CN217903406U - 一种陶瓷波导滤波器及一种通信设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供的陶瓷波导滤波器，包括陶瓷谐振器、谐振孔、导电层、负耦合孔及负耦合环形槽，通过使负耦合孔及负耦合环形槽位于第一、第二谐振孔之间，使负耦合孔为盲孔，使负耦合环形槽为盲槽，使负耦合孔的开口方向与负耦合环形槽相反，使负耦合孔与负耦合环形槽开设的深度构成相交设置，使负耦合环形槽的底部围在负耦合孔的外侧，既能够通过负耦合孔底部与陶瓷谐振器本体之间的介质厚度实现第一负耦合，又能够通过负耦合孔与负耦合环形槽的深度相交实现第二负耦合，从而提升耦合量，由于负耦合环形槽的存在，还能够使近端谐振点左移，从而降低近端谐振点频率；本实用新型提供的通信设备，适用范围更广，能够满足越来越严格带外抑制要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及通信技术领域，具体涉及一种陶瓷波导滤波器及一种通信设备。
背景技术
随着现代通信技术的发展，通信设备的小型化是一种必然的趋势，特别是在5G时代，通信设备的小型化显的尤为重要，在5G通信中，由于陶瓷波导滤波器能够很好的解决通信设备小型化的要求，在通信设备越来越常见，但随着通信技术的发展，频谱资源越来越紧缺，通信频段之间的间隔越来越近，相应的干扰也会越来越严重，相应的，通信设备对带外抑制的要求也越来越严格。
传统的陶瓷波导滤波器大多是通过设置在两个谐振孔之间的深耦合孔（或槽）的底部与陶瓷谐振器之间的介质厚度实现负耦合，如中国专利CN104604022B就公开了这类陶瓷波导滤波器，但受限于深耦合孔的加工难度，难以通过深耦合孔的进一步加深提升耦合量，使得通信设备在耦合量要求更大的场合难以适用；在实际使用时，这类陶瓷波导滤波器近端谐振点的频率较高，导致通信设备难以满足越来越严格的带外抑制要求。
发明内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术的缺点，提供一种能够进一步提升耦合量并降低近端谐振点频率的陶瓷波导滤波器，以及，一种适用范围更广、能够满足越来越严格带外抑制要求的通信设备。
为达到上述目的，本实用新型提供的技术方案是，陶瓷波导滤波器，包括陶瓷谐振器、开设在所述陶瓷谐振器上的谐振孔，以及，覆盖在所述陶瓷谐振器的表面、所述谐振孔的内壁表面的导电层；所述谐振孔用于调整所述陶瓷谐振器的谐振频率，所述谐振孔为盲孔，所述谐振孔包括开口位于所述陶瓷谐振器同一表面的第一谐振孔和第二谐振孔；
所述陶瓷波导滤波器还包括位于所述第一谐振孔和所述第二谐振孔之间的负耦合孔及负耦合环形槽，所述负耦合孔为盲孔，所述负耦合环形槽为盲槽，所述负耦合孔的开口方向与所述负耦合环形槽的开口方向相反，所述负耦合孔与所述负耦合环形槽开设的深度构成相交设置，所述负耦合环形槽的底部围在所述负耦合孔的外侧，所述负耦合环形槽的内壁表面、所述负耦合孔的内壁表面覆盖有所述导电层。
优选地，所述负耦合环形槽的开口方向与所述谐振孔的开口方向相同。
优选地，所述负耦合孔的延伸方向与所述负耦合环形槽的延伸方向相平行。
优选地，所述负耦合孔的孔深大于所述陶瓷谐振器厚度的二分之一，所述负耦合环形槽的槽深小于所述陶瓷谐振器厚度的二分之一。
进一步优选地，所述负耦合孔的孔深大于所述陶瓷谐振器厚度的三分之二，所述负耦合环形槽的槽深小于所述陶瓷谐振器厚度的三分之一。
优选地，所述负耦合环形槽与所述负耦合孔同轴设置。
优选地，所述负耦合孔、所述负耦合环形槽、所述第一谐振孔、所述第二谐振孔的轴心线位于同一平面。
优选地，所述负耦合孔的开口形状为圆形、椭圆形或矩形，所述负耦合环形槽的开口形状为圆环、椭圆环或矩形环。
进一步优选地，所述负耦合孔的开口形状与所述负耦合环形槽的开口形状相对应。
优选地，所述负耦合环形槽距所述第一谐振孔和所述第二谐振孔的最短距离相等。
为达到上述目的，本实用新型提供的技术方案是，通信设备，包括上述任意一种陶瓷波导滤波器。
由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
本实用新型提供的陶瓷波导滤波器，包括陶瓷谐振器、开设在陶瓷谐振器上的谐振孔，以及，覆盖在陶瓷谐振器表面、谐振孔内壁表面的导电层；谐振孔用于调整陶瓷谐振器的谐振频率，谐振孔为盲孔，谐振孔包括开口位于陶瓷谐振器同一表面的第一谐振孔和第二谐振孔；通过使该陶瓷波导滤波器还包括位于第一谐振孔和第二谐振孔之间的负耦合孔及负耦合环形槽，使负耦合孔为盲孔，使负耦合环形槽为盲槽，使负耦合孔的开口方向与负耦合环形槽的开口方向相反，使负耦合孔与负耦合环形槽开设的深度构成相交设置，使负耦合环形槽的底部围在负耦合孔的外侧，在负耦合环形槽的内壁表面、负耦合孔的内壁表面覆盖导电层，既能够通过负耦合孔底部与陶瓷谐振器本体之间的介质厚度实现第一负耦合，又能够通过负耦合孔与负耦合环形槽的深度相交实现第二负耦合，从而通过第一负耦合和第二负耦合的叠加提升耦合量，由于负耦合环形槽的存在，还能够使近端谐振点左移，从而降低近端谐振点频率；本实用新型提供的通信设备，包括上述陶瓷波导滤波器，能够适用于耦合量要求更大的场合，适用范围更广，也能够降低近端谐振点频率，从而满足越来越严格带外抑制要求。
附图说明
图1是本实用新型中陶瓷波导滤波器的立体示意图。
图2是图1的俯视示意图。
图3是图2中A-A方向剖视示意图。
图4是现有技术中陶瓷波导滤波器的剖视示意图。
图5是图3的电气性能图。
图6是图4的电气性能图。
其中：10.陶瓷谐振器；21.第一谐振孔；22.第二谐振孔；30.导电层；40.负耦合孔；50.负耦合环形槽。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的技术方案进行详细描述。
如图1至图3所示，本实用新型提供的陶瓷波导滤波器，包括陶瓷谐振器10、开设在陶瓷谐振器10上的谐振孔，以及，覆盖在陶瓷谐振器10的表面、谐振孔内壁表面的导电层30；谐振孔用于调整陶瓷谐振器10的谐振频率，谐振孔为盲孔，谐振孔包括开口位于陶瓷谐振器10上表面的第一谐振孔21和第二谐振孔22；该陶瓷波导滤波器还包括位于第一谐振孔21和第二谐振孔22之间的负耦合孔40及负耦合环形槽50，负耦合孔40为盲孔，负耦合环形槽50为盲槽，负耦合孔40的开口方向与负耦合环形槽50的开口方向相反，负耦合孔40与负耦合环形槽50开设的深度构成相交设置，负耦合环形槽50的底部围在负耦合孔40的外侧，负耦合环形槽50的内壁表面、负耦合孔40的内壁表面覆盖有导电层。
这样设置的好处在于，既能够通过负耦合孔底部与陶瓷谐振器之间的介质厚度实现第一负耦合，又能够通过负耦合孔与负耦合环形槽的深度相交（即负耦合孔的孔壁与负耦合环形槽的内壁之间的介质厚度）实现第二负耦合，从而通过第一负耦合和第二负耦合的叠加提升耦合量，还能够通过调整负耦合环型槽50的深度和位置来调节总的负耦合量，由于负耦合环形槽的存在，还能够使近端谐振点左移，从而降低近端谐振点频率，具体地，由图5和图6的对比可知，无论是现有技术中单盲孔负耦合结构的陶瓷波导滤波器还是本实用新型中具有负耦合孔和负耦合环形槽结构的陶瓷波导滤波器，在通带左侧都会出现一个尖峰（近端谐振点），但是可以明显发现本实用新型的陶瓷波导滤波器产生的左侧尖峰低于-88dB，比现有技术中陶瓷波导滤波器产生的左侧尖峰-85dB更低，同时，本实用新型的陶瓷波导滤波器左侧尖峰的频率降至了2.00GHz，而现有技术中陶瓷波导滤波器左侧尖峰的频率在2.13GHz左右。
在本实施例中，负耦合环形槽50的开口方向与第一谐振孔21、第二谐振孔22的开口方向相同，也就是说，负耦合环形槽50的开口位于陶瓷谐振器10的上表面，同时，负耦合孔40的开口位于陶瓷谐振器10的下表面，同时，负耦合环形槽50距第一谐振孔21和第二谐振孔22的最短距离相等。
负耦合孔40的延伸方向与负耦合环形槽50的延伸方向相平行，负耦合孔40的孔深大于陶瓷谐振器10厚度的二分之一，负耦合环形槽50的槽深小于陶瓷谐振器10厚度的二分之一，进一步地，负耦合孔40的孔深大于陶瓷谐振器10厚度的三分之二，负耦合环形槽50的槽深小于陶瓷谐振器10厚度的三分之一。
在本实施例中，负耦合环形槽50与负耦合孔40同轴设置，负耦合孔40、负耦合环形槽50、第一谐振孔21、第二谐振孔22的轴心线位于同一平面。
在本实施例中，为以便于加工，负耦合孔40的开口形状为圆形、椭圆形或矩形，负耦合环形槽50的开口形状为圆环、椭圆环或矩形环，同时，负耦合孔40的开口形状与负耦合环形槽50的开口形状相对应，该相对应是指在负耦合孔40的开口形状为圆形时，负耦合环形槽50的开口形状为圆环，在负耦合孔40的开口形状为椭圆形时，负耦合环形槽50的开口形状为椭圆环，在负耦合孔40的开口形状为矩形时，负耦合环形槽50的开口形状为矩形环，当然，负耦合孔40和负耦合环形槽50的开口形状也可以是其他形状或不规则形状。
需要说明的是，本实用新型中的导电层30通过电镀金属的方式实现，该金属优选为银，也可以为其他满足实际需求的金属。
以上仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (10)
1.一种陶瓷波导滤波器，包括陶瓷谐振器、开设在所述陶瓷谐振器上的谐振孔，以及，覆盖在所述陶瓷谐振器的表面、所述谐振孔的内壁表面的导电层；所述谐振孔用于调整所述陶瓷谐振器的谐振频率，所述谐振孔为盲孔，所述谐振孔包括开口位于所述陶瓷谐振器同一表面的第一谐振孔和第二谐振孔；
其特征在于：
所述陶瓷波导滤波器还包括位于所述第一谐振孔和所述第二谐振孔之间的负耦合孔及负耦合环形槽，所述负耦合孔为盲孔，所述负耦合环形槽为盲槽，所述负耦合孔的开口方向与所述负耦合环形槽的开口方向相反，所述负耦合孔与所述负耦合环形槽开设的深度构成相交设置，所述负耦合环形槽的底部围在所述负耦合孔的外侧，所述负耦合环形槽的内壁表面、所述负耦合孔的内壁表面覆盖有所述导电层。
2.根据权利要求1所述的陶瓷波导滤波器，其特征在于：所述负耦合环形槽的开口方向与所述谐振孔的开口方向相同。
3.根据权利要求1所述的陶瓷波导滤波器，其特征在于：所述负耦合孔的延伸方向与所述负耦合环形槽的延伸方向相平行。
4.根据权利要求1所述的陶瓷波导滤波器，其特征在于：所述负耦合孔的孔深大于所述陶瓷谐振器厚度的二分之一，所述负耦合环形槽的槽深小于所述陶瓷谐振器厚度的二分之一。
5.根据权利要求1所述的陶瓷波导滤波器，其特征在于：所述负耦合环形槽与所述负耦合孔同轴设置。
6.根据权利要求1所述的陶瓷波导滤波器，其特征在于：所述负耦合孔、所述负耦合环形槽、所述第一谐振孔、所述第二谐振孔的轴心线位于同一平面。
7.根据权利要求1所述的陶瓷波导滤波器，其特征在于：所述负耦合孔的开口形状为圆形、椭圆形或矩形，所述负耦合环形槽的开口形状为圆环、椭圆环或矩形环。
8.根据权利要求7所述的陶瓷波导滤波器，其特征在于：所述负耦合孔的开口形状与所述负耦合环形槽的开口形状相对应。
9.根据权利要求1所述的陶瓷波导滤波器，其特征在于：所述负耦合环形槽距所述第一谐振孔和所述第二谐振孔的最短距离相等。
10.一种通信设备，其特征在于：包括权利要求1-9中任意一项所述的陶瓷波导滤波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202222274328.5U CN217903406U (zh) | 2022-08-29 | 2022-08-29 | 一种陶瓷波导滤波器及一种通信设备 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN202222274328.5U CN217903406U (zh) | 2022-08-29 | 2022-08-29 | 一种陶瓷波导滤波器及一种通信设备 |
Publications (1)
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|---|---|
| CN217903406U true CN217903406U (zh) | 2022-11-25 |
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Family Applications (1)
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| CN202222274328.5U Active CN217903406U (zh) | 2022-08-29 | 2022-08-29 | 一种陶瓷波导滤波器及一种通信设备 |
Country Status (1)
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|---|---|
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2022
- 2022-08-29 CN CN202222274328.5U patent/CN217903406U/zh active Active
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