CN217655187U - 一种带断线检测的分流器采集电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种带断线检测的分流器采集电路，包括电源，所述电源的P+分别与隔离DC‑DC的输入正端、隔离芯片的电源VCCA和MCU的VCC连接；所述电源的P‑分别与隔离DC‑DC的输入负端、隔离芯片的电源GNDA和MCU的GND连接；所述隔离DC‑DC的输出正端分别与分流器采集芯片的VEE、电阻R4的一端、隔离芯片的电源VCCB和PMOS Q2的S极连接，通过MCU控制IO1、IO2经隔离芯片隔离后，使用IOB_1，IOB_2控制NMOS Q1，PMOS Q2，NMOS Q3，MCU会计算得到一个极大的电流，识别出分流器断路，可检测分流器采集线连接是否可靠，也可以在分流器断路时检测出故障。
Description
技术领域
本实用新型涉及电路设计技术领域，尤其涉及一种带断线检测的分流器采集电路。
背景技术
现有的技术中，对于分流器的电路仅仅只有一路通道采集电流数据，一般分流器电路不带分流器断线检测功能。电池管理系统中，为计算电池的SOC(荷电状态当前电量)，需要可靠的采集电池的电流，分流器是电池管理系统的一种电流采集方案，可采集外部的分流器来获取电池系统的电流。若此时分流器的采集线与分流器的连接不可靠，或者分流器被熔断，会导致电流采集异常，从而影响电池系统的SOC计算，与SOC相关的策略将带来不利影响。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种带断线检测的分流器采集电路，可检测分流器采集线连接是否可靠，也可以在分流器断路时检测出故障，从而在策略上限制SOC的计算。
本实用新型的技术方案是这样实现的：
一种带断线检测的分流器采集电路，包括电源，所述电源的P+分别与隔离DC-DC的输入正端、隔离芯片的电源VCCA和MCU的VCC连接；所述电源的P-分别与隔离DC-DC的输入负端、隔离芯片的电源GNDA和MCU的GND连接；
所述隔离DC-DC的输出正端分别与分流器采集芯片的VEE、电阻R4的一端、隔离芯片的电源VCCB和PMOS Q2的S极连接；所述隔离DC-DC的输出负端分别与分流器采集芯片的VSS、电阻R1的一端、电阻R7的一端、隔离芯片电源GNDB、NMOS Q1的S极和NMOS Q3的S极连接；
所述PMOS Q2的G极分别与电阻R3的一端、电阻R4的另一端连接，所述PMOS Q2的D极和NMOS Q3的D极分别与电阻R5和电阻R6的一端连接，所述电阻R5和电阻R6的另一端再分别与分流器采集芯片连接，所述分流器采集芯片与分流器连接；
所述NMOS Q3的G极与电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端分别与R7的另一端及隔离芯片的IBO-2连接；
所述NMOS Q1的D极与电阻R3的另一端连接，所述NMOS Q1的G极与电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端分别与电阻R1的另一端及隔离芯片的IOB-1连接，所述MCU的IO1和IO2分别与隔离芯片的IOA-1和IOA-2连接，所述MCU的I2C与隔离芯片的I2C-A连接，所述隔离芯片的I2C-B与分流器采集芯片的I2C连接。
本实用新型的有益效果是：通过MCU控制IO1、IO2经隔离芯片隔离后，使用IOB_1，IOB_2控制NMOS Q1，PMOS Q2，NMOS Q3，所述NMOS Q3导通后分流器采集芯片的S-经R6被钳位到VSS，NMOS Q1导通和PMOS Q2导通后，分流器采集芯片的S+经过R5被钳位值VEE电平，一般VEE与VSS的电压为V级电压，此时若分流器断线，MCU会计算得到一个极大的电流，识别出分流器断路。可检测分流器采集线连接是否可靠，也可以在分流器断路时检测出故障，从而策略上限制SOC的计算。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一种带断线检测的分流器采集电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
根据本实用新型的实施例，提供了一种带断线检测的分流器采集芯片。
参照图1，根据本实用新型实施例的带断线检测的分流器采集芯片，包括电源，所述电源的P+分别与隔离DC-DC的输入正端、隔离芯片的电源VCCA和MCU的VCC连接；所述电源的P-分别与隔离DC-DC的输入负端、隔离芯片的电源GNDA和MCU的GND连接；
所述隔离DC-DC的输出正端分别与分流器采集芯片的VEE、电阻R4的一端、隔离芯片的电源VCCB和PMOS Q2的S极连接；所述隔离DC-DC的输出负端分别与分流器采集芯片的VSS、电阻R1的一端、电阻R7的一端、隔离芯片电源GNDB、NMOS Q1的S极和NMOS Q3的S极连接；
所述PMOS Q2的G极分别与电阻R3的一端、电阻R4的另一端连接，所述PMOS Q2的D极和NMOS Q3的D极分别与电阻R5和电阻R6的一端连接，所述电阻R5和电阻R6的另一端再分别与分流器采集芯片连接，所述分流器采集芯片与分流器连接；
所述NMOS Q3的G极与电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端分别与R7的另一端及隔离芯片的IBO-2连接；
所述NMOS Q1的D极与电阻R3的另一端连接，所述NMOS Q1的G极与电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端分别与电阻R1的另一端及隔离芯片的IOB-1连接，所述MCU的IO1和IO2分别与隔离芯片的IOA-1和IOA-2连接，所述MCU的I2C与隔离芯片的I2C-A连接，所述隔离芯片的I2C-B与分流器采集芯片的I2C连接。
基本原理：
分流器断线时，分流器采集芯片输入口状态为非固定状态，本方案使用电路控制，给定分流器采集输入口一个确定的状态，此状态与正常分流器输出状态，可明显区分。由于分流器电阻很小，在未断线的情况下，分流器输出为mV级的电压，本技术方案可产生一个V级的电压，在分流器断线时，可容易区分是否断线。
具体地，通过MCU控制IO1、IO2经隔离芯片隔离后，使用IOB_1，IOB_2控制NMOS Q1，PMOS Q2，NMOS Q3，所述NMOS Q3导通后分流器采集芯片的S-经R6被钳位到VSS，NMOS Q1导通和PMOS Q2导通后，分流器采集芯片的S+经过R5被钳位值VEE电平，一般VEE与VSS的电压为V级电压，此时若分流器断线，MCU会计算得到一个极大的电流，识别出分流器断路。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种带断线检测的分流器采集电路，其特征在于，包括
电源，所述电源的P+分别与隔离DC-DC的输入正端、隔离芯片的电源VCCA和MCU的VCC连接；所述电源的P-分别与隔离DC-DC的输入负端、隔离芯片的电源GNDA和MCU的GND连接；
所述隔离DC-DC的输出正端分别与分流器采集芯片的VEE、电阻R4的一端、隔离芯片的电源VCCB和PMOS Q2的S极连接；所述隔离DC-DC的输出负端分别与分流器采集芯片的VSS、电阻R1的一端、电阻R7的一端、隔离芯片电源GNDB、NMOS Q1的S极和NMOS Q3的S极连接；
所述PMOS Q2的G极分别与电阻R3的一端、电阻R4的另一端连接，所述PMOS Q2的D极和NMOS Q3的D极分别与电阻R5和电阻R6的一端连接，所述电阻R5和电阻R6的另一端再分别与分流器采集芯片连接，所述分流器采集芯片与分流器连接；
所述NMOS Q3的G极与电阻R8的一端连接，所述电阻R8的另一端分别与R7的另一端及隔离芯片的IBO-2连接；
所述NMOS Q1的D极与电阻R3的另一端连接，所述NMOS Q1的G极与电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端分别与电阻R1的另一端及隔离芯片的IOB-1连接，所述MCU的IO1和IO2分别与隔离芯片的IOA-1和IOA-2连接，所述MCU的I2C与隔离芯片的I2C-A连接，所述隔离芯片的I2C-B与分流器采集芯片的I2C连接。
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Family Applications (1)
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2022
- 2022-05-27 CN CN202221301348.0U patent/CN217655187U/zh active Active
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