CN218449525U - 基于可控硅的输入整流防护线路 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于充电器技术领域，尤其涉及一种基于可控硅的输入整流防护线路，包括市电接入电路和PFC电路，还包括：输入检测电路，主控电路，所述主控电路包括主控芯片，所述主控芯片与所述输入检测电路连接，并用于获取所述输入检测电路检测的输入电压；整流电路，所述整流电路与所述市电接入电路和所述主控芯片均连接，所述整流电路还与所述PFC电路连接，以使所述主控芯片在输入电压超出预设正常电压范围时发送电信号至所述整流电路，以使所述整流电路将输入电压中超出预设正常电压范围的电压滤除后输出。本实用新型一方面实现了无需设置输入继电器，降低成本，另一方面实现在市电电压过高的情况下，充电器仍然可以工作。

Description

基于可控硅的输入整流防护线路

技术领域

本实用新型属于充电器技术领域，尤其涉及一种基于可控硅的输入整流防护线路。

背景技术

充电器是采用高频电源技术，运用先进的智能动态调整充电技术的充电设备，充电器(充电机)按设计电路工作频率来分，可分为工频机和高频机。工频机是以传统的模拟电路原理来设计，机器内部电力器件(如变压器、电感、电容器等)都较大，一般在带载较大运行时存在较小噪声，但该机型在恶劣的电网环境条件中耐抗性能较强，可靠性及稳定性均比高频机强。

目前，在常见的适用于全球范围内的充电器中，正常的输入电压为85V-265V，输入电压在此范围内时，充电器可以正常工作。但是当输入电压高于270V以上时，很多充电器就会损坏。针对这种场景，常见的方法是在输入端增加一个输入继电器，当检测到输入电压过高时，弹开输入继电器，从而对后面的元器件进行保护，以免高电压损坏，此时充电器便不再工作，这样导致了两个问题，一是每个充电器为了防护均需要设置输入继电器导致成本问题，二是一旦出现高压使输入继电器弹开便使充电器无法不工作导致影响使用问题。

因此，实有必要设计一种基于可控硅的输入整流防护线路。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种基于可控硅的输入整流防护线路，旨在解决现有技术中的充电器为了防护而设置输入继电器导致成本高以及因输入继电器在高压时弹开使充电器不工作而影响使用的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供一种基于可控硅的输入整流防护线路，包括市电接入电路和PFC电路，还包括：

输入检测电路，所述输入检测电路与所述市电接入电路连接，并用于检测所述市电接入电路的输入电压；

主控电路，所述主控电路包括主控芯片，所述主控芯片与所述输入检测电路连接，并用于获取所述输入检测电路检测的输入电压；

整流电路，所述整流电路与所述市电接入电路和所述主控芯片均连接，所述整流电路还与所述PFC电路连接，以使所述主控芯片在输入电压超出预设正常电压范围时发送电信号至所述整流电路，以使所述整流电路将输入电压中超出预设正常电压范围的电压滤除后输出。

可选地，所述整流电路包括第二二极管、第一可控硅、第二可控硅和第三二极管，所述第二二极管的阴极与所述市电接入电路连接，所述第一可控硅的阳极与所述第二二极管的阴极连接，所述第二可控硅的阴极与所述第一可控硅的阴极连接，所述第三二极管的阴极与所述第二可控硅的阳极连接，所述第三二极管的阳极与所述第二二极管的阳极连接，所述第三二极管的阳极和所述第二二极管的阳极还与所述PFC电路连接；所述第三二极管的阴极和所述第二可控硅的阳极还均与所述市电接入电路连接；

所述第一可控硅的控制极和所述第二可控硅的控制极均与所述主控芯片连接。

可选地，还包括第一可控硅驱动电路和第二可控硅驱动电路，所述第一可控硅驱动电路的一端与所述第一可控硅的控制极连接，所述第一可控硅驱动电路的另一端与所述主控芯片连接；所述第二可控硅驱动电路的一端与所述第二可控硅的控制极连接，所述第二可控硅驱动电路的另一端与所述主控芯片连接。

可选地，第一可控硅驱动电路包括第一光耦、第十一三极管和第二电阻，所述第一光耦的第一引脚与第一供电端连接，所述第十一三极管的集电极与所述第一光耦的第二引脚连接，所述第十一三极管的基极与所述主控芯片的第一引脚连接，所述第一光耦的第四引脚与第二供电端连接，所述第二电阻与所述第一光耦的第三引脚连接，所述第二电阻还与所述第一可控硅的控制极连接。

可选地，所述第二可控硅驱动电路包括第二光耦、第十五三极管和第一电阻，所述第二光耦的第一引脚与第一供电端连接，所述第十五三极管的集电极与所述第二光耦的第二引脚连接，所述第十五三极管的基极与所述主控芯片的第二引脚连接，所述第一光耦的第四引脚与第二供电端连接，所述第一电阻与所述第二光耦的第三引脚连接，所述第一电阻还与所述第二可控硅的控制极连接。

可选地，所述输入检测电路包括电压检测电路和相位检测电路，所述电压检测电路与所述市电接入电路连接，所述相位检测电路与所述电压检测电路连接，所述电压检测电路和所述相位检测电路均与所述主控芯片连接。

可选地，所述电压检测电路包括第一运算放大器和第二运算放大器，所述第一运算放大器和所述第二运算放大器的输入端与所述市电接入电路连接，所述第二运算放大器的输出端与所述第一运算放大器的输出端连接，所述第一运算放大器和所述第二运算放大器的输出端均与所述主控芯片的第十四引脚连接。

可选地，所述相位检测电路包括第十四三极管，所述第十四三极管的基极与所述第二运算放大器的输出端连接，所述第十四三极管的发射极与所述主控芯片的第十九引脚和所述第一供电端均连接。

本实用新型实施例提供的基于可控硅的输入整流防护线路中的上述一个或多个技术方案至少具有如下技术效果之一：

本实用新型通过先通过设置所述输入检测电路检测所述市电接入电路的输入电压，再通过设置所述主控芯片对输入电压进行判断，在输入电压超出预设正常电压范围时发送电信号至所述整流电路，并基于电信号控制所述整流电路将输入电压中超出预设正常电压范围的电压滤除后输出，这样一方面无需设置输入继电器，降低了成本，另一方面还可以通过将高压滤除进而使在高压情况下不会使充电器直接不工作，实现在市电电压过高的情况下，充电器仍然可以工作，进而极大提升使用的便利性。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供一种基于可控硅的输入整流防护线路的控制方法，所述方法包括以下步骤：

步骤S100：所述输入检测电路检测所述市电接入电路的输入电压；

步骤S200：所述主控芯片获取所述输入检测电路检测到的输入电压，并根据所述输入电压判断输入电压是否超出预设正常电压范围；

步骤S300：若判断为是，则所述主控芯片在输入电压下降至预设正常电压范围内时按照预设的可控硅导通点控制第一可控硅和第二可控硅导通，以使所述整流电路将输入电压中超出预设正常电压范围的电压滤除后输出。

本实用新型实施例提供的基于可控硅的输入整流防护线路的控制方法中的上述一个或多个技术方案至少具有如下技术效果之一：

本实用新型所述基于可控硅的输入整流防护线路的控制方法，先通过所述输入检测电路检测所述市电接入电路的输入电压；然后，所述主控芯片获取所述输入检测电路检测到的输入电压，并根据所述输入电压判断输入电压是否超出预设正常电压范围；最后，若判断为是，则所述主控芯片在输入电压下降至预设正常电压范围内时按照预设的可控硅导通点控制第一可控硅和第二可控硅导通，以使所述整流电路将输入电压中超出预设正常电压范围的电压滤除后输出，进而一方面无需设置输入继电器，降低了成本，另一方面还可以通过将高压滤除进而使在高压情况下不会使充电器直接不工作，实现在市电电压过高的情况下，充电器仍然可以工作，进而极大提升使用的便利性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的基于可控硅的输入整流防护线路的整体电路原理图；

图2为本实用新型实施例提供的主控电路的电路原理图；

图3为本实用新型实施例提供的市电接入电路、PFC电路、整流电路、第一可控硅驱动电路和第二可控硅驱动电路的组合电路原理图；

图4为本实用新型实施例提供的输入检测电路的电路原理图；

图5为本实用新型实施例提供的辅助电源供电电路的电路原理图；

图6为本实用新型实施例提供的基于可控硅的输入整流防护线路的控制方法的流程示意图。

其中，图中各附图标记：

100、市电接入电路；200、PFC电路；

300、输入检测电路；310、电压检测电路；320、相位检测电路；

400、主控电路；410、第一可控硅驱动电路；420、第二可控硅驱动电路；500、整流电路；600、辅助电源供电电路。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型的实施例，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型实施例中的具体含义。

在本实用新型的一个实施例中，如图1所示，提供一种基于可控硅的输入整流防护线路，包括市电接入电路100和PFC电路200。所述市电接入电路100用于接入市电。

所述基于可控硅的输入整流防护线路还包括输入检测电路300、主控电路400和整流电路500。

所述输入检测电路300与所述市电接入电路100连接，并用于检测所述市电接入电路100的输入电压；所述主控电路400包括主控芯片U6，所述主控芯片U6与所述输入检测电路300连接，并用于获取所述输入检测电路300检测的输入电压；所述整流电路500与所述市电接入电路100和所述主控芯片U6均连接，所述整流电路500还与所述PFC电路200连接，以使所述主控芯片U6在输入电压超出预设正常电压范围时发送电信号至所述整流电路500，以使所述整流电路500将输入电压中超出预设正常电压范围的电压滤除后输出。

其中，所述预设正常电压范围为预先设置，如可以设置为85V-265V。

本实用新型通过先通过设置所述输入检测电路300检测所述市电接入电路100的输入电压，再通过设置所述主控芯片对输入电压进行判断，在输入电压超出预设正常电压范围时发送电信号至所述整流电路500，并基于电信号控制所述整流电路500将输入电压中超出预设正常电压范围的电压滤除后输出，这样一方面无需设置输入继电器，降低了成本，另一方面还可以通过将高压滤除进而使在高压情况下不会使充电器直接不工作，实现在市电电压过高的情况下，充电器仍然可以工作，进而极大提升使用的便利性。

在本实用新型的另一个实施例中，如图1和图3所示，所述市电接入电路100包括市电正极输入端AC-N、市电负极输入端AC-N、共模电感L3和第四电容C4，所述市电正极输入端AC-N和所述市电负极输入端AC-N用于接入市电。所述共模电感L3的第一端与所述市电正极输入端AC-N和所述市电负极输入端AC-N连接，所述共模电感L3的第二端与所述第四电容C4连接，所述共模电感L3的第二端还与所述整流电路500连接。通过设置所述共模电感L3和第四电容C4来对接入的市电进行整流滤波，提升电路安全性能。

在本实用新型的另一个实施例中，如图3所示，所述PFC电路200包括第一电感L1、第一三极管Q1和第一二极管D1，所述第一电感L1的第一端与所述整流电路500连接，所述第一三极管Q1的漏极与所述第一电感L1的第二端连接，所述第一二极管D1的阳极与所述第一电感L1的第二端连接，所述第一二极管D1的阴极与一高压供电端+385Vdc连接。所述第一三极管Q1的栅极用于与PFC控制电路(图未示)连接，所述PFC控制电路由本领域技术人员自行设定，本申请不做具体限定。

在本实用新型的另一个实施例中，如图1-图3所示，所述整流电路500包括第二二极管D2、第一可控硅V1、第二可控硅V2和第三二极管D3，所述第二二极管D2的阴极与所述市电接入电路100连接，所述第一可控硅V1的阳极与所述第二二极管D2的阴极连接，所述第二可控硅V2的阴极与所述第一可控硅V1的阴极连接，所述第三二极管D3的阴极与所述第二可控硅V2的阳极连接，所述第三二极管D3的阴极和所述第二可控硅V2的阳极还均与所述市电接入电路连接，所述第三二极管D3的阳极与所述第二二极管D2的阳极连接，所述第三二极管D3的阳极和所述第二二极管D2的阳极还与所述PFC电路200连接。

所述第一可控硅V1的控制极和所述第二可控硅V2的控制极均与所述主控芯片U6连接。

较之现有技术中的整流桥，本实用新型通过所述第一可控硅V1和所述第二可控硅V2的设置，实现能够对整流过程中的控制，具体地，通过设置所述第一可控硅V1的控制极和所述第二可控硅V2的控制极均与所述主控芯片U6连接，进而使基于所述主控芯片U6能够控制所述第一可控硅V1和所述第二可控硅V2的导通角，进而实现基于可控硅的整流滤除，实现在市电电压过高的情况下，充电器仍然可以工作。

进一步地，所述第二二极管D2的阴极与所述共模电感L3的第三引脚连接，所述共模电感L3的第一引脚与所述第三二极管D3的阴极和所述第二可控硅V2的阳极连接，所述第三二极管D3的阴极和所述第二可控硅V2的阳极还均与第四二极管D4的阳极连接，并在连接后与所述高压供电端+385Vdc连接。所述第一可控硅V1的阴极和所述第二可控硅V2的阴极还均与所述第一电感L1连接。

此外，通过所述第一可控硅V1和所述第二可控硅V2的设置，使EMI线路更加靠近输入端，切断了机内的干扰直接辐射到输入端的干扰途径，可以省掉输入线上绕的磁环，进一步地实现硬件电路的改进，还降低了生产成本。

在本实用新型的另一个实施例中，如图2-图3所示，所述基于可控硅的输入整流防护线路还包括第一可控硅驱动电路410和第二可控硅驱动电路420，所述第一可控硅驱动电路410的一端与所述第一可控硅V1的控制极连接，所述第一可控硅驱动电路410的另一端与所述主控芯片U6连接；所述第二可控硅驱动电路420的一端与所述第二可控硅V2的控制极连接，所述第二可控硅驱动电路420的另一端与所述主控芯片U6连接。

本实施例中，所述主控芯片U6通过控制所述第一可控硅驱动电路410和所述第二可控硅驱动电路420，进而通过所述第一可控硅驱动电路410和第二可控硅驱动电路420来实现对所述第一可控硅V1和所述第二可控硅V2的导通角的控制。

在本实用新型的另一个实施例中，如图3所示，所述第一可控硅驱动电路410包括第一光耦、第十一三极管Q11和第二电阻R2，所述第一光耦的第一引脚与第一供电端+5V连接，所述第十一三极管Q11的集电极与所述第一光耦的第二引脚连接，所述第十一三极管Q11的基极与所述主控芯片U6的第一引脚连接，所述第一光耦的第四引脚与第二供电端+12S连接，所述第二电阻R2与所述第一光耦的第三引脚连接，所述第二电阻R2还与所述第一可控硅V1的控制极连接。

本实施例中，所述第一光耦在原理图中分为两部分，分别为输入部分U15A和输出部分U15B，输入部分U15A的第一引脚和第二引脚即为所述第一光耦的第一引脚和第二引脚，输出部分U15B的第三引脚和第四引脚即为所述第一光耦的第三引脚和第四引脚。

在本实用新型的另一个实施例中，如图3所示，所述第二可控硅驱动电路420包括第二光耦、第十五三极管Q15和第一电阻R1，所述第二光耦的第一引脚与第一供电端+5V连接，所述第十五三极管Q15的集电极与所述第二光耦的第二引脚连接，所述第十五三极管Q15的基极与所述主控芯片U6的第二引脚连接，所述第一光耦的第四引脚与第二供电端+12S连接，所述第一电阻R1与所述第二光耦的第三引脚连接，所述第一电阻R1还与所述第二可控硅V2的控制极连接。

本实施例中，所述第二光耦在原理图中分为两部分，分别为输入部分U16A和输出部分U16B，输入部分U16A的第一引脚和第二引脚即为所述第二光耦的第一引脚和第二引脚，输出部分U16B的第三引脚和第四引脚即为所述第二光耦的第三引脚和第四引脚。

具体地，所述主控芯片U6发送信号至所述第一光耦和第二光耦，基于所述第一光耦和所述第二光耦分别控制所述第一可控硅V1和所述第二可控硅V2，进而实现对所述第一可控硅V1和所述第二可控硅V2的导通角的控制。

在本实用新型的另一个实施例中，如图1、图2和图4所示，所述输入检测电路300包括电压检测电路310和相位检测电路320，所述电压检测电路310与所述市电接入电路100连接，所述相位检测电路320与所述电压检测电路310连接，所述电压检测电路310和所述相位检测电路320均与所述主控芯片U1连接。通过何止所述电压检测电路310和所述相位检测电路320，进而分别实现相位和电压检测。

在本实用新型的另一个实施例中，如图4所示，所述电压检测电路310包括第一运算放大器U8B和第二运算放大器U8A，所述第一运算放大器U8B和所述第二运算放大器U8A的输入端与所述市电接入电路100连接，所述第二运算放大器U8A的输出端与所述第一运算放大器U8B的输出端连接，所述第一运算放大器U8B和所述第二运算放大器U8A的输出端均与所述主控芯片U6的第十四引脚连接。

在本实用新型的另一个实施例中，如图4所示，所述相位检测电路320包括第十四三极管Q14，所述第十四三极管Q14的基极与所述第二运算放大器U8A的输出端连接，所述第十四三极管Q14的发射极与所述主控芯片U6的第十九引脚和所述第一供电端+5V均连接。

在本实用新型的另一个实施例中，如图1和图5所示，所述基于可控硅的输入整流防护线路还包括辅助电源供电电路600，所述辅助电源供电电路600包括辅助电源管理芯片U4、变压器T11和输出管理芯片U5，所述变压器T11的初级绕组与所述高压供电端+385Vdc连接，所述变压器T11的初级绕组还与所述辅助电源管理芯片U4连接，所述输出管理芯片U5与所述变压器T11的次级绕组连接，经所述输出管理芯片U5的第二引脚后经辅助供电端+5V输出+5V。

在本实用新型的另一个实施例中，如图6所示，本实用新型还提供一种基于可控硅的输入整流防护线路的控制方法，所述方法包括以下步骤：

步骤S100：所述输入检测电路300检测所述市电接入电路100的输入电压；

步骤S200：所述主控芯片U6获取所述输入检测电路300检测到的输入电压，并根据所述输入电压判断输入电压是否超出预设正常电压范围；

步骤S300：若判断为是，则所述主控芯片U6在输入电压下降至预设正常电压范围内时按照预设的可控硅导通点控制第一可控硅V1和第二可控硅V2导通，以使所述整流电路500将输入电压中超出预设正常电压范围的电压滤除后输出。

本实用新型所述基于可控硅的输入整流防护线路的控制方法，先通过所述输入检测电路300检测所述市电接入电路100的输入电压；然后，所述主控芯片U6获取所述输入检测电路300检测到的输入电压，并根据所述输入电压判断输入电压是否超出预设正常电压范围；最后，若判断为是，则所述主控芯片U6在输入电压下降至预设正常电压范围内时按照预设的可控硅导通点控制第一可控硅V1和第二可控硅V2导通，以使所述整流电路500将输入电压中超出预设正常电压范围的电压滤除后输出，进而一方面无需设置输入继电器，降低了成本，另一方面还可以通过将高压滤除进而使在高压情况下不会使充电器直接不工作，实现在市电电压过高的情况下，充电器仍然可以工作，进而极大提升使用的便利性。

在本实用新型的另一个实施例中，步骤S200：所述主控芯片U6获取所述输入检测电路300检测到的输入电压，并根据所述输入电压判断输入电压是否超出预设正常电压范围之后，还包括：

若判断为否，则所述主控芯片U6控制第一可控硅V1和第二可控硅V2导通，以使输入电压从PFC电路200输出。

需要说明的是，本申请旨在保护电路结构，对于程序控制部分，本领域技术人员理应根据本申请中实际需求按需选择合适的电路及芯片并作适当编程，进而实现本实用新型中的相应程序控制功能，因此部分为现有技术中成熟且成型的技术，且并非本申请保护重点，故本申请对此控制部分不作具体阐述。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种基于可控硅的输入整流防护线路，包括市电接入电路和PFC电路，其特征在于，还包括：

输入检测电路，所述输入检测电路与所述市电接入电路连接，并用于检测所述市电接入电路的输入电压；

主控电路，所述主控电路包括主控芯片，所述主控芯片与所述输入检测电路连接，并用于获取所述输入检测电路检测的输入电压；

整流电路，所述整流电路与所述市电接入电路和所述主控芯片均连接，所述整流电路还与所述PFC电路连接，以使所述主控芯片在输入电压超出预设正常电压范围时发送电信号至所述整流电路，以使所述整流电路将输入电压中超出预设正常电压范围的电压滤除后输出。

2.根据权利要求1所述的基于可控硅的输入整流防护线路，其特征在于，所述整流电路包括第二二极管、第一可控硅、第二可控硅和第三二极管，所述第二二极管的阴极与所述市电接入电路连接，所述第一可控硅的阳极与所述第二二极管的阴极连接，所述第二可控硅的阴极与所述第一可控硅的阴极连接，所述第三二极管的阴极与所述第二可控硅的阳极连接，所述第三二极管的阴极和所述第二可控硅的阳极还均与所述市电接入电路连接，所述第三二极管的阳极与所述第二二极管的阳极连接，所述第三二极管的阳极和所述第二二极管的阳极还与所述PFC电路连接；

所述第一可控硅的控制极和所述第二可控硅的控制极均与所述主控芯片连接。

3.根据权利要求2所述的基于可控硅的输入整流防护线路，其特征在于，还包括第一可控硅驱动电路和第二可控硅驱动电路，所述第一可控硅驱动电路的一端与所述第一可控硅的控制极连接，所述第一可控硅驱动电路的另一端与所述主控芯片连接；所述第二可控硅驱动电路的一端与所述第二可控硅的控制极连接，所述第二可控硅驱动电路的另一端与所述主控芯片连接。

4.根据权利要求3所述的基于可控硅的输入整流防护线路，其特征在于，第一可控硅驱动电路包括第一光耦、第十一三极管和第二电阻，所述第一光耦的第一引脚与第一供电端连接，所述第十一三极管的集电极与所述第一光耦的第二引脚连接，所述第十一三极管的基极与所述主控芯片的第一引脚连接，所述第一光耦的第四引脚与第二供电端连接，所述第二电阻与所述第一光耦的第三引脚连接，所述第二电阻还与所述第一可控硅的控制极连接。

5.根据权利要求4所述的基于可控硅的输入整流防护线路，其特征在于，所述第二可控硅驱动电路包括第二光耦、第十五三极管和第一电阻，所述第二光耦的第一引脚与第一供电端连接，所述第十五三极管的集电极与所述第二光耦的第二引脚连接，所述第十五三极管的基极与所述主控芯片的第二引脚连接，所述第一光耦的第四引脚与第二供电端连接，所述第一电阻与所述第二光耦的第三引脚连接，所述第一电阻还与所述第二可控硅的控制极连接。

6.根据权利要求5所述的基于可控硅的输入整流防护线路，其特征在于，所述输入检测电路包括电压检测电路和相位检测电路，所述电压检测电路与所述市电接入电路连接，所述相位检测电路与所述电压检测电路连接，所述电压检测电路和所述相位检测电路均与所述主控芯片连接。

7.根据权利要求6所述的基于可控硅的输入整流防护线路，其特征在于，所述电压检测电路包括第一运算放大器和第二运算放大器，所述第一运算放大器和所述第二运算放大器的输入端与所述市电接入电路连接，所述第二运算放大器的输出端与所述第一运算放大器的输出端连接，所述第一运算放大器和所述第二运算放大器的输出端均与所述主控芯片的第十四引脚连接。

8.根据权利要求7所述的基于可控硅的输入整流防护线路，其特征在于，所述相位检测电路包括第十四三极管，所述第十四三极管的基极与所述第二运算放大器的输出端连接，所述第十四三极管的发射极与所述主控芯片的第十九引脚和所述第一供电端均连接。

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