CN217849006U - 基于n沟道mos管的智能充电器保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于N沟道MOS管的智能充电器保护电路，包括电源模块、二极管D1、电容EC1、三极管Q1、N沟道的MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、第一输出端、第二输出端；电源模块与电容EC1形成电流回路；电容EC1的正极和三极管Q1的集电极均与第一输出端电连接，三极管Q1的发射极与MOS管Q2的栅极电连接，MOS管Q2的源极与电容EC1的负极电连接，MOS管Q2的漏极与第二输出端电连接；电阻R1的第一端与第一输出端电连接，电阻R2的第一端与第二输出端电连接，电阻R1的第二端与电阻R2的第二端电连接，三极管Q1的基极连接至电阻R1和电阻R2之间。本实用新型使得在充电器的正负极短接或反接时可以快速的断开充电回路。
Description
技术领域
本实用新型涉及充电器技术领域，具体是一种基于N沟道MOS管的智能充电器保护电路。
背景技术
如今汽车越来越普及，汽车电池作为汽车起始动力源也尤为重要，智能充电器可以有效的延长汽车电池的使用寿命，也可以在汽车长时间未使用后，电池亏电而导致启动不了的时候，激活电池，从而启动汽车。
目前的智能充电器在为电池充电时，由于用户的操作失误，经常会使得充电器的正负极短接或反接，这就需要设置保护电路，以在充电器的正负极短接或反接时断开电路，以保护充电器不损坏，目前的保护电路一般是通过MCU来读取电压信号，然后控制MOS管的导通或截止，这样，由于需要通过MCU的响应来控制MOS管进行动作，就会存在一定的延迟，从而使得该保护电路的反应速度较慢，无法及时有效的保护充电器。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种基于N沟道MOS管的智能充电器保护电路，其使得在充电器的正负极短接或反接时可以快速的断开充电回路。
为解决上述技术问题，本实用新型提供的基于N沟道MOS管的智能充电器保护电路，包括电源模块、二极管D1、电容EC1、三极管Q1、N沟道的MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、用于与电池正极相连接的第一输出端、用于与电池负极相连接的第二输出端；
电源模块与电容EC1形成电流回路；
电容EC1的正极和三极管Q1的集电极均与第一输出端电连接，三极管Q1的发射极与MOS管Q2的栅极电连接，MOS管Q2的源极与电容EC1的负极电连接，MOS管Q2的漏极与第二输出端电连接；
电阻R1的第一端与第一输出端电连接，电阻R2的第一端与第二输出端电连接，电阻R1的第二端与电阻R2的第二端电连接，三极管Q1的基极连接至电阻R1和电阻R2之间。
作为优选，所述的智能充电器保护电路还包括二极管D1，二极管D1的正极与电源模块电连接，二极管D1的负极连接至电容EC1与第一输出端之间。
作为优选，所述的智能充电器保护电路还包括电阻R5，电阻R5连接在电容EC1的负极与MOS管Q2的源极之间。
作为优选，所述的智能充电器保护电路还包括电阻R3，电阻R3连接在MOS管Q2的源极与MOS管Q2的栅极之间。
采用以上结构后，本实用新型与现有技术相比，具有以下的优点：
本实用新型的智能充电器保护电路，当第一输出端和第二输出端正确连接电池正负极时，电容EC1放电，输出给电池充电，三极管Q1的基极的电压为电阻R1和电阻R2的分压值，第二输出端的电压为0V，三极管Q1的发射极的电压为第一输出端的电压，所以三极管Q1的发射极的电压大于基极的电压，使得三极管Q1导通，三极管Q1导通后使MOS管Q2也导通，从而形成完整充电回路，以使得充电器可以正常为电池充电。 而当充电器的正负极短接或反接时，第一输出端的电压小于等于第二输出端的电压，这样使三极管Q1的基极的电压等于或者大于三极管Q2的发射极的电压，从而导致三极管Q1截止，继而使得MOS管Q2也截止，从而无法形成完整的充电回路，从而保护充电器的电路不会因为正负极的短路或反接造成损坏，并且本实用新型的智能充电器保护电路通过MOS管Q2做开关，由充电器的输出端的电压变化来直接控制MOS管Q2的导通或截止，相比于传统的通过MCU来读取电压信号然后控制MOS管的导通或截止的做法，其反应速度更快，可以更好的保护充电器。
附图说明
图1是本实用新型的电路结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细地说明。
由图1所示，本实用新型的基于N沟道MOS管的智能充电器保护电路包括电源模块、二极管D1、电容EC1、三极管Q1、N沟道的MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、用于与电池正极相连接的第一输出端、用于与电池负极相连接的第二输出端、二极管D1、电阻R5和电阻R3。
电源模块包括电源和变压器T1，电源与变压器T1的输入绕组电连接，变压器T1的输出绕组与电容EC1形成电流回路。
电容EC1的正极和三极管Q1的集电极均与第一输出端电连接，三极管Q1的发射极与MOS管Q2的栅极电连接，MOS管Q2的源极与电容EC1的负极电连接，MOS管Q2的漏极与第二输出端电连接。
电阻R1的第一端与第一输出端电连接，电阻R2的第一端与第二输出端电连接，电阻R1的第二端与电阻R2的第二端电连接，三极管Q1的基极连接至电阻R1和电阻R2之间。
二极管D1的正极与电源模块电连接，二极管D1的负极连接至电容EC1与第一输出端之间。
电阻R5连接在电容EC1的负极与MOS管Q2的源极之间。
电阻R3连接在MOS管Q2的源极与MOS管Q2的栅极之间。
当第一输出端和第二输出端正确连接电池正负极时，电容EC1放电，输出给电池充电，三极管Q1的基极的电压为电阻R1和电阻R2的分压值，第二输出端的电压为0V，三极管Q1的发射极的电压为第一输出端的电压，所以三极管Q1的发射极的电压大于基极的电压，使得三极管Q1导通，三极管Q1导通后使MOS管Q2也导通，从而形成完整充电回路。 当充电器的正负极短接或反接时，第一输出端的电压小于等于第二输出端的电压，这样使三极管Q1的基极的电压等于或者大于三极管Q2的发射极的电压，从而导致三极管Q1截止，继而使得MOS管Q2也截止，从而无法形成完整的充电回路
以上仅就本实用新型应用较佳的实例做出了说明，但不能理解为是对权利要求的限制，本实用新型的结构可以有其他变化，不局限于上述结构。总之，凡在本实用新型的独立权利要求的保护范围内所作的各种变化均在本实用新型的保护范围内。
Claims (4)
1.一种基于N沟道MOS管的智能充电器保护电路，其特征在于，包括电源模块、二极管D1、电容EC1、三极管Q1、N沟道的MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、用于与电池正极相连接的第一输出端、用于与电池负极相连接的第二输出端；
电源模块与电容EC1形成电流回路；
电容EC1的正极和三极管Q1的集电极均与第一输出端电连接，三极管Q1的发射极与MOS管Q2的栅极电连接，MOS管Q2的源极与电容EC1的负极电连接，MOS管Q2的漏极与第二输出端电连接；
电阻R1的第一端与第一输出端电连接，电阻R2的第一端与第二输出端电连接，电阻R1的第二端与电阻R2的第二端电连接，三极管Q1的基极连接至电阻R1和电阻R2之间。
2.根据权利要求1所述的基于N沟道MOS管的智能充电器保护电路，其特征在于，所述的智能充电器保护电路还包括二极管D1，二极管D1的正极与电源模块电连接，二极管D1的负极连接至电容EC1与第一输出端之间。
3.根据权利要求2所述的基于N沟道MOS管的智能充电器保护电路，其特征在于，所述的智能充电器保护电路还包括电阻R5，电阻R5连接在电容EC1的负极与MOS管Q2的源极之间。
4.根据权利要求3所述的基于N沟道MOS管的智能充电器保护电路，其特征在于，所述的智能充电器保护电路还包括电阻R3，电阻R3连接在MOS管Q2的源极与MOS管Q2的栅极之间。
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- 2022-07-09 CN CN202221756274.XU patent/CN217849006U/zh active Active
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