CN217548793U - 一种电刺激h桥控制电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种电刺激H桥控制电路，包括H桥电路、恒流源电路和模拟开关，所述H桥电路用于产生双极性的刺激电流，所述恒流源电路能够控制刺激电流的电流强度，从而使得该电路能够产生双极性、电流强度可调的刺激电流，解决了现有的电刺激治疗设备无法产生双极性并且刺激强度可调的电刺激脉冲的问题。

Description

一种电刺激H桥控制电路

技术领域

本实用新型属于电子电路技术领域，具体为一种电刺激H桥控制电路。

背景技术

电刺激治疗设备适用于各类疼痛、肌肉功能障碍等的治疗。其作用机制是设备输出特定的脉冲电流通过电极刺激人体肌肉，利用肌肉受到刺激后的应激收缩反应来达到锻炼的目的。

通常一些廉价的电刺激治疗设备只是产生一个固定极性的刺激脉冲进行治疗，这种仪器治疗效果差，容易使肌肉产生疲劳感。目前存在的问题是现有的电刺激治疗设备无法产生双极性并且刺激强度可调的电刺激脉冲。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种电刺激H桥控制电路，以解决背景技术中电刺激治疗设备无法产生双极性并且刺激强度可调的电刺激脉冲的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：

一种电刺激H桥控制电路，包括H桥电路，还包括恒流源电路和模拟开关；所述H桥电路包括第一臂和第二臂，每个臂由串联的上侧晶体管和下侧晶体管构成，将两个臂中上侧晶体管与下侧晶体管的连接点作为一对负载输出端，所述上侧晶体管和下侧晶体管均具有控制端、电源输入端和电源输出端，所述控制端用于控制电源输入端和电源输出端之间通电或断开，所述下侧晶体管均为高电平导通，所述模拟开关包括第一输出端、第二输出端、公共输入端和控制信号端；所述控制信号端输入高电平或低电平的控制信号，能够使第一输出端和公共输入端电性连通，或使第二输出端和公共输入端电性连通，所述恒流源电路包括第一运算放大器、第二运算放大器、第一采样电阻和第二采样电阻；第一采样电阻一端同时与第一运算放大器的反相输入端和第一臂的下侧晶体管的电源输出端电性连接，另一端接地；第二采样电阻一端同时与第二运算放大器的反相输入端和第二臂的下侧晶体管的电源输出端电性连接，另一端接地；第一输出端与第一运算放大器的同相输入端电性连接，第二输出端与第二运算放大器的同相输入端电性连接，公共输入端为参考电压接口，第一运算放大器的输出端与第一臂的下侧晶体管的控制端电性连接，第二运算放大器的输出端与第二臂的下侧晶体管的控制端电性连接。

在一种可能的设计中，所述恒流源电路还包括第一稳压电路和第二稳压电路；所述第一稳压电路一端接地，另一端与第一运算放大器的反相输入端电性连接；所述第二稳压电路一端接地，另一端与第二运算放大器的反相输入端电性连接。

在一种可能的设计中，所述负载输出端与一对电极片连接。

在一种可能的设计中，还包括一个电平转换装置，所述电平转换装置包括输入端和输出端，电平转换装置的输入端为控制电平接口，所述电平转换装置的输出端用于输出与输入端相反的电平信号，使第一臂的上侧晶体管和第二臂的上侧晶体管的控制端接收到的电平信号相反以使得其中一个为导通状态，另一个为截止状态，所述第一臂的上侧晶体管和第二臂的上侧晶体管均为低电平导通。

在一种可能的设计中，还包括互锁电路，所述互锁电路用于：在第一臂的上侧晶体管和第二臂的下侧晶体管导通时，使第一臂的下侧晶体管和第二臂的上侧晶体管截止；或在第一臂的下侧晶体管和第二臂的上侧晶体管导通时，使第一臂的上侧晶体管和第二臂的下侧晶体管截止。

在一种可能的设计中，所述互锁电路包括第一互锁三极管、第二互锁三极管、第三互锁三极管和第四互锁三极管；第一臂和第二臂的上侧晶体管均为控制端低电压导通，高电压截止；第一臂和第二臂的上侧晶体管的控制端均与高电平电性连接，所述第一互锁三极管的集电极与第一臂上侧晶体管的控制端电性连接，发射极接地，基极与电平转换装置的输出端电性连接；所述第三互锁三极管的集电极与第一输出端电性连接，发射极接地，基极与电平转换装置的输出端电性连接；所述第二互锁三极管的集电极与第二臂上侧晶体管的控制端电性连接，发射极接地，基极与电平转换装置的输入端电性连接；所述第四互锁三极管的集电极与第二输出端电性连接，发射极接地，基极与电平转换装置的输入端电性连接。

在一种可能的设计中，所述H桥电路采用DMHC10H170SFJ-13型H桥芯片。

在一种可能的设计中，还包括参考电压产生电路，所述参考电压产生电路包括DAC芯片，所述参考电压产生电路用于为参考电压接口提供电压值可调整的参考电压。

在一种可能的设计中，所述DAC芯片为单极性类型的DAC芯片。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

1.本实用新型的负载输出端能够产生正负两种极性的电流，治疗效果好，肌肉不会产生疲劳感。

2.本实用新型H桥电路输出两种不同极性的电压时，可采用单极性的DAC芯片用于产生参考电压，与采用双极性的DAC芯片相比，其价格更便宜，成本更低，同时单极性DAC芯片内部结构更简单，其使用广泛，便于后期维护，运行更加稳定。

3.本实用新型中的恒流源能够在H桥电路负载输出端之间的电阻情况不定时，稳定地控制负载输出端之间的电流大小，有效地控制了电刺激脉冲的强度。

4.本实用新型中的恒流源能够根据参考电压来调节H桥电路的负载输出端的电流大小，能够避免电刺激强度不够，或者电刺激强度太高的问题，使得使用者在接受电刺激时能够得到合适电流大小的电刺激，体验更加舒适。

5.本实用新型用于控制负载的电流大小的参考电压，与用于控制负载的电流方向的控制信号相互隔离，互不影响，在两种电流方向的状态中，参考电压均能够在其输出的电压范围内对负载输出端之间的负载的电流大小进行调整控制。

6.本实用新型中，用于控制负载的电流方向的控制信号采用固定的高低电平即可，其能够较为方便地控制实现负载的电流方向快速变化，使得电压变化较大的参考电压提供设备只需要提供单极性的参考电压即可，使得电路成本更低，运行更加稳定。

附图说明

图1为本实用新型第1实施例的电路结构示意图；

图2为本实用新型第2实施例的电路结构示意图；

图3为本实用新型第3实施例的电路结构示意图。

图标：U2A-第一运算放大器；U2B-第二运算放大器；U3-模拟开关；U26-单极性DAC芯片；OUT1-第一输出端；OUT2-第二输出端；COM-公共输入端；IN-控制信号端；R20-第一采样电阻；R21-第二采样电阻；Q1-第一互锁三极管；Q2-第二互锁三极管；Q3-第三互锁三极管；Q4-第四互锁三极管；QP1-第一晶体管；QP2-第二晶体管；QN3-第三晶体管；QN4-第四晶体管；A-电源正极接口；B-第一负载接口；C-第二负载接口；DAC_VOUTA-参考电压；DZ1-第一稳压二极管；DZ2-第二稳压二极管；U1A-反相器；A_EN-控制信号。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例

为了更好地理解本实用新型的构思，本实用新型提供了一种电刺激H桥控制电路，以下结合说明书附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于解释和说明本实用新型，并不用于限定本实用新型。并且，在不冲突的情况下，本申请中的实施例以及实施例中的特征可以互相组合。

实施例1

请参照图1，一种电刺激H桥控制电路，包括H桥电路、恒流源电路和模拟开关U3；所述H桥电路可以采用分立元件搭建，也可以采用集成式H桥芯片，优选的，本实施例中H桥电路由分立元件搭建；所述H桥电路包括第一臂和第二臂，所述第一臂包括串联的第一晶体管QP1和第三晶体管QN3，所述第二臂包括串联的第二晶体管QP2和第四晶体管QN4，所述第一晶体管QP1、第二晶体管QP2均可以采用DIODES品牌DMP10H400SE-13型号的P-MOS管，第三晶体管QN3、第四晶体管QN4均可以采用无锡新洁能品牌的N-MOS管NCE0103M；所述第一晶体管QP1、第二晶体管QP2的源极电性连接，该连接点为电源正极接口A；将两个臂中上侧晶体管与下侧晶体管的连接点作为一对负载输出端，形成第一负载接口B和第二负载接口C，

所述模拟开关U3包括第一输出端OUT1、第二输出端OUT2、公共输入端COM和控制信号端IN，所述控制信号端IN输入高低电平的控制信号，能够使第一输出端OUT1和公共输入端COM电性连通，或使第二输出端OUT2和公共输入端COM电性连通，

所述恒流源电路包括第一运算放大器U2A、第二运算放大器U2B、第一采样电阻R20和第二采样电阻R21；第一采样电阻R20一端同时与第一运算放大器U2A的反相输入端和下侧第三晶体管QN3的漏极电性连接，另一端接地；第二采样电阻R21一端同时与第二运算放大器U2B的反相输入端和下侧第四晶体管QN4的漏极电性连接，另一端接地；第一输出端OUT1与第一运算放大器U2A的同相输入端电性连接，第二输出端OUT2与第二运算放大器U2B的同相输入端电性连接，公共输入端COM为参考电压接口，第一运算放大器U2A的输出端与下侧第三晶体管QN3的栅极电性连接，第二运算放大器U2B的输出端与下侧第四晶体管QN4的栅极电性连接；

通过上述方案，电源正极接口A与电源正极连接、第一采样电阻R20和第二采样电阻R21的接地端与电源的负极连接，公共输入端COM接入参考电压DAC_VOUTA、第一负载接口B和第二负载接口C与负载电性连接时，第一晶体管QP1的控制端栅极输入低电平，第二晶体管QP2的控制端栅极输入高电平，控制信号端IN输入的控制信号使由公共输入端COM输入的参考电压DAC_VOUTA由第二输出端OUT2输出时，第一晶体管QP1、第四晶体管QN4导通，第三晶体管QN3、第二晶体管QP2截止，此时电流方向为第一负载接口B流向第二负载接口C，采样电阻R21将第一负载接口B和第二负载接口C之间的电流信号采样形成第一电压反馈到第二运算放大器U2B的反相输入端，当采样到的电流值比较小时，第一电压的值也较小，采样到的电流值比较大时，第一电压的值也较大；当第二运算放大器U2B的同相输入端输入的参考电压DAC_VOUTA大于第一电压时，其输出端输出高电平，使下侧第四晶体管QN4导通，第一负载接口B和第二负载接口C之间的电流增大；当U2B的同相输入端输入的参考电压DAC_VOUTA小于第一电压时，其输出端输出低电平，使第四晶体管QN4截止，第一负载接口B和第二负载接口C之间的电流下降，如此反复，最终使得第一负载接口B和第二负载接口C之间的电流平衡在设定值处，实现第一负载接口B和第二负载接口C之间的电流大小恒定的效果，因为本电路是对第一负载接口B和第二负载接口C之间的电流进行控制，故在第一负载接口B和第二负载接口C之间接入不同的负载时，即负载的电阻情况不同时，仍然可以稳定地控制负载输出端之间的电流大小；通过调节公共输入端COM处输入的参考电压DAC_VOUTA的大小，即可实现调节第一负载接口B和第二负载接口C之间的电流大小的效果。同理，当控制信号使第三晶体管QN3、第二晶体管QP2导通，第一晶体管QP1、第四晶体管QN4截止时，电流方向为第二负载接口C流向第一负载接口B，同时，调节公共输入端COM处输入的参考电压DAC_VOUTA的大小，即可实现调节第一负载接口B和第二负载接口C之间的电流大小的效果。综上，本实施例提供的一种电刺激H桥控制电路能够在H桥输入电源极性不变时为第一负载接口B和第二负载接口C之间提供两种不同方向的电流，同时负载输出端之间的电流强度可调节且不受负载输出端之间的电流极性的影响。本实施例的优点是在H桥的输入电源的极性不变时，能够为第一负载接口B和第二负载接口C之间的负载提供两种不同极性的电流，同时只需要提供单极性的参考电压DAC_VOUTA，即可对第一负载接口B和第二负载接口C之间的电流方向以及电流大小做出控制，由于本实施例采用的H桥电路为分立元件搭建，与使用集成式H桥芯片相比其成本更低，同时，提供单极性参考电压DAC_VOUTA的设备相较于提供双极性参考电压DAC_VOUTA的设备而言，其成本也更低，同时提供单极性参考电压DAC_VOUTA的设备的内部结构也更简单，工作更加稳定可靠。同时，在本方案中，控制信号与参考电压DAC_VOUTA的信号互相隔离互不影响，参考电压DAC_VOUTA能够在其整个可输出的电压范围内，对负载输出端之间的负载的电流进行调整；且无论电流是由第二负载接口C流向第一负载接口B，还是由第一负载接口B流向第二负载接口C时，参考电压DAC_VOUTA都能够对接在负载输出端之间的负载的电流大小实现同样的控制作用。

需要说明的是，本实施例中使用的H桥电路还能够由其他的分立元件搭建，例如使用普通的三极管搭建，本实施例中使用的H桥电路为该领域常用电路，故在此不做赘述。

实施例2

请参照图2，本实施例提供一种电刺激H桥控制电路，其基本结构与实施例1所提供的一种电刺激H桥控制电路相同，所不同之处在于：

两个恒流源电路还包括第一稳压电路和第二稳压电路，所述第一稳压电路包括第一稳压二极管DZ1，所述第二稳压电路包括第二稳压二极管DZ2，第一稳压二极管DZ1和第二稳压二极管DZ2的型号均为MMSZ4689。

所述第一稳压二极管DZ1的正极接地，负极与第一运算放大器U2A的反相输入端连接，所述第二稳压二极管DZ2的正极接地，负极与第二运算放大器U2B的反相输入端连接。采用上述方案时，当采样电阻上的电流过大时，稳压二极管被击穿，从而避免电路中的其他元件处于高电压的状态下被击坏，有效地保护了电路。需要说明的是，所述第一稳压电路和第二稳压电路还可以是其他的常用的稳压电路，例如，可以将多个普通二极管串联形成稳压电路，串联后两端的二极管的正极端与运算放大器U2A或第二运算放大器U2B的反相输入端电性连接，负极接地，所述稳压电路的稳压值为多个串联的普通二极管的正向管压降之和。

所述负载输出端的第一负载接口B和第二负载接口C分别与一对电极片连接。电极片能够更好地将人体与负载输出端连接。

所述电刺激H桥控制电路还包括一个反相器U1A，其型号为SN74LVC2G17，所述反相器U1A的输入端用于输入控制信号A_EN，其输出端用于产生与控制信号A_EN的反相信号。反相器U1A使得此电路仅需要输入一个控制信号A_EN，就能够同时产生两个不同电平的控制信号，缩减了控制信号端口的数量，简化了结构，节约了成本。需要说明的是，所述控制信号A_EN可由单片机、PLC等能够产生高低两种电平的控制器产生，所述控制器与反相器U1A之间差用其常规的连接结构即可；例如采用单片机时，可以将单片机的一个引脚与反相器U1A的输入端电性连接。

所述模拟开关U3的公共输入端COM为参考电压接口，用于接收参考电压DAC_VOUTA。

所述电刺激H桥控制电路还包括互锁电路，所述互锁电路用于在第一臂的上侧晶体管和第二臂的下侧晶体管导通时，使第一臂的下侧晶体管和第二臂的上侧晶体管截止；或在第一臂的下侧晶体管和第二臂的上侧晶体管导通时，使第一臂的上侧晶体管和第二臂的下侧晶体管截止。优选的，在本实施例中互锁电路包括三极管开关第一互锁三极管Q1、第二互锁三极管Q2、第三互锁三极管Q3、第四互锁三极管Q4，其中，第一互锁三极管Q1、第二互锁三极管Q2为CJ品牌的MMBT5550型晶体管，第三互锁三极管Q3、第四互锁三极管Q4为DTC123型预偏压晶体管，其连接关系如图2所示，其工作时有两种状态。

工作状态1：控制信号A_EN为低电平时，与反相器U1A的输出端连接的第一互锁三极管Q1、第三互锁三极管Q3的基极由于接收到高电平而使得第一互锁三极管Q1、第三互锁三极管Q3导通，此时电源正极接口A与第一晶体管QP1栅极之间被短路，第一晶体管QP1的栅极电平被拉低，使得第一晶体管QP1导通，第三互锁三极管Q3导通则使第一运算放大器U2A的同相输入端只能为低电平，使得第一运算放大器U2A的输出端为低电平，使第三晶体管QN3截止；与控制信号A_EN连接的第二互锁三极管Q2、第四互锁三极管Q4的基极的电平为低电平，故第二互锁三极管Q2截止，电源正极接口A与第二晶体管QP2之间未被短路，此时第二晶体管QP2的栅极为高电平使得第二晶体管QP2截止，第四互锁三极管Q4的基极的电平为低电平，故第四互锁三极管Q4也截止，使得反相器U2B的同相输入端能够输入电压。同时，模拟开关U3的控制信号端IN接收到低电平的控制信号A_EN，将公共输入端COM与第二输出端OUT2连通，使第二运算放大器U2B的同相输入端的电压为公共输入端COM输入的参考电压DAC_VOUTA，使得第二运算放大器U2B的输出端能够输出高电平使第四晶体管QN4导通。综上所述，第一互锁三极管Q1、第二互锁三极管Q2、第三互锁三极管Q3、第四互锁三极管Q4能够在控制信号A_EN为低电平时使得第一晶体管QP1、第四晶体管QN4能够导通，第三晶体管QN3、第二晶体管QP2被截止；同理，第一互锁三极管Q1、第二互锁三极管Q2、第三互锁三极管Q3、第四互锁三极管Q4也能够在控制信号A_EN为高电平时使得第三晶体管QN3、第二晶体管QP2能够导通，第一晶体管QP1、第四晶体管QN4截止。

工作状态2：控制信号A_EN为高电平时，与控制信号A_EN连接的第二互锁三极管Q2、第四互锁三极管Q4的基极电平为高电平，故第二互锁三极管Q2、第四互锁三极管Q4导通；第二互锁三极管Q2导通使得电源正极接口A与第二晶体管QP2之间被短路，此时第二晶体管QP2的栅极为低电平，使得第二晶体管QP2导通；第四互锁三极管Q4导通使得第二运算放大器U2B的同相输入端被强制拉低，第二运算放大器U2B的输出端只能输出低电平使第四晶体管QN4截止。与反相器U1A的输出端连接的第一互锁三极管Q1、第三互锁三极管Q3的基极由于接收到低电平而使得第一互锁三极管Q1、第三互锁三极管Q3截止，第一互锁三极管Q1截止使得电源正极接口A与第一晶体管QP1的栅极之间的未被短路，第一晶体管QP1的栅极电平被拉高，使得第一晶体管QP1截止，第三互锁三极管Q3截止则使第一运算放大器U2A的同相输入端能够输入高电平，使得第一运算放大器U2A的输出端受第一输出端OUT1输出的电压控制；通过上述方案，本实施例仅使用一个控制信号A_EN就能够在H桥电路使用单极性电源时为第一负载接口B和第二负载接口C之间的负载提供两种极性的电流；通过设置互锁电路，能够有效地在第一臂的上侧晶体管和第二臂的下侧晶体管导通时，使第一臂的下侧晶体管和第二臂的上侧晶体管保持截止状态；或在第一臂的下侧晶体管和第二臂的上侧晶体管导通时，使第一臂的上侧晶体管和第二臂的下侧晶体管截止。这样设计能够有效地避免出现第一臂或第二臂的两个晶体管同时导通出现短路的危险，有效地保护了电路。

请参考图2，图中示出的电阻R5、R7、R6、R2、R9、R3、R4、R12、R10、R14、R16、R18、R17、R19、R15都是限流电阻，设置上述限流电阻，能够有效的限制电路中各个支路中的电流大小，避免因电流过大而导致电器元件被损坏。

请参考图2，图中的R8、R11、R13、都是下拉电阻，所述下拉电阻能够在电路未上电时将控制信号强制拉低，防止上电前可能出现的高电平干扰使电路误动作。

请参考图2，图中设置了电容C1、C2、C3，所述电容C1、C2、C3为滤波电容，提高了电源供电的稳定性，电容C1、C2、C3并联在电源的正负极之间，进一步提高了滤波电容的工作效果，使得电源提供的电压更加稳定。

实施例3

请参照图3，还包括参考电压产生电路，所述参考电压产生电路包括DAC芯片，所述参考电压产生电路用于为参考电压接口提供电压值可调整的参考电压DAC_VOUTA。优选的，本实施例提供一种参考电压产生电路，包括单极性DAC芯片U26，所述单极性DAC芯片U26可以采用MCP4725A0T-E/CH型号的DAC芯片；其电路连接关系如图3所示，单极性DAC芯片U26的SCL引脚以及SDA引脚与控制器电性连接，采用I平方C控制，所述控制器为常规的单片机或PLC等控制器，所述控制器与DAC芯片之间的电路连接采用其常规的电路连接方式即可，在此不做赘述；电容C84用于对输出的电压进行滤波，能够使得输出的参考电压DAC_VOUTA更加稳定。所述DAC芯片能够在控制器的控制下产生不同大小的电压值由VOUT引脚输出，其可编程控制的功能使得参考电压DAC_VOUTA能够进行快速精准的变化，为设备提供更优质稳定的参考电压DAC_VOUTA。同时，单极性DAC芯片的成本较双极性芯片更低，有利于成本控制，同时单极性DAC芯片内部结构更简单，其使用广泛，运行更加稳定，后期维护更方便。

需要说明的是，本实用新型所提供的具体实施例能够应用在一些医疗保健产品上，为医疗保健产品供给双极性、电流强度可调节的刺激电流，上述医疗保健产品包括但不限于盆底肌治疗仪、腹直肌治疗仪、中频治疗仪。

尽管已描述了本实用新型的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本实用新型范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型实施例进行各种改动和变型而不脱离本实用新型实施例的精神和范围。这样，倘若本实用新型实施例的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种电刺激H桥控制电路，包括H桥电路，其特征在于：还包括恒流源电路和模拟开关(U3)；

所述H桥电路包括第一臂和第二臂，每个臂由串联的上侧晶体管和下侧晶体管构成，将两个臂中上侧晶体管与下侧晶体管的连接点作为一对负载输出端，所述上侧晶体管和下侧晶体管均具有控制端、电源输入端和电源输出端，所述控制端用于控制电源输入端和电源输出端之间通电或断开，所述下侧晶体管均为高电平导通，

所述模拟开关(U3)包括第一输出端(OUT1)、第二输出端(OUT2)、公共输入端(COM)和控制信号端(IN)；所述控制信号端(IN)输入高电平或低电平的控制信号，能够使第一输出端(OUT1)和公共输入端(COM)电性连通，或使第二输出端(OUT2)和公共输入端(COM)电性连通，

所述恒流源电路包括第一运算放大器(U2A)、第二运算放大器(U2B)、第一采样电阻(R20)和第二采样电阻(R21)；第一采样电阻(R20)一端同时与第一运算放大器(U2A)的反相输入端和第一臂的下侧晶体管的电源输出端电性连接，另一端接地；第二采样电阻(R21)一端同时与第二运算放大器(U2B)的反相输入端和第二臂的下侧晶体管的电源输出端电性连接，另一端接地；第一输出端(OUT1)与第一运算放大器(U2A)的同相输入端电性连接，第二输出端(OUT2)与第二运算放大器(U2B)的同相输入端电性连接，公共输入端(COM)为参考电压接口，第一运算放大器(U2A)的输出端与第一臂的下侧晶体管的控制端电性连接，第二运算放大器(U2B)的输出端与第二臂的下侧晶体管的控制端电性连接。

2.根据权利要求1所述的一种电刺激H桥控制电路，其特征在于：所述恒流源电路还包括第一稳压电路和第二稳压电路；所述第一稳压电路一端接地，另一端与第一运算放大器(U2A)的反相输入端电性连接；所述第二稳压电路一端接地，另一端与第二运算放大器(U2B)的反相输入端电性连接。

3.根据权利要求1所述的一种电刺激H桥控制电路，其特征在于：所述负载输出端与一对电极片连接。

4.根据权利要求1所述的一种电刺激H桥控制电路，其特征在于：还包括一个电平转换装置，所述电平转换装置包括输入端和输出端，电平转换装置的输入端为控制电平接口，所述电平转换装置的输出端用于输出与输入端相反的电平信号，使第一臂的上侧晶体管和第二臂的上侧晶体管的控制端接收到的电平信号相反以使得其中一个为导通状态，另一个为截止状态，所述第一臂的上侧晶体管和第二臂的上侧晶体管均为低电平导通。

5.根据权利要求4所述的一种电刺激H桥控制电路，其特征在于：还包括互锁电路，所述互锁电路用于：

在第一臂的上侧晶体管和第二臂的下侧晶体管导通时，使第一臂的下侧晶体管和第二臂的上侧晶体管截止；

或在第一臂的下侧晶体管和第二臂的上侧晶体管导通时，使第一臂的上侧晶体管和第二臂的下侧晶体管截止。

6.根据权利要求5所述的一种电刺激H桥控制电路，其特征在于：所述互锁电路包括第一互锁三极管(Q1)、第二互锁三极管(Q2)、第三互锁三极管(Q3)和第四互锁三极管(Q4)；第一臂和第二臂的上侧晶体管均为控制端低电压导通，高电压截止；第一臂和第二臂的上侧晶体管的控制端均与高电平电性连接，

所述第一互锁三极管(Q1)的集电极与第一臂上侧晶体管的控制端电性连接，发射极接地，基极与电平转换装置的输出端电性连接；

所述第三互锁三极管(Q3)的集电极与第一输出端(OUT1)电性连接，发射极接地，基极与电平转换装置的输出端电性连接；

所述第二互锁三极管(Q2)的集电极与第二臂上侧晶体管的控制端电性连接，发射极接地，基极与电平转换装置的输入端电性连接；

所述第四互锁三极管(Q4)的集电极与第二输出端(OUT2)电性连接，发射极接地，基极与电平转换装置的输入端电性连接。

7.根据权利要求1所述的一种电刺激H桥控制电路，其特征在于：所述H桥电路采用DMHC10H170SFJ-13型H桥芯片。

8.根据权利要求1所述的一种电刺激H桥控制电路，其特征在于：还包括参考电压产生电路，所述参考电压产生电路包括DAC芯片，所述参考电压产生电路用于为参考电压接口提供电压值可调整的参考电压。

9.根据权利要求8所述的一种电刺激H桥控制电路，其特征在于：所述DAC芯片为单极性类型的DAC芯片。

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