CN218498045U - 一种晶圆承载装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种晶圆承载装置，涉及晶圆加工设备领域，包括：承载座、第一限位部、第一支撑部、第二限位部和第二支撑部；通过设置第一限位部和第一支撑部、第二限位部和第二支撑部来形成不同直径的承载区域来承载不同规格的晶圆，从而提高了晶圆承载装置的适配性，解决了加工设备处理不同规格的晶圆时，需要更换晶圆承载装置的问题。

Description

一种晶圆承载装置

技术领域

本申请涉及晶圆加工设备领域，尤其涉及一种晶圆承载装置。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。

在晶圆的生产过程中需要对晶圆的半成品进行多次加工处理，例如对晶圆进行抛光处理、离子注入处理等。对晶圆处理时，需要将待处理的晶圆放置到加工设备的承载装置上。

但是，目前的承载装置只能承载一种规格晶圆。当对不同规格的晶圆进行加工时，为适应晶圆的大小，需要对加工设备中所有的承载装置进行更换，操作比较麻烦。

实用新型内容

本申请实施例提供了一种晶圆承载装置，用以解决现有技术中对不同规格的晶圆进行加工时，为适应晶圆的大小，需要对加工设备中所有的承载装置进行更换的问题。

本申请提供一种晶圆承载装置，包括：

承载座，所述承载座的承载面用于承载晶圆；

第一支撑部，呈圆周方式设置在所述承载面上，所述第一支撑部用于支撑第一晶圆；

第一限位部，环绕在所述第一支撑部的外周，且背向所述承载面的一端伸出于所述第一支撑部，以将所述第一晶圆限制在所述第一限位部围合成的第一区域内；

第二支撑部，呈圆周方式环绕在所述第一支撑部的外周，且位于所述第一限位部围合成的区域外，所述第二支撑部背向所述承载面的一端齐平于或高于所述第一限位部，所述第二支撑部用于支撑第二晶圆，所述第二晶圆的直径大于所述第一晶圆的直径；

第二限位部，环绕在所述第二支撑部的外周，且背向所述承载面的一端伸出于所述第二支撑部，以将所述第二晶圆限制在所述第二限位部围合成的第二区域内。

可选地，所述承载座包括底座、第一凸台和第二凸台；

所述第一凸台和所述第二凸台均呈圆周方式设置在所述底座的承载面上，且第二凸台的凸出高度大于和所述第二凸台的凸出高度；

所述第二凸台环绕在所述第一凸台的外周，所述第一限位部支撑于所述第一凸台上，所述第二限位部支撑于所述第二凸台上。

可选地，所述第一限位部包括多个第一限位柱，多个所述第一限位柱呈圆周方式间隔设置在所述第一凸台上；和/或，

所述第二限位部包括多个第二限位柱，多个所述第二限位柱呈圆周方式间隔设置所述第二凸台上。

可选地，所述第二支撑部包括多个第二支撑柱，多个所述第二支撑柱呈圆周方式间隔设置在所述第二限位部与所述第一支撑部之间。

可选地，所述第一限位部作为所述第二支撑部，用于支撑所述第二晶圆。

可选地，所述第二凸台位于所述第二区域内的部分作为所述第二支撑部，用于支撑所述第二晶圆。

可选地，所述第一凸台位于所述第一区域内的部分作为所述第一支撑部，用于支撑所述第一晶圆。

可选地，所述第一支撑部包括多个第一支撑柱，多个所述第一支撑柱呈圆周方式间隔设置在所述第一区域内。

本申请提供一种晶圆承载装置，通过设置第一限位部和第一支撑部、第二限位部和第二支撑部来形成不同直径的承载区域来承载不同规格的晶圆，从而提高了晶圆承载装置的适配性，解决了加工设备处理不同规格的晶圆时，需要更换晶圆承载装置的问题。

附图说明

图1是本申请第一实施例提供的晶圆承载装置的结构示意图；

图2是图1沿E-E线的剖视图；

图3是本申请第二实施例提供的晶圆承载装置的结构示意图；

图4是图3沿A-A线的剖视图；

图5是本申请第三实施例提供的晶圆承载装置的结构示意图；

图6是图5沿B-B线的剖视图；

图7是本申请第四实施例提供的晶圆承载装置的结构示意图；

图8是图7沿C-C线的剖视图；

图9是本申请第五实施例提供的晶圆承载装置的结构示意图；

图10是图9沿D-D线的剖视图。

附图标记说明：

100-第一晶圆；200-第二晶圆；300-第一支撑部；400-第一限位部；500-第二支撑部；600-第二限位部；700-承载座；

310-第一支撑柱；410-第一限位柱；510-第二支撑柱；610-第二限位柱；710-第一凸台；720-第二凸台；730-底座。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

在本申请实施例的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在晶圆的生产过程中，需要对晶圆的半成品进行多次加工处理，例如需要进行抛光处理、离子注入处理等。在处理时，需要将待处理的晶圆放置到加工设备的承载装置上。但是，目前的承载装置只能承载一种规格的晶圆，当对不同规格的晶圆进行加工时，为适应晶圆的大小，需要对加工设备中所有的承载装置进行更换，操作比较麻烦。

为了解决上述问题，本申请提供一种晶圆承载装置，通过设置第一限位部和第一支撑部、第二限位部和第二支撑部来形成不同直径的承载区域来承载不同规格的晶圆，从而提高了晶圆承载装置的适配性，解决了加工设备处理不同规格的晶圆时，需要更换晶圆承载装置的问题。

以下结合附图对本申请实施例的物料混合装置的结构进行详细说明。

图1是本申请第一实施例提供的晶圆承载装置的结构示意图；图2是图1沿E-E线的剖视图。

参考图1和图2所示，本申请实施例提供一种晶圆承载装置，包括承载座700、第一支撑部300、第一限位部400、第二支撑部500和第二限位部600。

其中，承载座700的上表面为承载面，承载面用于承载晶圆，方便加工设备对其加工。承载座700的水平截面为圆形，在其他一些可行的实施例中，承载座700的水平截面也可为矩形。

其中，第一支撑部300第一支撑部300呈圆周方式设置在承载座700的承载面上。第一晶圆100被放置在第一支撑部300上，第一支撑部300用于支撑第一晶圆100。作为其中一种实施例，该圆周的圆心可位于承载座700的承载面的中心处。可以理解的是，在其他示例中，该圆周的圆心也可位于承载面的其他位置，只要保证第一支撑部300能够呈圆周状分布在承载面上即可。

作为可行的实施例，第一支撑部300可以为多个支撑柱、支撑块，也可以为一整个环状的平台，具体形式不做限定，能够起支撑晶圆的作用即可。其中，第一限位部400设置在承载座700的承载面上，并且环绕在第一支撑部300的外周。第一限位部400背离承载面的一端伸出于第一支撑部300，换句话说，第一限位部400远离承载面的一端的高度高于第一支撑部300远离承载面的一端的高度，第一限位部400围绕在第一晶圆100的圆周外侧，从而限制所放置在第一支撑部300上的第一晶圆100水平移动。

可以理解的是，呈圆周方式分布的第一限位部400包围出一个圆形的第一区域，第一晶圆100放置在第一区域内，第一限位部400围绕在第一晶圆的圆周，限制第一晶圆100水平移动。其中，第一区域又称第一晶圆限位区域，第一晶圆100被放置在第一晶圆限位区域中，第一限位部400包围在第一晶圆100的圆周，以限制第一晶圆100水平移动。第一支撑部300设置在该第一晶圆限位区域内，用于支撑第一晶圆100。第一限位部400和第一支撑部300共同包围形成第一晶圆承载区域，用于承载第一晶圆100。

作为可行的实施例，第一限位部400可以为多个支撑柱、支撑块，也可以为一整个环状的平台，具体形式不做限定，能够起到限制第一晶圆水平移动的作用即可。

其中，第二支撑部500设置在承载座700的承载面上，环绕在第一支撑部300的外周，并且位于第一限位部400包围形成的第一晶圆限位区域之外。第二支撑部500背向承载座700的承载面的一端平齐或者高于第一限位部400。换句话说，第二支撑部500远离承载面的一端的高度不低于第一限位部400远离承载面的一端的高度，以用来支撑第二晶圆200。

作为可行的实施例，第二支撑部500可以为多个支撑柱、支撑块，也可以为一整个环状的平台，具体形式不做限定，能够起到支撑第二晶圆的作用即可。

其中，第二限位部600设置在承载座700的承载面上，环绕在第二支撑部500的外周。呈圆周方式设置在承载面上的第二限位部600包围形成一个圆形的第二区域。第二支撑部500位于该第二晶圆限位区域中，并且第二限位部600背向承载面的一端伸出于第二支撑部500，其中，第二限位部600远离承载面的一端的高度高于第二支撑部500远离承载面的一端的高度，从而使第二限位部600能够限制所放置于第二支撑部500上的第二晶圆200的水平移动，即第二区域可对第二晶圆200进行固定，限制其水平移动。

其中，第二区域又称第二晶圆限位区域，第二晶圆200被放置在第二晶圆限位区域中，第二晶圆限位区域能够限制第二晶圆200的水平移动。

第二支撑部500用于支撑第二晶圆200，第二限位部600用于限制放置在第二支撑部500上的第二晶圆200的水平移动，第二限位部600和第二支撑部500共同包围形成第二晶圆承载区域，用于承载第二晶圆200。

作为可行的实施例，第二限位部600可以为多个支撑柱、支撑块，也可以为一整个环状的平台，具体形式不做限定，能够起到对第二晶圆限位的作用即可。

需要说明的是，第一晶圆100和第二晶圆200属于形状形同，直径不同的不同规格的晶圆。其中第二晶圆200的直径大于第一晶圆100的直径，所以相对应的第二晶圆承载区域的直径大于第一晶圆承载区域。

通过设置第一限位部400和第一支撑部300，第二限位部600和第二支撑部500来形成两个不同直径的承载区域来承载不同规格的晶圆，提高了加工设备中的晶圆承载装置的适配性。当对不同规格的晶圆进行加工时，只需将晶圆放置于对应其大小的承载区域中即可，适配性解决了现有加工设备为处理不同规格的晶圆需更换晶圆承载装置的问题。

以下还给出了第一支撑部、第一限位部、第二支撑部和第二限位部的其他几种不同的结构设置。

图3是本申请第二实施例提供的晶圆承载装置的结构示意图，图4是图3沿A-A线的剖视图。

参考图3所示，本申请一实施例的晶圆承载装置包括承载座700、第一支撑部300、第一限位部400、第二支撑部500和第二限位部600。

其中，承载座700的水平截面为圆形。承载座700包括第一支撑柱310、第一凸台710和第二凸台720。第一凸台710和第二凸台720均呈圆周方式设置在承载座700的承载面上。第二凸台720环绕在第一凸台710的外周，并且第二凸台720的高度高于第一凸台710的高度。

在另一种可行的实施例中，第一凸台710设置在承载座700的承载面上，第二凸台720设置在第一凸台710上，且第一凸台710的宽度宽于第二凸台720。第一限位部400支撑于第一凸台710上，第二限位部600支撑于第二凸台720上，从而使第一限位部400和第二限位部600之间具有高度差，使二者分别包围形成第一晶圆限位区域和第二晶圆限位区域。

继续参考图3和图4所示，其中，第一支撑部300包括多个第一支撑柱310，多个第一支撑柱310呈圆周方式间隔设置在承载座700的承载面上，用于支撑第一晶圆100。示例性的，该圆周的圆心为承载面的中心。

其中，第一限位部400包括多个第一限位柱410，多个第一限位柱410绕第一支撑柱310的圆周间隔设置在第一凸台710上。多个第一限位柱410共同围绕形成第一晶圆限位区域。第一晶圆100放置于该第一晶圆限位区域中，第一限位柱围绕在第一晶圆100的圆周，以限制第一晶圆100的水平移动。多个第一支撑柱310位于第一晶圆限位区域中，用于支撑第一晶圆100。多个第一支撑柱310和多个第一限位柱410共同包围形成第一晶圆承载区域，承载第一晶圆100。

其中，第二支撑部500包括第二支撑柱510，在本实施例中，第一限位柱410作为第二支撑柱510对第二晶圆200进行支撑，换句话说，第一限位柱410在本实施例中既可对第一晶圆100起限位作用，限制第一晶圆100的水平移动。同时，第一限位柱410可对第二晶圆200起支撑作用，用以支撑第二晶圆200。

其中，第二限位部600包括多个第二限位柱610，多个第二限位柱610绕第一限位柱410的圆周间隔设置在第二凸台720上。多个第二限位柱610共同围绕形成第二晶圆限位区域.第二晶圆200被放置于该第二晶圆限位区域中，第二限位柱围绕在第二晶圆200的圆周，以限制第二晶圆200的水平移动。多个第一限位柱410位于第二晶圆限位区域中，用以支撑第二晶圆200。多个第二限位柱610和多个第一限位柱410共同包围形成第二晶圆承载区域，以承载第二晶圆200。

图5是本申请第三实施例提供的晶圆承载装置的结构示意图，图6是图5沿B-B线的剖视图。

参考图5和图6所示，本申请一实施例的晶圆承载装置包括承载座700、第一支撑部300、第一限位部400、第二支撑部500和第二限位部600。

其中，承载座700的水平截面为圆形。承载座700包括第一支撑柱310、第一凸台710和第二凸台720。第一凸台710和第二凸台720均呈圆周方式设置在承载座700的承载面上。第二凸台720环绕在第一凸台710的外周，并且第二凸台720的高度高于第一凸台710的高度。在另一种可行的实施例中，第一凸台710设置在承载座700的承载面上，第二凸台720设置在第一凸台710上，且第一凸台710的宽度宽于第二凸台720。第一限位部400支撑于第一凸台710上，第二限位部600支撑于第二凸台720上，从而使第一限位部400和第二限位部600之间具有高度差，使二者分别包围形成第一晶圆限位区域和第二晶圆限位区域。

其中，第一限位部400包括多个第一限位柱410，多个第一限位柱410沿第一凸台710的圆周设置在第一凸台710上，多个第一限位柱410共同围绕形成第一晶圆限位区域。第一晶圆100放置于第一晶圆限位区域中，第一限位柱围绕在第一晶圆100的圆周，以限制第一晶圆100水平移动。在该实施例中，第一凸台710的部分延伸至多个第一限位柱410共同围绕形成的第一晶圆限位区域中。第一凸台710位于第一晶圆限位区域内的部分作为第一支撑部300，用来对位于第一晶圆限位区域内的第一晶圆100进行支撑。多个第一限位柱410和第一凸台710的部分共同包围形成第一晶圆承载区域，用以承载第一晶圆100。

其中，多个第二限位柱610绕第一限位柱410的圆周间隔设置在第二凸台720上，多个第二限位柱610共同围绕形成第二晶圆限位区域。

在该实施例中，第二凸台720的部分延伸至多个第二限位柱610共同围绕形成的第二晶圆限位区域中。第二凸台720位于第二晶圆限位区域内的部分作为第二支撑部500，用来对位于第二晶圆限位区域内的第二晶圆200进行支撑。多个第二限位柱610和第二凸台720的部分共同包围形成第二晶圆承载区域，用以承载第二晶圆200。

图7是本申请第四实施例提供的晶圆承载装置的结构示意图，图8是图7沿C-C线的剖视图。

参考图7和图8所示，在该实施例中，晶圆承载装置包括承载座700、第一支撑部300、第一限位部400、第二支撑部500和第二限位部600。

其中，承载座700的水平截面为圆形。承载座700包括第一支撑柱310、第一凸台710和第二凸台720。第一凸台710和第二凸台720均呈圆周方式设置在承载座700的承载面上。第二凸台720环绕在第一凸台710的外周，并且第二凸台720的高度高于第一凸台710的高度。在另一种可行的实施例中，第一凸台710设置在承载座700的承载面上，第二凸台720设置在第一凸台710上，且第一凸台710的宽度宽于第二凸台720。第一限位部400支撑于第一凸台710上，第二限位部600支撑于第二凸台720上，从而使第一限位部400和第二限位部600之间具有高度差，使二者分别包围形成第一晶圆限位区域和第二晶圆限位区域。

其中，第一限位部400包括多个第一限位柱410，第一限位柱410沿第一凸台710的圆周间隔设置在第一凸台710上，多个第一限位柱410包围形成第一晶圆限位区域。第一晶圆100被放置在第一晶圆限位区域中，第一限位柱围绕在第一晶圆100的圆周，以限制第一晶圆100的水平移动。在该实施例中，第一凸台710的部分延伸至多个第一限位柱410共同围绕形成的第一晶圆限位区域中。第一凸台710位于第一晶圆限位区域内的部分作为第一支撑部300，用来对位于第一晶圆限位区域内的第一晶圆100进行支撑。多个第一限位柱410和第一凸台710的部分共同包围形成第一晶圆承载区域，用以承载第一晶圆100。

其中，第二限位部600包括多个第二限位柱610，多个第二限位柱610绕第一限位柱410的圆周间隔设置在第二凸台720上，多个第二限位柱610共同围绕形成第二晶圆限位区域。第二晶圆200被放置在该第二晶圆限位区域中，第二限位柱围绕在第二晶圆200的圆周，以限制第二晶圆200的水平移动。

其中，第二支撑部500包括第二支撑柱510，在该实施例中，第一限位柱410作为第二支撑柱510对第二晶圆200进行支撑，换句话说，第一限位柱410在本实施例中既限制第一晶圆100的水平移动，同时也可支撑第二晶圆200。多个第二限位柱610和多个第一限位柱410共同包围形成第二晶圆承载区域，用以承载第二晶圆200。

图9是本申请第五实施例提供的晶圆承载装置的结构示意图，图10是图9沿D-D线的剖视图。

参考图9和图10所示，在该实施例中，晶圆承载装置包括承载座700、第一支撑部300、第一限位部400、第二支撑部500和第二限位部600。

其中，承载座700的水平截面为圆形。承载座700包括第一支撑柱310、第一凸台710和第二凸台720。第一凸台710和第二凸台720均呈圆周方式设置在承载座700的承载面上。第二凸台720环绕在第一凸台710的外周，并且第二凸台720的高度高于第一凸台710的高度。在另一种可行的实施例中，第一凸台710设置在承载座700的承载面上，第二凸台720设置在第一凸台710上，且第一凸台710的宽度宽于第二凸台720。第一限位部400支撑于第一凸台710上，第二限位部600支撑于第二凸台720上，从而使第一限位部400和第二限位部600之间具有高度差，使二者分别包围形成第一晶圆限位区域和第二晶圆限位区域。

其中，第一支撑部300包括多个第一支撑柱310，多个第一支撑柱310呈圆周方式间隔设置在承载座700的承载面上，用于支撑第一晶圆100。示例性的，该圆周的圆心为承载面的中心。

其中，第一限位部400包括多个第一限位柱410，多个第一限位柱410绕第一支撑柱310的圆周间隔设置在第一凸台710上。多个第一限位柱410共同围绕形成第一晶圆限位区域。第一晶圆100被放置于第一晶圆限位区域中，第一限位柱410围绕在第一晶圆100的圆周，以限制第一晶圆100的水平移动。多个第一支撑柱310位于第一晶圆限位区域中，用以支撑第一晶圆限位区域内的晶圆。多个第一支撑柱310和多个第一限位柱410共同包围形成第一晶圆承载区域，用以承载第一晶圆100。

其中，第二限位部600包括多个第二限位柱610，多个第二限位柱610绕第一限位柱410的圆周间隔设置在第二凸台720上，多个第二限位柱610共同围绕形成第二晶圆限位区域。第二晶圆200被放置在第二晶圆限位区域中，第二限位柱610围绕在第二晶圆200的圆周，以限制第二晶圆200的水平移动。

在该实施例中，第二凸台720的部分延伸至多个第二限位柱610共同围绕形成的第二晶圆限位区域中。第二凸台720位于第二晶圆200限位区域内的部分作为第二支撑部500，用来对位于第二晶圆限位区域内的第二晶圆200进行支撑。多个第二限位柱610和第二凸台720的部分共同包围形成第二晶圆承载区域，用以承载第二晶圆200。

容易理解的是，本领域技术人员在本申请提供的几个实施例的基础上，可以对本申请的实施例进行结合、拆分、重组等得到其他实施例，这些实施例均没有超出本申请的保护范围。

以上的具体实施方式，对本申请实施例的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，以上仅为本申请实施例的具体实施方式而已，并不用于限定本申请实施例的保护范围，凡在本申请实施例的技术方案的基础之上，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本申请实施例的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括：

承载座，所述承载座的承载面用于承载晶圆；

第一支撑部，呈圆周方式设置在所述承载面上，所述第一支撑部用于支撑第一晶圆；

第一限位部，环绕在所述第一支撑部的外周，且背向所述承载面的一端伸出于所述第一支撑部，以将所述第一晶圆限制在所述第一限位部围合成的第一区域内；

第二支撑部，呈圆周方式环绕在所述第一支撑部的外周，且位于所述第一限位部围合成的区域外，所述第二支撑部背向所述承载面的一端齐平于或高于所述第一限位部，所述第二支撑部用于支撑第二晶圆，所述第二晶圆的直径大于所述第一晶圆的直径；

第二限位部，环绕在所述第二支撑部的外周，且背向所述承载面的一端伸出于所述第二支撑部，以将所述第二晶圆限制在所述第二限位部围合成的第二区域内。

2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述承载座包括底座、第一凸台和第二凸台；

所述第一凸台和所述第二凸台均呈圆周方式设置在所述底座的承载面上，且第二凸台的凸出高度大于和所述第二凸台的凸出高度；

所述第二凸台环绕在所述第一凸台的外周，所述第一限位部支撑于所述第一凸台上，所述第二限位部支撑于所述第二凸台上。

3.根据权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一限位部包括多个第一限位柱，多个所述第一限位柱呈圆周方式间隔设置在所述第一凸台上；和/或，

所述第二限位部包括多个第二限位柱，多个所述第二限位柱呈圆周方式间隔设置所述第二凸台上。

4.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第二支撑部包括多个第二支撑柱，多个所述第二支撑柱呈圆周方式间隔设置在所述第二限位部与所述第一支撑部之间。

5.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一限位部作为所述第二支撑部，用于支撑所述第二晶圆。

6.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第二凸台位于所述第二区域内的部分作为所述第二支撑部，用于支撑所述第二晶圆。

7.根据权利要求5或6所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一凸台位于所述第一区域内的部分作为所述第一支撑部，用于支撑所述第一晶圆。

8.根据权利要求5或6所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一支撑部包括多个第一支撑柱，多个所述第一支撑柱呈圆周方式间隔设置在所述第一区域内。

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