CN217825363U - 一种mems芯片及电子设备 - Google Patents

一种mems芯片及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN217825363U
CN217825363U CN202220769952.XU CN202220769952U CN217825363U CN 217825363 U CN217825363 U CN 217825363U CN 202220769952 U CN202220769952 U CN 202220769952U CN 217825363 U CN217825363 U CN 217825363U
Authority
CN
China
Prior art keywords
diaphragm
cantilever beam
flap
mems chip
air
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202220769952.XU
Other languages
English (en)
Inventor
贺晓旭
何闵
陈明
詹思宇
顼文姝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xi'an Byd Semiconductor Co ltd
Original Assignee
BYD Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BYD Semiconductor Co Ltd filed Critical BYD Semiconductor Co Ltd
Priority to CN202220769952.XU priority Critical patent/CN217825363U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN217825363U publication Critical patent/CN217825363U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种MEMS芯片以及电子设备。该MEMS芯片包括振动膜,所述振动膜开设有泄气孔,所述振动膜上设置有膜瓣,所述膜瓣部分固定于所述振动膜,所述膜瓣在所述振动膜上可穿过所述泄气孔发生偏转;背极板,所述背极板与所述振动膜间隔且相对设置;悬臂梁,所述悬臂梁位于所述振动膜与所述背极板之间,所述悬臂梁与所述膜瓣相对设置,以支撑所述膜瓣。

Description

一种MEMS芯片及电子设备
技术领域
本实用新型涉及电子设备技术领域,更具体地,本实用新型涉及一种MEMS芯片以及电子设备。
背景技术
微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)由于微型化、智能化等特点,已经广泛应用在人们的日常生活中。
其中具备振动膜的MEMS芯片,比如MEMS麦克风等,是通过振动膜感测到声压等发声振动而工作的。当声压较大时,振动膜可能会破损而使MEMS芯片失效。现有技术中,通过在振动膜上开设有泄气孔,用于平衡振动膜两侧的压差,防止振动膜破损。但是,由于泄气孔的存在,使部分待检测的声压通过泄气孔流失,不能保证MEMS芯片的灵敏度。
因此,需要提供一种新的技术方案,以解决上述技术问题。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是提供一种MEMS芯片以及电子设备的新技术方案。
根据本公开的一个方面,提供了一种MEMS芯片。该MEMS芯片包括:振动膜,所述振动膜开设有泄气孔,所述振动膜上设置有膜瓣,所述膜瓣部分固定于所述振动膜,所述膜瓣在所述振动膜上可穿过所述泄气孔发生偏转;
背极板,所述背极板与所述振动膜间隔且相对设置;
悬臂梁,所述悬臂梁位于所述振动膜与所述背极板之间,所述悬臂梁与所述膜瓣相对设置,以支撑所述膜瓣。
可选地,所述膜瓣与悬臂梁相接触。
可选地,所述振动膜具有振动区域,在所述振动膜上开设有多个所述泄气孔,多个所述泄气孔围绕所述振动区域的中心均匀设置,所述振动膜上设置的所述膜瓣的数量与所述泄气孔的数量相同,所述泄气孔与所述膜瓣一一对应。
可选地,所述振动膜上具有以所述振动区域的中心为圆心,以设定尺寸为半径的第一圆周,所述第一圆周经过所有所述泄气孔的长度之和为泄气长度,所述泄气长度小于或者等于所述第一圆周周长的百分之六十。
可选地,在所述振动膜上设置有环形的褶皱部,所述泄气孔分布在所述褶皱部远离所述振动区域中心的一侧。
可选地,所述膜瓣朝向所述悬臂梁的一侧设置有耐磨层;和/或,所述悬臂梁朝向所述膜瓣的一侧设置有耐磨层;所述膜瓣通过所述耐磨层抵顶所述悬臂梁。
可选地,MEMS芯片还包括衬底和支撑层,所述振动膜设置在所述衬底上,所述背极板通过所述支撑层设置在所述振动膜背离所述衬底一侧,所述衬底上具有贯通的第一声孔,所述支撑层上与所述第一声孔相对应的部分具有贯通的第二声孔,部分所述振动膜悬空在所述第一声孔和所述第二声孔之间,所述振动膜悬空的部分为所述振动膜的振动区域,所述振动膜的振动区域与所述背极板相对;所述悬臂梁设置在所述支撑层上。
可选地,所述膜瓣相对于所述振动膜偏转形成的开口朝向所述支撑层。
可选地,在所述衬底上设置有避让缺口,所述避让缺口的位置与所述膜瓣的位置相对应。
根据本公开的另一个方面,提供了一种电子设备,包括以上所述的MEMS芯片。
在本公开实施例中,通过在振动膜上设置有能够相对振动膜偏转的膜瓣,在承受的声压相对较小时,振动膜和膜瓣能够共同承受声压,增大了承受声压的面积,保证了MEMS芯片的灵敏度。在膜瓣承受声压相对较大时,膜瓣能够在声压的作用下打开而泄气,使振动膜不易破损,同时,悬臂梁能够支撑膜瓣从而限制膜瓣的转动角度,避免膜瓣过度偏转而断裂,保证了MEMS芯片的可靠性。
通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述,本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例,并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。
图1是根据本公开实施例MEMS芯片的剖视图。
图2是根据本公开实施例振动膜的俯视图。
图3是根据本公开实施例支撑层的立体图。
图4是根据本公开实施例膜瓣向靠近悬臂梁方向偏转的半剖视图。
图5是图4中的局部放大图。
图6是根据本公开实施例膜瓣向远离悬臂梁方向偏转的半剖视图。
图7是图6中的局部放大图。
附图标记:
1、振动膜;2、泄气孔;3、膜瓣;4、悬臂梁;5、褶皱部;6、耐磨层;7、衬底;8、支撑层;9、背极板;10、第一声孔;11、第二声孔;12、避让缺口。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
根据本公开的一个实施例,提供了一种MEMS芯片。MEMS芯片可以是但不限于MEMS麦克风、MEMS压力传感器等。
该MEMS芯片包括振动膜1、背极板9和悬臂梁4。
所述振动膜1开设有泄气孔2,所述振动膜1上设置有膜瓣3,所述膜瓣3部分固定于所述振动膜1,所述膜瓣3在所述振动膜1上可穿过所述泄气孔2发生偏转。
背极板9,所述背极板9与所述振动膜1间隔且相对设置。
悬臂梁4,所述悬臂梁4位于所述振动膜1与所述背极板9之间,所述悬臂梁4与所述膜瓣3相对设置,以支撑所述膜瓣3。
在本公开实施例中,通过在振动膜1上设置有能够相对振动膜1偏转的膜瓣3,在承受的声压相对较小时,振动膜1和膜瓣3能够共同承受声压,增大了承受声压的面积,保证了MEMS芯片的灵敏度。在膜瓣3承受声压相对较大时,膜瓣3能够在声压的作用下打开而泄气,使振动膜1不易破损,同时,悬臂梁4能够支撑膜瓣3从而限制膜瓣3的转动角度,避免膜瓣3过度偏转而断裂,保证了MEMS芯片的可靠性。
以MEMS芯片为MEMS麦克风为例进行说明。
MEMS麦克风的振动膜1与背极板9之间具有间距,且振动膜1与背极板9之间平行且相对设置,使二者形成平行的电容板。在振动膜1受到外界声压的影响下,声波带动振动膜1发生振动从而改变振动膜1与背极板9之间的距离,进而使二者之间的电压发生变化,完成声信号到电信号的转换。当声压超过阈值时,振动膜1剧烈震动,且振动膜1两侧的压差过大,极其容易导致振动膜1损坏,造成MEMS麦克风失效。
而在本公开实施例中,所述振动膜1开设有泄气孔2,所述振动膜1上设置有膜瓣3,所述膜瓣3部分固定于所述振动膜1,所述膜瓣3在所述振动膜1上可穿过所述泄气孔2发生偏转。具体可以如图2所示,所述振动膜1上开设有泄气孔2,所述振动膜1上还设置有膜瓣3,所述泄气孔2贯穿所述振动膜1,所述膜瓣3部分固定于所述振动膜1,且所述膜瓣3位于所述泄气孔2内。膜瓣3未与振动膜1连接的边缘部分能够相对于振动膜1上下摆动,使膜瓣3和振动膜1之间形成泄气口,通过该泄气口能够平衡振动膜1两侧的压力,达到泄压的效果,避免振动膜1两侧的压差过大而损坏。上述泄气口的面积随着膜瓣3上下摆动的幅度而改变,膜瓣3摆动的幅度越大,泄气口的面积越大,泄压效果也就越强。
振动膜1与膜瓣3可以为一体结构。比如,所述振动膜1上具有弯折延伸和/或圆滑延伸的狭长状开口,所述开口两端不重合,所述开口围设形成膜瓣3。其中,狭长状开口可以仅为弯折延伸,比如,狭长状开口为U型,此时开口围设形成的膜瓣3为四边形;或者狭长状开口为尖角型,此时开口围设形成的膜瓣3为三角形。当然,狭长状开口也可以为其他弯折延伸的形状,在此不做限制,本领域技术人员可以根据实际需要选择。狭长状开口可以仅为圆滑延伸,比如,所述狭长状开口为半圆形,此时开口围设形成的膜瓣3为半圆形。当然,狭长状开口也可以为其他圆滑延伸的形状,在此不做限制,本领域技术人员可以根据实际需要选择。
狭长状开口可以为弯折延伸与圆滑延伸的结合,比如开口围设形成的膜瓣3为蘑菇状。当然,狭长状开口也可以为其他弯折延伸和圆滑延伸相结合的形状,在此不做限制,本领域技术人员可以根据实际需要选择。
由于开口两端不重合,振动膜1上开口两端的连线所在部分为与振动膜1连接的部分,通过该部分能够使膜瓣3可靠地固定在振动膜1上。
现有技术中,为了平衡振动膜1两侧的压差,会在振动膜1上开设有圆形或者其他形状等贯通振动膜1的泄气孔2,以避免振动膜1破损。但是由于振动膜1上开设有泄气孔2,会使部分声压直接通过泄气孔2穿过振动膜1,而没有使振动膜1形成振动,减弱了振动膜1的灵敏度。
而在本公开实施例中,在振动膜1上开设的泄气孔2内设置了膜瓣3,在振动膜1两侧具有压差时,膜瓣3才会偏转形成泄气口而泄气,避免了声压直接穿过振动膜1而没有使振动膜1形成振动的情况,提高了振动膜1的灵敏度。
泄气孔2的形状和尺寸与膜瓣3的形状和尺寸相同,也就是说,如图2所示,在膜瓣3没有偏转的情况下,振动膜1为完整的一张膜,能够最大限度地保证振动膜1的灵敏度。其中,由于制造工艺等原因,膜瓣3的边缘与振动膜1的泄气孔2边缘之间具有极小的间隙,该种情况也在本申请的保护范围内。当然,膜瓣3的边缘与振动膜1的泄气孔2边缘之间也可以具有相对较大的间隙,在膜瓣3未偏转时,在振动膜1上形成贯通的缺口,本领域技术人员可以根据实际需要选择。
所述背极板9与所述振动膜1间隔且相对设置,使背极板9与振动膜1之间形成平行的电容板,便于将声信号转化为电信号。
所述悬臂梁4位于所述振动膜1与所述背极板9之间,所述悬臂梁4与所述膜瓣3相对设置,以支撑所述膜瓣3。也就是说,在所述膜瓣3向所述悬臂梁4一侧偏转的状态下,所述膜瓣3抵顶所述悬臂梁4,即在膜瓣3偏转时,悬臂梁4能够限制膜瓣3偏转的角度,避免膜瓣3偏转的角度过大而断裂脱离振动膜1,保证了膜瓣3与振动膜1之间连接的可靠性。
其中,所述悬臂梁4与所述膜瓣3相对设置,以支撑所述膜瓣3,包括,在膜瓣3未偏转的情况下,悬臂梁4与膜瓣3之间间隔设置。即在膜瓣3偏转角度未达到设定角度时,膜瓣3不会与悬臂梁4接触,悬臂梁4不会对膜瓣3形成支撑;在膜瓣3偏转角度达到设定角度时,膜瓣3与悬臂梁4接触,悬臂梁4对膜瓣3形成支撑。或者,在膜瓣3未偏转的情况下,所述膜瓣3与所述悬臂梁4之间不具有间隔,即在膜瓣3未偏转的情况下,膜瓣3与悬臂梁4之间就已经形成接触。
在一个例子中,所述膜瓣3与悬臂梁4相接触。也就是说,在所述膜瓣3未偏转的状态下,所述悬臂梁4与所述膜瓣3相接触;在所述膜瓣3向所述悬臂梁4一侧偏转的状态下,所述膜瓣3推动所述悬臂梁4弯曲。
如图1所示,振动膜1两侧不具有压差或者压差正常的情况下,膜瓣3没有相对于振动膜1偏转,此时,悬臂梁4贴设在膜瓣3上,使悬臂梁4能够有效支撑膜瓣3,使膜瓣3保持不相对与振动膜1偏转的状态,避免膜瓣3受压容易相对振动膜1偏转,出现振动膜1两侧的压差还没有到达使振动膜1破损的程度就过早泄压的情况,保证振动膜1的灵敏度。
可选地,悬臂梁4封堵膜瓣3的边缘和振动膜1上泄气孔2的边缘之间形成的间隙,能够避免气流通过上述间隙而影响振动膜1的灵敏度,保证了振动膜1具有较佳的灵敏度。
悬臂梁4可以封堵部分膜瓣3的边缘和振动膜1上泄气孔2的边缘之间形成的间隙,使悬臂梁4与膜瓣3之间的接触面积尽量减小,以保证振动膜1和膜瓣3整体具有较佳的振动性能。当然,悬臂梁4也可以封堵全部膜瓣3的边缘和振动膜1上泄气孔2的边缘之间形成的间隙,本领域技术人员可以根据实际需要选择。
如图4和图5所示,振动膜1两侧的压差较大,膜瓣3会向悬臂梁4所在的一侧偏转,在膜瓣3开始偏转时,膜瓣3就会与悬臂梁4抵顶,使膜瓣3与悬臂梁4同时产生形变,增大了膜瓣3偏转所需的振动膜1两侧的压差。在振动膜1两侧的压差相对小或者正常的情况下,膜瓣3不会偏转,保证了振动膜1的灵敏度;在振动膜1两侧的压差快到振动膜1破损程度的情况下,膜瓣3带动悬臂梁4弯曲而打开泄气口平衡振动膜1两侧的气压,有效地保护了振动膜1,达到防止振动膜1破损的效果。
悬臂梁4可以为具有一定长度的片状结构,悬臂梁4上沿悬臂梁4厚度方向的一侧与膜瓣3接触,能够保证悬臂梁4具有足够的面积与膜瓣3接触,同时也能够防止悬臂梁4的刚性过大,出现振动膜1破损而悬臂梁4未弯曲的情况。
在一个例子中,所述振动膜1具有振动区域,在所述振动膜1上开设有多个所述泄气孔2,多个所述泄气孔2围绕所述振动区域的中心均匀设置,所述振动膜1上设置的所述膜瓣3的数量与所述泄气孔2的数量相同,所述泄气孔2与所述膜瓣3一一对应。
比如,振动区域为振动膜1悬空部分,通常为圆形。多个泄气孔2在振动膜1上圆周式均匀排布,保证了振动膜1能够均匀泄气,避免振动膜1某一侧承受的压力过大而形成应力集中,使振动膜1破损的情况,且每一个泄气孔2均具有与其对应膜瓣3,保证了振动膜1的灵敏度。
具体地,如图2所示,在振动膜1上具有八个泄气孔2,所有泄气孔2在振动膜1上沿一圆周均匀排布,每一个泄气孔2上均设置有一个膜瓣3。
在一个例子中,所述振动膜1上具有以所述振动区域的中心为圆心,以设定尺寸为半径的第一圆周,所述第一圆周经过所有所述泄气孔的长度之和为泄气长度,所述泄气长度小于或者等于所述第一圆周周长的百分之六十。
也就是说,设置在振动膜1同一圆周上的泄气孔2的数量和密度不需要过多和过大,使设置泄气孔2的数量和密度能够起到保护振膜的作用即可,避免设置泄气孔2的数量和密度过多和过大影响振动膜1的强度和振动性能。当泄气长度大于所述第一圆周周长的百分之六十时,振动膜1的强度和振动性能会受到较大的影响。
具体地,如图2所示,在振动膜1上较为外侧的位置设置有八个泄气孔2,能够保证振动膜1具有较佳的强度和较佳的振动性能。
在一个例子中,在所述振动膜1上设置有环形的褶皱部5,所述泄气孔2分布在所述褶皱部5远离所述振动区域中心的一侧。
如图1和图2所示,褶皱部5为振动膜1上多次弯折后而形成的环状结构,在振动膜1受到声压时,褶皱部5会伸长和收缩进而释放振动产生的应力,而褶皱部5包围的部分为振动膜1主要振动区域,将所有泄气孔2分布在褶皱部5的外圈,能够减小泄气孔2对振动膜1振动性能的影响。
在一个例子中,所述膜瓣3朝向所述悬臂梁4的一侧设置有耐磨层6;
和/或,
所述悬臂梁4朝向所述膜瓣3的一侧设置有耐磨层6;
所述膜瓣3通过所述耐磨层6抵顶所述悬臂梁4。
也就是说,所述膜瓣3朝向所述悬臂梁4的一侧设置有耐磨层6,所述膜瓣3通过所述耐磨层6抵顶所述悬臂梁4;或者,所述悬臂梁4朝向所述膜瓣3的一侧设置有耐磨层6,所述膜瓣3通过所述耐磨层6抵顶所述悬臂梁4;或者,所述膜瓣3朝向所述悬臂梁4的一侧设置有耐磨层6和所述悬臂梁4朝向所述膜瓣3的一侧设置有耐磨层6,所述膜瓣3通过所述耐磨层6抵顶所述悬臂梁4。
能够在膜瓣3和悬臂梁4抵顶的过程,避免膜瓣3和悬臂梁4摩擦而产生碎屑,进而使碎屑影响MEMS芯片的性能。
在一个例子中,如图1、图4和图6所示,MEMS芯片还包括衬底7和支撑层8,所述振动膜1设置在所述衬底7上,所述背极板9通过所述支撑层8设置在所述振动膜1背离所述衬底7一侧,所述衬底7上具有贯通的第一声孔10,所述支撑层8上与所述第一声孔10相对应的部分具有贯通的第二声孔11,部分所述振动膜1悬空在所述第一声孔10和所述第二声孔11之间,所述振动膜1悬空的部分为所述振动膜1的振动区域,所述振动膜1的振动区域与所述背极板9相对,使振动膜1和背极板9之间形成平行的电容板。所述悬臂梁4设置在所述支撑层8上,能够使悬臂梁4的设置对整个MEMS芯片的结构影响最小,便于制造,且能够使悬臂梁4尽量减小对平行的电容板的干扰,保证MEMS芯片具有较佳的性能。
在一个例子中,所述悬臂梁4位于所述第二声孔11紧邻所述振动膜1的内壁上。使悬臂梁4紧邻振动膜1设置,便于悬臂梁4的制造。
具体地,如图3所示,悬臂梁4由第二声孔11内壁的端部向第二声孔11的中心延伸形成,悬臂梁4为一平直的板状结构,便于设计和制造。
可选地,所述悬臂梁4延伸的长度方向与所述振动膜1所在的平面平行。悬臂梁4延伸的长度方向与振动膜1所在的平面平行,能够使悬臂梁4分布膜瓣3上的绝大部分空间,在膜瓣3向悬臂梁4方向偏转时,能够使膜瓣3可靠地与悬臂梁4抵顶,避免由于制造工艺误差等因素,在膜瓣3向悬臂梁4方向偏转时,膜瓣3不能与悬臂梁4抵顶的情况出现,且进一步便于悬臂梁的制造。
在一个例子中,所述膜瓣3相对于所述振动膜1偏转形成的开口朝向所述支撑层8。能够使振动膜1泻出的气流流向背极板与支撑层8相接的部分,避免了背极板9承受较强的气流而损坏,保证了背极板9的可靠性。另外,由于悬臂梁4是由支撑层8延伸出,能够使膜瓣3距离振动区域中心最远的边缘部分首先与悬臂梁4接触,使悬臂梁4与第二声孔11连接处到膜瓣3与悬臂梁4接触处的距离最短,减小了悬臂梁4的力臂,确保悬臂梁4能够可靠支撑膜瓣3。
在一个例子中,在所述衬底7上设置有避让缺口12,所述避让缺口12的位置与所述膜瓣3的位置相对应。
膜瓣3将悬臂梁4顶起,声压带动空气流入振动膜1靠近悬臂梁4一侧的相对密闭的空间,平衡振动膜1两侧的压力而达到泄压效果。当振动结束,由于相对密闭的空间内进入气体,所以振动膜1靠近悬臂梁4一侧的压力大于振动膜1背离悬臂梁4一侧的压力。此时,如图6和图7所示,由于膜瓣3下方也为悬空设置,膜瓣3会向振动膜1背离悬臂梁4一侧偏转,平衡振动膜1两侧的压差直至正常水平,而避让缺口12则是为膜瓣3的偏转提供了空间。
另外,将膜瓣3的位置设置在与避让缺口12相对应的位置,能够使膜瓣3泄掉的气流流向支撑层8与背极板9连接的部分,而该部分是背极板9上强度最佳的部分,避免了背极板9承受较强的气流而损坏,保证了背极板9的可靠性;同时,能够使膜瓣3设置的位置尽量远离振动膜1的主要振动区域,避免膜瓣3的设置对振动膜1强度和振动性能的影响。
根据本公开的另一个方面,提供了一种电子设备,该电子设备包括以上所述的MEMS芯片。
上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同,各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾,均可以组合形成更优的实施例,考虑到行文简洁,在此则不再赘述。
虽然已经通过示例对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上示例仅是为了进行说明,而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种MEMS芯片,其特征在于,包括:
振动膜,所述振动膜开设有泄气孔,所述振动膜上设置有膜瓣,所述膜瓣部分固定于所述振动膜,所述膜瓣在所述振动膜上可穿过所述泄气孔发生偏转;
背极板,所述背极板与所述振动膜间隔且相对设置;
悬臂梁,所述悬臂梁位于所述振动膜与所述背极板之间,所述悬臂梁与所述膜瓣相对设置,以支撑所述膜瓣。
2.根据权利要求1所述的MEMS芯片,其特征在于,所述膜瓣与悬臂梁相接触。
3.根据权利要求1所述的MEMS芯片,其特征在于,所述振动膜具有振动区域,在所述振动膜上开设有多个所述泄气孔,多个所述泄气孔围绕所述振动区域的中心均匀设置,所述振动膜上设置的所述膜瓣的数量与所述泄气孔的数量相同,所述泄气孔与所述膜瓣一一对应。
4.根据权利要求3所述的MEMS芯片,其特征在于,所述振动膜上具有以所述振动区域的中心为圆心,以设定尺寸为半径的第一圆周,所述第一圆周经过所有所述泄气孔的长度之和为泄气长度,所述泄气长度小于或者等于所述第一圆周周长的百分之六十。
5.根据权利要求3所述的MEMS芯片,其特征在于,在所述振动膜上设置有环形的褶皱部,所述泄气孔分布在所述褶皱部远离所述振动区域中心的一侧。
6.根据权利要求1所述的MEMS芯片,其特征在于,所述膜瓣朝向所述悬臂梁的一侧设置有耐磨层;和/或,
所述悬臂梁朝向所述膜瓣的一侧设置有耐磨层;
所述膜瓣通过所述耐磨层抵顶所述悬臂梁。
7.根据权利要求1-6任一项所述的MEMS芯片,其特征在于,MEMS芯片还包括衬底和支撑层,所述振动膜设置在所述衬底上,所述背极板通过所述支撑层设置在所述振动膜背离所述衬底一侧,所述衬底上具有贯通的第一声孔,所述支撑层上与所述第一声孔相对应的部分具有贯通的第二声孔,部分所述振动膜悬空在所述第一声孔和所述第二声孔之间,所述振动膜悬空的部分为所述振动膜的振动区域,所述振动膜的振动区域与所述背极板相对;
所述悬臂梁设置在所述支撑层上。
8.根据权利要求7所述的MEMS芯片,其特征在于,所述膜瓣相对于所述振动膜偏转形成的开口朝向所述支撑层。
9.根据权利要求7所述的MEMS芯片,其特征在于,在所述衬底上设置有避让缺口,所述避让缺口的位置与所述膜瓣的位置相对应。
10.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的MEMS芯片。
CN202220769952.XU 2022-03-31 2022-03-31 一种mems芯片及电子设备 Active CN217825363U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202220769952.XU CN217825363U (zh) 2022-03-31 2022-03-31 一种mems芯片及电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202220769952.XU CN217825363U (zh) 2022-03-31 2022-03-31 一种mems芯片及电子设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN217825363U true CN217825363U (zh) 2022-11-15

Family

ID=83979047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202220769952.XU Active CN217825363U (zh) 2022-03-31 2022-03-31 一种mems芯片及电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN217825363U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11212623B2 (en) Piezoelectric MEMS microphone
US11265657B2 (en) Piezoelectric MEMS microphone
TWI692984B (zh) Mems 換能器與電容式麥克風
US9319798B2 (en) Capacitive transducer
US11337009B2 (en) Piezoelectric MEMS microphone
CN205510403U (zh) 一种mems麦克风芯片及mems麦克风
TWI607954B (zh) 具有膜構造的微機械構件
TWI651260B (zh) Mems裝置與製程
CN109803217B (zh) 压电式麦克风
CN109688525B (zh) 转换器
TW201736246A (zh) Mems裝置與製程
CN109417671B (zh) Mems结构及具有mems结构的电容式传感器、压电型传感器、声音传感器
CN111711911B (zh) 微型麦克风防尘装置及mems麦克风
CN217825363U (zh) 一种mems芯片及电子设备
CN216752031U (zh) 振膜及mems器件
US11950053B2 (en) MEMS chip
CN215818620U (zh) Mems麦克风
WO2021189585A1 (zh) 微机电系统麦克风芯片
CN112995860B (zh) 微机电系统的麦克风结构
CN217849660U (zh) 麦克风组件及电子设备
WO2022007000A1 (zh) 一种 mems 麦克风
CN218514507U (zh) 一种微机电结构、麦克风以及终端
CN115442725A (zh) 一种压电式mems麦克风结构及电子设备
KR20040080542A (ko) 일렉트릿 콘덴서 마이크로폰 조립체
CN113613153A (zh) 背极板和麦克风

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20231031

Address after: 710119 No. 2 Yadi Road, New Industrial Park, High tech Zone, Xi'an City, Shaanxi Province

Patentee after: Xi'an BYD Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: 518119 No.1 Yan'an Road, Kuiyong street, Dapeng New District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee before: BYD Semiconductor Co.,Ltd.