CN217954310U - 一种红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置，包括测试台，所述测试台的一端固定连接有第一固定板，所述第一固定板的侧面固定连接有第一横板，所述第一横板的底部固定连接有连接柱，所述连接柱的底部固定连接有外壳，所述外壳的内部安装有电热板，所述外壳的底部嵌入有置物台，所述测试台的一端固定连接有第二固定板，所述第二固定板的侧面固定连接有第二横板，所述第二横板上固定连接有支撑柱，所述支撑柱的顶端固定连接有观测台。

Description

一种红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置

技术领域

本实用新型涉及半导体晶体膜测试技术，尤其是一种红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置。

背景技术

“红外半导体”是经过科学方法将材料分子做层叠排列制成的晶体膜，厚度仅几纳米至数百纳米，“红外半导体”电热新材料是综合了纳米远红外电热材料、纳米半导体生长镀膜技术、以及远红外集波镀膜材料和技术，应用积淀处理工艺，经过高温烧结，在绝缘体（如玻璃、陶瓷、碳化硅等）表面形成一层极薄的膜层，再配上电极，就可以在1.5V---380V（直流和交流均可）电压下工作，发出的热量可达500℃以上，且可达到温度自主控制的程度，是目前国内外电热领域中一项领先的高新科技，可替代金属电热丝的传统方法，开创了一个全新的电热技术新领域。

红外半导体晶体膜无毒性物质，无磁场辐射，零污染。在发热过程中不发光，不产生明火，微晶本身是绝缘体，从而使纳米热能膜发热元件同时具备了发热和绝缘的功能，因此红外半导体晶体膜在生产过程中，需要进行发热频次性能测试，确保产品合格耐用。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，本实用新型的目的在于提供一种红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置，用于解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置，包括测试台，所述测试台的一端固定连接有第一固定板，所述第一固定板的侧面固定连接有第一横板，所述第一横板的底部固定连接有连接柱，所述连接柱的底部固定连接有外壳，所述外壳的内部安装有电热板，所述外壳的底部嵌入有置物台，所述测试台的一端固定连接有第二固定板，所述第二固定板的侧面固定连接有第二横板，所述第二横板上固定连接有支撑柱，所述支撑柱的顶端固定连接有观测台。

本实用新型提供的红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置，还具有以下技术特征：

进一步地，所述置物台的侧面固定连接有手持板。

进一步地，所述观测台上设置有防尘盖。

进一步地，所述观测台的侧面开设有缺口，所述缺口的大小与手持板相适配。

进一步地，所述电热板呈螺旋分布状。

进一步地，所述置物台的外沿设置有螺纹，所述置物台与外壳螺纹连接。

进一步地，所述置物台包括底座和置物槽。

进一步地，所述测试台的底部固定连接有支撑底座。

本实用新型具有如下有益效果：通过将红外半导体晶体膜放置在置物台中，并将置物台与外壳连接，通过外壳内部的电热板加热从而使得红外半导体晶体膜发热，反复多次加热，从而检验红外半导体晶体膜的发热性能，并且可将置物台摆放至观测台上，从而检验红外半导体晶体膜发热后的形态是否发生变化，产品是否合格达标；本装置结构简单，操作便捷，使用效果好。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。

图1为本实用新型实施例的结构示意图。

具体实施方式

下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

如图1所示的本实用新型的红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置的一个实施例中，该实施例的红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置，包括测试台1，测试台1的一端固定连接有第一固定板2，第一固定板2的侧面固定连接有第一横板3，第一横板3的底部固定连接有连接柱4，连接柱4的底部固定连接有外壳5，外壳5的内部安装有电热板6，电热板6呈螺旋分布状，电热板6外接有电源线，电热板6的部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知，外壳5的底部嵌入有置物台7，置物台7的外沿设置有螺纹，置物台7与外壳5螺纹连接，置物台7包括底座和置物槽，测试台1的一端固定连接有第二固定板8，第二固定板8的侧面固定连接有第二横板9，第二横板9上固定连接有支撑柱10，支撑柱10的顶端固定连接有观测台11，观测台11与置物台7的底部相适配，在本实用新型中，通过将红外半导体晶体膜放置在置物台7中，并将置物台7与外壳5连接，通过外壳5内部的电热板6加热从而使得红外半导体晶体膜发热，反复多次加热，从而检验红外半导体晶体膜的发热性能，并且可将置物台7摆放至观测台11上，从而检验红外半导体晶体膜发热后的形态是否发生变化，产品是否合格达标；本装置结构简单，操作便捷，使用效果好。

在本申请的一个实施例中，优选地，置物台7的侧面固定连接有手持板711，观测台11的侧面开设有缺口1102，缺口1102的大小与手持板711相适配，在本实用新型中，通过手持板711移动和安装置物台7，通过将手持板711对照观测台11的缺口1102使得置物台7放置在观测台11内。

在本申请的一个实施例中，优选地，观测台11上设置有防尘盖1101，在本实用新型中，防尘盖1101起到闭合观测台11的作用，避免置物台7放置在观测台11上时有灰尘侵入。

在本申请的一个实施例中，优选地，测试台1的底部固定连接有支撑底座111。

该文中出现的电器元件均与外界的主控器及220V市电电连接，并且主控器可为计算机等起到控制的常规已知设备。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置，包括测试台（1），其特征在于，所述测试台（1）的一端固定连接有第一固定板（2），所述第一固定板（2）的侧面固定连接有第一横板（3），所述第一横板（3）的底部固定连接有连接柱（4），所述连接柱（4）的底部固定连接有外壳（5），所述外壳（5）的内部安装有电热板（6），所述外壳（5）的底部嵌入有置物台（7），所述测试台（1）的一端固定连接有第二固定板（8），所述第二固定板（8）的侧面固定连接有第二横板（9），所述第二横板（9）上固定连接有支撑柱（10），所述支撑柱（10）的顶端固定连接有观测台（11）。

2.根据权利要求1所述的红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置，其特征在于，所述置物台（7）的侧面固定连接有手持板（711）。

3.根据权利要求1所述的红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置，其特征在于，所述观测台（11）上设置有防尘盖（1101）。

4.根据权利要求1所述的红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置，其特征在于，所述观测台（11）的侧面开设有缺口（1102），所述缺口（1102）的大小与手持板（711）相适配。

5.根据权利要求1所述的红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置，其特征在于，所述电热板（6）呈螺旋分布状。

6.根据权利要求1所述的红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置，其特征在于，所述置物台（7）的外沿设置有螺纹，所述置物台（7）与外壳（5）螺纹连接。

7.根据权利要求1所述的红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置，其特征在于，所述置物台（7）包括底座和置物槽。

8.根据权利要求1所述的红外半导体晶体膜发热频次性能测试装置，其特征在于，所述测试台（1）的底部固定连接有支撑底座（111）。

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