CN218333734U - 半导体工艺设备及其承载装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置包括：托盘、盖板及绝缘层；托盘的上表面设置有多个承载台，用于分别承载多个晶圆；盖板盖合于托盘上，盖板上设置有多个压合部，多个压合部分别与多个晶圆的边缘接触；绝缘层设置于托盘与盖板之间，并且绝缘层的顶面及底面分别与托盘及盖板贴合设置，用于降低盖板与晶圆之间的电势差。本申请实施例实现了减小晶圆与盖板之间的电势差，改善晶圆边缘的电场分布，拉直晶圆边缘的电场角度，从而避免晶圆边缘出现雾化现象。进一步的，由于绝缘层的厚度均匀性容易保证，使托盘与盖板间的电容均匀性及重复性可以得到保证，利于提高单次工艺或者多次工艺晶圆之间的均匀性。

Description

半导体工艺设备及其承载装置

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种半导体工艺设备及其承载装置。

背景技术

目前，图形化衬底工艺(Patterned Sapphire Substrates，PSS)是目前普遍采用的一种提高氮化镓(GaN)基LED器件出光效率的方法，也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用电感耦合等离子体(InductivelyCoupled Plasma，ICP)刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长GaN材料，使GaN材料的纵向外延变为横向外延。该方法可以有效减少GaN外延材料的位错密度，从而减小了有源区的非辐射复合，减小了反向漏电流，提高了LED的寿命。

现有技术中，通常采用托盘来放置晶圆，并且采用盖板盖合于托盘及晶圆的边缘上，以用于固定晶圆。但是由于托盘和盖板为等电势，而晶圆放置于托盘上，因此造成晶圆和盖板之间存在电势差，晶圆边缘区域电势高于盖板，使得电场方向发生变化，等离子体轰击方向发生偏斜导致晶圆边缘刻蚀角度变小，出现边缘雾化现象，从而造成了较大的边缘形貌问题。因此，亟需一种新的盖板托盘组件以改善PSS工艺后出现的晶片边缘形貌问题。

实用新型内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体工艺设备及其承载装置，用以解决现有技术存在的晶圆边缘出现雾化现象的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的承载装置，包括：托盘、盖板及绝缘层；所述托盘的上表面设置有多个承载台，用于分别承载多个晶圆；所述盖板盖合于所述托盘上，所述盖板的上表面设置有多个压合部，多个所述压合部用于分别与多个所述晶圆的边缘接触，所述盖板的下表面设置有凸部，所述凸部的表面低于所述承载台的表面且所述凸部的表面与所述托盘的上表面具有预设间隙；所述绝缘层设置于所述预设间隙中，并且所述绝缘层的顶面及底面分别与所述托盘的上表面及所述凸部的表面贴合设置，用于降低所述盖板与所述晶圆之间的电势差。

于本申请的一实施例中，多个所述承载台包括有第一承载台及第二承载台，所述第一承载台与所述托盘同轴设置，多个所述第二承载台均匀排布于所述第一承载台的周向上；所述绝缘层为与所述盖板适配的一整体结构，且所述绝缘层环绕所述第一承载台及所述第二承载台的外周设置。

于本申请的一实施例中，所述承载装置还包括有连接件，所述托盘及所述绝缘层均开设有多个对应设置的安装孔，多个所述连接件与多个所述安装孔一一对应设置，用于将所述盖板与所述托盘绝缘连接，并且将所述盖板的变形量控制在预设范围内，所述预设范围小于等于0.5毫米。

于本申请的一实施例中，多个所述安装孔包括有第一组安装孔及第二组安装孔，所述第一组安装孔沿所述第一承载台周向均匀分排布；所述第二组安装孔沿多个所述第二承载台的周向均匀排布，并且位于所述第二承载台与所述托盘的周缘之间。

于本申请的一实施例中，所述第二组安装孔包括有多个第二子组，每个所述第二子组均包括呈三角形排布的三个安装孔，以用于与任意两相邻的所述第二承载台及所述托盘边缘构成的形状相匹配。

于本申请的一实施例中，所述承载装置还包括有卡合件，所述卡合件设置于所述绝缘层的安装孔，并且与所述托盘卡合固定，用于将所述绝缘层固定于所述托盘上。

于本申请的一实施例中，所述第一承载台及所述第二承载台上均设置有环形的密封槽，所述密封槽内设置有密封圈，所述密封圈用于与所述晶圆的背面接触，并且在压合部的作用下与所述晶圆紧密贴合。

于本申请的一实施例中，所述绝缘层的厚度均匀设置，并且所述绝缘层厚度的取值范围为小于等于3毫米。

于本申请的一实施例中，所述绝缘层为绝缘材质，并且所述绝缘层的相对介电常数小于等于2.5。

于本申请的一实施例中，所述绝缘层的材质为聚四氟乙烯、橡胶或聚苯乙烯的任意一种。

于本申请的一实施例中，所述绝缘层的导热系数小于等于0.144瓦/米·度，用于在所述盖板及所述托盘之间传导热量。

第二个方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室及如第一个方面提供的承载装置。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

本申请实施例采用托盘来承载晶圆，以及使盖板盖合于托盘上及晶圆边缘上，并且将绝缘层设置托盘与盖板之间，绝缘层主要作用是在盖板和托盘之间增加一个固体电容，以调节盖板和晶圆之间的电压分布，减小晶圆与盖板之间的电势差，改善晶圆边缘的电场分布，拉直晶圆边缘的电场角度，从而避免晶圆边缘出现雾化现象。进一步的，由于绝缘层的厚度均匀性容易保证，使托盘与盖板间的电容均匀性及重复性可以得到保证，利于提高单次工艺或者多次工艺晶圆之间的均匀性。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种承载装置的剖视示意图；

图2为本申请实施例提供的一种承载装置省略盖板的俯视示意图；

图3为本申请实施例提供的一种承载装置的局部放大的剖视示意图；

图4为本申请实施例提供的另一种承载装置的局部放大的剖视示意图；

图5为本申请实施例提供的一种承载装置工艺时的等效电路示意图；

图6为本申请实施例提供的一种承载装置工艺时的电场仿真示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的承载装置，该承载装置的结构示意图如图1所示，包括：托盘1、盖板2及绝缘层3；托盘1的上表面设置有多个承载台，用于分别承载多个晶圆100；盖板2盖合于托盘1上，盖板2的上表面设置有多个压合部，多个压合部用于分别与多个晶圆100的边缘接触，盖板2的下表面设置有凸部，凸部的表面低于承载台的表面且凸部的表面与托盘1的上表面具有预设间隙；绝缘层3设置于预设间隙中，并且绝缘层3的顶面及底面分别与托盘1的上表面及凸部的表面贴合设置，用于降低盖板2与晶圆100之间的电势差。

如图1所示，半导体工艺设备可以是用于执行图形化衬底工艺，而承载装置则可以用于承载晶圆100，并且承载装置能承载于工艺腔室内的机械卡盘及静电卡盘上，但是本申请实施例并不限定半导体工艺设备的具体类型，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。托盘1及盖板2均采用金属材质制成圆形板状结构，例如采用金属铝材质制成，但是本申请实施例并不以此为限。托盘1上可以设置有多个承载台，用于分别承载多个晶圆100。盖板2用于盖合于托盘1上，并且盖板2的上表面设置有多个压合部，多个压合部与多个承载台一一对应设置，压合部能压抵于晶圆100的边缘以对晶圆100的进行固定，并且使晶圆100表面裸露以执行工艺。盖板2的下表面可以低于承载台的顶表面，以使盖板2与托盘1的上表面之间形成有预设间隙。绝缘层3也可以采用圆形板状结构，绝缘层3设置于托盘1与盖板2的凸部之间的预设间隙中，并且绝缘层3的顶面及底面分别托盘1的上表面及盖板2的凸部的底表面贴合设置，以用于降低盖板2与晶圆100之间的电势差。图5为本申请实施例提供的一种承载装置工艺时的等效电路示意图，结合参照如图5所示，Cp为绝缘层3的等效电容，Cg为盖板2与托盘1的承载台侧面的间隙电容，Cw为晶圆100的等效电容，绝缘层3能有效减小a点和b点的电势差，从而提高晶圆100的良率。进一步的，由于绝缘层3能在盖板2和托盘1之间形成固体电容，以调节盖板2和晶圆100之间的电压分布，减小晶圆100与盖板2之间的电势差，改善晶圆100边缘的电场分布，拉直晶圆100边缘的电场角度，具体参照如图6所示，从而起到矫正刻蚀角度的作用，改善晶圆100边缘刻蚀角度，解决边缘雾化问题。

本申请实施例采用托盘来承载晶圆，以及使盖板盖合于托盘上及晶圆边缘上，并且将绝缘层设置托盘与盖板之间，绝缘层主要作用是在盖板和托盘之间增加一个固体电容，以调节盖板和晶圆之间的电压分布，减小晶圆与盖板之间的电势差，改善晶圆边缘的电场分布，拉直晶圆边缘的电场角度，从而避免晶圆边缘出现雾化现象。进一步的，由于绝缘层的厚度均匀性容易保证，使托盘与盖板间的电容均匀性及重复性可以得到保证，利于提高单次工艺或者多次工艺晶圆之间的均匀性。

于本申请的一实施例中，如图1、图2及图4所示，多个承载台包括有第一承载台11及第二承载台12，第一承载台11与托盘1同轴设置，多个第二承载台12均匀排布于第一承载台11的周向上；绝缘层3为与盖板2适配的一整体结构，且绝缘层3上环绕第一承载台11及第二承载台12的外周设置。具体来说，托盘1的顶面上凸设有第一承载台11及第二承载台12，即多个承载台多个承载台包括有第一承载台11及第二承载台12。其中第一承载台11位于托盘1的居中位置，多个第二承载台12可以环绕于第一承载台11的外周设置，并且第一承载台11及第二承载台12均为圆形凸台结构。绝缘层3为一整体结构，并且对应于托盘1及盖板2的形状设置。绝缘层3能层叠设置于托盘1的顶面上，并且能环绕于第一承载台11及第二承载台12的外周设置。盖板2上可以开设有多个圆形的容置口21，以用于分别容置第一承载台11及第二承载台12。绝缘层3可以开设有多个缺口，多个缺口能与多个容置口21对应设置，以使绝缘层3能环绕于第一承载台11及第二承载台12的外周设置。容置口21的内周壁上设置有环形凸台，该环形凸台用于形成压合部22，压合部22的顶面可以与盖板2的顶面平齐。采用上述设计，使得本申请实施例能一次承载多个晶圆100，从而提高工艺效率及晶圆100之间的均匀性，并且能使得本申请实施例结构简单，从而降低拆装维护成本。

于本申请的一实施例中，如图1至图3所示，承载装置还包括有连接件6，托盘1及绝缘层3均开设有多个对应设置的安装孔4，多个连接件6与多个安装孔4一一对应设置，用于将盖板2与托盘1绝缘连接，并且将盖板2的变形量控制在预设范围内，预设范围小于等于0.5毫米。

如图1至图3所示，托盘1及绝缘层3上均开设有多个安装孔4，并且托盘1与绝缘层3上的安装孔4一一对应设置，安装孔4合贯穿托盘1及绝缘层3的通孔。连接件6可以采用螺栓，连接件6由托盘1的底部进行安装，在依次穿过托盘1及绝缘层3后与盖板2连接，并且连接件6与托盘1之间可以设置有绝缘垫片，以使托盘1与盖板2之间实现绝缘连接。但是本申请实施例并不以此为限，例如连接件6本身采用绝缘材质制成。进一步的，通过控制连接件6安装时的力矩，可以将盖板2的变形量控制在预设范围内，该预设范围可以设置为小于等于0.5毫米，但是本申请实施例并不限定预设范围的具体数值，预设范围可以根据托盘1及盖板2尺寸对应设置。采用上述设计，使得托盘1及盖板2整体受力均匀，不易发生变形，以避免两者变形而造成电容值发生微变化，从而大幅提高电容均匀性。

于本申请的一实施例中，如图1至图3所示，多个安装孔4包括有第一组安装孔41及第二组安装孔42，第一组安装孔41沿第一承载台11周向均匀分排布；第二组安装孔42沿多个第二承载台12的周向均匀排布，并且位于第二承载台12与托盘1的周缘之间。

可选地，第二组安装孔42包括有多个第二子组，每个第二子组均包括呈三角形排布的三个安装孔4，以用于与任意两相邻的第二承载台12及托盘1边缘构成的形状相匹配。

如图1至图3所示，多个安装孔4可以划分为第一组安装孔41及第二组安装孔42，其中第一组安装孔41可以沿第一承载台11的周向均匀间隔排布，并且位于第一承载台11与第二承载台12之间的间隙中；第二组安装孔42可以沿托盘1的圆周方向均匀排布，并且位于多个第二承载台12与托盘1的周缘之间。进一步的，第二组安装孔42可以包括有多个第二子组，每个第二子组均包括呈三角形排布的三个安装孔4，以用于与任意两相邻的第二承载台12及托盘1边缘构成的形状相匹配。由于绝缘层3上的安装孔4与托盘1上的安装孔4对应设置，因此不再赘述。采用上述设计，由于第一组安装孔41及第二安装孔4均匀且间隔的排布于托盘1及绝缘层3上，使得托盘1及盖板2的受力更加均匀，从而进一步提高了电容均匀性。可选地，绝缘层3与托盘1之间设置有两个定位结构5，两个定位结构5沿托盘1的周向均匀且间隔排布，并且靠近托盘1周缘设置，定位结构5可以采用定位孔与定位销配合定位的方式实现，但是本申请实施例并不限定定位结构5的具体实施方式。两个定位结构5能在安装过程中对绝缘层3与托盘1进行定位，以便于绝缘层3及托盘1上的安装孔4相互对齐，从而提高本申请实施例的拆装维护效率。

于本申请的一实施例中，如图1至图3所示，承载装置还包括有卡合件7，卡合件7设置于绝缘层3的安装孔4，并且与托盘1卡合固定，用于将绝缘层3固定于托盘1上。具体来说，卡合件7可以采用倒扣形式的卡口固定件，卡合件7的底部穿设于绝缘层3的安装孔4内，并且与托盘1卡合连接，卡合件7的顶部压抵于绝缘层3上，以将绝缘层3固定于托盘1上。采用上述设计，由于绝缘层3固定于托盘1上，使得绝缘层3无需反复拆装，从而提高更换清洗的便捷性，进而提高工作效率。需要说明的是，本申请实施例并不限定绝缘层3与托盘1的连接方式，例如绝缘层3可以采用粘接方式与托盘1固定连接。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1至图4所示，第一承载台11及第二承载台12上均设置有环形的密封槽13，密封槽13内设置有密封圈14，密封圈14用于与晶圆100的背面接触，并且在压合部22的作用下与晶圆100紧密贴合。具体来说，由于第一承载台11及第二承载台12均用于承载晶圆100，为了避免晶圆100在工艺时温度过高，因此需要在晶圆100的底部通入氦气，以用于对晶圆100进行降温。第一承载台11及第二承载台12的顶面均开设有环形的密封槽13，该密封槽13的横截面形状可以为燕尾形结构，但是本申请实施例并不限密封槽13的截面形状。密封槽13内可以设置有柔性的密封圈14，晶圆100的底面边缘与密封圈14接触，并且在压合部22的作用下使晶圆100与密封圈14紧密贴合，以使晶圆100的底部通入氦气时实现密封。采用上述设计，能避免晶圆100底部的氦气泄露，从而提高工艺良率及产能；采用密封槽13及密封圈14配合的方式实现密封，还能大幅降低应用及维护成本，从而满足量产的需求。

于本申请的一实施例中，如图1所示，绝缘层3的厚度均匀设置，并且绝缘层3厚度的取值范围为小于等于3毫米。具体来说，绝缘层3整体的厚度均匀设置，以使得绝缘层3的性能较为稳定，从而易于加工及安装。进一步的，绝缘层3厚度的取值范围可以小于等于3毫米，使得托盘1与盖板2之间电容均匀性得到保证，从而进一步提高电容均匀性，进而避免晶圆100边缘出现雾化问题。但是本申请实施例并不限定绝缘层3的具体厚度，只要绝缘层3的厚度整体均匀设置即可。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1所示，绝缘层3为绝缘材质，并且绝缘层3的相对介电常数小于等于2.5。可选地，绝缘层3的材质为聚四氟乙烯、橡胶或聚苯乙烯的任意一种。具体来说，绝缘层3的具体要求是采用相对介电常数较低的材质制成，例如聚四氟乙烯、橡胶及聚苯乙烯等材质的任意一种，绝缘层3的相对介电常数可以设置为小于等于2.5，以在盖板2和托盘1之间增加合适的电容值，实现降低晶圆100与盖板2之间的电势差，从而避免晶圆100边缘出现雾化现象。但是本申请实施并不限定绝缘层3的具体材质，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1所示，绝缘层3的导热系数小于等于0.144瓦/米·度，用于在盖板2及托盘1之间传导热量。具体来说，绝缘层3可以采用具有导热能力的材质制成，并且绝缘层3的导热系系数可以设置为小于等于0.144瓦/米·度，这样绝缘层3既能满足对电容值的要求，也能满足对盖板2进行散热的需求，实现工艺时盖板2上的热量通过绝缘层3及托盘1导出，使盖板2的温度保持在工艺范围内，该工艺范围例如是小于等于130℃。另外，绝缘层3的导热系数采用上述数值，能使盖板2在工艺过程中的温度不会超过110℃，从而避免温度过高影响工艺良率。采用上述设计，使得盖板2通过绝缘层3及托盘1进行散热，无需配备其它散热结构，从而大幅降低应用及维护成本。

基于同一构思，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室及如上述各实施例提供的承载装置。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

本申请实施例采用托盘来承载晶圆，以及使盖板盖合于托盘上及晶圆边缘上，并且将绝缘层设置托盘与盖板之间，绝缘层主要作用是在盖板和托盘之间增加一个固体电容，以调节盖板和晶圆之间的电压分布，减小晶圆与盖板之间的电势差，改善晶圆边缘的电场分布，拉直晶圆边缘的电场角度，从而避免晶圆边缘出现雾化现象。进一步的，由于绝缘层的厚度均匀性容易保证，使托盘与盖板间的电容均匀性及重复性可以得到保证，利于提高单次工艺或者多次工艺晶圆之间的均匀性。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (12)

1.一种半导体工艺设备的承载装置，其特征在于，包括：托盘、盖板及绝缘层；

所述托盘的上表面设置有多个承载台，用于分别承载多个晶圆；

所述盖板盖合于所述托盘上，所述盖板的上表面设置有多个压合部，多个所述压合部用于分别与多个所述晶圆的边缘接触，所述盖板的下表面设置有凸部，所述凸部的表面低于所述承载台的表面且所述凸部的表面与所述托盘的上表面具有预设间隙；

所述绝缘层设置于所述预设间隙中，并且所述绝缘层的顶面及底面分别与所述托盘的上表面及所述凸部的表面贴合设置，用于降低所述盖板与所述晶圆之间的电势差。

2.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，多个所述承载台包括有第一承载台及第二承载台，所述第一承载台与所述托盘同轴设置，多个所述第二承载台均匀排布于所述第一承载台的周向上；

所述绝缘层为与所述盖板适配的一整体结构，且所述绝缘层环绕所述第一承载台及所述第二承载台的外周设置。

3.如权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括有连接件，所述托盘及所述绝缘层均开设有多个对应设置的安装孔，多个所述连接件与多个所述安装孔一一对应设置，用于将所述盖板与所述托盘绝缘连接，并且将所述盖板的变形量控制在预设范围内，所述预设范围小于等于0.5毫米。

4.如权利要求3所述的承载装置，其特征在于，多个所述安装孔包括有第一组安装孔及第二组安装孔，所述第一组安装孔沿所述第一承载台周向均匀分排布；所述第二组安装孔沿多个所述第二承载台的周向均匀排布，并且位于所述第二承载台与所述托盘的周缘之间。

5.如权利要求4所述的承载装置，其特征在于，所述第二组安装孔包括有多个第二子组，每个所述第二子组均包括呈三角形排布的三个安装孔，以用于与任意两相邻的所述第二承载台及所述托盘边缘构成的形状相匹配。

6.如权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括有卡合件，所述卡合件设置于所述绝缘层的安装孔，并且与所述托盘卡合固定，用于将所述绝缘层固定于所述托盘上。

7.如权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述第一承载台及所述第二承载台上均设置有环形的密封槽，所述密封槽内设置有密封圈，所述密封圈用于与所述晶圆的背面接触，并且在压合部的作用下与所述晶圆紧密贴合。

8.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述绝缘层的厚度均匀设置，并且所述绝缘层厚度的取值范围为小于等于3毫米。

9.如权利要求8所述的承载装置，其特征在于，所述绝缘层为绝缘材质，并且所述绝缘层的相对介电常数小于等于2.5。

10.如权利要求9所述的承载装置，其特征在于，所述绝缘层的材质为聚四氟乙烯、橡胶或聚苯乙烯的任意一种。

11.如权利要求9所述的承载装置，其特征在于，所述绝缘层的导热系数小于等于0.144瓦/米·度，用于在所述盖板及所述托盘之间传导热量。

12.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室及如权利要求1至11的任一所述的承载装置。

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