CN217677896U - 冷却装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例涉及光伏领域，提供一种冷却装置，包括：外冷却结构，外冷却结构具有第一外侧壁和第一内侧壁，第一外侧壁和第一内侧壁围成第一空腔，且第一空腔内具有第一冷却液通路；内冷却结构，内冷却结构具有第二外侧壁和第二内侧壁，且内冷却结构位于第一内侧壁围成的空间中，与外冷却结构套接，第二外侧壁和第二内侧壁围成第二空腔，且第二空腔内具有第二冷却液通路；其中，第一冷却液通路的路径长度大于第二冷却液通路的路径长度。本申请实施例至少有利于提高冷却装置的冷却效果。

Description

冷却装置

技术领域

本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种冷却装置。

背景技术

单晶硅作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，目前单晶硅的生长技术有两种，区熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍的采用的方法。在直拉法制造单晶硅时，要将多晶硅置于石英坩埚中，经过高温使其熔化，然后籽晶由顶部降至熔化的多晶硅中，通过控制液面的温度，使熔化的籽晶在周围重新结晶，生成排列整齐的单晶硅棒。

单晶硅棒在生长过程中会受到温度，提拉速度、转速以及保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶，速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。而且，硅单晶体从溶液中生长结晶时会释放出热量，此部分热量会减慢硅单晶的结晶速度，影响硅单晶的生产效率。晶棒在向上移动的过程中，需要进行冷却，使得晶棒固定成型。现有的冷却方式是在单晶炉中一定高度的位置固定设置有一个冷却屏，在冷却屏中通入冷却液体，晶棒在向上移动经过冷却屏时，通过冷却屏带走结晶产生的热量。

然而，现有的冷却屏的冷却效果较差，影响单晶硅的稳定生长。

实用新型内容

本申请实施例提供一种冷却装置，至少有利于提高冷却装置的冷却效果。

根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种冷却装置，包括：外冷却结构，所述外冷却结构具有第一外侧壁和第一内侧壁，所述第一外侧壁和所述第一内侧壁围成第一空腔，且所述第一空腔内具有第一冷却液通路；内冷却结构，所述内冷却结构具有第二外侧壁和第二内侧壁，且所述内冷却结构位于所述第一内侧壁围成的空间中，与所述外冷却结构套接，所述第二外侧壁和所述第二内侧壁围成第二空腔，且所述第二空腔内具有第二冷却液通路；其中，所述第一冷却液通路的路径长度大于所述第二冷却液通路的路径长度。

在一些实施例中，所述第一冷却液通路的横截面积小于所述第二冷却液通路的横截面积。

在一些实施例中，所述第一冷却液通路的横截面积与所述第二冷却液通路的横截面积的比值大于1且小于等于2。

在一些实施例中，所述第一空腔内具有第一隔板以及多个平行且交错设置的第一导流板，所述第一导流板与所述第一外侧壁和所述第一内侧壁均接触连接，且每一所述第一导流板的一端与所述第一隔板接触连接，以构成所述第一冷却液通路；所述第二空腔内具有第二隔板以及多个平行且交错设置的第二导流板，所述第二导流板与所述第二外侧壁和所述第二内侧壁均接触连接，且每一所述第二导流板的一端与所述第二隔板接触连接，以构成所述第二冷却液通路；其中，沿所述外冷却结构指向所述内冷却结构的方向上，所述第一导流板的宽度小于所述第二导流板的宽度，和/或，相邻所述第一导流板之间的间距小于相邻所述第二导流板之间的间距。

在一些实施例中，沿垂直于所述外冷却结构指向所述内冷却结构的方向上，所述第一导流板与所述第一外侧壁相接触处高于与所述第一内侧壁相接触处，所述第二导流板与所述第二外侧壁相接触处高于与所述第二内侧壁相接触处。

在一些实施例中，所述第一内侧壁紧贴所述第二外侧壁。

在一些实施例中，沿垂直于所述外冷却结构指向所述内冷却结构的方向上，所述内冷却结构的高度小于或等于所述外冷却结构的高度。

在一些实施例中，所述冷却装置还包括：进水管道，用于向所述第一冷却液通路和所述第二冷却液通路提供所述冷却液；出水管道，用于供所述第一冷却液通路和所述第二冷却液通路中的所述冷却液流出。

在一些实施例中，所述外冷却结构和所述内冷却结构具有相同的中心轴线，所述中心轴线指向的方向为参考方向；所述第一外侧壁包括：沿所述参考方向延伸的第一外侧壁本体；第一连接部，实现所述第一外侧壁本体与所述第一内侧壁之间的密封连接，且所述第一内侧壁沿所述参考方向延伸；所述第二外侧壁包括：沿所述参考方向延伸的第二外侧壁本体；第二连接部，实现所述第二外侧壁本体与所述第二内侧壁之间的密封连接，且所述第二内侧壁沿所述参考方向延伸。

在一些实施例中，所述的冷却装置还包括：温度传感器，位于所述第二内侧壁远离所述第二外侧壁的一侧，用于检测所述第二内侧壁围成的空间中的温度；第一进水管道，用于向所述第一冷却液通路提供第一冷却液；位于所述第一进水管道上的第一流量阀，用于基于所述温度控制提供给所述第一进水管道的所述第一冷却液的流量；第二进水管道，用于向所述第二冷却液通路提供第二冷却液；位于所述第二进水管道上的第二流量阀，用于基于所述温度控制提供给所述第二进水管道的所述第二冷却液的流量。

本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：

内冷却结构位于外冷却结构的第一内侧壁围成的空间中，即内冷却结构与外冷却结构处于套接关系，有利于使得内冷却结构中的流体流通路径总长度小于外冷却结构中的流体流通路径总长度，如此，针对同一容量的流体，相较于该流体完全流通外冷却结构中的流通路径所耗费的时间，该流体完全流通内冷却结构中的流通路径所耗费的时间更短，有利于提高内冷却结构的换热效率，从而有利于提高了冷却装置的冷却效果，以提高形成的单晶棒的质量。可以理解的是，上述流体指的是冷却液。

此外，内冷却结构与外冷却结构处于套接关系，一方面，有利于通过外冷却结构隔绝单晶炉内的热辐射，以保护内冷却结构处于低温状态，由于内冷却结构相对于外冷却结构处于低温环境，则内冷却结构可以主要用于对提拉的单晶棒进行换热，从而有利于提高内冷却结构与提拉的单晶棒进行辐射热交换的效率，使单晶棒能够快速冷却，提高形成的单晶棒的质量以及达到提高单晶棒的提拉速度的目的，从而有利于提高单晶棒的生产效率；另一方面，内冷却结构与外冷却结构为一体式结构，有利于增强内冷却结构与外冷却结构之间的连接强度，以及有利于提高冷却装置的便携性。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的冷却装置的一种立体结构示意图；

图2为本申请实施例提供的冷却装置的一种俯视图；

图3为图2中提供的冷却装置沿剖面方向I-I的剖视图；

图4为本申请实施例提供的冷却装置中内冷却结构和外冷却结构的一种组合剖视图；

图5为本申请实施例提供的冷却装置中内冷却结构的一种剖视图；

图6为本申请实施例提供的冷却装置中外冷却结构的一种剖视图。

具体实施方式

由背景技术可知，冷却装置的冷却效果有待提高。

经分析发现，给籽晶提供合适的生长环境，即合适的热场，能够生长出高质量的单晶，不好的热场容易使单晶变成多晶，或者根本无法引晶。有的热场虽然能够生长单晶，但质量较差，有位错和其它结构缺陷。

本申请实施提供一种冷却装置，其中，内冷却结构中的流体流通路径总长度小于外冷却结构中的流体流通路径总长度，如此，针对同一容量的流体，相较于该流体完全流通外冷却结构中的流通路径所耗费的时间，该流体完全流通内冷却结构中的流通路径所耗费的时间更短，有利于提高内冷却结构的换热效率，从而有利于提高了冷却装置的冷却效果，以提高形成的单晶棒的质量。此外，内冷却结构与外冷却结构处于套接关系，一方面，有利于通过外冷却结构隔绝单晶炉内的热辐射，以保护内冷却结构处于低温状态，由于内冷却结构相对于外冷却结构处于低温环境，则内冷却结构可以主要用于对提拉的单晶棒进行换热，从而有利于提高内冷却结构与提拉的单晶棒进行辐射热交换的效率，使单晶棒能够快速冷却，提高形成的单晶棒的质量以及达到提高单晶棒的提拉速度的目的，从而有利于提高单晶棒的生产效率；另一方面，内冷却结构与外冷却结构为一体式结构，有利于增强内冷却结构与外冷却结构之间的连接强度，以及有利于提高冷却装置的便携性。

下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请实施例而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请实施例所要求保护的技术方案。

本申请实施例提供一种冷却装置，以下将结合附图对本申请一实施例提供的冷却装置进行详细说明。图1为本申请实施例提供的冷却装置的一种立体结构示意图；图2为本申请实施例提供的冷却装置的一种俯视图；图3为图2中提供的冷却装置沿剖面方向I-I的剖视图；

图4为本申请实施例提供的冷却装置中内冷却结构和外冷却结构的一种组合剖视图；图5为本申请实施例提供的冷却装置中内冷却结构的一种剖视图；图6为本申请实施例提供的冷却装置中外冷却结构的一种剖视图。

参考图1至图6，冷却装置包括：外冷却结构101，外冷却结构101具有第一外侧壁111 和第一内侧壁121，第一外侧壁111和第一内侧壁121围成第一空腔131，且第一空腔131内具有第一冷却液通路141；内冷却结构102，内冷却结构102具有第二外侧壁112和第二内侧壁122，且内冷却结构102位于第一内侧壁121围成的空间中，与外冷却结构101套接，第二外侧壁112和第二内侧壁122围成第二空腔132，且第二空腔132内具有第二冷却液通路142；其中，第一冷却液通路141的路径长度大于第二冷却液通路142的路径长度。

可以理解的是，第一冷却液通路141的路径长度大于第二冷却液通路142的路径长度，则针对同一容量的冷却液，相较于完全流通外冷却结构101中的第一冷却液通路141所耗费的时间，完全流通内冷却结构102中的第二冷却液通路142所耗费的时间更短，有利于提高内冷却结构102的换热效率，从而有利于提高了冷却装置整体的冷却效果，以提高形成的单晶棒的质量。

而且，设置处于套接关系的内冷却结构102与外冷却结构101，可以利用外冷却结构101 隔离用于形成单晶棒的单晶炉内的热辐射，以使得内冷却结构102相对于外冷却结构101处于低温环境，有利于降低单晶炉内的热辐射对流入内冷却结构102中的冷却液的影响，使得内冷却结构102主要用于对提拉的单晶棒进行换热，以提高内冷却结构102与提拉的单晶棒进行辐射热交换的效率，使单晶棒能够快速冷却，提高形成的单晶棒的质量以及达到提高单晶棒的提拉速度的目的，从而有利于提高单晶棒的生产效率；另一方面，内冷却结构102与外冷却结构101为一体式结构，有利于增强内冷却结构102与外冷却结构101之间的连接强度，以及有利于提高冷却装置的便携性。

需要说明的是，图3中以同一线段示意出外冷却结构101中的第一内侧壁121和内冷却结构102中的第二内侧壁122，实际应用中，第一内侧壁121和第二内侧壁122可以为紧贴的两个侧壁，或者，第一内侧壁121和第二内侧壁122共用同一侧壁。

在一些实施例中，冷却液可以为水。

在一些实施例中，单晶棒可以为单晶硅棒。

以下将结合附图对本申请实施例提供的冷却装置进行更为详细的说明。

在一些实施例中，第一冷却液通路141的横截面积小于第二冷却液通路142的横截面积。

可以理解的是，第一冷却液通路141的横截面积小于第二冷却液通路142的横截面积，有利于使得内冷却结构102中用于冷却液流动的空间大于外冷却结构101中用于冷却液流动的空间，则在保证外冷却结构101能够有效阻挡单晶炉内的热辐射的同时，通过增大内冷却结构102中的冷却液的体积以提高内冷却结构102的对单晶棒的散热效率，有利于进一步提高单晶棒的冷却速率，从而提高单晶棒的提拉速度。

在一些实施例中，第一冷却液通路141的横截面积与第二冷却液通路142的横截面积的比值大于1且小于等于2。

可以理解的是，若第一冷却液通路141的横截面积与第二冷却液通路142的横截面积的比值小于等于1，由于第一冷却液通路141的路径长度大于第二冷却液通路142的路径长度，内冷却结构102中的冷却液的总体积较小，吸收单晶棒结晶时释放的热量时，内冷却结构102 自身温度升高过快，不利于进一步吸收单晶棒结晶时释放的热量；若第一冷却液通路141的横截面积与第二冷却液通路142的横截面积的比值大于2，为拉制一定尺寸的单晶棒，需要设计尺寸更大的内冷却结构102，进一步使得包裹内冷却结构102的外冷却结构101的尺寸增大，不利于降低制备单晶硅的生产成本。因此，设计第一冷却液通路141的横截面积与第二冷却液通路142的横截面积的比值大于1且小于等于2，有利于在保证制备单晶硅的生产成本较低的同时，提高内冷却结构102对单晶棒的散热效果。

在一些实施例中，参考图3至图5，第一空腔131内具有第一隔板151以及多个平行且交错设置的第一导流板161，第一导流板161与第一外侧壁111和第一内侧壁121均接触连接，且每一第一导流板161的一端与第一隔板151接触连接，以构成第一冷却液通路141；第二空腔132内具有第二隔板152以及多个平行且交错设置的第二导流板162，第二导流板162与第二外侧壁112和第二内侧壁122均接触连接，且每一第二导流板162的一端与第二隔板152接触连接，以构成第二冷却液通路142。

可以理解的是，第一空腔131被多个第一导流板161和第一隔板151分隔成螺旋形的第一冷却液通路141，第二空腔132被多个第二导流板162和第二隔板152分隔成螺旋形的第二冷却液通路142。

其中，关于第一导流板161于第二导流板162之间的尺寸关系，以下通过三种具体的实施例进行详细说明。

在一个例子中，沿外冷却结构101指向内冷却结构102的方向上，第一导流板161的宽度小于第二导流板162的宽度，如此，以实现第一冷却液通路141的横截面积小于第二冷却液通路142的横截面积。

在另一个例子中，相邻第一导流板161之间的间距小于相邻第二导流板162之间的间距，如此，以实现第一冷却液通路141的横截面积小于第二冷却液通路142的横截面积。

在又一个例子中，沿外冷却结构101指向内冷却结构102的方向上，第一导流板161的宽度小于第二导流板162的宽度，且相邻第一导流板161之间的间距小于相邻第二导流板162 之间的间距，通过改变导流板的宽度和相邻导流板之间的间距，以实现第一冷却液通路141 的横截面积小于第二冷却液通路142的横截面积。

在一些实施例中，沿垂直于外冷却结构101指向内冷却结构102的方向上，第一导流板 161与第一外侧壁111相接触处高于与第一内侧壁121相接触处，第二导流板162与第二外侧壁11相接触处高于与第二内侧壁122相接触处。如此，第一导流板161和第二导流板162 均倾斜向上设置，有利于冷却液的回流，提高冷却液在第一冷却液通路141和第二冷却液通路142中的流速，缩短冷却液在第一冷却液通路141和第二冷却液通路142中的流动时间，以提高外冷却结构101对单晶炉中的热辐射的阻挡效果，以及提高内冷却结构102对单晶棒的散热效率。

在一些实施例中，第一内侧壁121紧贴第二外侧壁112。

可以理解的是，若内冷却结构102与外冷却结构101之间存在间隙，该间隙会积累单晶棒结晶时掉落的杂质，且间隙中的杂质不容易清理，不利于后续对冷却装置进行清洁。因此，第一内侧壁121紧贴第二外侧壁112，一方面，有利于避免内冷却结构102与外冷却结构101 之间具有间隙，便于后续对冷却装置进行清洁；另一方面，避免在内冷却结构102与外冷却结构101之间形成空气热夹层，进一步避免空气热夹层影响内冷却结构102对单晶棒的冷却效果。

在一些实施例中，沿垂直于外冷却结构101指向内冷却结构102的方向上，内冷却结构 102的高度小于或等于外冷却结构101的高度。如此，内冷却结构102完全被外冷却结构101 包裹在内，使得外冷却结构101充分接收单晶炉中的辐射热，以进一步保持内冷却结构102 处于低温环境。

在一些实施例中，参考图1至图6，冷却装置还可以包括：进水管道103，用于向第一冷却液通路141和第二冷却液通路142提供冷却液；出水管道104，用于供第一冷却液通路141 和第二冷却液通路142中的冷却液流出。

可以理解的是，外冷却结构101和内冷却结构102共用进水管道103和出水管道104，有利于降低冷却装置的制备成本，以降低单晶棒的生产成本。而且，进水管道103和出水管道104联通第一冷却液通路141和第二冷却液通路142，有利于对冷却装置起到支撑固定的作用。

在一个例子中，参考图4，进水管道103的进水口113一分为2，一部分用于形成外冷却结构101的第一进水口123，一部分用于形成内冷却结构102的第二进水口133；参考图5和图6，外冷却结构101中的冷却液从第一出水口143进入内冷却结构102之后，与内冷却结构102中的冷却液交汇，从第二出水口153流出至出水管道104中。

在一些实施例中，外冷却结构101和内冷却结构102具有相同的中心轴线中心轴线105 指向的方向为参考方向；第一外侧壁111包括：沿参考方向延伸的第一外侧壁本体；第一连接部，实现第一外侧壁本体与第一内侧壁121之间的密封连接，且第一内侧壁121沿参考方向延伸；第二外侧壁112包括：沿参考方向延伸的第二外侧壁本体；第二连接部，实现第二外侧壁本体与第二内侧壁122之间的密封连接，且第二内侧壁122沿参考方向延伸。

如此，外冷却结构101和内冷却结构102均为直壁式结构，这种直壁式结构的冷却结构与被拉制的单晶棒保持并行设置，即外冷却结构101、内冷却结构102和单晶棒三者的中心轴线可以重合，使得第一冷却液通路141和第二冷却液通路142与单晶棒的外壁始终保持同一方向，从上到下第一冷却液通路141和第二冷却液通路142与单晶棒之间的距离相同，有利于保证内冷却结构102对单晶棒各个区域的冷却效果保持一致，使得单晶棒内的热应力及时被释放，从而有利于降低单晶棒内的位错密度，提高单晶棒的质量。

在一些实施例中，冷却装置还可以包括：温度传感器(图中未示出)，位于第二内侧壁 122远离第二外侧壁112的一侧，用于检测第二内侧壁122围成的空间中的温度；第一进水管道，用于向第一冷却液通路141提供第一冷却液；位于第一进水管道上的第一流量阀，用于基于温度控制提供给第一进水管道的第一冷却液的流量；第二进水管道，用于向第二冷却液通路142提供第二冷却液；位于第二进水管道上的第二流量阀，用于基于温度控制提供给第二进水管道的第二冷却液的流量。

可以理解的是，温度传感器检测的第二内侧壁122围成的空间中的温度，相当于检测的单晶棒的温度，如此，操作人员可根据温度传感器检测到的温度，通过第一流量阀控制提供给第一进水管道的第一冷却液的流量，以控制外冷却结构101对单晶炉内的热辐射的吸收能力，并通过第二流量阀控制提供给第二进水管道的第二冷却液的流量，以控制内冷却结构102 对单晶棒的散热能力。因此，通过增设温度传感器、第一流量阀和第二流量阀，有利于合理控制对单晶棒的冷却效果，以使得单晶棒的温度处于预设的温度区间内，以提高形成的单晶棒的质量。

需要说明的是，在外冷却结构101和内冷却结构102不共用进水管道的情况下，外冷却结构101和内冷却结构102可以共用出水管道，也可以不共用出水管道，可根据实际情况而定。

综上所述，内冷却结构102中的第二冷却液通路142的路径长度小于外冷却结构101中第一冷却液通路141的路径长度，如此，冷却液，相较于完全流通外冷却结构101中的第一冷却液通路141所耗费的时间，完全流通内冷却结构102中的第二冷却液通路142所耗费的时间更短，有利于提高内冷却结构102的换热效率，从而有利于提高了冷却装置整体的冷却效果，以提高形成的单晶棒的质量。此外，内冷却结构102与外冷却结构101处于套接关系，一方面，利用外冷却结构101隔离用于形成单晶棒的单晶炉内的热辐射，以使得内冷却结构 102相对于外冷却结构101处于低温环境，有利于降低单晶炉内的热辐射对流入内冷却结构 102中的冷却液的影响，使得内冷却结构102主要用于对提拉的单晶棒进行换热，以提高内冷却结构102与提拉的单晶棒进行辐射热交换的效率，使单晶棒能够快速冷却，提高形成的单晶棒的质量以及达到提高单晶棒的提拉速度的目的，从而有利于提高单晶棒的生产效率；另一方面，可根据需要形成的单晶棒直径的大小，选择是否将内冷却结构102拆卸下来，使得冷却装置适用于至少两种直径尺寸的单晶棒的拉制，以降低制备单晶棒的生产成本。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本申请的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本申请实施例的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本申请实施例的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本申请实施例的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种冷却装置，其特征在于，包括：

外冷却结构，所述外冷却结构具有第一外侧壁和第一内侧壁，所述第一外侧壁和所述第一内侧壁围成第一空腔，且所述第一空腔内具有第一冷却液通路；

内冷却结构，所述内冷却结构具有第二外侧壁和第二内侧壁，且所述内冷却结构位于所述第一内侧壁围成的空间中，与所述外冷却结构套接，所述第二外侧壁和所述第二内侧壁围成第二空腔，且所述第二空腔内具有第二冷却液通路；

其中，所述第一冷却液通路的路径长度大于所述第二冷却液通路的路径长度。

2.如权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述第一冷却液通路的横截面积小于所述第二冷却液通路的横截面积。

3.如权利要求2所述的冷却装置，其特征在于，所述第一冷却液通路的横截面积与所述第二冷却液通路的横截面积的比值大于1且小于等于2。

4.如权利要求1或2所述的冷却装置，其特征在于，所述第一空腔内具有第一隔板以及多个平行且交错设置的第一导流板，所述第一导流板与所述第一外侧壁和所述第一内侧壁均接触连接，且每一所述第一导流板的一端与所述第一隔板接触连接，以构成所述第一冷却液通路；

所述第二空腔内具有第二隔板以及多个平行且交错设置的第二导流板，所述第二导流板与所述第二外侧壁和所述第二内侧壁均接触连接，且每一所述第二导流板的一端与所述第二隔板接触连接，以构成所述第二冷却液通路；

其中，沿所述外冷却结构指向所述内冷却结构的方向上，所述第一导流板的宽度小于所述第二导流板的宽度，和/或，相邻所述第一导流板之间的间距小于相邻所述第二导流板之间的间距。

5.如权利要求4所述的冷却装置，其特征在于，沿垂直于所述外冷却结构指向所述内冷却结构的方向上，所述第一导流板与所述第一外侧壁相接触处高于与所述第一内侧壁相接触处，所述第二导流板与所述第二外侧壁相接触处高于与所述第二内侧壁相接触处。

6.如权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述第一内侧壁紧贴所述第二外侧壁。

7.如权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，沿垂直于所述外冷却结构指向所述内冷却结构的方向上，所述内冷却结构的高度小于或等于所述外冷却结构的高度。

8.如权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，还包括：

进水管道，用于向所述第一冷却液通路和所述第二冷却液通路提供所述冷却液；

出水管道，用于供所述第一冷却液通路和所述第二冷却液通路中的所述冷却液流出。

9.如权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，所述外冷却结构和所述内冷却结构具有相同的中心轴线，所述中心轴线指向的方向为参考方向；

所述第一外侧壁包括：沿所述参考方向延伸的第一外侧壁本体；第一连接部，实现所述第一外侧壁本体与所述第一内侧壁之间的密封连接，且所述第一内侧壁沿所述参考方向延伸；

所述第二外侧壁包括：沿所述参考方向延伸的第二外侧壁本体；第二连接部，实现所述第二外侧壁本体与所述第二内侧壁之间的密封连接，且所述第二内侧壁沿所述参考方向延伸。

10.如权利要求1所述的冷却装置，其特征在于，还包括：

温度传感器，位于所述第二内侧壁远离所述第二外侧壁的一侧，用于检测所述第二内侧壁围成的空间中的温度；

第一进水管道，用于向所述第一冷却液通路提供第一冷却液；

位于所述第一进水管道上的第一流量阀，用于基于所述温度控制提供给所述第一进水管道的所述第一冷却液的流量；

第二进水管道，用于向所述第二冷却液通路提供第二冷却液；

位于所述第二进水管道上的第二流量阀，用于基于所述温度控制提供给所述第二进水管道的所述第二冷却液的流量。

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