CN218473038U - 控制电路、驱动控制系统和电源装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种控制电路、驱动控制系统和电源装置，该控制电路包括整流支路、储能支路、驱动支路、控制支路和降压支路。当变压器的辅助绕组的输出电压未超过预设阈值时，控制支路不工作，驱动支路无法控制降压支路导通，由此避免驱动控制芯片因反馈引脚的电压过低而触发短路保护逻辑的问题；当变压器的辅助绕组的输出电压超过预设阈值时，控制支路工作且控制所述驱动支路根据储能支路提供的储能电压输出驱动信号，以驱动所述降压支路导通并降低驱动控制芯片的反馈引脚的电压，由此避免驱动控制芯片因反馈引脚的电压过高而触发开路保护逻辑的问题。最终可让电源装置拥有宽负载范围的同时，又让驱动控制芯片兼具开路保护、短路保护等功能。

Description

控制电路、驱动控制系统和电源装置

技术领域

本实用新型涉及电源驱动技术领域，特别涉及一种控制电路、驱动控制系统和电源装置。

背景技术

开关电源被广泛的应用于各种电子产品中，且其通常利用驱动控制芯片控制一个变压器，该驱动控制芯片通过其反馈引脚FB采样该变压器的辅助绕组的输出电压Va，进行退磁检测、开、短路保护以及一些功能检测，且该变压器的主绕组提供输出电压Vo给相应的负载(例如LED、手机充电器、AC/DC电源适配器和移动设备的备用电源等)。由于辅助绕组的输出电压Va与主绕组的输出电压Vo是通过变压器耦合，所以辅助绕组的输出电压Va与主绕组的输出电压Vo的比例在变压器设计完成时就已固定。在宽负载应用时，主绕组的输出电压Vo在最小输出电压Vomin和最大输出电压Vomax之间可选，当Vo＝Vomin 时，Va为辅助绕组的最小输出电压Vamin，当Vo＝Vomax时，Va为辅助绕组的最大输出电压Vamax。

然而，由于驱动控制芯片的设计限制的原因，Vamin和Vamax容易触发驱动控制芯片的短、开路保护和一些功能限制，由此导致开关电源无法做到较大范围的带载能力。其中，对于LED产品，当不同厂商、不同灯型产品用到的 LED负载不一样时，就需要驱动LED发光的开关电源具有较宽范围的负载能力，但是目前市面上大部分LED产品受制于驱动控制芯片的设计限制，要么驱动控制芯片的负载范围不够宽，要么在驱动控制芯片中取消开路保护等功能，由此导致产品难以满足市场的不同需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种控制电路、驱动控制系统和电源装置，能够让驱动控制芯片在拥有宽负载范围的同时，又兼具开路保护等功能。

为实现上述目的，本实用新型提供一种控制电路，其包括：

整流支路，输入端耦接变压器的辅助绕组；

储能支路，一端耦接所述整流支路，另一端接地，并根据所述整流支路输出的电压进行充放电；

驱动支路，耦接所述储能支路的一端并获取储能电压；

控制支路，一端与所述整流支路的输出端耦接，另一端耦接所述驱动支路；

降压支路，一端与所述驱动支路的输出端耦接，另一端与所述辅助绕组的电压采样端耦接，所述电压采样端耦接驱动控制芯片的反馈引脚；其中，

在所述辅助绕组的输出电压超过预设阈值时，所述控制支路控制所述驱动支路根据所述储能电压输出驱动信号至所述降压支路，驱动所述降压支路导通并降低所述电压采样端的采样电压。

可选地，所述降压支路包括第一电阻和控制开关，所述第一电阻的一端与所述辅助绕组的电压采样端耦接，所述第一电阻的另一端耦接所述控制开关的第一端，所述控制开关的第二端接地，所述控制开关的控制端耦接所述驱动支路的输出端。

可选地，所述控制开关导通时，所述第一电阻与所述辅助绕组的电压采样端所耦接的采样电路中的相应电阻并联。

可选地，所述整流支路包括第一二极管,所述第一二极管的阳极为所述整流支路的输入端，所述第一二极管的阴极为所述整流支路的输出端。

可选地，所述储能支路包括至少一个电容，每个所述电容的一端均耦接所述整流支路的输出端，每个所述电容的另一端均接地。

可选地，所述储能支路还包括第四电阻，所述第四电阻的一端耦接所述整流支路的输出端，另一端接地。

可选地，所述驱动支路包括分压支路和第二电阻，所述分压支路的输入端作为所述驱动支路的输入端并耦接所述储能支路的一端，所述分压支路的输出端耦接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端为所述驱动支路的输出端。

可选地，所述驱动支路还包括稳压二极管，所述稳压二极管的阳极接地，阴极耦接所述分压支路的输出端或者所述第二电阻的另一端。

可选地，所述控制支路包括击穿二极管，所述击穿二极管的阳极耦接所述驱动支路的输入端，阴极耦接所述整流支路的输出端。

可选地，所述控制电路还包括限流支路，所述限流支路耦接在所述储能支路和所述整流支路之间。

可选地，所述限流支路包括第三电阻，所述第三电阻耦接在所述储能支路和所述整流支路之间。

基于同一实用新型构思，本实用新型还提供一种驱动控制系统，其包括驱动控制芯片，所述驱动控制芯片的反馈引脚耦接有如本实用新型任一项所述的控制电路；其中，所述控制电路设置在所述驱动控制芯片的外部或者至少部分集成在所述驱动控制芯片的内部。

可选地，所述的驱动控制系统还包括：

采样电路，输入端耦接变压器的辅助绕组，输出端耦接所述驱动控制芯片的反馈引脚；

功率开关电路，第一端耦接所述变压器的主绕组，第二端耦接所述驱动控制芯片的采样引脚，控制端耦接所述驱动控制芯片的驱动端，并在所述驱动控制芯片的控制下导通或者关断，以调整所述主绕组提供的输出电压；

其中，所述采样电路设置在所述驱动控制芯片的外部或者至少部分集成在所述驱动控制芯片的内部，所述功率开关电路设置在所述驱动控制芯片的外部或者至少部分集成在所述驱动控制芯片的内部。

基于同一实用新型构思，本实用新型还提供一种电源装置，其包括变压器、负载以及如本实用新型所述的驱动控制系统。

与现有技术相比，本实用新型的技术方案，至少具有以下有益效果：

一方面，当变压器的主绕组提供的输出电压低的时候，辅助绕组的输出电压也较低，不足以超过预设阈值，控制支路不工作，驱动支路无法控制降压支路导通，由此避免驱动控制芯片因反馈引脚的电压过低而触发短路保护逻辑的问题；

另一方面，当变压器的主绕组提供的输出电压高的时候，辅助绕组的输出电压也较高，足以超过预设阈值，控制支路工作且控制驱动支路根据储能支路提供的储能电压输出驱动信号至降压支路，驱动降压支路导通并降低驱动控制芯片的反馈引脚的电压，由此避免驱动控制芯片因反馈引脚的电压过高而触发开路保护逻辑的问题。

因此，本实用新型的控制电路的设置，解决了电源装置受制于驱动控制芯片设计的原因而无法做到宽负载范围的问题，使电源装置的应用范围更广。

附图说明

本领域的普通技术人员将会理解，提供的附图用于更好地理解本实用新型，而不对本实用新型的范围构成任何限定。其中：

图1是本实用新型一实施例的控制电路的架构示意图。

图2是本实用新型一实施例的控制电路的具体示例结构示意图。

图3是本实用新型一实施例的驱动控制系统的架构示意图。

图4是本实用新型一实施例的驱动控制系统的具体示例结构示意图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本实用新型更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本实用新型可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本实用新型发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本实用新型能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本实用新型的范围完全地传递给本领域技术人员。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件被称为"连接到"、“耦接”其它元件时，其可以直接地连接其它元件，或者可以存在居间的元件。相反，当元件被称为"直接连接到"其它元件时，则不存在居间的元件。在此使用时，单数形式的"一"、"一个"和"所述/该"也意图包括复数形式，除非上下文清楚的指出另外的方式。还应明白术语“包括”用于确定可以特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语"和/或"包括相关所列项目的任何及所有组合。

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的技术方案作进一步详细说明。根据下面说明，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

请参考图1，本实用新型一实施例提供一种控制电路U5，其应用于驱动控制系统中，且耦接该驱动控制系统的驱动控制芯片U1的反馈引脚FB以及变压器T1的辅助绕组T1B的电压采样端，以对辅助绕组T1B的输出电压Va进行采样。该控制电路U5用于解决变压器T1的主绕组T1A提供的输出电压Vo过高或过低时而触发驱动控制芯片U1的短路保护或者开路保护的问题，使得电源装置能做到宽负载范围。

具体地，请参考图1，本实施例中，该控制电路U5包括整流支路U50、储能支路U51、驱动支路U52、控制支路U53和降压支路U54。

请参考图1，整流支路U50的一端耦接变压器T1的辅助绕组T1B，另一端接地GND，整流支路U50用于对变压器T1的辅助绕组T1B的输出电压Va进行整流后输出。整流支路U50可以采用任意合适的整理电路设计来实现。

请参考图2，可选地，整流支路U50包括第一二极管D1。第一二极管D1 的阳极为所述整流支路U50的输入端，耦接变压器T1的辅助绕组T1B的一端，第一二极管D1接收辅助绕组T1B的输出电压Va并对Va进行整流。第一二极管D1的阴极作为所述整流支路U50的输出端，给储能支路U51提供进行充放电的电压。

请参考图1，储能支路U51的一端耦接所述整流支路U50的输出端，另一端接地。储能支路U51用于根据整流支路U50输出的电压进行充放电。储能支路U51可以分别采用任意合适的电路设计来实现。

可选地，请参考图2，储能支路U51包括至少一个电容，每个电容的一端均耦接整流支路U50的输出端，每个所述电容的另一端均接地GND。

作为一种具体示例，储能支路U51包括并联的电容C1、第四电阻R4和电容EC1，其中，电容C1和电容EC1可以是同类型的电容器，例如均为无极性的普通电容器或者有极性的电解电容，也可以是不同类型的电容器，例如电容 C1为无极性的普通电容器，电容EC1为有极性的电解电容。电容C1、第四电阻R4和电容EC1的一端均耦接整流支路U50的输出端，电容C1、第四电阻R4 和电容EC1的另一端均接地GND。第四电阻R4作为放电路径，用于实现电容C1、EC1对地GND的放电。

可选地，控制电路U5还包括限流支路(未示出)，限流电路耦接在整流支路U50和储能支路U51之间，用于对储能支路U51的充电电流和/或放电电流进行限流。作为一种具体示例，请参考图2，限流支路包括第三电阻R3。第三电阻R3的一端为所述限流支路的输入端，耦接整流支路U50的输出端(即第一二极管D1的阴极)，第三电阻R3的另一端为所述限流支路的输出端，耦接储能支路U51的一端(即电容C1、EC1的一端)。限流支路对给电容C1、EC1 的充电电流和/或放电电流进行限流。

在本实用新型的其他实施例中，D1和R3的位置还可以交换，也能实现同样的效果。即，R3的一端为限流支路的输入端，R3的另一端耦接D1的阳极， D1的阴极为所述限流支路的输出端。

请参考图1，驱动支路U52的输入端耦接所述储能支路U51的一端，并获取所述储能支路U51提供的储能电压Vc以转换为相应的驱动信号Vg输出至降压支路U54。

可选地，请参考图2，所述驱动支路U52包括分压支路(未图示)和第二电阻R2，所述分压支路的输入端作为所述驱动支路U52的输入端并耦接所述储能支路U51的一端，以接收储能电压Vc，所述分压支路的输出端耦接所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端为所述驱动支路U52的输出端。控制开关Q的控制端耦接驱动支路U52的输出端，第二端接地GND。且该分压支路对储能电压Vc进行分压和限流后输出为驱动信号Vg，以驱动降压支路U54导通或关断。

作为一种示例，请参考图2，驱动支路U52中的分压支路包括第五电阻R5 和第六电阻R6，第五电阻R5的一端耦接储能支路50的一端，以接收储能电压 Vc，第五电阻R5的另一端耦接第六电阻R6的一端以及降压支路U54的控制端，第六电阻R6的另一端接地GND，分压支路对储能电压Vc进行分压和限流后输出为驱动电压Vg，以驱动降压支路U54导通或关断。第二电阻R2可以看做为降压支路U54的驱动电阻。

可选地，请参考图1和图2，本实施例中，驱动支路U52还包括稳压二极管ZD2，稳压二极管ZD2的阳极接地，阴极耦接降压支路U54(即控制开关Q) 的控制端，ZD2用于保护降压支路U54的控制端。作为一种示例，稳压二极管 ZD2的阴极耦接R2、R5和R6的连接节点。

请参考图1，控制支路U53一端与所述整流支路U50的输出端和储能支路 U51的一端耦接，另一端耦接所述驱动支路U52。控制支路U53可以采用任意合适的电路设计来实现。

可选地，请参考图2，控制支路U53包括击穿二极管ZD1，在所述辅助绕组T1B的输出电压Va超过预设阈值时，击穿二极管ZD1被击穿，由此可以控制所述驱动支路U52根据所述储能电压Vc输出驱动信号Vg至所述降压支路 U54，驱动所述降压支路U54导通并降低所述辅助绕组T1B的电压采样端的采样电压Vfb。

本示例中，击穿二极管ZD1的阴极耦接储能支路U51的一端(即C1的一端)，阳极耦接驱动支路U52的一端(即R5的一端)。在其他示例中，击穿二极管ZD1还可以耦接于整流支路U50和储能支路U51之间(即D1与C1之间)。

在本实用新型的其他实施例中，击穿二极管ZD1也可以被具有相同压降的器件或电路来代替。

请参考图1，降压支路U54一端与驱动支路U52的输出端耦接，另一端与辅助绕组T1B的电压采样端耦接，该电压采样端耦接驱动控制芯片U1的反馈引脚FB，在辅助绕组T1B的输出电压Va超过预设阈值时，控制支路U53控制驱动支路U52根据储能支路U51提供的储能电压Vc输出驱动信号Vg至降压支路U54，驱动降压支路U54导通并降低辅助绕组T1B的电压采样端的采样电压 Vfb。

可选地，请参考图2，降压支路U54包括第一电阻R1和控制开关Q1，所述第一电阻R1的一端耦接所述驱动控制芯片U1的反馈引脚FB和辅助绕组T1B 的电压采样端(即采样电路U2的输出端)。所述第一电阻R1的另一端耦接控制开关Q1的第一端(例如NMOS的漏极)。控制开关Q1的第二端(例如 NMOS的源极)接地，控制开关Q1的控制端(例如NMOS的栅极)耦接驱动支路U52的输出端(即R2的一端)。其中，第一电阻R1在该降压支路U54的通路导通(即控制开关Q1导通)时，与采样电路U2中的相应电阻(即图2中的R8)并联。

此外，控制开关Q1可以是MOS管、三极管或者门开关电路等等任意合适的开关元件或开关电路。

作为一种示例，请参考图1和图2，辅助绕组T1B的电压采样端和本实用新型的控制电路之间还耦接一采样电路U2，该采样电路U2包括电阻R7、电阻 R8和电容C2。其中，R7的一端作为采样电路U2的输入端，耦接变压器T1的辅助绕组T1B的一端，以接收辅助绕组T1B的输出电压Va，R7的另一端和R8 的一端及R1的一端耦接，形成采样电路U2的输出端，以提供反馈电压Vfb， R8的另一端接地。电容C2用于对采样电路U2提供的反馈电压Vfb进行滤波后输出。在控制开关Q1关断时，Vfb＝Va*R8/(R7+R8)，但在击穿二极管ZD1被击穿且控制开关Q1导通时，R1和R8并联，和R7构成上下臂对辅助绕组T1B的输出电压Va进行分压，Vfb＝Va*(R8//R1)/(R7+(R8//R1))，“R8//R1”为R1和R8 并联后的电阻。显然，R8阻值相对R1和R7均较大时，能够在控制开关Q1关断时避免Vfb过低，在控制开关Q1导通时在起到降低Vfb的基础上且保证Vfb 不会降至过低。

下面以图2所示的控制电路来实现说明本实用新型的控制电路的工作原理，具体如下：

首先，变压器T1的辅助绕组T1B的输出电压Va＝Vo*Na/Np，其中，Na为辅助绕组T1B的匝数，Np为主绕组T1A的匝数(也可称为主电感匝数)。

当变压器T1的主绕组T1A给负载(未图示)提供的输出电压Vo低的时候，辅助绕组T1B的输出电压Va较低，经过D1整流、R3压降后得到电压Vc 也较低，不足以击穿ZD1，所以此时Q1的控制端的驱动电压为零(即Vg＝0)， Q1断开，R1无法有效接到采样电路U2上，此时，Vfb＝Va*R8/(R7+R8)，由于 R8阻值相较于R7较大，所以Vfb不至于过低而触发驱动控制芯片U1的短路保护逻辑。

同理，当变压器T1的主绕组T1A给负载提供的输出电压Vo高的时候，辅助绕组T1B的输出电压Va较高，经过D1整流且R3压降后得到的电压Vc也较高，足以击穿ZD，该Vc经过R5和R6分压后，给Q1的控制端提供足够高的驱动电压(即驱动信号Vg)，Q1导通，R1并接到R8的两端，此时，Vfb＝Va*(R8//R1)/(R7+(R8//R1))，所以Vfb不至于过高而触发驱动控制芯片U1 的开路保护逻辑。

由此，本实用新型的技术方案，增加该控制电路，能够克服驱动控制芯片的限制，可以让具有该驱动控制芯片的电源装置在拥有宽负载范围的同时，又让该驱动控制芯片兼具开路保护、短路保护等功能。

应当理解的是，本实施例中，各电路元件的器件参数可以根据产品设计要求适应性选择和设置。

例如，当选取的驱动控制芯片U1的反馈引脚FB的工作电压区间为 (Vfbmin，Vfbmax)，变压器T1的主绕组T1A的匝数为Np，辅助绕组T1B的匝数为Na，所需的输出电压Vo的区间为(Vomin，Vomax)时，器件参数具体选取如下：

Vfbmin对应的主绕组T1A的输出电压为：

Vo1＝(Vfbmin*(R7+(R8//R1))*Np)/((R8//R1)*Na)；

Vfbmax对应的主绕组T1A的输出电压为：

Vo2＝(Vfbmax*(R7+R8)*Np)/(R8*Na)；

该Vo1对应的储能电压Vc：Vc1＝Vo1*Na/Np；

该Vo2对应的储能电压Vc：Vc2＝Vo2*Na/Np；

即，当主绕组T1A的Vo∈(Vo1，Vo2)时，储能电压Vc∈(Vc1,Vc2)；

要求Q1在Vc∈(Vc1,Vc2)内导通(即被驱动)，则Q1的阈值电压Vth<Vc1；

击穿二极管ZD1的击穿电压Vz1略小于Vc1或等于Vc1，以保证Q1在 Vc<Vc1(即Vo<Vo1)时处于关断状态，且Vz1<Vc2-Vth*(1+R8/R11)，以保证Q1在Vc<Vc2(即Vo<Vo2)时导通；

稳压二极管ZD2主要保护Q1的控制端，可根据Q1的应力来选择；

R2、R3、R4、R5、R6、R7的阻值，可根据Q1的驱动电压(即驱动信号 Vg)和电流大小来选择。

基于同一实用新型构思，请参考图3和图4，本实用新型一实施例还提供一种驱动控制系统，其包括驱动控制芯片U1，所述驱动控制芯片U1的反馈引脚FB耦接有如本实用新型所述的控制电路U5。

可选地，请参考图3和图4，本实施例的驱动控制系统，其还进一步包括输入电路U0、采样电路U1、功率开关电路U3和输出电路U4。

其中，输入电路U0接收输入的电源电压Vin，并对电源电压Vin进行滤波、分压等输出，可以为驱动控制芯片U1提供工作电压VCC。

作为一种示例，请参考图4，输入电路U0包括电容EC3和EC4以及电阻串，电阻串可以由电阻R9、R10串联而成，也可以由更多电阻串联而成，电阻串的一端(即图4中R9的上端)耦接电容EC3的一端以及输出电路U4的一端，电阻串的另一端(即图4中R10的下端)耦接电容EC4的一端，并提供电压VCC。电容EC3和EC4的另一端均接地GND。电容EC3用于对Vin进行滤波，电阻串用于对Vin进行压降并限制Vin对电容EC4进行充电的电流大小。

请参考图3和图4，采样电路U2的输入端耦接变压器T1的辅助绕组T1B 的一端，输出端耦接驱动控制芯片U1的反馈引脚FB，所述采样电路U2用于对所述变压器T1的辅助绕组的输出电压Va进行采样，产生反馈电压Vfb。

作为一种示例，请参考图4，采样电路U2包括电阻R7、R8和电容C2，具体连接关系如上文所示，在此不再赘述。

请参考图1，功率开关电路U3耦接所述变压器T1的主绕组T1A的下端，在所述驱动控制芯片U1的控制下导通或者关断，以调整所述主绕组T1A提供的输出电压Vo，进而实现恒流输出或者恒压输出等效果。

作为一种示例，请参考图4，功率开关电路U3包括功率开关Q2、二极管 D3、电阻R11～R15以及电容C3。其中，功率开关Q2可以为MOS管、三极管或者其他任意合适的开关元件。以功率开关Q2为NMOS管为例，Q2的栅极耦接D3的阳极和R14的一端，Q2的源极耦接R11的一端、R14的一端以及R15 的一端，Q2的漏极耦接变压器T1的主绕组T1A的下端。R12的另一端和R13 的另一端耦接驱动控制芯片U1的驱动引脚GATE，R15的另一端和C3的一端耦接驱动控制芯片U1的采样引脚CS，C3的另一端和R11的另一端均接地。

在本实用新型的其他实施例中，在满足产品设计要求的基础上，为了节省电路面积，电阻R12～R14以及D3和C3中的一个或多个可以被省略。

本实施例中，请参考图3和图4，输出电路U4包括电容EC2和二极管D2， D2的阴极和EC2的一端耦接且形成输出正端，EC2的另一端与变压器T1的主绕组T1A的一端耦接形成输出负端，输出正端和输出负端耦接到相应的负载(未图示)的两端，为该负载提供输出电压Vo。D2的阳极耦接功率开关Q2的漏极和变压器T1的主绕组T1A的另一端。

应当理解的是，本实施例中，采样电路U2、功率开关电路U3和控制电路U5均设置在驱动控制芯片U1的外围，作为驱动控制芯片U1的外围电路，但是本实用新型的技术方案并不仅仅限定于此。在本实用新型的其他实施例中，采样电路U2、功率开关电路U3和控制电路U5中任一个或多个的至少部分电路可以被集成到驱动控制芯片U1的内部，由此形成一种驱动控制器。

此外，在本实用新型的其他实施例中，驱动控制芯片U1的外围电路也不仅仅限于上述的采样电路U2、功率开关电路U3和控制电路U5，其还可以具有其他引脚及该引脚任意所需的外围电路，例如，请参考图3和图4，驱动控制芯片U1还具有电源引脚VCC、调光引脚DIM、脉冲调制引脚PWM、控制引脚CTRL和接地引脚GND，其控制引脚CTRL耦接电阻R17的一端、电容C5 的一端、PWM引脚、电阻R16的一端以及电容C6的一端，R17的另一端、电容C5的另一端、电阻R16的另一端以及电容C6的另一端均接地GND。调光引脚DIM耦接电容C4的一端，C4的另一端接地GND。电源引脚VCC耦接输入电路U0的输出端，以接收输入电路U0提供的工作电压VCC。

基于同一实用新型构思，请参考图3和图4，本实用新型一实施例还提供一种电源装置，其包括变压器T1、负载(未图示)以及如本实用新型所述的驱动控制系统。

本实施例的电源装置可以是双绕组Buck型开关电源，也可以是其他任意合适类型的开关电源。负载可以是LED、手机充电器、AC/DC电源适配器和移动设备的备用电源等。该驱动控制系统中的驱动控制芯片U1通过其反馈引脚 FB采样该变压器T1的辅助绕组的输出电压Va，进行退磁检测、开、短路保护以及一些功能检测，且该变压器T1的主绕组T1A通过输出电路U4提供输出电压Vo给相应的负载。

综上所述，本实用新型的技术方案，一方面，当变压器的主绕组提供的输出电压低的时候，辅助绕组电压也较低，不足以使得控制电路中的击穿二极管被击穿，控制开关断开，所述限流充电支路的输入端至所述控制开关的控制端之间的通路未被导通，降压支路不工作，由此避免驱动控制芯片因反馈引脚的电压过低而触发短路保护逻辑的问题；另一方面，当变压器的主绕组提供的输出电压高的时候，辅助绕组电压也较高，足以使得控制电路中的击穿二极管被击穿，控制开关导通，所述限流充电支路的输入端至所述控制开关的控制端之间的通路被导通，降压支路工作，降低驱动控制芯片的反馈引脚的电压，由此避免驱动控制芯片因反馈引脚的电压过高而触发开路保护逻辑的问题。由此，解决了电源装置受制于驱动控制芯片设计的原因而无法做到宽负载范围的问题，使电源装置的应用范围更广。

上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于本实用新型技术方案的保护范围。

Claims (14)

1.一种控制电路，其特征在于，包括：

整流支路，输入端耦接变压器的辅助绕组；

储能支路，一端耦接所述整流支路，另一端接地，并根据所述整流支路输出的电压进行充放电；

驱动支路，耦接所述储能支路的一端并获取储能电压；

控制支路，一端与所述整流支路的输出端耦接，另一端耦接所述驱动支路；

降压支路，一端与所述驱动支路的输出端耦接，另一端与所述辅助绕组的电压采样端耦接，所述电压采样端耦接驱动控制芯片的反馈引脚；其中，

在所述辅助绕组的输出电压超过预设阈值时，所述控制支路控制所述驱动支路根据所述储能电压输出驱动信号至所述降压支路，驱动所述降压支路导通并降低所述电压采样端的采样电压。

2.如权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述降压支路包括第一电阻和控制开关，所述第一电阻的一端与所述辅助绕组的电压采样端耦接，所述第一电阻的另一端耦接所述控制开关的第一端，所述控制开关的第二端接地，所述控制开关的控制端耦接所述驱动支路的输出端。

3.如权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述控制开关导通时，所述第一电阻与所述辅助绕组的电压采样端所耦接的采样电路中的相应电阻并联。

4.如权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述整流支路包括第一二极管,所述第一二极管的阳极为所述整流支路的输入端，所述第一二极管的阴极为所述整流支路的输出端。

5.如权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述储能支路包括至少一个电容，每个所述电容的一端均耦接所述整流支路的输出端，每个所述电容的另一端均接地。

6.如权利要求5所述的控制电路，其特征在于，所述储能支路还包括第四电阻，所述第四电阻的一端耦接所述整流支路的输出端，另一端接地。

7.如权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述驱动支路包括分压支路和第二电阻，所述分压支路的输入端作为所述驱动支路的输入端并耦接所述储能支路的一端，所述分压支路的输出端耦接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端为所述驱动支路的输出端。

8.如权利要求7所述的控制电路，其特征在于，所述驱动支路还包括稳压二极管，所述稳压二极管的阳极接地，阴极耦接所述分压支路的输出端或者所述第二电阻的另一端。

9.如权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述控制支路包括击穿二极管，所述击穿二极管的阳极耦接所述驱动支路的输入端，阴极耦接所述整流支路的输出端。

10.如权利要求1所述的控制电路，其特征在于，还包括限流支路，所述限流支路耦接在所述储能支路和所述整流支路之间。

11.如权利要求10所述的控制电路，其特征在于，所述限流支路包括第三电阻，所述第三电阻耦接在所述储能支路和所述整流支路之间。

12.一种驱动控制系统，其特征在于，包括驱动控制芯片，所述驱动控制芯片的反馈引脚耦接有如权利要求1-11中任一项所述的控制电路；其中，所述控制电路设置在所述驱动控制芯片的外部或者至少部分集成在所述驱动控制芯片的内部。

13.如权利要求12所述的驱动控制系统，其特征在于，还包括：

采样电路，输入端耦接变压器的辅助绕组，输出端耦接所述驱动控制芯片的反馈引脚；

功率开关电路，第一端耦接所述变压器的主绕组，第二端耦接所述驱动控制芯片的采样引脚，控制端耦接所述驱动控制芯片的驱动端，并在所述驱动控制芯片的控制下导通或者关断，以调整所述主绕组提供的输出电压；

其中，所述采样电路设置在所述驱动控制芯片的外部或者至少部分集成在所述驱动控制芯片的内部，所述功率开关电路设置在所述驱动控制芯片的外部或者至少部分集成在所述驱动控制芯片的内部。

14.一种电源装置，其特征在于，包括变压器、负载以及如权利要求12或13所述的驱动控制系统。

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