CN218436012U - 半导体封装电镀工艺使用的过滤装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半导体封装电镀工艺使用的过滤装置，包括过滤桶(1)、过滤芯(2)、进液管(3)和出液管(4)；过滤桶(1)的一端连接有进液管(3)，电镀液通过进液管(3)输入过滤桶(1)内，过滤桶(1)的另一端连接有出液管(4)，电镀液通过出液管(4)流出过滤桶(1)；若干根过滤芯(2)可拆卸式设置在过滤桶(1)内，若干根过滤芯(2)呈一字形排列设置在进液管(3)与出液管(4)之间；每根过滤芯(2)上间隔布设有多个过滤孔(21)，过滤孔(21)的孔径不超过导电性颗粒杂质的粒径。本实用新型能对电镀液中的导电性颗粒杂质进行过滤，从而提高半导体产品的电镀质量。

Description

半导体封装电镀工艺使用的过滤装置

技术领域

本实用新型涉及一种半导体加工辅助设备，尤其涉及一种半导体封装电镀工艺使用的过滤装置。

背景技术

电镀目的是通过在半导体封装引线框架表面镀上一层薄而均匀、致密的锡层，以增强半导体的焊接性能。电镀液在电镀工艺槽中进行氧化还原反应，阴极：Sn2++2e-＝Sn，还原反应，阳极：Sn-2e-＝Sn2+，以及氧化反应，阳极是采用直径1(6)um的Sn球，氧化反应过程会在锡球表面形成黑色氧化层，这些导电性的颗粒杂质即黑色氧化层掉到电镀液里，若电镀液中的导电性的颗粒杂质未被及时过滤干净，会形成细小的锡渣并吸附在产品表面，影响产品的质量。故需要为电镀工艺槽配置一个能过滤导电性颗粒杂质的过滤装置。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体封装电镀工艺使用的过滤装置，能对电镀液中的导电性颗粒杂质进行过滤，从而提高半导体产品的电镀质量。

本实用新型是这样实现的：

一种半导体封装电镀工艺使用的过滤装置，包括过滤桶、过滤芯、进液管和出液管；过滤桶的一端连接有进液管，电镀液通过进液管输入过滤桶内，过滤桶的另一端连接有出液管，电镀液通过出液管流出过滤桶；若干根过滤芯可拆卸式设置在过滤桶内，若干根过滤芯呈一字形排列设置在进液管与出液管之间；每根过滤芯上间隔布设有多个过滤孔，过滤孔的孔径不超过导电性颗粒杂质的粒径。

所述的过滤芯呈中空管状结构，多个过滤孔均匀分布在过滤芯的管壁上。

所述的过滤芯内设有螺纹连接部，螺纹连接部的下端延伸至过滤芯的下方；过滤桶的底部形成有安装部，螺纹连接部的下端能匹配旋接在安装部内，使过滤芯可拆卸式安装在过滤桶内。

相邻两根所述的过滤芯的外壁贴合设置。

相邻两根所述的过滤芯的外壁之间的间隙宽度不超过导电性颗粒杂质的粒径。

所述的过滤装置还包括电镀液母槽，进液管连接至电镀液母槽的出液口，使电镀液母槽通过进液管与过滤桶连通；过滤桶连接至电镀工艺槽的进液口，使电镀工艺槽通过出液管与过滤桶连通；过滤桶、电镀工艺槽和电镀液母槽形成电镀液过滤回路。

所述的进液管位于过滤桶的一端顶部，出液管位于过滤桶的另一端底部。

本实用新型与现有技术相比，具有以下有益效果：

1、本实用新型由于设有过滤芯，利用一字排列设置的过滤芯对电镀液内的导电性颗粒杂质进行阻挡，使电镀液通过过滤孔流过过滤芯，有效过滤电镀液中的导电性颗粒杂质，从而为半导体电镀加工提供洁净的电镀液，避免导电性颗粒杂质吸附在产品表面，提高半导体产品电镀质量。

2、本实用新型由于设有电镀液过滤回路，过滤桶、电镀液母槽和电镀工艺槽形成流通回路，能在电镀加工的同时对电镀液进行过滤，实时提供洁净的电镀液，在保证电镀质量的同时大大提高电镀加工效率。

3、本实用新型由于设有过滤芯，过滤芯通过螺纹连接部可拆卸式安装在过滤桶内，拆装方便、快捷，便于对过滤芯进行清理和更换，延长过滤装置的使用寿命。

附图说明

图1是本实用新型半导体封装电镀工艺使用的过滤装置的剖视图；

图2是本实用新型半导体封装电镀工艺使用的过滤装置中电镀液过滤回路的结构示意图。

图中，1过滤桶，2过滤芯，21过滤孔，22螺纹连接部，3进液管，4出液管，5电镀液母槽，6电镀工艺槽。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。

请参见附图1和附图2，一种半导体封装电镀工艺使用的过滤装置，包括过滤桶1、过滤芯2、进液管3和出液管4；过滤桶1的一端连接有进液管3，电镀液通过进液管3输入过滤桶1内，过滤桶1的另一端连接有出液管4，电镀液通过出液管4流出过滤桶1；若干根过滤芯2可拆卸式设置在过滤桶1内，若干根过滤芯2呈一字形排列设置在进液管3与出液管4之间；每根过滤芯2上间隔布设有多个过滤孔21，过滤孔21的孔径不超过导电性颗粒杂质的粒径。

带有导电性颗粒杂质的电镀液通过进液管3进入过滤桶1内，电镀液经过过滤芯2的过滤孔21，由于过滤孔21的孔径不超过导电性颗粒杂质的粒径，导电性颗粒杂质被过滤芯2的外壁阻挡，达到对电镀液进行过滤的目的。优选的，过滤孔21的孔径根据半导体产品电镀加工可能产生的导电性颗粒杂质的粒径确定，过滤芯2的数量可根据实际过滤需求增减，可在进液管3与出液管4之间设置一排或多排过滤芯2。过滤芯2的材质可采用钛金属，结构强度大，不易变形。

所述的过滤芯2呈中空管状结构，多个过滤孔21均匀分布在过滤芯2的管壁上，过滤均匀，保证对电镀液内导电性颗粒杂质的过滤效果。

优选的，过滤孔21的数量可根据过滤需求确定，过滤孔21的总面积应满足电镀液的流动需求和导电性颗粒杂质的过滤需求，同时也需要保证过滤芯2有足够的结构强度，以防止其在安装时断裂。

所述的过滤芯2内设有螺纹连接部22，螺纹连接部22的下端延伸至过滤芯2的下方；过滤桶1的底部形成有安装部11，螺纹连接部22的下端能匹配旋接在安装部11内，使过滤芯2可拆卸式安装在过滤桶1内。

通过螺纹连接部22的下端旋接安装过滤芯2，安装方便、快捷，便于维护和更换过滤芯2，也可根据实际安装情况选择螺栓连接等方式进行过滤芯2的安装。螺纹连接部22同时也能在过滤芯2内部对导电性颗粒杂质形成进一步的阻挡，提高过滤效果。另外，螺纹连接部22也进一步提高了过滤芯2的结构强度。优选的，螺纹连接部22可同轴设置在过滤芯2内，过滤芯2可竖向安装在过滤桶1内，也可根据过滤需求斜向安装在过滤桶1内。

相邻两根所述的过滤芯2的外壁贴合设置，以保证对导电性颗粒杂质的有效拦截。

或者，相邻两根所述的过滤芯2的外壁之间的间隙宽度不超过导电性颗粒杂质的粒径，以保证对导电性颗粒杂质的有效拦截。

所述的过滤装置还包括电镀液母槽5，进液管3连接至电镀液母槽5的出液口，使电镀液母槽5通过进液管3与过滤桶1连通；过滤桶1连接至电镀工艺槽6的进液口，使电镀工艺槽6通过出液管4与过滤桶1连通；过滤桶1、电镀工艺槽6和电镀液母槽5形成电镀液过滤回路。

优选的，可加装专用的泵体用于泵送电镀液，从而使电镀液在电镀液过滤回路内循环流动，从而达到实时过滤的目的，确保时刻为电镀加工提供洁净的电镀液，无需停工过滤，在保证过滤效果的同时提高生产效率。在泵送电镀液时，电镀液的流动速度应与过滤芯2的过滤速度相适应，以防止电镀液溢出过滤桶1。

所述的进液管3位于过滤桶1的一端顶部，出液管4位于过滤桶1的另一端底部。

电镀液从过滤桶1的一端顶部进入过滤桶1内，并流向另一端底部，电镀液在过滤桶1内的流动路径长，能保证过滤芯2对电镀液的充分过滤，从而保证导电性颗粒杂质的有效过滤。

请参见附图1和附图2，本实用新型的使用方法及其工作原理是：

在半导体电镀作业的过程中，电镀工艺槽6内通过电镀液对产品进行电镀加工，在电镀加工的同时，产生的导电性颗粒杂质掉落在电镀液中。

将电镀工艺槽6内的电镀液通过泵体经管道回流至电镀液母槽5内，电镀液母槽5内回流的电镀液通过进液管3进入过滤桶1内，电镀液在从过滤桶1内从进液管3向出液管4流动的过程中，通过过滤芯2上的过滤孔21过滤，电镀液流经过滤孔21，电镀液中的导电性颗粒杂质被过滤孔21阻隔，起到过滤的作用。

经过过滤的电镀液从出液管4流至电镀工艺槽6内，用于为电镀加工提供洁净的电镀液。在泵体的泵送下，电镀液在过滤桶1、电镀工艺槽6和电镀液母槽5形成的电镀液过滤回路中循环流动，从而在电镀加工的同时对电镀液进行同步过滤，始终保持电镀液的纯净，从而保证了半导体产品的电镀质量。

以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用于限定本实用新型的保护范围，因此，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种半导体封装电镀工艺使用的过滤装置，其特征是：包括过滤桶(1)、过滤芯(2)、进液管(3)和出液管(4)；过滤桶(1)的一端连接有进液管(3)，电镀液通过进液管(3)输入过滤桶(1)内，过滤桶(1)的另一端连接有出液管(4)，电镀液通过出液管(4)流出过滤桶(1)；若干根过滤芯(2)可拆卸式设置在过滤桶(1)内，若干根过滤芯(2)呈一字形排列设置在进液管(3)与出液管(4)之间；每根过滤芯(2)上间隔布设有多个过滤孔(21)，过滤孔(21)的孔径不超过导电性颗粒杂质的粒径。

2.根据权利要求1所述的半导体封装电镀工艺使用的过滤装置，其特征是：所述的过滤芯(2)呈中空管状结构，多个过滤孔(21)均匀分布在过滤芯(2)的管壁上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体封装电镀工艺使用的过滤装置，其特征是：所述的过滤芯(2)内设有螺纹连接部(22)，螺纹连接部(22)的下端延伸至过滤芯(2)的下方；过滤桶(1)的底部形成有安装部(11)，螺纹连接部(22)的下端能匹配旋接在安装部(11)内，使过滤芯(2)可拆卸式安装在过滤桶(1)内。

4.根据权利要求3所述的半导体封装电镀工艺使用的过滤装置，其特征是：相邻两根所述的过滤芯(2)的外壁贴合设置。

5.根据权利要求3所述的半导体封装电镀工艺使用的过滤装置，其特征是：相邻两根所述的过滤芯(2)的外壁之间的间隙宽度不超过导电性颗粒杂质的粒径。

6.根据权利要求1所述的半导体封装电镀工艺使用的过滤装置，其特征是：所述的过滤装置还包括电镀液母槽(5)，进液管(3)连接至电镀液母槽(5)的出液口，使电镀液母槽(5)通过进液管(3)与过滤桶(1)连通；过滤桶(1)连接至电镀工艺槽(6)的进液口，使电镀工艺槽(6)通过出液管(4)与过滤桶(1)连通；过滤桶(1)、电镀工艺槽(6)和电镀液母槽(5)形成电镀液过滤回路。

7.根据权利要求1或6所述的半导体封装电镀工艺使用的过滤装置，其特征是：所述的进液管(3)位于过滤桶(1)的一端顶部，出液管(4)位于过滤桶(1)的另一端底部。

Images