CN217825421U - 一种使用bp2879实现1%调光深度的新型电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种使用BP2879实现1％调光深度的新型电路，包括驱动控制器、MCU、补偿信号转换RC电路，所述MCU输出两路PWM调光信号，PWM1调光信号经过电阻R3分压连接至驱动控制器的IC芯片U1的PWM调光引脚，所述PWM2调光信号经补偿信号转换RC电路滤波后输出补偿信号至IC芯片U1的CS引脚，所述补偿信号转换RC电路中的电阻R14、电阻R15、电阻R13、二极管D2依次串联后与IC芯片U1的CS引脚连接，所述电容C7一端与电阻R14、电阻R15之间连接，所述电容C7另一端接地，所述电容C6一端与电阻R15、电阻R13之间连接，所述电容C6另一端接地。通过本实用新型，以解决现有技术存在的高分辨调光深度的电路结构复杂、成本高、不稳定可靠的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及调光电路技术领域，具体地说涉及一种使用BP2879实现 1％调光深度的新型电路。
背景技术
目前业内简单buck方案实现1％调光深度主要有如下几种方式：
1、IC方案本身支持1％调光深度。多采用PWM调光，开关频率较高，而调光频率相对较低，这类方案的缺点是调光状态下输出纹波电流较大，如要降低输出电流纹波，需要使用较大的输出电容或者提高调光频率，这势必会提升成本或者降低输出电流的精度。
2、混合调光。高端采用模拟调光，低端采用PWM调光，调光的衔接点需要设置的较高以确保低端的电流精度，同时在PWM调光段的输出电流纹波相对来说较大，另外如果模拟调光信号和PWM信号使用同一引脚，需要使用额外的电路来混合这两种调光信号。
3、低端负载分流调光。部分方案调光深度不够，在低端采用使用受控恒流源分流的方式可以将输出调流调整至较深的状态。这种方式的缺点就是需要增加受控恒流源电路，分流掉的能量转化为热量损耗，低端效率降低。
实用新型内容
本实用新型提供一种使用BP2879实现1％调光深度的新型电路，以解决现有技术存在的高分辨调光深度的电路结构复杂、成本高、不稳定可靠的问题。
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种使用BP2879实现1％调光深度的新型电路，包括驱动控制器、MCU、补偿信号转换RC电路，所述MCU输出两路PWM调光信号，包括PWM1调光信号、PWM2调光信号，所述PWM1 调光信号经过电阻R3分压连接至驱动控制器的IC芯片U1的PWM调光引脚，所述PWM2调光信号经补偿信号转换RC电路滤波后输出补偿信号至IC芯片 U1的CS引脚，所述补偿信号转换RC电路包括电阻R14、电阻R15、电阻R13、电容C6、电容C7、二极管D2，所述电阻R14、电阻R15、电阻R13、二极管 D2依次串联后与IC芯片U1的CS引脚连接，所述电容C7一端与电阻R14、电阻R15之间连接，所述电容C7另一端接地，所述电容C6一端与电阻R15、电阻R13之间连接，所述电容C6另一端接地。
所述驱动控制器为BP2879 BUCK调光LED驱动控制器。
所述驱动控制器的IC芯片U1的PWM调光引脚经过电阻R1后接地，还包括有电阻R11、电容C3，所述电阻R11与电容C3并联后一端与IC芯片U1的 CTR引脚连接，所述电阻R11另一端接地，所述IC芯片U1的CTR引脚经过电阻R8后连接VCC端子。
还包括有电阻R12、电容C4，所述电阻R12与电容C4并联后一端与IC芯片U1的FB引脚连接，所述电阻R12另一端接地，所述IC芯片U1的FB引脚经过电阻R9后连接FB端子。
所述IC芯片U1的DIM引脚连接电容C5后接地，所述IC芯片U1的GND 引脚接地。
所述IC芯片U1的CS引脚依次串联接电阻R6、场效应管Q1源极、场效应管Q1栅极、电阻R4、IC芯片U1的DRV引脚，还包括有电阻R5，所述电阻R5并联在场效应管Q1源极、栅极上，所述场效应管Q1漏极连接二极管D1 后与Vi+端子、Vo+端子连接。
所述场效应管Q1漏极依次与电阻R2、电容C1、Vo+端子连接，所述场效应管Q1漏极还与与互感器L1的一次绕组的一端连接，所述互感器L1的一次绕组的另一端连接电容CE1后与Vo+端子连接。
所述场效应管Q1源极连接电阻R10后接地。
所述IC芯片U1的VCC引脚连接电容C2后接地。
本实用新型带来的有益效果：本实用新型的使用BP2879实现1％调光深度的新型电路，在BP2879的基础上通过在CS引脚施加补偿信号的方式实现1％的调光深度，电路整体简单易实现，经济实用，生产成本低，电路稳定可靠。
附图说明
图1是根据本实用新型的使用BP2879实现1％调光深度的新型电路的电路图；
图2是根据本实用新型的调光信号Vs.调光电流比例的线路图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合具体实施例，对本实用新型作进一步地详细说明。
如图1所示，本实用新型实施提供了一种使用BP2879实现1％调光深度的新型电路，包括驱动控制器、MCU、补偿信号转换RC电路，所述MCU输出两路PWM调光信号，包括PWM1调光信号、PWM2调光信号，所述PWM1调光信号经过电阻R3分压连接至驱动控制器的IC芯片U1的PWM调光引脚，经IC 芯片U1内部转换后控制模拟调光引脚电压，所述PWM2调光信号经补偿信号转换RC电路滤波后输出补偿信号至IC芯片U1的CS引脚。
所述补偿信号转换RC电路包括电阻R14、电阻R15、电阻R13、电容C6、电容C7、二极管D2，所述电阻R14、电阻R15、电阻R13、二极管D2依次串联后与IC芯片U1的CS引脚连接，所述电容C7一端与电阻R14、电阻R15之间连接，所述电容C7另一端接地，所述电容C6一端与电阻R15、电阻R13之间连接，所述电容C6另一端接地。
进一步来说，所述驱动控制器为BP2879 BUCK调光LED驱动控制器。支持PWM和模拟调光信号，全程模拟调光，IC芯片U1自身具备调光深度为5％。
进一步来说，所述驱动控制器的IC芯片U1的PWM调光引脚经过电阻R1 后接地，还包括有电阻R11、电容C3，所述电阻R11与电容C3并联后一端与 IC芯片U1的CTR引脚连接，所述电阻R11另一端接地，所述IC芯片U1的 CTR引脚经过电阻R8后连接VCC端子。
进一步来说，还包括有电阻R12、电容C4，所述电阻R12与电容C4并联后一端与IC芯片U1的FB引脚连接，所述电阻R12另一端接地，所述IC芯片 U1的FB引脚经过电阻R9后连接FB端子。
进一步来说，所述IC芯片U1的DIM引脚连接电容C5后接地，所述IC芯片U1的GND引脚接地。
进一步来说，所述IC芯片U1的CS引脚依次串联接电阻R6、场效应管Q1 源极、场效应管Q1栅极、电阻R4、IC芯片U1的DRV引脚，还包括有电阻 R5，所述电阻R5并联在场效应管Q1源极、栅极上，所述场效应管Q1漏极连接二极管D1后与Vi+端子、Vo+端子连接。
进一步来说，所述场效应管Q1漏极依次与电阻R2、电容C1、Vo+端子连接，所述场效应管Q1漏极还与与互感器L1的一次绕组的一端连接，所述互感器L1的一次绕组的另一端连接电容CE1后与Vo+端子连接。
进一步来说，所述场效应管Q1源极连接电阻R10后接地。
进一步来说，所述IC芯片U1的VCC引脚连接电容C2后接地。
如图2所示，在100％～5％输出范围内，PWM1调光信号对应100％～5％变化，PWM2调光信号保持0；在5％～1％输出范围内，PWM1调光信号恒定在5％， PWM2调光信号从0％～100％逐渐增加，对应输出电流从5％～1％变化。在补偿信号和CS采样引脚之间需要使用二极管进行隔离，并可以通过补偿信号转换 RC电路来调整低端调光曲线的斜率。
综上所述，本实用新型的使用BP2879实现1％调光深度的新型电路，在 BP2879的基础上通过在CS引脚施加补偿信号的方式实现1％的调光深度，电路整体简单易实现，经济实用，生产成本低，电路稳定可靠。
以上所述仅为本实用新型的实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的权利要求范围之内。
Claims (9)
1.一种使用BP2879实现1％调光深度的新型电路，其特征在于：包括驱动控制器、MCU、补偿信号转换RC电路，所述MCU输出两路PWM调光信号，包括PWM1调光信号、PWM2调光信号，所述PWM1调光信号经过电阻R3分压连接至驱动控制器的IC芯片U1的PWM调光引脚，所述PWM2调光信号经补偿信号转换RC电路滤波后输出补偿信号至IC芯片U1的CS引脚，所述补偿信号转换RC电路包括电阻R14、电阻R15、电阻R13、电容C6、电容C7、二极管D2，所述电阻R14、电阻R15、电阻R13、二极管D2依次串联后与IC芯片U1的CS引脚连接，所述电容C7一端与电阻R14、电阻R15之间连接，所述电容C7另一端接地，所述电容C6一端与电阻R15、电阻R13之间连接，所述电容C6另一端接地。
2.如权利要求1所述使用BP2879实现1％调光深度的新型电路，其特征在于，所述驱动控制器为BP2879 BUCK调光LED驱动控制器。
3.如权利要求2所述使用BP2879实现1％调光深度的新型电路，其特征在于，所述驱动控制器的IC芯片U1的PWM调光引脚经过电阻R1后接地，还包括有电阻R11、电容C3，所述电阻R11与电容C3并联后一端与IC芯片U1的CTR引脚连接，所述电阻R11另一端接地，所述IC芯片U1的CTR引脚经过电阻R8后连接VCC端子。
4.如权利要求2所述使用BP2879实现1％调光深度的新型电路，其特征在于，还包括有电阻R12、电容C4，所述电阻R12与电容C4并联后一端与IC芯片U1的FB引脚连接，所述电阻R12另一端接地，所述IC芯片U1的FB引脚经过电阻R9后连接FB端子。
5.如权利要求2所述使用BP2879实现1％调光深度的新型电路，其特征在于，所述IC芯片U1的DIM引脚连接电容C5后接地，所述IC芯片U1的GND引脚接地。
6.如权利要求2所述使用BP2879实现1％调光深度的新型电路，其特征在于，所述IC芯片U1的CS引脚依次串联接电阻R6、场效应管Q1源极、场效应管Q1栅极、电阻R4、IC芯片U1的DRV引脚，还包括有电阻R5，所述电阻R5并联在场效应管Q1源极、栅极上，所述场效应管Q1漏极连接二极管D1后与Vi+端子、Vo+端子连接。
7.如权利要求6所述使用BP2879实现1％调光深度的新型电路，其特征在于，所述场效应管Q1漏极依次与电阻R2、电容C1、Vo+端子连接，所述场效应管Q1漏极还与互感器L1的一次绕组的一端连接，所述互感器L1的一次绕组的另一端连接电容CE1后与Vo+端子连接。
8.如权利要求6所述使用BP2879实现1％调光深度的新型电路，其特征在于，所述场效应管Q1源极连接电阻R10后接地。
9.如权利要求2所述使用BP2879实现1％调光深度的新型电路，其特征在于，所述IC芯片U1的VCC引脚连接电容C2后接地。
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|---|---|---|---|---|
| CN117241432A (zh) * | 2023-11-15 | 2023-12-15 | 深圳莱福德科技股份有限公司 | 一种改善调光ic调光深度的调光电路和调光方法 |
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- 2021-12-29 CN CN202123354933.5U patent/CN217825421U/zh active Active
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