CN218331733U - 上电状态检测电路及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种上电状态检测电路及电子设备，所述上电状态检测电路包括采样电路、光耦检测电路和脉冲产生电路；所述采样电路用于采集交流输入端的交流电流；所述光耦检测电路输入端与所述采样电路连接，所述光耦检测电路根据所述交流电流的电流大小输出对应的电压信号；所述脉冲产生电路与所述光耦检测电路输出端连接，所述脉冲产生电路根据所述电压信号产生不同的脉冲信号，所述脉冲信号用于确定所述交流输入端的上电状态。本申请实施例的上电状态检测电路可以准确地对交流输入端的上电状态进行检测，从而准确地确定市电是否正常接入。

Description

上电状态检测电路及电子设备

技术领域

本申请涉及电子电力领域，尤其涉及一种上电状态检测电路及电子设备。

背景技术

对于储能设备或配电箱，一般需要先确定交流输入端的上电状态是否正常，从而确定市电是否正常接入。如果直接对市电进行检测，由于交流电输出是不稳定的信号，会出现市电接入但无法检测到对应信号的情况，或者会出现状态指示灯无法稳定反馈交流输入端的上电状态的情况，从而无法准确地确定交流信号的上电状态是否正常。

实用新型内容

本申请的主要目的在于提供一种上电状态检测电路及电子设备，旨在准确地对交流输入端的上电状态进行检测，从而准确地确定市电是否正常接入。

第一方面，本申请提供一种上电状态检测电路，所述上电状态检测电路包括采样电路、光耦检测电路和脉冲产生电路；

所述采样电路用于采集交流输入端的交流电流；

所述光耦检测电路输入端与所述采样电路连接，所述光耦检测电路根据所述交流电流的电流大小输出对应的电压信号；

所述脉冲产生电路与所述光耦检测电路输出端连接，所述脉冲产生电路根据所述电压信号产生不同的脉冲信号，所述脉冲信号用于确定所述交流输入端的上电状态。

在一实施例中，所述上电状态检测电路还包括控制电路以及状态指示电路；

所述控制电路与所述脉冲产生电路连接，用于在所述脉冲信号的频率满足预设条件时，发送控制信号至所述状态指示电路；

所述状态指示电路与所述控制电路连接，用于在接收到所述控制信号时，指示所述交流输入端的上电状态为已上电。

在一实施例中，所述采样电路包括：

第一限流单元，所述第一限流单元的第一端与所述交流输入端的火线端连接，所述第一限流单元的第二端与所述光耦检测电路输入端的正极连接；

第二限流单元，所述第二限流单元的第一端与所述交流输入端的零线端连接，所述第二限流单元的第二端与所述光耦检测电路输入端的负极连接。

在一实施例中，所述第一限流单元和所述第二限流单元均包括至少一个限流电阻。

在一实施例中，所述光耦检测电路包括：

光电耦合器，所述光电耦合器输入端与所述采样电路连接，所述光电耦合器输出端的集电极与所述脉冲产生电路连接，所述光电耦合器输出端的发射极接地；

第一分压电阻，所述第一分压电阻的第一端与第一预设电源连接，所述第一分压电阻的第二端与所述光电耦合器输出端的集电极连接。

在一实施例中，所述光耦检测电路还包括：

保护单元，所述保护单元的第一端与所述光耦检测电路输入端的正极连接，所述保护单元的第二端与所述光耦检测电路输入端的负极连接，所述保护单元用于对所述光耦检测电路进行防反接保护。

在一实施例中，所述保护单元包括：二极管，所述二极管的阳极为保护单元的第二端，所述二极管的阴极为所述保护单元的第一端。

在一实施例中，所述脉冲产生电路包括：

开关管，所述开关管的受控端与所述光耦检测电路的输出端连接，所述开关管的第一端为脉冲产生电路的输出端，所述开关管的第二端接地；

第二分压电阻，所述第二分压电阻的第一端与第二预设电源连接，所述第二分压电阻的第二端与所述开关管的第一端连接。

在一实施例中，所述脉冲产生电路还包括：

第一滤波电容，所述第一滤波电容的第一端与所述开关管的受控端连接，所述第一滤波电容的第二端接地；

第二滤波电容，所述第二滤波电容的第一端与所述开关管的第一端连接，所述第二滤波电容的第二端接地。

第二方面，本申请提供一种电子设备，包括上述所述的上电状态检测电路。

本申请提供一种上电状态检测电路及电子设备。该上电状态检测电路包括采样电路、光耦检测电路和脉冲产生电路；所述采样电路用于采集交流输入端的交流电流；所述光耦检测电路输入端与所述采样电路连接，所述光耦检测电路根据所述交流电流的电流大小输出对应的电压信号；所述脉冲产生电路与所述光耦检测电路输出端连接，所述脉冲产生电路根据所述电压信号产生不同的脉冲信号，所述脉冲信号用于确定所述交流输入端的上电状态。本申请实施例的上电状态检测电路，通过光耦检测电路和脉冲产生电路，将交流输入端的交流电流转换为脉冲信号，可以准确地对交流输入端的上电状态进行检测，从而准确地确定市电是否正常接入。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请的实施例提供的上电状态检测电路的一实施方式的电路示意框图；

图2为本申请的实施例提供的上电状态检测电路的另一实施方式的电路示意框图；

图3为本申请的实施例提供的上电状态检测电路生成的脉冲信号与市电信号的信号波形示意图；

图4为本申请的实施例提供的采样电路的一实施方式的电路示意图；

图5为本申请的实施例提供的光耦检测电路的一实施方式的电路示意图；

图6为本申请的实施例提供的保护单元的一实施方式的电路示意图；

图7为本申请的实施例提供的脉冲产生电路的一实施方式的电路示意图；

图8为本申请的实施例提供的储能设备的一实施方式的电路示意框图；

图9为本申请的实施例提供的配电箱的一实施方式的电路示意框图。

附图标记：

1000—储能设备 100—上电状态检测电路 10—采样电路

11—第一限流单元 12—第二限流单元 20—光耦检测电路

21—光电耦合器 30—脉冲产生电路 31—开关管

40—控制电路 50—状态指示电路 2000—配电箱

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

请参照图1，图1为本申请的实施例提供的上电状态检测电路的一实施方式的电路示意框图。

如图1所示，该上电状态检测电路100包括采样电路10、光耦检测电路 20和脉冲产生电路30；采样电路10用于采集交流输入端的交流电流，其中，由于市电为交流电，故采样电路10直接可以通过采集市电的火线端与零线端之间的电流得到交流输入端的交流电流。光耦检测电路20的输入端与采样电路10的输出端连接，光耦检测电路20用于根据所述交流电流的电流大小输出对应的电压信号，所述电压信号可以为光耦检测电路20输出的电压值；脉冲产生电路30与光耦检测电路20的输出端连接，脉冲产生电路30用于根据所述电压信号产生不同的脉冲信号，所述脉冲信号用于确定所述交流输入端的上电状态。

其中，脉冲产生电路30可以将光耦检测电路20在每个时刻输出的电压信号都转换为脉冲信号，从而产生每个时刻下电压信号对应的脉冲信号，根据脉冲信号在不同时刻的变化，可以更准确清晰地确定所述交流输入端的上电状态。上电状态可以用于反映市电(即交流电)是否正常接入，若交流输入端的上电状态为已上电，则可以确定市电接入正常；若交流输入端的上电状态为未上电，则可以确定市电接入不正常。本申请实施例设计了一个上电状态检测电路100，从而能够准确地对交流输入端的上电状态进行检测，以准确地确定市电是否正常接入。

在一些实施例中，如图2所示，图2为本申请的实施例提供的上电状态检测电路100的另一实施方式的电路示意框图。上电状态检测电路100还包括控制电路40以及状态指示电路50；控制电路40与脉冲产生电路30连接，用于在所述脉冲信号的频率满足预设条件时，发送控制信号至状态指示电路 50；状态指示电路50与控制电路40连接，用于在接收到所述控制信号时，指示所述交流输入端的上电状态为已上电。由此可以通过状态指示电路50准确地指示交流输入端的上电状态，使用户能够便捷地确定交流输入端的上电状态。

其中，由于脉冲产生电路30可以将光耦检测电路20在每个时刻输出的电压信号都转换为脉冲信号，从而产生每个时刻下电压信号对应的脉冲信号，最后可以得到一个周期内电压信号对应的脉冲信号，从而可以准确地计算得到脉冲信号的频率。所述控制信号用于控制状态指示电路50指示所述交流输入端的上电状态为已上电。所述控制电路40可以为微控制单元 (Microcontroller Unit，MCU)，用于判断所述脉冲信号的频率是否满足预设条件，并根据判断结果输出不同的控制信号。

具体地，控制电路40用于判断所述脉冲信号的频率是否满足预设条件，若所述脉冲信号的频率满足预设条件，则发送第一控制信号至状态指示电路 50，若所述脉冲信号的频率不满足预设条件，则发送第二控制信号至状态指示电路50。

示例性的，如图3所示，图3为本申请的实施例提供的上电状态检测电路100生成的脉冲信号与市电信号的信号波形示意图。控制电路40用于判断所述脉冲信号的频率与市电的变化频率是否相同，若所述脉冲信号的频率与市电的变化频率相同，则发送第一控制信号至状态指示电路50，若所述脉冲信号的频率与市电的变化频率不相同，则发送第二控制信号至状态指示电路 50。第一控制信号和第二控制信号为不同的控制信号，示例性的，第一控制信号为高电平信号，第二控制信号为低电平信号。由此，可以通过比较脉冲信号的频率与市电的变化频率是否相同，从而准确地确定交流输入端的上电状态。如图3所示，假设市电信号波形频率为f(交流电压波形或交流电流波形)，从图中可以看出，此时可以看出脉冲信号与市电信号的周期相同，即脉冲信号的频率与市电的变化频率相同，则发送第一控制信号，例如高电平信号，至状态指示电路50。

需要说明的是，由于电气元件的自身误差等因素，可能会导致脉冲信号的频率与市电的变化频率仍存在微小误差，但此时仍可以认为交流输入端的上电状态为已上电。

示例性的，控制电路40用于判断所述脉冲信号的频率与市电的变化频率的误差是否在预设范围内，若所述脉冲信号的频率与市电的变化频率的误差在预设范围内，则发送控制信号至状态指示电路50，若所述脉冲信号的频率与市电的变化频率的误差不在预设范围内，则不发送控制信号至状态指示电路50。由此可以避免电气元件的自身误差等因素的影响，从而准确地确定交流输入端的上电状态。

在一实施例中，控制电路40用于判断所述脉冲信号的频率是否满足预设条件，若所述脉冲信号的频率满足预设条件，则发送控制信号至状态指示电路50，若所述脉冲信号的频率不满足预设条件，则不发送控制信号至状态指示电路50。示例性的，控制信号均为高电平信号，在控制电路40发送高电平信号时，状态指示电路50接收端接收到该高电平信号，在控制电路40不发送控制信号时，状态指示电路50的信号接收端默认为低电平信号。

示例性的，状态指示电路50还可以与状态指示灯连接，当状态指示电路 50接收到控制信号或接收到第一控制信号时，控制状态指示灯亮，以指示所述交流输入端的上电状态为已上电。当状态指示电路50未接收到控制信号或接收到第二控制信号时，控制状态指示灯不亮，以指示所述交流输入端的上电状态为未上电。通过状态指示灯可以清晰便捷地将交流输入端的上电状态反馈给用户。若直接对市电进行检测，由于交流电输出是不稳定的信号，会出现状态指示灯无法稳定反馈交流输入端的上电状态的情况，从而无法准确地确定交流信号的上电状态是否正常，而采用本申请实施例提供的上电状态检测电路100，通过光耦检测电路和脉冲产生电路，将交流输入端的交流电流转换为脉冲信号，能够准确地对交流输入端的上电状态进行检测，从而准确地确定市电是否正常接入。

在一些实施例中，如图4所示，图4为本申请的实施例提供的采样电路 10的一实施方式的电路示意图。采样电路10包括第一限流单元11和第二限流单元12；第一限流单元11的第一端与交流输入端的火线端连接，第一限流单元11的第二端与光耦检测电路20输入端的正极连接；第二限流单元12的第一端与交流输入端的零线端连接，第二限流单元12的第二端与光耦检测电路20输入端的负极连接。由此可以通过第一限流单元11与交流输入端的火线端连接，且第二限流单元12与交流输入端的零线端连接，实现对交流输入端的交流电流的采集。

其中，第一限流单元11和第二限流单元12用于采集交流输入端的交流电流，并对采集得到的交流电流进行限流处理，防止光耦检测电路20过流。光耦检测电路20输入端的正极为光电耦合器21中发光二极管的正极，光耦检测电路20输入端的负极为光电耦合器21中发光二极管的负极。

在一些实施例中，第一限流单元11和第二限流单元12均包括至少一个限流电阻R1。

其中，限流电阻R1的数量以及阻值可以由用户自行设定，从而对采集得到的交流电流进行限流处理。如图4所示，示例性的，可以在第一限流单元 11和第二限流单元12分别设置三个限流电阻，具体可以在第一限流单元11 设置的限流电阻R₁₁、限流电阻R₁₂和限流电阻R₁₃，以及在第二限流单元12 设置的限流电阻R₁₄、限流电阻R₁₅和限流电阻R₁₆，在此不做具体限定。当在限流单元内设置多个限流电阻时，可以根据不同市电输入电压的大小，或是光耦检测电路的参数，选择不同的限流电阻组合，以确保光耦检测电路的输入电流不击穿光耦检测电路中的器件。示例性的，可以在每个限流电阻后设置采样点，根据不同市电输入电压的大小，或是光耦检测电路的参数，将光耦检测电路的输入端与该采样点连接。

在一些实施例中，如图5所示，图5为本申请的实施例提供的光耦检测电路20的一实施方式的电路示意图。所述光耦检测电路20包括光电耦合器 21和第一分压电阻R2，光电耦合器21输入端与采样电路10连接，光电耦合器21输出端的集电极与脉冲产生电路30连接，光电耦合器21输出端的发射极接地；第一分压电阻R2的第一端与第一预设电源连接，第一分压电阻R2 的第二端与光电耦合器21输出端的集电极连接。光电耦合器21和第一分压电阻R2配合，实现根据交流电流的电流大小输出对应的电压信号。

其中，光电耦合器21是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管，光敏电阻)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接收光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”控制。第一分压电阻 R2起到分压的作用，第一预设电源用于提供电压，以使光耦检测电路20输出对应的电压信号。示例性的，第一预设电源可以提供3.3V的电压。

具体地，光耦检测电路20中，输入的交流电流的电流大小决定了光电耦合器21的导通或关断，若交流电流的电流大小大于预设光耦导通电流，则光电耦合器21的导通，从而使得光电耦合器21输出端的集电极输出低电平信号；若交流电流的电流大小不大于预设的光耦导通电流，则光电耦合器21的关断，从而使得光电耦合器21输出端的集电极输出高电平信号。

示例性的，假设交流输入端输出的电压有效值为120V，光电耦合器21 的原边二极管导通压降为V_D＝1.08V，假设光耦导通电流为I_F＝60mA，如图5 所示，第一限流单元11设置有限流电阻R₁₁、限流电阻R₁₂和限流电阻R₁₃，第二限流单元12设置有限流电阻R₁₄、限流电阻R₁₅和限流电阻R₁₆，且限流电阻R₁₁、限流电阻R₁₂、限流电阻R₁₃、限流电阻R₁₄、限流电阻R₁₅和限流电阻R₁₆的阻值均为20K，因此可以得到第一限流单元11和第二限流单元12的总阻值均为60K，则输入电流的计算公式为：

其中，V_in为交流输入端输出的电压瞬时值，由于I_F＝60mA，即I<I_F，因此不满足光耦导通条件，此时光电耦合器21关断。

光耦导通需要满足：

如图3所示，θ₁可以为A点处对应的相位角，θ₂可以为B点处对应的相位角，A点与B点的瞬时电压、电流相等，假设A点与B点之间采集到的交流输入端的交流电流大于预设的光耦导通电流，但由于光电耦合器21需要一定的启动时间才能够启动，因此

需要大于预设的启动时间T_F，即θ₁-θ₂需要大于预设阈值，即A点与B点的相位差需要大于预设阈值光电耦合器21 才可以正常导通，该预设阈值由光电耦合器21中二极管和三极管的导通延时决定。

同时，如图3所示，由于交流电压时刻在变化中，满足启动电压的两个交流输出电压(例如，A点与B点的瞬时电压)中，时间间隔可能小于启动时间，即，两点的相位差小于预设阈值，此时光电耦合器21无法启动。因此，可以根据需要检测的电压范围设置限流电阻的阻值大小，从而使得光电耦合器21能够正常工作。

在一些实施例中，如图6所示，图6为本申请的实施例提供的保护单元的一实施方式的电路示意图。光耦检测电路20还包括保护单元，保护单元的第一端与光耦检测电路20输入端的正极连接，保护单元的第二端与光耦检测电路输入端的负极连接，保护单元用于对光耦检测电路20进行防反接保护。

具体地，保护单元可以为二极管D1或开关等电气元器件，由于的保护单元第一端与光耦检测电路20输入端的正极连接，保护单元的第二端与光耦检测电路输入端的负极连接，示例性的，若保护单元为开关时，当出现反接时，可以将开关闭合，使得保护单元短路，电流流经保护单元，从而对光电耦合器21起到保护作用。

在一些实施例中，如图6所示，保护单元包括二极管D1，二极管D1的阳极为保护单元的第二端，二极管D1的阴极为所述保护单元的第一端。由此可以通过在光电耦合器21的输入端反向并联二极管D1，从而对光电耦合器 21进行防反接保护。

具体地，二极管D1的阴极与光耦检测电路20输入端的正极连接，二极管D1的阳极与光耦检测电路输入端的负极连接。通过在光耦检测电路输入端反向并联一个二极管D1或者稳压管可以起到反向保护作用，从而可以防止反向电压过高击穿光电耦合器21的发光管。

在一些实施例中，如图7所示，图7为本申请的实施例提供的脉冲产生电路30的一实施方式的电路示意图。脉冲产生电路30包括开关管31和第二分压电阻R3，开关管31的受控端与光耦检测电路20的输出端连接，开关管 31的第一端为脉冲产生电路30的输出端，开关管31的第二端接地，第二分压电阻R3的第一端与第二预设电源连接，第二分压电阻R3的第二端与开关管31的第一端连接。由此可以将光耦检测电路20输出的电压信号都转换为脉冲信号，从而产生电压信号对应的脉冲信号，以便后续能够可以准确地计算得到脉冲信号的频率。

其中，开关管31可以为MOS管或三极管等，第二分压电阻R3用于分压，所述第二预设电源用于提供电压，示例性的，第二预设电源可以提供3.3V的电压，且第二预设电源可以与第一预设电源相同。

示例性的，如图7所示，以开关管31为NMOS管为例，光耦检测电路 20可以根据交流电流的电流大小确定光电耦合器21的导通或关断。若交流电流的电流大小大于预设光耦导通电流，则光电耦合器21导通，从而使得光电耦合器21输出端的集电极输出低电平信号，即NMOS管的栅极接收到低电平信号，使得NMOS管断开，NMOS管的漏极即脉冲产生电路30的输出端输出高电平；若交流电流的电流大小不大于预设的光耦导通电流，则光电耦合器21关断，从而使得光电耦合器21输出端的集电极输出高电平信号，即 NMOS管的栅极接收到高电平信号，使得NMOS管导通，NMOS管的漏极即脉冲产生电路30的输出端输出低电平，从而根据脉冲信号在不同时刻的变化以生成变化的脉冲信号波形图。由此可以通过光耦检测电路20对交流电起到隔离作用，并通过光电耦合器21以及开关管31的配合，实现交流输入端的上电状态的稳定检测。

在一些实施例中，如图7所示，脉冲产生电路30还包括第一滤波电容 C1和第二滤波电容C2，第一滤波电容C1的第一端与开关管31的受控端连接，第一滤波电容C1的第二端接地；第二滤波电容C2的第一端与开关管31 的第一端连接，第二滤波电容C2的第二端接地。

其中，第一滤波电容C1用于对光耦检测电路20输出的电压信号进行滤波处理，第二滤波电容C2用于对脉冲产生电路30输出的脉冲信号进行滤波处理，由此可以准确地生成脉冲信号，从而准确地对交流输入端的上电状态进行检测，从而准确地确定市电是否正常接入。

具体地，如图7所示，脉冲产生电路30还包括第一限流电阻R4、第二限流电阻R5和第三分压电阻R6。其中，第一限流电阻R4和第二限流电阻 R5用于限流，第三分压电阻R6用于分压。第一限流电阻R4的第一端与光耦检测电路20的输出端连接，第一限流电阻R4的第二端与开关管31的受控端连接。第二限流电阻R5的第一端与开关管31的第一端连接，第二限流电阻R5的第二端与控制电路40的输入端连接。第三分压电阻R6的第一端与开关管31的受控端连接，第二端接地。

本申实施例还提供一种电子设备，该电子设备包括上述上电状态检测电路。

在一实施例中，所述电子设备为储能设备。请参照图8，图8为本申请的实施例提供的储能设备1000的一实施方式的电路示意框图。

如图8所示，储能设备1000包括上电状态检测电路100。储能设备100 的AC输入端可以连接交流电输入，例如市电。在储能设备100的AC输入端接入交流电时，上电状态检测电路100可以用于对AC输入端的上电状态进行检测。

其中，该上电状态检测电路100可参照图1至图7的示例进行设置，例如上电状态检测电路100包括上述实施例所述的采样电路10、光耦检测电路 20和脉冲产生电路30，上电状态检测电路100的具体设置方式可参照本申请说明书记载的对应实施例，本实施例在此不再赘述。

在一实施例中，所述电子设备为配电箱。请参照图9，图9为本申请的实施例提供的配电箱2000的一实施方式的电路示意框图。配电箱2000连接在供电端与负载之间，用于对负载进行电能管理。示例性的，配电箱200可以连接在电网与家庭负载之间，通过控制各个家庭负载与市电之间的连接与断开，对家庭负载进行电能管理。

配电箱2000具有AC输入端，可以连接交流电输入，例如市电。在配电箱2000的AC输入端接入交流电时，上电状态检测电路100可以用于对AC 输入端的上电状态进行检测。

如图9所示，配电箱2000包括上电状态检测电路100。

其中，该上电状态检测电路100可参照图1至图7的示例进行设置，例如上电状态检测电路100包括上述实施例所述的采样电路10、光耦检测电路 20和脉冲产生电路30，上电状态检测电路100的具体设置方式可参照本申请说明书记载的对应实施例，本实施例在此不再赘述。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接。可以是机械连接，也可以是电连接。可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

上述实施方式仅为本申请的优选实施方式，不能以此来限定本申请保护的范围，本领域的技术人员在本申请的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本申请所要求保护的范围。

Claims (10)

1.一种上电状态检测电路，其特征在于，所述上电状态检测电路包括：

采样电路，所述采样电路用于采集交流输入端的交流电流；

光耦检测电路，所述光耦检测电路输入端与所述采样电路连接，所述光耦检测电路根据所述交流电流的电流大小输出对应的电压信号；

脉冲产生电路，所述脉冲产生电路与所述光耦检测电路输出端连接，所述脉冲产生电路根据所述电压信号产生不同的脉冲信号，所述脉冲信号用于确定所述交流输入端的上电状态。

2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述上电状态检测电路还包括控制电路以及状态指示电路；

所述控制电路与所述脉冲产生电路连接，用于在所述脉冲信号的频率满足预设条件时，发送控制信号至所述状态指示电路；

所述状态指示电路与所述控制电路连接，用于在接收到所述控制信号时，指示所述交流输入端的上电状态为已上电。

3.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述采样电路包括：

第一限流单元，所述第一限流单元的第一端与所述交流输入端的火线端连接，所述第一限流单元的第二端与所述光耦检测电路输入端的正极连接；

第二限流单元，所述第二限流单元的第一端与所述交流输入端的零线端连接，所述第二限流单元的第二端与所述光耦检测电路输入端的负极连接。

4.根据权利要求3所述的检测电路，其特征在于，所述第一限流单元和所述第二限流单元均包括至少一个限流电阻。

5.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述光耦检测电路包括：

光电耦合器，所述光电耦合器输入端与所述采样电路连接，所述光电耦合器输出端的集电极与所述脉冲产生电路连接，所述光电耦合器输出端的发射极接地；

第一分压电阻，所述第一分压电阻的第一端与第一预设电源连接，所述第一分压电阻的第二端与所述光电耦合器输出端的集电极连接。

6.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述光耦检测电路还包括：

保护单元，所述保护单元的第一端与所述光耦检测电路输入端的正极连接，所述保护单元的第二端与所述光耦检测电路输入端的负极连接，所述保护单元用于对所述光耦检测电路进行防反接保护。

7.根据权利要求6所述的检测电路，其特征在于，所述保护单元包括：

二极管，所述二极管的阳极为保护单元的第二端，所述二极管的阴极为所述保护单元的第一端。

8.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述脉冲产生电路包括：

开关管，所述开关管的受控端与所述光耦检测电路的输出端连接，所述开关管的第一端为所述脉冲产生电路的输出端，所述开关管的第二端接地；

第二分压电阻，所述第二分压电阻的第一端与第二预设电源连接，所述第二分压电阻的第二端与所述开关管的第一端连接。

9.根据权利要求8所述的检测电路，其特征在于，所述脉冲产生电路还包括：

第一滤波电容，所述第一滤波电容的第一端与所述开关管的受控端连接，所述第一滤波电容的第二端接地；

第二滤波电容，所述第二滤波电容的第一端与所述开关管的第一端连接，所述第二滤波电容的第二端接地。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如所述权利要求1-9任一项所述的上电状态检测电路。

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