CN217832204U - 一种用于半导体焊锡的加热轨道 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种用于半导体焊锡的加热轨道，包括安装底座、第一加热轨道以及轨道盖板，安装底座与第一加热轨道之间设有缓冲架，缓冲架内设有缓冲弹簧，第一加热轨道从下往上依次设有加热层、吹气导热层和输送槽，第一加热轨道设有进气孔，吹气导热层设有吹气通道，吹气导热层与输送槽之间设有出气孔，输送槽内插设有第二加热轨道，轨道盖板包括第一盖板、第二盖板、第三盖板和第四盖板，第一盖板、第二盖板、第三盖和第四盖板设有引导架，第二盖板和第三盖板设有画锡孔。本实用新型具有缓冲结构，能使加热轨道不会发生形变，且结构稳定保证影响固晶的效率和质量。

Description

一种用于半导体焊锡的加热轨道

技术领域

本实用新型涉及半导体生产技术领域，具体讲是一种用于半导体焊锡的加热轨道。

背景技术

现有的半导体技术领域内，一般通过轨道进行半导体基板的输送和固晶，因此需要对轨道进行加热，为焊锡固晶提供热量，但是由于材料会存在热胀冷缩，固定的连接底座，会导致轨道无法沿长度方向进行伸展收缩，因此会导致轨道面板弯曲变形，从而影响固晶的准确和质量，同时也会影响半导体基板的输送，活动形的轨道结构不够稳定，也会影响焊锡固晶的质量和准确度。

除此以外，在焊接固晶的过程中，高温的焊接环境容易导致锡液滴落，或者氧化严重等问题，因此需要一种能够保证轨道不会因问热胀冷缩形变，结构稳定且能够避免焊锡滴落、氧化等问题的加热轨道。

实用新型内容

针对背景技术中存在的技术缺陷，本实用新型提出一种用于半导体焊锡的加热轨道，解决了上述技术问题以及满足了实际需求，具体的技术方案如下所示：

一种用于半导体焊锡的加热轨道，包括对称设置的安装底座、设于安装底座上端面的第一加热轨道以及插设于第一加热轨道上端面的轨道盖板，所述安装底座与第一加热轨道之间设有缓冲架，所述缓冲架内设有缓冲弹簧，所述第一加热轨道从下往上依次设有加热层、吹气导热层和输送槽，所述第一加热轨道一侧设有若干个进气孔，所述吹气导热层内设有与进气孔连通的吹气通道，所述吹气导热层与输送槽之间设有连通外部与吹气通道的出气孔，所述输送槽两侧设有与第一加热轨道一体成型的倒L型挡墙，所述输送槽内插设有带有若干导气孔的第二加热轨道，所述轨道盖板包括从左往右依次与第一加热轨道平行设置的第一盖板、第二盖板、第三盖板和第四盖板，所述第一盖板、第二盖板、第三盖和第四盖板的下端面设有引导架，所述第二盖板和第三盖板设有若干个贯穿其自身上下端面的画锡孔。

作为本实用新型的进一步技术方案，所述安装底座沿第一加热轨道长度方向对称设置，所述安装底座的下端底部通过连接底板连接。

作为本实用新型的进一步技术方案，所述缓冲架包括与安装底座固定连接且对称设置的缓冲底座、连接两个缓冲底座的缓冲杆以及套接于缓冲杆外表面与第一加热轨道下端面连接的缓冲连接块，所述缓冲弹簧套接于缓冲杆外表面，所述缓冲弹簧设于缓冲连接块两侧且分别与缓冲连接块和缓冲底座侧面抵接。

作为本实用新型的进一步技术方案，所述加热层设于缓冲连接块与第一加热轨道之间，所述加热层包括若干层隔热板和设于隔热板与第一加热轨道之间的若干块加热板，所述隔热板的数量不少于3层，所述加热板的数量为8-16块。

作为本实用新型的进一步技术方案，所述第一加热轨道整体截面呈H型，所述吹气通道呈栅格状设于第一加热轨道内，所述第二加热轨道与第一加热轨道抵接。

作为本实用新型的进一步技术方案，所述引导架包括引导轮和对称设于引导轮两侧与轨道盖板一体成型的引导安装座，所述引导轮通过其自身的转动轴插设于引导安装座内，所述引导安装座内设有垂直转动轴设置的安装杆，所述安装杆外表面套设有压簧，所述引导轮与第二加热轨道过盈配合。

作为本实用新型的进一步技术方案，所述轨道盖板均设有贯穿其上下端面的导轮通道，所述第二盖板和第三盖板均设有与画锡孔联通的通槽，所述第二盖板和第三盖板上端面均设有带有固晶孔的画线盖板，所述固晶孔与画锡孔和通槽连通。

本实用新型具有的有益效果在于：通过缓冲架的连接，能够保证加热轨道不会因为热胀冷缩而发生形变，且结构稳定不会因为加热轨道活动设置而松动，影响固晶的效率和质量；同时通过其内部的导体通道能够为焊锡通过保护气体，准确的输送热量，保证焊锡的温度和环境，进一步提高固晶焊锡的效率和质量。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图。

图2为本实用新型的缓冲架的整体结构示意图。

图3为本实用新型的隔热板的结构示意图。

图4为本实用新型的第一加热轨道的截面结构示意图。

图5为本实用新型的第二加热轨道的整体结构示意图。

图6为本实用新型的轨道盖板的整体结构示意图。

图7为本实用新型的引导架的整体结构示意图。

其中：安装底座1、第一加热轨道2、轨道盖板3、缓冲架4、缓冲弹簧5、加热层6、吹气导热层7、输送槽8、进气孔9、吹气通道10、出气孔11、倒L型挡墙12、导气孔13、第二加热轨道14、第一盖板15、第二盖板16、第三盖板17、第四盖板18、引导架19、画锡孔20、连接底板21、缓冲底座22、缓冲杆23、缓冲连接块24、转动轴25、隔热板26、加热板27、引导轮28、引导安装座29、安装杆30、压簧31、导轮通道32、通槽33、画线盖板34、固晶孔35。

具体实施方式

下面结合附图与相关实施例对本实用新型的实施方式进行说明，需要指出的是，以下相关实施例仅是为了更好说明本实用新型本身而举的优选实施例，而本实用新型的实施方式不局限于如下的实施例中，并且本实用新型涉及本技术领域的相关必要部件，应当视为本技术领域内的公知技术，是本技术领域所属的技术人员所能知道并掌握的。

请参阅图1至图7所示，一种用于半导体焊锡的加热轨道，包括对称设置的安装底座1、设于安装底座1上端面的第一加热轨道2以及插设于第一加热轨道2上端面的轨道盖板3，所述安装底座1与第一加热轨道2之间设有缓冲架4，所述缓冲架4内设有缓冲弹簧5，所述第一加热轨道2从下往上依次设有加热层6、吹气导热层7和输送槽8，所述第一加热轨道2一侧设有若干个进气孔9，所述吹气导热层7内设有与进气孔9连通的吹气通道10，所述吹气导热层7与输送槽8之间设有连通外部与吹气通道10的出气孔11，所述输送槽8两侧设有与第一加热轨道2一体成型的倒L型挡墙12，所述输送槽8内插设有带有若干导气孔13的第二加热轨道14，所述轨道盖板3包括从左往右依次与第一加热轨道2平行设置的第一盖板15、第二盖板16、第三盖板17和第四盖板18，所述第一盖板15、第二盖板16、第三盖和第四盖板18的下端面设有引导架19，所述第二盖板16和第三盖板17设有若干个贯穿其自身上下端面的画锡孔20。

需要说明的是，本实用新型是使得第一加热轨道2通过所述缓冲架4设于所述安装座上端面，能够通过所述缓冲架4的所述缓冲弹簧5，对所述第一加热轨道2因为加热的热胀冷缩进行缓冲，避免所述第一加热管道进行加热时因为膨胀延伸或者冷却时因为收缩，而因为其自身两端的固定而变弯曲，所述缓冲架4能够使得所述第一加热轨道2能够自由的收缩延展而不会弯曲。半导体基架通过所述第一加热轨道2的所述输送槽8进行输送，同时所述加热层6通过所述吹气导热层7进行导热和吹气，一是能够将所述加热层6的热量导至所述半导体基板，方便焊锡画线；二是所述吹气导热层7能够通过其外侧的所述进气孔9将保护气体通过所述导气通道从所述出气孔11输送到焊锡位置，提高焊接效率和质量。同时所述输送槽8内设有所述第二加热轨道14，用于输送半导体基板，所述第一加热轨道2的上端面设有所述轨道盖板3，对半导体基板起到保护作用，同时通过所述轨道盖板3的所述引导架19能够在半导体基板输送过程中保持半导体基板稳定且与所述第二加热轨道14贴合，保证加热顺利。所述轨道盖板3的所述第二盖板16和所述第三盖板17均设有所述焊锡孔，能够方便半导体基板在输送过程中进行固晶，方便操作。

请参阅图1至图7所示，作为本实用新型的进一步技术方案，所述安装底座1沿第一加热轨道2长度方向对称设置，所述安装底座1的下端底部通过连接底板21连接。

请参阅图1至图7所示，作为本实用新型的进一步技术方案，所述缓冲架4包括与安装底座1固定连接且对称设置的缓冲底座22、连接两个缓冲底座22的缓冲杆23以及套接于缓冲杆23外表面与第一加热轨道2下端面连接的缓冲连接块24，所述缓冲弹簧5套接于缓冲杆23外表面，所述缓冲弹簧5设于缓冲连接块24两侧且分别与缓冲连接块24和缓冲底座22侧面抵接。

需要说明的是，本实用新型所述安装底座1通过所述连接底板21连接，能够提高所述安装底座1的稳定性。所述缓冲底座22与所述缓冲连接块24之间的所述缓冲杆23外表面套接有所述缓冲弹簧5，能够在所述第一加热轨道2热胀冷缩时，所述缓冲连接块24随之在所述缓冲杆23上滑动，进行调节避免所述第一加热轨道2弯曲变形，同时所述缓冲弹簧5能够保证所述缓冲连接块24的稳定，不会导致所述第一加热轨道2前后随意的运动，保证焊接的稳定和质量。

请参阅图1至图7所示，作为本实用新型的进一步技术方案，所述加热层6设于缓冲连接块24与第一加热轨道2之间，所述加热层6包括若干层隔热板26和设于隔热板26与第一加热轨道2之间的若干块加热板27，所述隔热板26的数量不少于3层，所述加热板27的数量为8-16块。

需要说明的是，本实用新型所述加热层6通过所述加热板27进行加热，通过所述吹气导热层7将热量朝所述输送槽8的所述第二加热轨道14输送，保证本实用新型的加热，保证焊锡的进行，同时所述加热板27的下端面设有至少3层的所述隔热板26，通过多层的所述隔热板26保证所述加热板27的加热效率，保证所述第一加热轨道2和所述第二加热轨道14的热度，保证焊锡的正常进行，同时避免本实用新型下端部的温度，保证安全。

请参阅图1至图7所示，作为本实用新型的进一步技术方案，所述第一加热轨道2整体截面呈H型，所述吹气通道10呈栅格状设于第一加热轨道2内，所述第二加热轨道14与第一加热轨道2抵接。

请参阅图1至图7所示，作为本实用新型的进一步技术方案，所述引导架19包括引导轮28和对称设于引导轮28两侧与轨道盖板3一体成型的引导安装座29，所述引导轮28通过其自身的转动轴25插设于引导安装座29内，所述引导安装座29内设有垂直转动轴25设置的安装杆30，所述安装杆30外表面套设有压簧31，所述引导轮28与第二加热轨道14过盈配合。

请参阅图1至图7所示，作为本实用新型的进一步技术方案，所述轨道盖板3均设有贯穿其上下端面的导轮通道32，所述第二盖板16和第三盖板17均设有与画锡孔20联通的通槽33，所述第二盖板16和第三盖板17上端面均设有带有固晶孔35的画线盖板34，所述固晶孔35与画锡孔20和通槽33连通。

需要说明的是的，本实用新型所述半导体基板设于所述第二加热轨道14和所述轨道盖板3之间，进行焊锡和输送，所述引导架19能够通过所述引导轮28对半导体基板进行引导，同时所述引导轮28通过所述压簧31的朝下压力，与所述第二加热轨道14过盈配合，压住半导体基板，保证半导体基板的正常输送，避免半导体基板在输送过程中翘起等问题。所述第二盖板16和所述第三盖板17能够通过所述画锡孔20、所述固晶孔35和所述通槽33，方便的进行半导体固晶，提高生产效率。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (7)

1.一种用于半导体焊锡的加热轨道，其特征在于，包括对称设置的安装底座、设于安装底座上端面的第一加热轨道以及插设于第一加热轨道上端面的轨道盖板，所述安装底座与第一加热轨道之间设有缓冲架，所述缓冲架内设有缓冲弹簧，所述第一加热轨道从下往上依次设有加热层、吹气导热层和输送槽，所述第一加热轨道一侧设有若干个进气孔，所述吹气导热层内设有与进气孔连通的吹气通道，所述吹气导热层与输送槽之间设有连通外部与吹气通道的出气孔，所述输送槽两侧设有与第一加热轨道一体成型的倒L型挡墙，所述输送槽内插设有带有若干导气孔的第二加热轨道，所述轨道盖板包括从左往右依次与第一加热轨道平行设置的第一盖板、第二盖板、第三盖板和第四盖板，所述第一盖板、第二盖板、第三盖和第四盖板的下端面设有引导架，所述第二盖板和第三盖板设有若干个贯穿其自身上下端面的画锡孔。

2.根据权利要求1所述的用于半导体焊锡的加热轨道，其特征在于，所述安装底座沿第一加热轨道长度方向对称设置，所述安装底座的下端底部通过连接底板连接。

3.根据权利要求1所述的用于半导体焊锡的加热轨道，其特征在于，所述缓冲架包括与安装底座固定连接且对称设置的缓冲底座、连接两个缓冲底座的缓冲杆以及套接于缓冲杆外表面与第一加热轨道下端面连接的缓冲连接块，所述缓冲弹簧套接于缓冲杆外表面，所述缓冲弹簧设于缓冲连接块两侧且分别与缓冲连接块和缓冲底座侧面抵接。

4.根据权利要求1所述的用于半导体焊锡的加热轨道，其特征在于，所述加热层设于缓冲连接块与第一加热轨道之间，所述加热层包括若干层隔热板和设于隔热板与第一加热轨道之间的若干块加热板，所述隔热板的数量不少于3层，所述加热板的数量为8-16块。

5.根据权利要求1所述的用于半导体焊锡的加热轨道，其特征在于，所述第一加热轨道整体截面呈H型，所述吹气通道呈栅格状设于第一加热轨道内，所述第二加热轨道与第一加热轨道抵接。

6.根据权利要求1所述的用于半导体焊锡的加热轨道，其特征在于，所述引导架包括引导轮和对称设于引导轮两侧与轨道盖板一体成型的引导安装座，所述引导轮通过其自身的转动轴插设于引导安装座内，所述引导安装座内设有垂直转动轴设置的安装杆，所述安装杆外表面套设有压簧，所述引导轮与第二加热轨道过盈配合。

7.根据权利要求1所述的用于半导体焊锡的加热轨道，其特征在于，所述轨道盖板均设有贯穿其上下端面的导轮通道，所述第二盖板和第三盖板均设有与画锡孔联通的通槽，所述第二盖板和第三盖板上端面均设有带有固晶孔的画线盖板，所述固晶孔与画锡孔和通槽连通。

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