CN217607878U - 共享像素单元及图像传感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种共享像素单元，包括：三个感光模块，各感光模块均包括感光元件及传输晶体管；第一感光模块和第三感光模块中的感光元件沿水平方向镜像设置，第二感光模块和第三感光模块中的感光元件沿垂直方向镜像设置，各传输晶体管均以一倾斜角度设置于相应感光元件的角部，各传输晶体管相邻设置且形成一开口区域；源跟随晶体管，设置于所述开口区域内；漂浮扩散有源区，包括第一漂浮扩散有源区和第二漂浮扩散有源区，所述第一漂浮扩散有源区和所述第二漂浮扩散有源区均设置于所述开口区域内，且分别设置于所述源跟随晶体管的两侧。通过本实用新型提供的共享像素单元，解决了现有像素共享结构方式存在漂浮扩散有源区寄生电容大的问题。

Description

共享像素单元及图像传感器

技术领域

本实用新型涉及图像传感器技术领域，特别是涉及一种共享像素单元及图像传感器。

背景技术

图像传感器已经被广泛地应用于数码相机、移动手机、医疗器械、汽车和其他应用场合，随着制造CMOS(互补型金属氧化物半导体)图像传感器技术的快速发展，人们对图像传感器的输出图像品质有了更高的要求。

图像传感器包含有感光像素阵列，感光像素阵列用来采集光信号信息并转换为电信号数据，供终端使用。图像传感器像素阵列中，像素之间的晶体管器件布局可能会有所不同，例如采用共享结构方式布局的像素，包含多个像素共享漂浮扩散有源区、源跟随晶体管、复位晶体管和像素选择晶体管；像素阵列中多个像素共享结构方式布局，包含有两像素共享、四像素共享，甚至八像素共享。图像传感器像素阵列中，像素之间采用共享结构方式布局的目的是减少像素中的晶体管数量，以便增加像素中光电二极管的面积占有率，进而提升像素的感光效率。

图像传感器像素的转换增益，与漂浮扩散有源区的寄生电容成反比关系。所述漂浮扩散有源区的寄生电容，包含有两部分的贡献：有源区相关部分和金属相关部分；所述金属相关部分的金属线，为漂浮扩散有源区与源跟随晶体管栅极的连接线，其寄生电容与所述金属线长短相关，所述金属线的长短与漂浮扩散有源区和源跟随晶体管的设计位置相关。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种共享像素单元及图像传感器，用于解决现有像素共享结构方式存在漂浮扩散有源区寄生电容大的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种共享像素单元，所述共享像素单元包括：

三个感光模块，各所述感光模块均包括感光元件及传输晶体管；所述三个感光模块包括第一感光模块、第二感光模块和第三感光模块，第一感光模块中的感光元件和第三感光模块中的感光元件沿水平方向镜像设置，第二感光模块中的感光元件和第三感光模块中的感光元件沿垂直方向镜像设置，各所述传输晶体管均以一倾斜角度设置于相应感光元件的角部，各所述传输晶体管相邻设置且形成一开口区域；

源跟随晶体管，设置于所述开口区域内；

漂浮扩散有源区，包括第一漂浮扩散有源区和第二漂浮扩散有源区，所述第一漂浮扩散有源区和所述第二漂浮扩散有源区均设置于所述开口区域内，且分别设置于所述源跟随晶体管的两侧。

可选地，所述源跟随晶体管设置于所述第一感光模块的所述传输晶体管和所述第二感光模块的所述传输晶体管的中心连线上，所述第一漂浮扩散有源区设置于所述第一感光模块和所述第三感光模块中两传输晶体管相向的区域内，所述第二漂浮扩散有源区设置于所述第一漂浮扩散有源区相对的一侧。

可选地，所述共享像素单元还包括：复位晶体管，设置于任一所述漂浮扩散有源区远离所述源跟随晶体管的一侧，且与相应的所述漂浮扩散有源区连接。

可选地，各感光模块中，感光元件的第一端接地，第二端连接传输晶体管的第一端，传输晶体管的控制端接入相应传输控制信号；其中，第一感光模块和第三感光模块中传输晶体管的第二端连接至第一漂浮扩散有源区，第二感光模块中传输晶体管的第二端连接至第二漂浮扩散有源区；

复位晶体管的控制端接入复位控制信号，第一端接入电源电压，第二端连接至第一漂浮扩散有源区或第二漂浮扩散有源区；

源跟随晶体管的栅端同时连接至第一漂浮扩散有源区和第二漂浮扩散有源区，漏端接入电源电压，源端输出电压信号。

可选地，所述共享像素单元还包括：选择晶体管，设置于所述源跟随晶体管远离所述第一漂浮扩散有源区和所述第二漂浮扩散有源区两侧中的任一侧；其中，所述选择晶体管的控制端接入选择控制信号，第一端连接所述源跟随晶体管的源端，第二端输出选中行的电压信号。

可选地，各传输晶体管的控制端及复位晶体管的控制端分别与水平走线相连，复位晶体管的第一端及源跟随晶体管的漏端分别与第一垂直走线相连。

可选地，在所述共享像素单元还包括选择晶体管时，各传输晶体管的控制端、复位晶体管的控制端及选择晶体管的控制端分别与水平走线相连，选择晶体管的第二端与第二垂直走线相连；其中，水平走线、第一垂直走线和第二垂直走线分别位于不同金属层中。

本实用新型还提供一种图像传感器，包括至少一个如上任一项所述的共享像素单元，其中，所述第一感光模块和所述第三感光模块在垂直方向上相邻设置，所述第二感光模块和所述第三感光模块在水平方向上相邻设置。

可选地，所述图像传感器包括若干呈阵列排布的所述共享像素单元，任意一个所述共享像素单元与其相邻的所述共享像素单元交错设置，其中，任意一个所述共享像素单元的所述第二感光模块与垂直方向上相邻设置的所述共享像素单元的所述第一感光模块和所述第三感光模块位于同一条直线。

如上所述，本实用新型的一种共享像素单元及图像传感器，提出了一种全新的三像素共享结构布局方式，结构工整、对称，可以有效提高像素中光电二极管面积的占有率，从而提升像素的光电转换量子效率。所述三像素共享结构中，源跟随晶体管位于各传输晶体管形成的开口区域内，甚至是位于第一感光模块的传输晶体管和第二感光模块的传输晶体管的中心连线上，以此使漂浮扩散有源区与源跟随晶体管栅极的金属连接线较短，从而使金属相关部分的寄生电容较低，也即漂浮扩散有源区的寄生电容较低，而漂浮扩散有源区寄生电容较低的像素具有较高的光电转换增益，可有效降低信号噪声，从而提升图像传感器采集的图像品质。

附图说明

图1显示为本实用新型所述共享像素单元的电路示意图。

图2显示为本实用新型所述共享像素单元的一种布局示意图。

图3显示为由图2所示共享像素单元构成的图像传感器的布局示意图。

图4显示为本实用新型所述共享像素单元的另一种布局示意图。

图5显示为由图4所示共享像素单元构成的图像传感器的布局示意图。

图6显示为本实用新型所述图像传感器的时序控制示意图。

元件标号说明

101 第一感光元件

102 第二感光元件

103 第三感光元件

104 第一传输晶体管

105 第二传输晶体管

106 第三传输晶体管

107 复位晶体管

108 源跟随晶体管

109 选择晶体管

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图6。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，虽图示中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。

如图2和图4所示，本实施例提供一种共享像素单元，所述共享像素单元包括：三个感光模块、源跟随晶体管108和漂浮扩散有源区FD；其中，所述漂浮扩散有源区FD包括第一漂浮扩散有源区和第二漂浮扩散有源区。进一步的，所述共享像素单元还包括复位晶体管107。更进一步的，所述共享像素单元还包括选择晶体管109。

三个感光模块包括第一感光模块、第二感光模块和第三感光模块，各所述感光模块均包括感光元件和传输晶体管，具体为：所述第一感光模块包括第一感光元件101和第一传输晶体管104，所述第二感光模块包括第二感光元件102和第二传输晶体管105，所述第三感光模块包括第三感光元件103和第三传输晶体管106。

其中，所述第一感光元件101和所述第三感光元件103沿水平方向镜像设置，所述第二感光元件102和所述第三感光元件103沿垂直方向镜像设置。

所述第一传输晶体管104以一倾斜角度设置于所述第一感光元件101的角部，所述第二传输晶体管105以一倾斜角度设置于所述第二感光元件102的角部，所述第三传输晶体管106以一倾斜角度设置于所述第三感光元件103的角部，所述第一传输晶体管104、所述第二传输晶体管105和所述第三传输晶体管106相邻设置且形成一开口区域。需要说明的是，本实施例所述倾斜角度，是指各传输晶体管与水平线之间的夹角。

实际应用中，可设置各传输晶体管的倾斜角度完全相同，也可以设置各传输晶体管的倾斜角度完全不同，甚至是部分相同，这对本实施例没有影响；但出于结构工整、对称的考虑，通常设置各传输晶体管的倾斜角度完全相同，如倾斜角度均为45°，即各传输晶体管均以45°的倾斜角度设置于相应感光元件的角部；当然，其它非45°的倾斜角度也同样适用于本实施例。

具体的，各所述感光模块中，感光元件的第一端接地，第二端连接传输晶体管的第一端，传输晶体管的控制端接入相应传输控制信号；其中，第一传输晶体管104和第三传输晶体管106的第二端连接至第一漂浮扩散有源区，第二传输晶体管105的第二端连接至第二漂浮扩散有源区(如图1所示)。

作为示例，所述第一感光元件101、所述第二感光元件102和所述第三感光元件103均为光电二极管，所述第一传输晶体管104、所述第二传输晶体管105和所述第三传输晶体管106均为NMOS管；其中，第一光电二极管的正端接地，负端连接第一NMOS管的源端，第一NMOS管的栅端接入第一传输控制信号tx1，漏端连接至第一漂浮扩散有源区；第二光电二极管的正端接地，负端连接第二NMOS管的源端，第二NMOS管的栅端接入第二传输控制信号tx2，漏端连接至第二漂浮扩散有源区；第三光电二极管的正端接地，负端连接第三NMOS管的源端，第三NMOS管的栅端接入第三传输控制信号tx3，漏端连接至第一漂浮扩散有源区。

所述源跟随晶体管108设置于所述开口区域内。进一步的，所述源跟随晶体管108设置于所述第一传输晶体管104和所述第二传输晶体管105的中心连线上，也即，所述源跟随晶体管108设置于所述开口区域的中心位置，以使所述源跟随晶体管108的栅端与所述漂浮扩散有源区之间的距离较短。

具体的，所述源跟随晶体管108的栅端同时连接至所述第一漂浮扩散有源区和所述第二漂浮扩散有源区，漏端接入电源电压Vdd，源端输出电压信号output(如图1所示)。

所述第一漂浮扩散有源区和所述第二漂浮扩散有源区均设置于所述开口区域内，且分别设置于所述源跟随晶体管108的两侧，此时，所述源跟随晶体管108的栅端与所述漂浮扩散有源区之间的金属连接线较短，使金属相关部分的寄生电容较低，从而使所述漂浮扩散有源区的寄生电容较低。

具体的，所述第一漂浮扩散有源区设置于所述第一传输晶体管104和所述第三传输晶体管106相向的区域内，所述第二漂浮扩散有源区设置于所述第一漂浮扩散有源区相对的一侧。

所述复位晶体管107设置于任一所述漂浮扩散有源区远离所述源跟随晶体管108的一侧，且与相应的所述漂浮扩散有源区连接。

具体的，所述复位晶体管107的控制端接入复位控制信号rst，第一端接入电源电压Vdd，第二端连接至第一漂浮扩散有源区或第二漂浮扩散有源区(如图1所示)。

作为示例，所述复位晶体管107为NMOS管；若所述复位晶体管107设置于所述第一漂浮扩散有源区远离所述源跟随晶体管108的一侧，则该NMOS管的栅端接入所述复位控制信号rst，漏端接入所述电源电压Vdd，源端连接至所述第一漂浮扩散有源区；若所述复位晶体管107设置于所述第二漂浮扩散有源区远离所述源跟随晶体管108的一侧，则该NMOS管的栅端接入所述复位控制信号rst，漏端接入所述电源电压Vdd，源端连接至所述第二漂浮扩散有源区。

所述选择晶体管109设置于所述源跟随晶体管108远离所述第一漂浮扩散有源区和所述第二漂浮扩散有源区两侧中的任一侧，且与所述源跟随晶体管108连接。

具体的，所述选择晶体管109的控制端接入选择控制信号sel，第一端连接所述源跟随晶体管108的源端，第二端输出选中行的电压信号(如图1所示)。

作为示例，所述选择晶体管109为NMOS管，该NMOS管的栅端接入所述选择控制信号sel，漏端与所述源跟随晶体管108的源端连接，源端输出选中行的电压信号output。

本实施例中，在所述共享像素单元包括复位晶体管107时，各传输晶体管的控制端及复位晶体管107的控制端分别与水平走线相连，复位晶体管107的第一端及源跟随晶体管108的漏端分别与第一垂直走线相连。在所述共享像素单元还包括选择晶体管109时，各传输晶体管的控制端、复位晶体管107的控制端及选择晶体管109的控制端分别与水平走线相连，选择晶体管109的第二端与第二垂直走线相连；其中，水平走线记作时序控制线，第一垂直走线记作电源线，第二垂直走线记作信号输出线，水平走线、第一垂直走线和第二垂直走线分别位于不同金属层中。

如图2，第一传输晶体管104的栅端与水平走线TX1相连，第二传输晶体管105的栅端与水平走线TX2b相连，第三传输晶体管106的栅端与水平走线TX2a相连，复位晶体管107的栅端与水平走线RST相连，选择晶体管109的栅端与水平走线RS相连，各水平走线从上到下依次为TX1、RST、TX2b、RS、TX2a。复位晶体管107的漏端与第一垂直走线Vdd相连，该第一垂直走线Vdd位于第二感光元件102远离第三感光元件103的一侧；源跟随晶体管108的漏端与第一垂直走线Vdd相连，该第一垂直走线Vdd位于第一漂浮扩散有源区和源跟随晶体管108之间。选择晶体管109的源端与第二垂直走线Sa(Sb)相连，该第二垂直走线Sa(Sb)位于源跟随晶体管108和第二感光元件102之间。第一感光元件101的像素作为第一像素，第三感光元件103的像素作为第三像素，二者标记为a类像素，对应的信号输出线标记为Sa；第二感光元件102的像素作为第二像素，标记为b类像素，对应的信号输出线标记为Sb，Sa和Sb共享同一条第二垂直走线，记作Sa(Sb)。

图4与图2的区别在于复位晶体管107的位置，图4中，复位晶体管107的漏端与第一垂直走线Vdd相连，该第一垂直走线Vdd位于第三感光元件103远离第二感光元件102的一侧；源跟随晶体管108的漏端与第一垂直走线Vdd相连，该第一垂直走线Vdd位于源跟随晶体管108和第二漂浮扩散有源区之间。选择晶体管109的源端与第二垂直走线Sa(Sb)相连，该第二垂直走线Sa(Sb)位于第三感光元件103和源跟随晶体管108之间。

如图3和图5所示，本实施例还提供一种图像传感器，包括至少一个如上所述的共享像素单元，其中，所述第一感光模块和所述第三感光模块在垂直方向上相邻设置，所述第二感光模块和所述第三感光模块在水平方向上相邻设置。

具体的，所述图像传感器包括若干呈阵列排布的所述共享像素单元，任意一个所述共享像素单元与其相邻的所述共享像素单元交错设置，其中，任意一个所述共享像素单元的所述第二感光模块与垂直方向上相邻设置的所述共享像素单元的所述第一感光模块和所述第三感光模块位于同一条直线上。

具体的，所述图像传感器还包括时序电路和读取电路，其中，各所述共享像素单元通过时序控制线外接所述时序电路，通过信号输出线外接所述读取电路；所述时序电路用于为所述图像传感器中的各共享像素单元提供时序控制信号，如传输控制信号、复位控制信号、选择控制信号，所述读取电路用于读取各共享像素单元的电压信号。

结合图3和图5，参阅图6，本实施例还提供一种图像传感器的信号读出方法，应用于如上所述的图像传感器，所述共享像素单元包括第一类像素和第二类像素，采用行滚动方式进行信号读出所述共享像素单元的图像信号；其中，所述第一类像素包括第一感光模块和第三感光模块，所述第二类像素包括第二感光模块。需要说明的是，图6所示时序中，高电位表示晶体管处于开启状态，低电位表示晶体管处于关闭状态。

所述信号读出方法包括如下步骤：

1)通过第m-1行复位金属走线和第m行复位金属走线对第m行第一类像素进行第一次复位，以清除第m行第一类像素的感光元件中的电荷；对第m行第一类像素进行曝光。

具体的，对第m-1行复位金属走线和第m行复位金属走线施加高电位脉冲，并对第m行第一类传输金属走线施加高电位脉冲，使第m-1行和第m行的复位晶体管107开启，第m行的第一传输晶体管104和第三传输晶体管106开启，以此清除第m行的第一感光元件101和第三感光元件103中的电荷；之后，第m-1行和第m行的复位晶体管107关闭，第m行的第一传输晶体管104和第三传输晶体管106关闭，第m行第一类像素开始曝光。

2)通过第m-1行复位金属走线对第m行第二类像素进行第一次复位，以清除第m行第二类像素感光元件中的电荷；对第m行第二类像素进行曝光。

具体的，对第m-1行复位金属走线施加高电位脉冲，并对第m行第二类传输金属走线施加高电位脉冲，使第m-1行的复位晶体管107开启，第m行的第二传输晶体管105开启，以此清除第m行的第二感光元件102中的电荷；之后，第m-1行的复位晶体管107关闭，第m行的第二传输晶体管105关闭，第m行第二类像素开始曝光。

3)通过第m-1行复位金属走线和第m行复位金属走线对第m行第一类像素进行第二次复位，以清除第m行第一类像素连接的相应浮动扩散有源区中的电荷。

具体的，将第m-1行选择金属走线和第m行选择金属走线置为高电位，并对第m-1行复位金属走线和第m行复位金属走线施加高电位脉冲，使第m-1行和第m行的选择晶体管109开启，第m-1行和第m行的复位晶体管107开启后关闭，以此清除第m行第一类像素对应的第一漂浮扩散有源区中的电荷。

4)获取第m行第一类像素的复位信号。

具体的，保持第m-1行选择金属走线和第m行选择金属走线为高电位，经信号输出线Sa<y>输出第m行第一类像素的复位信号，记作ma_R(y)，并由外接的读取电路读取。

5)结束第m行第一类像素的曝光，并转移第m行第一类像素的感光元件中的电荷至相应漂浮扩散有源区。

具体的，保持第m-1行选择金属走线和第m行选择金属走线为高电位，并对第m行第一类传输金属走线施加高电位脉冲，使第m行的第一传输晶体管104和第三传输晶体管106开启后关闭，结束第m行第一类像素的曝光，并将对应曝光电荷转移至第一漂浮扩散有源区。

6)读取第m行第一类像素的初始光电信号。

具体的，保持第m-1行选择金属走线和第m行选择金属走线为高电位，经信号输出线Sa<y>输出第m行第一类像素的初始光电信号，记作ma_S(y)，并由外接的读取电路读取，然后将第m行选择金属走线置为低电位。

其中，所述第m行第一类像素读出的光电信号的表达式为：Siga(m,y)＝ma_R(y)-ma_S(y)，其中，Siga(m,y)为所述第m行第一类像素读出的光电信号，ma_R(y)为所述第m行第一类像素读出的复位信号，ma_S(y)为所述第m行第一类像素读出的初始光电信号，y为像素所在的列位置。

7)通过第m-1行复位金属走线对第m行第二类像素进行第二次复位，以清除第m行第二类像素连接的相应浮动扩散有源区中的电荷。

具体的，保持第m-1行选择金属走线为高电位，并对第m-1行复位金属走线施加高电位脉冲，使第m-1行的复位晶体管107开启后关闭，以此清除第m行第二类像素对应的第二漂浮扩散有源区中的电荷。

8)获取第m行第二类像素的复位信号。

具体的，保持第m-1行选择金属走线为高电位，经信号输出线Sb<y>输出第m行第二类像素的复位信号，记作mb_R(y)，并由外接的读取电路读取。

9)结束第m行第二类像素的曝光，并转移第m行第二类像素的感光元件中的电荷至相应漂浮扩散有源区。

具体的，保持第m-1行选择金属走线为高电位，并对第m行第二类传输金属走线施加高电位脉冲，使第m行的第二传输晶体管105开启后关闭，结束第m行第二类像素的曝光，并将对应曝光电荷转移至第二漂浮扩散有源区。

10)读取第m行第二类像素的初始光电信号。

具体的，保持第m-1行选择金属走线为高电位，经信号输出线Sb<y>输出第m行第二类像素的初始光电信号，记作mb_S(y)，并由外接的读取电路读取，然后将第m-1行选择金属走线置为低电位。

其中，所述第m行第二类像素读出的光电信号的表达式为：Sigb(m,y)＝mb_R(y)-mb_S(y)，其中，Sigb(m,y)为所述第m行第二类像素读出的光电信号，mb_R(y)为所述第m行第二类像素读出的复位信号，mb_S(y)为所述第m行第二类像素读出的初始光电信号，y为像素所在的列位置。

综上所述，本实用新型的一种共享像素单元及图像传感器，提出了一种全新的三像素共享结构布局方式，结构工整、对称，可以有效提高像素中光电二极管面积的占有率，从而提升像素的光电转换量子效率。所述三像素共享结构中，源跟随晶体管位于各传输晶体管形成的开口区域内，甚至是位于第一感光模块的传输晶体管和第二感光模块的传输晶体管的中心连线上，以此使漂浮扩散有源区与源跟随晶体管栅极的金属连接线较短，从而使金属相关部分的寄生电容较低，也即漂浮扩散有源区的寄生电容较低，而漂浮扩散有源区寄生电容较低的像素具有较高的光电转换增益，可有效降低信号噪声，从而提升图像传感器采集的图像品质。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种共享像素单元，其特征在于，所述共享像素单元包括：

三个感光模块，各所述感光模块均包括感光元件及传输晶体管；所述三个感光模块包括第一感光模块、第二感光模块和第三感光模块，第一感光模块中的感光元件和第三感光模块中的感光元件沿水平方向镜像设置，第二感光模块中的感光元件和第三感光模块中的感光元件沿垂直方向镜像设置，各所述传输晶体管均以一倾斜角度设置于相应感光元件的角部，各所述传输晶体管相邻设置且形成一开口区域；

源跟随晶体管，设置于所述开口区域内；

漂浮扩散有源区，包括第一漂浮扩散有源区和第二漂浮扩散有源区，所述第一漂浮扩散有源区和所述第二漂浮扩散有源区均设置于所述开口区域内，且分别设置于所述源跟随晶体管的两侧。

2.根据权利要求1所述的共享像素单元，其特征在于，所述源跟随晶体管设置于所述第一感光模块的所述传输晶体管和所述第二感光模块的所述传输晶体管的中心连线上，所述第一漂浮扩散有源区设置于所述第一感光模块和所述第三感光模块中两传输晶体管相向的区域内，所述第二漂浮扩散有源区设置于所述第一漂浮扩散有源区相对的一侧。

3.根据权利要求1或2所述的共享像素单元，其特征在于，所述共享像素单元还包括：复位晶体管，设置于任一所述漂浮扩散有源区远离所述源跟随晶体管的一侧，且与相应的所述漂浮扩散有源区连接。

4.根据权利要求3所述的共享像素单元，其特征在于，

各感光模块中，感光元件的第一端接地，第二端连接传输晶体管的第一端，传输晶体管的控制端接入相应传输控制信号；其中，第一感光模块和第三感光模块中传输晶体管的第二端连接至第一漂浮扩散有源区，第二感光模块中传输晶体管的第二端连接至第二漂浮扩散有源区；

复位晶体管的控制端接入复位控制信号，第一端接入电源电压，第二端连接至第一漂浮扩散有源区或第二漂浮扩散有源区；

源跟随晶体管的栅端同时连接至第一漂浮扩散有源区和第二漂浮扩散有源区，漏端接入电源电压，源端输出电压信号。

5.根据权利要求4所述的共享像素单元，其特征在于，所述共享像素单元还包括：选择晶体管，设置于所述源跟随晶体管远离所述第一漂浮扩散有源区和所述第二漂浮扩散有源区两侧中的任一侧；其中，所述选择晶体管的控制端接入选择控制信号，第一端连接所述源跟随晶体管的源端，第二端输出选中行的电压信号。

6.根据权利要求4或5所述的共享像素单元，其特征在于，各传输晶体管的控制端及复位晶体管的控制端分别与水平走线相连，复位晶体管的第一端及源跟随晶体管的漏端分别与第一垂直走线相连。

7.根据权利要求6所述的共享像素单元，其特征在于，在所述共享像素单元还包括选择晶体管时，各传输晶体管的控制端、复位晶体管的控制端及选择晶体管的控制端分别与水平走线相连，选择晶体管的第二端与第二垂直走线相连；其中，水平走线、第一垂直走线和第二垂直走线分别位于不同金属层中。

8.一种图像传感器，其特征在于，包括至少一个如权利要求1-7任一项所述的共享像素单元，其中，所述第一感光模块和所述第三感光模块在垂直方向上相邻设置，所述第二感光模块和所述第三感光模块在水平方向上相邻设置。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括若干呈阵列排布的所述共享像素单元，任意一个所述共享像素单元与其相邻的所述共享像素单元交错设置，其中，任意一个所述共享像素单元的所述第二感光模块与垂直方向上相邻设置的所述共享像素单元的所述第一感光模块和所述第三感光模块位于同一条直线。

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