。
进一步设置:所述第一二极管包括普通二极管或TVS二极管;
当第一二极管为普通二极管时,其正极与场效应的S极连接,其负极接地。
进一步设置:所述第一二极管包括一个或多个普通二极管,且多个所述普通二极管的正负方向一致。
进一步设置:所述第一电阻组件包括多个并联的第一电阻,所述第一电阻的一端均与所述场效应管的S极连接,另一端接地。
进一步设置:所述第二电阻组件包括两个串联的第二电阻,两个串联的所述第二电阻一端与所述场效应管的G极连接,而另一端与电源芯片的门驱动端口连接。
进一步设置:靠近于电源芯片的第二电阻上并联有第二二极管,所述第二二极管的正极连接在两个串联的第二电阻之间,其负极与电源芯片的门驱动端口连接。
进一步设置:所述场效应管的G极与S极上并联有第三电阻。
相比现有技术,本实用新型的方案具有以下优点:
1.在本实用新型涉及的OPP保护电路中,通过在场效应管S极处的第一电阻组件上并联第一二极管,能够避免场效应管失效时产生的瞬间大电流导致电阻短路而引起的烧毁现象,避免PCB背面出现烧毁发黑的情况,以起到保护电阻和PCB的作用。
2.在本申请涉及的OPP保护电路中,通过在第二电阻组件串联的两个第二电阻上并联第二二极管,能够有效增大允许通过的电流。
3.在本申请涉及的OPP保护电路中,通过在场效应管的G极和S极之间并联第三电阻,能够有效防止静电损坏所述场效应管,同时还能够提供固定偏置,使得在前级电路开路时,还能保证所述场效应管的有效关断。
本实用新型附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为本实用新型的OPP保护电路的实施例一的电气连接示意图;
图2为本实用新型的OPP保护电路的实施例二的电气连接示意图;
图3为本实用新型的OPP保护电路的实施例三的电气连接示意图。
图中,1、场效应管;2、第一电阻组件;3、第一二极管;4、第二电阻组件;5、第二二极管;6、第三电阻。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能解释为对本实用新型的限制。
针对现有过载保护电路中场效应管1失效而造成电阻烧毁的问题,本申请提供了一种OPP保护电路,其能够保证在场效应管1损坏时,不会造成负载(电阻)的烧毁,避免PCB背面出现烧毁发黑的痕迹。
请参见图1,所述OPP保护电路包括场效应管1,本申请的场效应管1采用MOS管,其D极与电源正极连接,其S极通过第一电阻组件2后接地,其G极则通过第二电阻组件4与电源芯片的门驱动端口连接。
具体地,所述第一电阻组件2包括多个并联的第一电阻,多个所述第一电路的一端均与所述场效应管1的S极连接,而另一端则接地设置。同时,在所述第一电阻组件2上并联有第一二极管3,所述第一二极管3的一端连接在所述场效应管1的S极与第一电阻组件2之间,其另一端接地,从而可将在所述场效应管1失效所产生的瞬间大电流直接通入地面,避免引起所述第一电阻组件2短路而造成烧毁的情况。
所述第一二极管3包括普通二极管和双向TVS二极管,具体结合以下实施例进行说明。
实施例一:所述第一二极管3采用普通二极管,其正极与与所述场效应管1的S极连接,其负极接地。在场效应管1失效的,瞬间的大电流通过二极管导流到地面,以避免造成第一电阻组件2短路而烧毁的情况,起到保护第一电阻组件2的作用。
实施例二:请结合图2,所述第一二极管3采用普通二极管,且可采用多个普通二极管进行串联。本实施例中将两个普通二极管进行串联,能够降低对单个第一二极管反向击穿电压的要求,提高可靠性。
实施例三:请结合图3,所述第一二极管3采用双向TVS二极管,通过将双向TVS二极管与所要保护的电阻进行并联,当其电压超过突崩溃准位时,直接分流过多的电流,双向TVS二极管是箝位器,会抑制超过其崩溃电压的过高电压,以对其并联的第一电阻组件2起到保护的作用。
所述第二电阻组件4设置在所述场效应管1的G极,其包括两个串联的第二电阻,两个串联的所述第二电阻的一端与所述场效应管1的G极连接,而另一端则与电源芯片的门驱动端口连接。
进一步地,靠近于电源芯片设置的第二电阻上并联有第二二极管5,该第二二极管5采用普通二极管,所述第二二极管5的正极连接在两个串联的第二电阻之间,其负极与电源芯片的门驱动端口连接。通过在其中一个第二电阻上并联第二二极管5,能够提高允许通过的电流,以满足门驱动需要。
此外,在场效应管1的G极和S极上还并联有第三电阻6,所述第三电阻6的设置能够有效防止静电损坏所述场效应管1,同时还能够提供固定偏置,使得在前级电路开路时,所述第三电阻6能够保证所述场效应管1的有效关断。
综上,本申请的OPP保护电路通过在场效应管1的S极处的第一电阻组件2上设置并联的第一二极管,能够避免在所述场效应管1失效时,瞬间的大电流造成电阻的短路而引起烧毁的情况,对第一电阻组件2起到良好的保护作用,能避免PCB背面出现烧毁发黑的痕迹。
以上所述仅是本实用新型的部分实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (7)

1.一种OPP保护电路,其特征在于,包括场效应管,所述场效应管的D极连接电源正极,其S极通过第一电阻组件接地,其G极通过第二电阻组件与电源芯片的门驱动端口连接;
所述第一电阻组件上并联有第一二极管,所述第一二极管的一端与所述场效应管的S极连接,其另一端接地。
2.根据权利要求1所述的OPP保护电路,其特征在于,所述第一二极管包括普通二极管或TVS二极管;
当第一二极管为普通二极管时,其正极与场效应的S极连接,其负极接地。
3.根据权利要求2所述的OPP保护电路,其特征在于,所述第一二极管包括一个或多个普通二极管,且多个所述普通二极管的正负方向一致。
4.根据权利要求1所述的OPP保护电路,其特征在于,所述第一电阻组件包括多个并联的第一电阻,所述第一电阻的一端均与所述场效应管的S极连接,另一端接地。
5.根据权利要求4所述的OPP保护电路,其特征在于,所述第二电阻组件包括两个串联的第二电阻,两个串联的所述第二电阻一端与所述场效应管的G极连接,而另一端与电源芯片的门驱动端口连接。
6.根据权利要求5所述的OPP保护电路,其特征在于,靠近于电源芯片的第二电阻上并联有第二二极管,所述第二二极管的正极连接在两个串联的第二电阻之间,其负极与电源芯片的门驱动端口连接。
7.根据权利要求1所述的OPP保护电路,其特征在于,所述场效应管的G极与S极上并联有第三电阻。
CN202222522841.1U 2022-09-22 2022-09-22 Opp保护电路 Active CN218549488U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202222522841.1U CN218549488U (zh) 2022-09-22 2022-09-22 Opp保护电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202222522841.1U CN218549488U (zh) 2022-09-22 2022-09-22 Opp保护电路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN218549488U true CN218549488U (zh) 2023-02-28

Family

ID=85275534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202222522841.1U Active CN218549488U (zh) 2022-09-22 2022-09-22 Opp保护电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN218549488U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6816350B1 (en) AC voltage protection circuit
FI99222C (fi) Puolijohteilla toteutettu ylijännitesuojauspiiri
US9531187B2 (en) Overvoltage protection device
KR980006248A (ko) 고전압 보호회로를 갖는 집적회로
US10367350B2 (en) Central combined active ESD clamp
IE913602A1 (en) Circuit protection arrangement
CN106786459B (zh) 浪涌保护电路以及使用该电路的电子装置
KR20220002131A (ko) 과전류 보호를 위한 공핍 모드 mosfet
US20230138437A1 (en) Electrostatic discharge protection circuit
CN110676828B (zh) 一种直流浪涌抑制电路
JP7264920B2 (ja) 電気エネルギーの過電流および過電圧保護された移送のための多段保護装置
JP3672552B2 (ja) 過電圧過電流保護回路
CN218549488U (zh) Opp保护电路
RU2000100274A (ru) Защита от выбросов в переходных процессах
US20200106267A1 (en) Low leakage transient overvoltage protection circuit using a series connected metal oxide varistor (mov) and silicon controlled rectifier (scr)
CN211018633U (zh) 一种具有过压过流保护功能的mos管驱动电路
CN210577795U (zh) 一种带超温保护功能的双通道直流浪涌抑制电路
CN210837547U (zh) 机械开关电路结构
CN108777572B (zh) 一种半导体管保护电路及方法
US6169425B1 (en) Voltage sensing current foldback switch circuit
JP2015029397A (ja) 半導体電力変換装置
US4181921A (en) Harmonic distortion attenuator
CN211790740U (zh) 一种保护电路
CN221669550U (zh) 一种电源保护电路及电源
CN218783573U (zh) 一种逆变器及光伏系统

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant