CN217767286U - 一种基于流式细胞仪的apd所需的负电压控制电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电子技术领域，具体为一种基于流式细胞仪的APD所需的负电压控制电路，其能够实现在仅仅只有负电压的情况下对负电压输出进行控制，电路简单，节省成本。其包括MCU控制电路，用于送出所需的控制信号，其特征在于，其还包括：保护电路，用双向二极管限制负电压信号传送到MCU，防止MCU控制电路损坏；开关电路一，MOS管Q1和MOS管Q2，用于将MCU控制电路送来的电压信号转换成所需要的开关控制信号送给开关电路二；开关电路二，包括MOS管Q3，用于控制负电压的输出。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域，具体为一种基于流式细胞仪的APD所需的负电压控制电路。
背景技术
目前流式细胞仪的控制电路很多，但是在仅仅只有负电压的情况下需要控制负电压的输出没有更好的办法，大多需要产生正电压，并用比较放大器来实现负电压的输出控制，电路比较复杂，需要单独的正电压给比较器供电。
发明内容
为了解决现有技术中只有负电压的情况下负电压的输出控制电路复杂的问题，本实用新型提供了一种基于流式细胞仪的APD所需的负电压控制电路，其能够实现在仅仅只有负电压的情况下对负电压输出进行控制，电路简单，节省成本。
其技术方案是这样的：一种基于流式细胞仪的APD所需的负电压控制电路，其包括MCU控制电路，用于送出所需的控制信号，其特征在于，其还包括：
保护电路，用双向二极管限制负电压信号传送到MCU，防止MCU控制电路损坏；
开关电路一，MOS管Q1和MOS管Q2，用于将MCU控制电路送来的电压信号转换成所需要的开关控制信号送给开关电路二；
开关电路二，包括MOS管Q3，用于控制负电压的输出。
其进一步特征在于，所述MCU控制电路包括MCU芯片U1、EEPROM存储芯片U2、USB接口J1、晶振Y1，JTAG烧录接口J2，所述MCU芯片U1的5脚连接晶振Y1一端和电容C2一端，所述MCU芯片U1的6脚连接所述晶振Y1另一端和电容C1一端，所述电容C1另一端和所述电容C2另一端均接地，所述MCU芯片U1的29脚连接电阻R4一端和所述EEPROM存储芯片U2的6脚，所述MCU芯片U1的30脚连接电阻R3一端和所述EEPROM存储芯片U2的5脚，所述电阻R3另一端和所述电阻R4另一端分别连接3.3V电源，所述EEPROM存储芯片U2的8脚连接电容C3一端、电容C4一端、所述3.3V电源，所述EEPROM存储芯片U2的4脚和7脚均连接所述电容C3另一端、所述电容C4另一端和地；所述MCU芯片U1的44脚和45脚分别连接所述USB接口J1的2脚和3脚，所述MCU芯片U1的56脚、55脚、50脚、49脚、46脚、7脚分别连接所述JTAG烧录接口J2的3脚、13脚、5脚、9脚、7脚、15脚，所述JTAG烧录接口J2还连接排阻RN1、电阻R5和电阻R6；
所述保护电路包括一端连接所述MCU芯片U1的36脚的电阻R7，所述电阻R7另一端连接电阻R8一端、电容C6一端、双向二极管D1的一个二极管正极，所述双向二极管D1的两个二极管负极相连并连接电阻R9一端，所述双向二极管D1的另一个二极管正极、电容C6另一端、电阻R8另一端均接地，所述电阻R9另一端与所述电阻R10一端相连并连接所述开关电路一，所述电阻R10另一端连接负电压；
所述MOS管Q1的栅端与所述保护电路相连，所述MOS管Q1的漏端连接电阻R11一端和所述MOS管Q2的栅端，所述电阻R11另一端连接负电压，所述MOS管Q1的源端和所述MOS管Q2的源端均接地，所述MOS管Q2的漏端连接所述开关电路二；
所述开关电路二还包括一端连接所述开关电路一的电阻R12，所述电阻R12另一端连接电阻R13一端和所述MOS管Q3的栅端，所述MOS管Q3的源端连接所述电阻R13另一端和负电压，所述MOS管Q3的漏端输出负电压。
采用本实用新型后，利用MOS管的开关作用，简单而且精确的控制负电压的输出，避免了繁杂的控制电路，更稳定并节省了成本，以及好的性能效益。
附图说明
图1为本实用新型原理框图；
图2为MCU控制电路原理图；
图3为保护电路原理图；
图4为开关电路一电路原理图；
图5为开关电路二电路原理图，
具体实施方式
见图1至图5所示，一种基于流式细胞仪的APD所需的负电压控制电路，其包括MCU控制电路，用于送出所需的控制信号，MCU控制电路具体包括MCU芯片U1、EEPROM存储芯片U2、USB接口J1、晶振Y1，JTAG烧录接口J2，MCU芯片U1采用STM32F系列单片机，MCU芯片U1的5脚连接晶振Y1一端和电容C2一端，MCU芯片U1的6脚连接晶振Y1另一端和电容C1一端，电容C1另一端和电容C2另一端均接地，电容C1和电容C2均为滤波电容，MCU芯片U1的29脚连接电阻R4一端和EEPROM存储芯片U2的6脚，MCU芯片U1的30脚连接电阻R3一端和EEPROM存储芯片U2的5脚，电阻R3另一端和电阻R4另一端分别连接3.3V电源，电阻R3和电阻R4均为上拉电阻，EEPROM存储芯片U2的8脚连接电容C3一端、电容C4一端、3.3V电源，EEPROM存储芯片U2的4脚和7脚均连接电容C3另一端、电容C4另一端和地；MCU芯片U1的44脚和45脚分别连接USB接口J1的2脚和3脚，MCU芯片U1的56脚、55脚、50脚、49脚、46脚、7脚分别连接JTAG烧录接口J2的3脚、13脚、5脚、9脚、7脚、15脚，JTAG烧录接口J2还连接排阻RN1、电阻R5和电阻R6，电阻R5和电阻R6也均为上拉电阻。
保护电路，用双向二极管限制负电压信号传送到MCU，防止MCU控制电路损坏，保护电路具体包括一端连接MCU芯片U1的36脚的电阻R7，电阻R7另一端连接电阻R8一端、电容C6一端、双向二极管D1的一个二极管正极，双向二极管D1的两个二极管负极相连并连接电阻R9一端，双向二极管D1的另一个二极管正极、电容C6另一端、电阻R8另一端均接地，电阻R9另一端与电阻R10一端相连并连接开关电路一，电阻R10另一端连接负电压；当MCU还没有输出信号时，通过二极管使电阻R7和电阻R8的节点电压不会低于零电位，避免负电压供给MCU的I/O口，负电压经过电阻R9和电阻R10，在电阻R9与双向二极管D1的连接端会被二极管钳位在-0.7V, 双向二极管D1的与电阻R7、电阻R8和电容C6连接的一端就会在零电位不会形成负电压,也就是Control signal的电压会是零电位。
开关电路一，用于将MCU控制电路送来的电压信号转换成所需要的开关控制信号送给开关管，开关电路一包括MOS管Q1和MOS管Q2，MOS管Q1的栅端与保护电路相连，MOS管Q1的漏端连接电阻R11一端和MOS管Q2的栅端，电阻R11另一端连接负电压，MOS管Q1的源端和MOS管Q2的源端均接地，MOS管Q2的漏端连接开关电路二；当控制信号输出为高电平时，通过电阻R7和电阻R8分压,经过双向二极管D1的PN节,与负电压通过电阻R10和电阻R9进行分压, MOS管Q1的栅端会高于源极的零电压,MOS管 Q1截止,负电压就会通过电阻R11施加给MOS管Q2的栅端, MOS管Q2将会开启,MOS管 Q2的漏极会输出零电平；当控制信号输出为低电平时，通过电阻R7和电阻R8分压,无法经过双向二极管D1的PN节,负电压通过电阻R10和电阻R9加给MOS管Q1的栅端, MOS管Q1的栅端会低于源端的零电压, MOS管Q1开启,MOS管Q2的栅端为零电位,MOS管 Q2将会截止。
开关电路二，用于控制负电压的输出，具体包括一端连接开关电路一的电阻R12，电阻R12另一端连接电阻R13一端和MOS管Q3的栅端，MOS管Q3的源端连接电阻R13另一端和负电压，MOS管Q3的漏端输出负电压；当控制信号为高电平时，输入到电阻R12的是零电位,负电压将会通过电阻R13和电阻R12分压到MOS管Q3的栅端,这样MOS管Q3 的栅端电位会高于源端电位, MOS管Q3开启负电压可以输出;当控制信号为低电平时，输入到电阻R12的是没有电位的,负电压将会通过电阻R13供给MOS管Q3的栅端,这样MOS管Q3 的栅端电位与源端电位相同,MOS管 Q3不开启,负电压不会输出。
Claims (5)
1.一种基于流式细胞仪的APD所需的负电压控制电路，其包括MCU控制电路，用于送出所需的控制信号，其特征在于，其还包括：
保护电路，用双向二极管限制负电压信号传送到MCU，防止MCU控制电路损坏；
开关电路一，MOS管Q1和MOS管Q2，用于将MCU控制电路送来的电压信号转换成所需要的开关控制信号送给开关电路二；
开关电路二，包括MOS管Q3，用于控制负电压的输出。
2.根据权利要求1所述的一种基于流式细胞仪的APD所需的负电压控制电路，其特征在于，所述MCU控制电路包括MCU芯片U1、EEPROM存储芯片U2、USB接口J1、晶振Y1，JTAG烧录接口J2，所述MCU芯片U1的5脚连接晶振Y1一端和电容C2一端，所述MCU芯片U1的6脚连接所述晶振Y1另一端和电容C1一端，所述电容C1另一端和所述电容C2另一端均接地，所述MCU芯片U1的29脚连接电阻R4一端和所述EEPROM存储芯片U2的6脚，所述MCU芯片U1的30脚连接电阻R3一端和所述EEPROM存储芯片U2的5脚，所述电阻R3另一端和所述电阻R4另一端分别连接3.3V电源，所述EEPROM存储芯片U2的8脚连接电容C3一端、电容C4一端、所述3.3V电源，所述EEPROM存储芯片U2的4脚和7脚均连接所述电容C3另一端、所述电容C4另一端和地；所述MCU芯片U1的44脚和45脚分别连接所述USB接口J1的2脚和3脚，所述MCU芯片U1的56脚、55脚、50脚、49脚、46脚、7脚分别连接所述JTAG烧录接口J2的3脚、13脚、5脚、9脚、7脚、15脚，所述JTAG烧录接口J2还连接排阻RN1、电阻R5和电阻R6。
3.根据权利要求2所述的一种基于流式细胞仪的APD所需的负电压控制电路，其特征在于，所述保护电路包括一端连接所述MCU芯片U1的36脚的电阻R7，所述电阻R7另一端连接电阻R8一端、电容C6一端、双向二极管D1的一个二极管正极，所述双向二极管D1的两个二极管负极相连并连接电阻R9一端，所述双向二极管D1的另一个二极管正极、电容C6另一端、电阻R8另一端均接地，所述电阻R9另一端与所述电阻R10一端相连并连接所述开关电路一，所述电阻R10另一端连接负电压。
4.根据权利要求3所述的一种基于流式细胞仪的APD所需的负电压控制电路，其特征在于，所述MOS管Q1的栅端与所述保护电路相连，所述MOS管Q1的漏端连接电阻R11一端和所述MOS管Q2的栅端，所述电阻R11另一端连接负电压，所述MOS管Q1的源端和所述MOS管Q2的源端均接地，所述MOS管Q2的漏端连接所述开关电路二。
5.根据权利要求4所述的一种基于流式细胞仪的APD所需的负电压控制电路，其特征在于，所述开关电路二还包括一端连接所述开关电路一的电阻R12，所述电阻R12另一端连接电阻R13一端和所述MOS管Q3的栅端，所述MOS管Q3的源端连接所述电阻R13另一端和负电压，所述MOS管Q3的漏端输出负电压。
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