CN217656448U - 一种带电源保持的脉冲式bms唤醒电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种带电源保持的脉冲式BMS唤醒电路，包括唤醒输入正端，所述唤醒输入正端与二极管D1的输入正极相连接，所述二极管D1的负极与电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端分别与电阻R2的一端、电阻R5的一端及电容C1的一端连接；所述电容C1的另一端分别与二极管D3的正极及电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端与NMOS Q3的D极连接；所述二极管D3的负极分别与二极管D2的负极及电阻R9、电阻R10的一端连接，所述二极管D2的正极与MCU的PWR_HOLD连接。本实用新型的有益效果是：本方案提供一种带电源保持的脉冲式唤醒电路，唤醒源电平高于特定值持续一定时间后，BMS被唤醒，此时内部MCU使能电源保持信号，BMS的下电由MCU控制。
Description
技术领域
本实用新型涉及电路设计技术领域，尤其涉及一种带电源保持的脉冲式BMS唤醒电路。
背景技术
随着新能源行业的不断发展，针对锂电池在使用中的保护要求也越来越高。BMS可实现对锂电池的充电、放电、温度等保护控制，且直接决定锂电池在充、放电过程中的安全与否。目前锂电池系统在触发保护，特别是放电欠压保护后会很快进入深度休眠，以避免过度耗电，故需要在充电时唤醒BMS，且BMS检测到为充电状态，从而驱动充电MOS导通进行充电。
现有较多设计主要利用使用电平持续信号的唤醒方式，唤醒源电平高于特定值BMS被唤醒，电平低于特定值BMS下电。为提高电池系统的电量利用率，电池系统一般需要在需要工作时给定唤醒信号，唤醒BMS工作，在电池异常或完成特定功能。例如充电完成后，BMS需要休眠进入低功耗模式，低功耗的电流大小直接影响电池的静置时间。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种带电源保持的脉冲式BMS唤醒电路，在进入休眠低功耗模式时，可以有效的降低电池的功耗。一个有效脉冲后，电池系统激活工作，此时若移除唤醒信号，BMS休眠时执行下电指令，BMS系统几乎无功耗。若不移除唤醒信号，进入休眠模式时，功耗由R1、R2电阻决定，R1、R2电阻为较大电阻，可以做到极低的功耗。
本实用新型的技术方案是这样实现的：
一种带电源保持的脉冲式BMS唤醒电路，包括
唤醒输入正端，所述唤醒输入正端与二极管D1的输入正极相连接，所述二极管D1的负极与电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端分别与电阻R2的一端、电阻R5的一端及电容C1的一端连接；
所述电容C1的另一端分别与二极管D3的正极及电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端与NMOS Q3的D极连接；
所述二极管D3的负极分别与二极管D2的负极及电阻R9、电阻R10的一端连接，所述二极管D2的正极与MCU的PWR_HOLD连接；
所述电阻R10的另一端与NMOS Q1的G极连接，所述NMOS Q1的D极与电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端分别与PMOS Q4的G极、电阻R11的一端连接，所述电阻R11的另一端分别与PMOS Q4的S极和VCC连接，所述PMOS Q4的D极与MCU的PWR连接；
所述MCU的PWR-DN分别与电阻R3、电阻R6的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与电阻R4的一端和NMOS Q2的G极连接，所述NMOS Q2的D极与电阻R5的另一端连接，所述电阻R6的另一端分别与电阻R7的一端、NMOS Q3的G极连接；
所述唤醒输入负端分别与电阻R2的另一端、电阻R4的另一端、电阻R7的另一端、NMOS Q2的S极、NMOS Q3的S极、电阻R9的另一端、NMOS Q1的S极及MCU的GND连接。
进一步的，所述唤醒输入正端与唤醒输入负端可输入一个高电平信号，持续时间至少T1。
本实用新型的有益效果是：本方案提供一种带电源保持的脉冲式BMS唤醒电路，唤醒源电平高于特定值持续一定时间后，BMS被唤醒，此时内部MCU使能电源保持信号，BMS的下电由MCU控制。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一种带电源保持的脉冲式BMS唤醒电路的电路图；
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
根据本实用新型的实施例，提供了一种带电源保持的脉冲式BMS唤醒电路。
参照图1，根据本实用新型实施例的带电源保持的脉冲式BMS唤醒电路，包括
唤醒输入正端，所述唤醒输入正端与二极管D1的输入正极相连接，所述二极管D1的负极与电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端分别与电阻R2的一端、电阻R5的一端及电容C1的一端连接；
所述电容C1的另一端分别与二极管D3的正极及电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端与NMOS Q3的D极连接；
所述二极管D3的负极分别与二极管D2的负极及电阻R9、电阻R10的一端连接，所述二极管D2的正极与MCU的PWR_HOLD连接；
所述电阻R10的另一端与NMOS Q1的G极连接，所述NMOS Q1的D极与电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端分别与PMOS Q4的G极、电阻R11的一端连接，所述电阻R11的另一端分别与PMOS Q4的S极和VCC连接，所述PMOS Q4的D极与MCU的PWR连接；
所述MCU的PWR-DN分别与电阻R3、电阻R6的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与电阻R4的一端和NMOS Q2的G极连接，所述NMOS Q2的D极与电阻R5的另一端连接，所述电阻R6的另一端分别与电阻R7的一端、NMOS Q3的G极连接；
所述唤醒输入负端分别与电阻R2的另一端、电阻R4的另一端、电阻R7的另一端、NMOS Q2的S极、NMOS Q3的S极、电阻R9的另一端、NMOS Q1的S极及MCU的GND连接。
在一个实施例中，所述唤醒输入正端与唤醒输入负端可输入一个高电平信号，持续时间至少T1。
工作原理：唤醒输入正端与唤醒输入负端输入一个高电平信号，持续时间至少T1，经过电阻R1、电阻R2分压后，对电容C1充电，由于上电顺序，电容C1两端电压为0，处于短路状态，唤醒电压经二极管D1，电阻R9，电阻R10使能NMOS Q1，进而使能PMOS Q4，MCU工作，MCU工作后使能电源保持PWR_HOLD,并经二极管D2后继续使能NMOS Q1与PMOS Q4，电源得到保持。
电容C1会继续充电直到电容充满。此刻唤醒输入的变化将不影响BMS的工作，BMS下电受MCU自主控制，当MCU需要下电时，可控制PWR_DN，使能NMOS Q2与NMOS Q3。快速复位电容C1，为下次上电做准备。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种带电源保持的脉冲式BMS唤醒电路，其特征在于，包括
唤醒输入正端，所述唤醒输入正端与二极管D1的输入正极相连接，所述二极管D1的负极与电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端分别与电阻R2的一端、电阻R5的一端及电容C1的一端连接；
所述电容C1的另一端分别与二极管D3的正极及电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端与NMOS Q3的D极连接；
所述二极管D3的负极分别与二极管D2的负极及电阻R9、电阻R10的一端连接，所述二极管D2的正极与MCU的PWR_HOLD连接；
所述电阻R10的另一端与NMOS Q1的G极连接，所述NMOS Q1的D极与电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端分别与PMOS Q4的G极、电阻R11的一端连接，所述电阻R11的另一端分别与PMOS Q4的S极和VCC连接，所述PMOS Q4的D极与MCU的PWR连接；
所述MCU的PWR-DN分别与电阻R3、电阻R6的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与电阻R4的一端和NMOS Q2的G极连接，所述NMOS Q2的D极与电阻R5的另一端连接，所述电阻R6的另一端分别与电阻R7的一端、NMOS Q3的G极连接；
所述唤醒输入负端分别与电阻R2的另一端、电阻R4的另一端、电阻R7的另一端、NMOSQ2的S极、NMOS Q3的S极、电阻R9的另一端、NMOS Q1的S极及MCU的GND连接。
2.根据权利要求1所述的一种带电源保持的脉冲式BMS唤醒电路，其特征在于，所述唤醒输入正端与唤醒输入负端可输入一个高电平信号，持续时间至少T1。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Family
ID=83663276
Family Applications (1)
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| CN202221123961.8U Active CN217656448U (zh) | 2022-05-11 | 2022-05-11 | 一种带电源保持的脉冲式bms唤醒电路 |
Country Status (1)
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|---|---|
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2022
- 2022-05-11 CN CN202221123961.8U patent/CN217656448U/zh active Active
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