CN218335979U - 微机电系统谐振器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种微机电系统谐振器，涉及微机电系统技术领域。微机电系统谐振器包括谐振子和至少两个耦合梁，所述耦合梁绕所述谐振子的中心轴均布设置；所述耦合梁的一端与所述谐振子固定连接，所述耦合梁的另一端用于与锚固体连接；所述谐振子用于在第一驱动模式下绕自身的中心轴扭转并带动所述耦合梁弯曲。谐振子绕中心轴的扭转模态与耦合梁的弯曲模态耦合，热弹性阻尼较小，提升了微机电系统谐振器的品质因素值。

Description

微机电系统谐振器

技术领域

本实用新型涉及微机电系统技术领域，尤其涉及一种微机电系统谐振器。

背景技术

微机电系统(MEMS，Micro Electro Mechanical System)，也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等，指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置。

近年来，由于微加工技术的发展，微机电系统谐振器(MEMS谐振器)得到很大的发展。MEMS谐振器具有尺寸小、功耗小、成本低、与CMOS IC(Complementary Metal OxideSemiconductor Integrated Circuit，互补金属氧化物半导体集成电路)工艺相兼容等优点，在无线通讯等领域的需求与日俱增，将成为晶体谐振器的替代物。

部分微机电系统谐振器的热弹性阻尼较大，限制了品质因素值(Q值)的提升。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种微机电系统谐振器，旨在提升品质因素值。

为实现上述目的，本实用新型提出了一种微机电系统谐振器，其包括：谐振子；至少两个耦合梁，所述耦合梁绕所述谐振子的中心轴均布设置；所述耦合梁的一端与所述谐振子固定连接，所述耦合梁的另一端用于与锚固体连接；所述谐振子用于在第一驱动模式下绕自身的中心轴扭转并带动所述耦合梁弯曲。

本实用新型还提出了一种微机电系统谐振器，其包括：谐振子；至少两个耦合梁，所述耦合梁绕所述谐振子的中心轴均布设置；所述耦合梁的一端与所述谐振子固定连接，所述耦合梁的另一端用于与锚固体连接；所述谐振子用于在第一驱动模式下绕自身的中心轴扭转并带动所述耦合梁弯曲；所述谐振子还用于在第二驱动模式下至少部分径向伸缩并带动对应的耦合梁伸缩。

可选地，所述微机电系统谐振器还包括与所述谐振子面相对设置的驱动电极和感测电极，所述驱动电极、所述感测电极分别与所述谐振子之间留有第一间隙和第二间隙。

可选地，所述微机电系统谐振器还包括与所述谐振子面相对设置的驱动电极和感测电极，所述谐振子朝向所述驱动电极和/或所述感测电极的表面设置有凸起部，所述驱动电极和/或所述感测电极和与之对应的凸起部之间留有间隙。

可选地，所述谐振子朝向所述驱动电极和所述感测电极的表面均设置有凸起部，所述驱动电极和与之对应的凸起部之间留有第一间隙，所述感测电极和与之对应的凸起部之间留有第二间隙。

可选地，所述凸起部与所述耦合梁之间留有第三间隙。

可选地，所述第三间隙的宽度沿背离所述谐振子的方向逐渐增大；所述驱动电极朝向所述耦合梁的侧面、所述感测电极朝向所述耦合梁的侧面，均设置为与对应的所述凸起部朝向所述耦合梁的侧面平齐；所述驱动电极朝向所述耦合梁的侧面、所述感测电极朝向所述耦合梁的侧面，被配置为与所述耦合梁之间留有第四间隙，所述第四间隙的宽度沿背离所述谐振子的方向逐渐增大。

可选地，所述谐振子被配置为实心体，所述谐振子的侧面与所述耦合梁的端部固定连接。

可选地，所述谐振子设置为环状，所述谐振子的外环面与所述耦合梁的端部固定连接。

可选地，所述耦合梁的宽度小于所述谐振子的环边宽度。

本实用新型的技术方案通过将微机电系统谐振器设置为包括谐振子和至少两个耦合梁，所述耦合梁绕所述谐振子的中心轴均布设置；所述耦合梁的一端与所述谐振子固定连接，所述耦合梁的另一端用于与锚固体连接；所述谐振子用于在第一驱动模式下绕自身的中心轴扭转并带动所述耦合梁弯曲；此时谐振子绕中心轴的扭转模态与耦合梁的弯曲模态耦合，热弹性阻尼较小，提升了微机电系统谐振器的品质因素值。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型微机电系统谐振器一实施例的立体结构图。

图2为本实用新型微机电系统谐振器一实施例的俯视图。

图3为本实用新型谐振器一实施例扭转模态的仿真示意图。

图4为本实用新型谐振器一实施例径向伸缩模态的仿真示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				100	谐振子	110	凸起部110
200	耦合梁	201	第三间隙
				202	第四间隙	300	锚固体
410	驱动电极	411	第一间隙
				420	感测电极	421	第二间隙

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，若全文中出现的“和/或”或者“及/或”，其含义包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

根据工作方式的不同，微机电系统谐振器可以分为弯曲模态及体模态等类型。体模态微机械谐振器的谐振振子可以是梁、方形板、圆环板或者圆形板结构，其中，梁工作在Length Extensional(LE)模态，方形板工作在Square Extensional(SE)模态，圆环板或者圆形板工作在Radial Extensional(RE)模态。

低频振荡器(low-frequency oscillator，或称LFO)是指产生20赫～20千赫正弦波信号的振荡器。

通常，低频硅基振荡器采用体模态振动，热弹性阻尼较大，限制了品质因素值(Q值)的提升。

参照图1和图2，一种微机电系统谐振器包括谐振子100、耦合梁200以及锚固体300。耦合梁200的一端与谐振子100固定连接，另一端与锚固体300连接。锚固体300用来与衬底(晶圆，wafer)固定连接。

其中，谐振子100可被配置为实心体或呈环状。

当谐振子100为实心体时，可设置为矩形、圆角矩形、圆形、椭圆形等任一种。耦合梁200的端部与谐振子100的表面固定连接。

当谐振子100设置为环状时，可设置为矩形环状(即整体呈框状)、圆环状、椭圆环状等任一种。耦合梁200的端部与谐振子100的外周面固定连接。

在本实施例中，谐振子100优选设置为圆环状。

耦合梁200需具有一定的弹性，其数量为至少两个。

当耦合梁200为两个时，两个耦合梁200相对于谐振子100的中心轴对称设置。

当耦合梁200为多个时(三个及以上)，多个耦合梁200环绕谐振子100的中心轴均匀间隔设置。

耦合梁200的一端与谐振子100固定连接。各个耦合梁200的另一端可与一锚固体300固定连接。各个耦合梁200的另一端也可分别与一锚固体300固定连接。锚固体300则与衬底(图中未视)固定连接。

在第一驱动模式下，谐振子100以其自身的中心轴为转动轴扭转，同时，耦合梁200随谐振子100的扭转而弯曲。如此，谐振子100的扭转模态与耦合梁200的弯曲模态耦合。扭转模态热弹性阻尼小，从而可提高微机电系统谐振器的品质因素值(Q值)。

耦合梁200作为微机电系统谐振器的支撑结构，其尺寸应远小于谐振子100的尺寸以降低支撑损耗。另外，耦合梁200在整个器件结构中的相对刚度要尽可能的小，并尽可能减小耦合梁200与谐振子100之间的连接面积，以降低能量耦合进入耦合梁200，进一步降低支撑损耗。如此，在输入能量一定的情况下，降低了支撑损耗，提升了Q值。

另外，现有的微机电系统谐振器所采用的温度补偿方式有两种：一种是将两个完全相同的谐振器反向安装，构成差动结构，检测两弯曲梁的频率差来减小温度变化对输出频率的影响。当周围环境温度变化缓慢时，这种温度补偿方式是有效的。当周围温度剧烈变化时，两个谐振器结构间存在温度场梯度，会使测量精度下降；另一种是在封装壳内壁加温度补偿模块，根据温度的影响采用软件或硬件的方式进行频率补偿。同样，当周围环境温度变化缓慢时，这种温度补偿方式也是有效的。但当温度剧烈变化时，封装盒内部的空间温度梯度很大，测得的温度可能是外壳的温度，并不能真正反映谐振器上的温度，不能对谐振器上温度进行实时准确的测量和补偿。同时，外加温度传感器会大大增加谐振器的体积和封装成本。

在第一驱动模式下，谐振子100以其自身的中心轴为转动轴扭转，同时，耦合梁200随谐振子100的扭转而弯曲。谐振子100的扭转模态与耦合梁200的弯曲模态耦合。扭转模态热弹性阻尼小，从而可提高微机电系统谐振器的Q值。微机电系统谐振器的扭转模态，对温度不敏感，作为正常模态输出频率。该微机电系统谐振器则作为输出工作频率的谐振器存在。

在第二驱动模式下，谐振子100至少部分径向伸缩并带动对应的耦合梁200伸缩，也就是，谐振子100以伸长/压缩或呼吸模式(或以主要或基本上伸长/压缩或呼吸模式)振荡，同时，耦合梁200随谐振子100伸长/压缩或呼吸模式(或以主要或基本上伸长/压缩或呼吸模式)振荡。上述模态下，微机电系统谐振器的谐振频率是温度的函数，对温度敏感，当外界温度缓慢变化时，微机电系统谐振器的谐振频率和频率变化能够实时精确的反应温度及温度变化情况，实时监控温度，如此微机电系统谐振器可作为温度敏感传感器。当然，作为温度敏感传感器的微机电系统谐振器可与控制芯片中的电路结合，输出数字信号，便于信号的处理。

上述微机电系统谐振器同一结构两种振动模式，可输出两个频率，一个作为工作频率输出，一个作为温度函数的频率，一种结构实现两种功能，微机电系统谐振器即可作为工作频率输出谐振器，又可作为温度敏感传感器使用。

在上述结构基础之上，对微机电系统谐振器的构造作进一步改进，微机电系统谐振器还包括至少一个驱动电极410和至少一个感测电极420，其中驱动电极410和感测电极420与谐振子100的表面之一并置。驱动电极410与谐振子100的外表面之间留有第一间隙411，感测电极420与谐振子100的外表面之间留有第二间隙421。优选地，第一间隙411和第二间隙421的数值相等。

驱动电极410与驱动电路(图中未视)连接，以诱导谐振子100振荡或振动，其中所述振荡或振动具有一个或多个谐振频率。

感测电极420与感测电路(图中未视)连接，以感测、采样和/或检测具有所述一个或多个谐振频率的信号。

驱动电极410以及感测电极420，驱动电路以及感测电路，可以是常规的众所周知的类型，或者可以是现在已知的或以后开发的任何类型和/或形状的电极。此外，物理电极机构可以包括例如电容、压阻、压电、电感、磁阻和热。

在第一驱动模式下，向驱动电极410给电后，在谐振子100与驱动电极410之间施加DC和/或AC电压，使得谐振子100以其自身的中心轴为转动轴扭转，同时，耦合梁200随谐振子100的扭转而弯曲。随着谐振子100的扭转，使得感测电极420与谐振子100之间的正对面积改变进而使得感测电极420与谐振子100之间的平均电容以基本恒定的频率变化，提高了电容的线性度，从而，感测电极420可以测量电容，然后可以使用所得信号来生成定时信号。

谐振子100的扭转模态与耦合梁200的弯曲模态耦合。扭转模态热弹性阻尼小，从而可提高微机电系统谐振器的Q值。微机电系统谐振器的扭转模态，对温度不敏感，作为正常模态输出频率。该微机电系统谐振器则作为输出工作频率的谐振器存在。

在第二驱动模式下，向驱动电极410给电后，在谐振子100与驱动电极410之间施加DC和/或AC电压，谐振子100至少部分径向伸缩并带动对应的耦合梁200伸缩，也就是，谐振子100以伸长/压缩或呼吸模式(或以主要或基本上伸长/压缩或呼吸模式)振荡，同时，耦合梁200随谐振子100伸长/压缩或呼吸模式(或以主要或基本上伸长/压缩或呼吸模式)振荡。随着谐振子100的振荡，使得感测电极420与谐振子100之间的间隙值改变进而使得感测电极420与谐振子100之间的平均电容以基本恒定的频率变化，提高了电容的线性度，从而，感测电极420可以测量电容，然后可以使用所得信号来生成定时信号。

在第二驱动模式下，微机电系统谐振器的谐振频率是温度的函数，对温度敏感，当外界温度缓慢变化时，微机电系统谐振器的谐振频率和频率变化能够实时精确的反应温度及温度变化情况，实时监控温度，如此微机电系统谐振器可作为温度敏感传感器。当然，作为温度敏感传感器的微机电系统谐振器可与控制芯片中的电路结合，输出数字信号，便于信号的处理。

具体地，如图1和图2所示，谐振子100呈圆环形，耦合梁200为四个，四个耦合梁200的环绕谐振子100的中心轴线均匀间隔设置。

耦合梁200的一端与谐振子100的外周面固定连接。各个耦合梁200的另一端分别与一锚固体300固定连接。锚固体300则与衬底(晶圆，wafer)固定连接。

耦合梁200的宽度小于谐振子100的环边宽度(环片宽度即环的外侧半径减去内侧半径)，从而在耦合梁200作为微机电系统谐振器的支撑结构时，减小耦合梁200与谐振子100之间的连接面积，降低能量耦合进入耦合梁200，降低支撑损耗，进一步提升微机电系统谐振器的品质因素值(Q值)。

驱动电极410和感测电极420分别均为两个，驱动电极410和感测电极420环绕着谐振子100设置，相邻的耦合梁200之间为一个电极，其可以是驱动电极410或感测电极420。

驱动电极410和感测电极420与谐振子100的表面之一并置。驱动电极410与谐振子100的外表面之间留有第一间隙411，感测电极420与谐振子100的外表面之间留有第二间隙421。优选地，第一间隙411和第二间隙421的数值相等。

进一步优选地，谐振子100朝向驱动电极410和感测电极420的外周面形成有凸起部110，凸起部110沿谐振子100的周向延伸设置，凸起10至少部分覆盖谐振子100朝向驱动电极410和感测电极420的表面。凸起部110的表面作为感应表面，以便于驱动电极410和感测电极420的感测。

驱动电极410和与之对应的凸起部110之间留有第一间隙411，感测电极420和与之对应的凸起部110之间留有第二间隙421，优选地，第一间隙411和第二间隙421的数值相等。

另外，凸起部110与耦合梁200之间设有第三间隙201，以提高凸起部110与耦合梁200的独立性，保证微机电系统的性能稳定性。

再有，第三间隙201的宽度沿背离谐振子100的方向逐渐增大，以防止谐振子100在扭转过程中导致凸起部110与耦合梁200发生干涉，进一步提高微机电系统谐振器的性能稳定性；驱动电极410朝向耦合梁200的侧面、感测电极420朝向耦合梁200的侧面，均设置为与对应的凸起部110朝向耦合梁200的侧面平齐，减小初始电容信号感应误差。驱动电极410朝向耦合梁200的侧面、感测电极420朝向耦合梁200的侧面，均设置为与耦合梁200之间具有第四间隙202，第四间隙202的宽度沿背离谐振子100的方向逐渐增大，进一步防止谐振子100在扭转过程中导致驱动电极410或感测电极420与耦合梁200发生干涉，进一步提高微机电系统谐振器的性能稳定性。

驱动电极410与驱动电路(图中未视)连接，以诱导谐振子100振荡或振动，其中所述振荡或振动具有一个或多个谐振频率。

感测电极420与感测电路(图中未视)连接，以感测、采样和/或检测具有所述一个或多个谐振频率的信号。

驱动电极410以及感测电极420，驱动电路以及感测电路，可以是常规的众所周知的类型，或者可以是现在已知的或以后开发的任何类型和/或形状的电极。此外，物理电极机构可以包括例如电容、压阻、压电、电感、磁阻和热。

在第一驱动模式下，向驱动电极410给电后，在谐振子100与驱动电极410之间施加DC和/或AC电压，使得谐振子100以其自身的中心轴为转动轴扭转，同时，耦合梁200随谐振子100的扭转而弯曲，如沿图3中沿M方向扭转，其中深色部分为扭转后的实体。随着谐振子100的扭转，使得感测电极420与谐振子100之间的正对面积改变进而使得感测电极420与谐振子100之间的平均电容以基本恒定的频率变化，提高了电容的线性度，从而，感测电极420可以测量电容，然后可以使用所得信号来生成定时信号。

谐振子100的扭转模态与耦合梁200的弯曲模态耦合。扭转模态热弹性阻尼小，从而可提高微机电系统谐振器的Q值。微机电系统谐振器的扭转模态，对温度不敏感，作为正常模态输出频率。该微机电系统谐振器则作为输出工作频率的谐振器存在。

在第二驱动模式下，向驱动电极410给电后，在谐振子100与驱动电极410之间施加DC和/或AC电压，谐振子100至少部分径向伸缩并带动对应的耦合梁200伸缩，也就是，谐振子100以伸长/压缩或呼吸模式(或以主要或基本上伸长/压缩或呼吸模式)振荡，同时，耦合梁200随谐振子100伸长/压缩或呼吸模式(或以主要或基本上伸长/压缩或呼吸模式)振荡，如沿图4所示的R方向内外伸缩，其中深色部分为收缩后的实体。随着谐振子100的振荡，使得感测电极420与谐振子100之间的间隙值改变进而使得感测电极420与谐振子100之间的平均电容以基本恒定的频率变化，提高了电容的线性度，从而，感测电极420可以测量电容，然后可以使用所得信号来生成定时信号。

在第二驱动模式下，微机电系统谐振器的谐振频率是温度的函数，对温度敏感，当外界温度缓慢变化时，微机电系统谐振器的谐振频率和频率变化能够实时精确的反应温度及温度变化情况，实时监控温度，如此微机电系统谐振器可作为温度敏感传感器。当然，作为温度敏感传感器的微机电系统谐振器可与控制芯片中的电路结合，输出数字信号，便于信号的处理。

本申请的微机电系统谐振器可以使用公知的光刻、蚀刻、沉积和/或掺杂技术形成在绝缘体上半导体(SOI)衬底中或上，如此，谐振子100、耦合梁200、锚固体300、驱动电极410、感测电极420一体成型，锚固体300与衬底固定连接。此时，微机电系统谐振器可以使用公知的光刻、蚀刻、沉积和/或掺杂技术形成在绝缘体上半导体衬底中或上，如此可实现谐振子100、耦合梁200、锚固体300、驱动电极410、感测电极420的一体成型。为了简洁起见，本文不讨论这样的制造技术。然而，用于形成或制造本申请的微机电系统谐振器结构的所有技术，无论是现在已知的还是以后开发的，都旨在落入本申请的范围内(例如，使用标准或过大尺寸(“厚”)晶片(未示出)的公知的形成、光刻、蚀刻和/或沉积技术和/或接合技术(即，将两个标准晶片接合在一起，其中下部/底部晶片包括设置在其上的牺牲层(例如，氧化硅)，并且上部/顶部晶片此后被减薄(向下或向后研磨)并抛光以在其中或其上接收机械结构)。

本申请的微机电系统谐振器可以使用公知的技术由公知的材料制造。例如，微机电系统谐振器可以由公知的半导体制成，例如硅、锗、硅锗或砷化镓，。实际上，微机电系统谐振器可以由例如元素周期表第IV列中的材料组成，例如硅、锗、碳；还有这些的组合，例如硅锗或碳化硅；也可以是III-V化合物，例如磷化镓、磷化铝镓或其它III-V组合；III、IV、V或VI材料的组合，例如氮化硅、氧化硅、碳化铝、氮化铝和/或氧化铝；还有金属硅化物、锗化物和碳化物，例如硅化镍、硅化钴、碳化钨或硅化铂锗；还有掺杂变体，包括磷、砷、锑、硼或铝掺杂的硅或锗、碳或组合，如硅锗；还有具有各种晶体结构的这些材料，包括单晶、多晶、纳米晶或无定形；还具有晶体结构的组合，例如具有单晶和多晶结构的区域(无论是掺杂的还是未掺杂的)。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种微机电系统谐振器，其特征在于，包括：

谐振子；

至少两耦合梁，绕所述谐振子的中心轴均布设置；所述耦合梁的一端与所述谐振子固定连接，所述耦合梁的另一端用于与锚固体连接；

所述谐振子用于在第一驱动模式下绕自身的中心轴扭转并带动所述耦合梁弯曲。

2.一种微机电系统谐振器，其特征在于，包括：

谐振子；

至少两个耦合梁，绕所述谐振子的中心轴均布设置；所述耦合梁的一端与所述谐振子固定连接，所述耦合梁的另一端用于与锚固体连接；

所述谐振子用于在第一驱动模式下绕自身的中心轴扭转并带动所述耦合梁弯曲；所述谐振子还用于在第二驱动模式下至少部分径向伸缩并带动对应的耦合梁伸缩。

3.如权利要求1或2所述的微机电系统谐振器，其特征在于，所述微机电系统谐振器还包括与所述谐振子相对设置的驱动电极和感测电极，所述驱动电极、所述感测电极分别与所述谐振子之间留有第一间隙和第二间隙。

4.如权利要求1或2所述的微机电系统谐振器，其特征在于，所述微机电系统谐振器还包括与所述谐振子相对设置的驱动电极和感测电极，所述谐振子朝向所述驱动电极和/或所述感测电极的表面设置有凸起部，所述驱动电极和/或所述感测电极和与之对应的凸起部之间留有间隙。

5.如权利要求4所述的微机电系统谐振器，其特征在于，所述谐振子朝向所述驱动电极和所述感测电极的表面均设置有凸起部，所述驱动电极和与之对应的凸起部之间留有第一间隙，所述感测电极和与之对应的凸起部之间留有第二间隙。

6.如权利要求5所述的微机电系统谐振器，其特征在于，所述凸起部与所述耦合梁之间留有第三间隙。

7.如权利要求6所述的微机电系统谐振器，其特征在于，所述第三间隙的宽度沿背离所述谐振子的方向逐渐增大；所述驱动电极朝向所述耦合梁的侧面、所述感测电极朝向所述耦合梁的侧面，均设置为与对应的所述凸起部朝向所述耦合梁的侧面平齐；所述驱动电极朝向所述耦合梁的侧面、所述感测电极朝向所述耦合梁的侧面，被配置为与所述耦合梁之间留有第四间隙，所述第四间隙的宽度沿背离所述谐振子的方向逐渐增大。

8.如权利要求1或2所述的微机电系统谐振器，其特征在于，所述谐振子被配置为实心体，所述谐振子的侧面与所述耦合梁的端部固定连接。

9.如权利要求1或2所述的微机电系统谐振器，其特征在于，所述谐振子设置为环状，所述谐振子的外环面与所述耦合梁的端部固定连接。

10.如权利要求9所述的微机电系统谐振器，其特征在于，所述耦合梁的宽度小于所述谐振子的环边宽度。

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