CN217386373U - Rfid模块、rfid标签以及带rfid标签的物品 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种构成RFID标签的RFID模块、具备该RFID模块的RFID标签、以及带RFID标签的物品。RFID模块(101)配置在与导电体(1)进行电磁场耦合的位置。RFID模块(101)具备RFIC(2)、受电耦合部(PR)、以及发送耦合部(PS)。RFIC(2)输入接收受电用的电磁波而感应的电力，并输出RFID用的发送信号。受电耦合部(PR)与导电体(1)进行电磁场耦合而接收受电用的电力。发送耦合部(PS)与导电体(1)进行电磁场耦合而向导电体(1)输出RFID用的发送信号。

Description

RFID模块、RFID标签以及带RFID标签的物品
技术领域
本实用新型涉及例如构成RFID标签的RFID模块、具备该RFID模块的RFID标签、以及带RFID标签的物品。
背景技术
在非专利文献1示出了无源蓝牙(Bluetooth，注册商标)传感器。示出了该装置利用无线LAN的电波、便携式电话的电波等的RF电力来检测温度、压力、运动，并通过蓝牙(Bluetooth，注册商标)发送该信息。该装置不是像无源UHF RFID应答器那样通过向读取器返回反射信号的方式进行通信，而是通过如下的方式进行通信。首先，不是将上述电波作为信号而是作为能量进行受电并充电，当充电了充分的能量时，发送消息的一部分，并等待进一步对能量进行充电。然后，发送消息的接下来的部分。也就是说，一边从周围的电波对能量进行受电，一边将消息分割并依次发送。
在先技术文献
专利文献
非专利文献1：Mark Roberti，“Wiliot Unveils Passive Bluetooth(注册商标)Sensor”，[online]，[令和1年9月11日检索]，因特网<URL:https://www.rfidjournal.com/articles/view？18235>
实用新型内容
实用新型要解决的课题
非专利文献1记载的装置需要单独设置对周围的电波进行受电的两个天线和用蓝牙(Bluetooth，注册商标)来发送信号的天线，因此若构成具备这些多个天线和RFIC的RFID标签，则整体上会变得大型，应用范围有可能受到限制。此外，在具有导电性的物品设置了RFID标签的情况下，或者在作为物品的一部分的导电性构件设置了RFID标签的情况下，RFID标签的天线容易受到上述具有导电性的物品、导电性构件的影响。也就是说，有时RFID标签单体的特性和安装于物品的状态下的RFID标签的特性会大幅变化。
因此，本实用新型的目的在于，提供一种在具有导电性的物品设置RFID标签的情况下，或者在作为物品的一部分的导电性构件设置RFID标签的情况下，表现出给定的RFID标签特性的RFID模块、具备该RFID模块的RFID标签以及带RFID标签的物品。
用于解决课题的技术方案
本实用新型的RFID模块配置在与导电体进行电磁场耦合的位置。该RFID模块具备：RFIC，输入接收受电用的电磁波而感应的电力，并输出RFID用的发送信号；受电耦合部，与所述导电体进行电磁场耦合而接收所述受电用的电力；以及发送耦合部，与所述导电体进行电磁场耦合而向所述导电体输出所述RFID用的发送信号。
本实用新型的RFID标签包含所述RFID模块和所述导电体。
本实用新型的带RFID标签的物品包含所述RFID模块和一部分或全部为所述导电体的物品。
实用新型效果
根据本实用新型，不需要多个大的天线，因此能够构成整体被小型化了的RFID标签。此外，通过在导电体设置RFID模块，从而能够容易地构成RFID标签。同样地，通过在作为物品的一部分的导电性构件设置RFID模块，从而能够构成表现出给定的RFID标签特性的RFID标签。
附图说明
图1是示出第1实施方式涉及的RFID标签201的电路结构的图。
图2是RFID标签201的立体图。
图3是通过搭载于导电体1的RFID模块101的面处的纵剖视图。
图4是示出RFID模块101内的线圈L2的结构、以及片式电容器C2A、C2B、CtA、CtB的安装状态的部分立体图。
图5是示出RFID模块101内的结构的透视立体图。
图6是带RFID标签的物品301的立体图。
图7是第2实施方式涉及的RFID标签202的立体图。
图8是示出RFID模块102内的结构的透视立体图。
图9是示出第3实施方式涉及的RFID标签203的电路结构的图。
图10是RFID标签203的立体图。
图11是示出RFID模块103内的结构的透视立体图。
图12是示出第4实施方式涉及的RFID标签204A的电路结构的图。
图13是示出第4实施方式涉及的另一个RFID标签204B的电路结构的图。
图14(A)是示出第5实施方式涉及的RFID标签205A的电路结构的图。图14(B)是示出第5实施方式涉及的另一个RFID标签205B的电路结构的图。
图15(A)是第6实施方式涉及的RFID标签205A的立体图，图15(B)是第6实施方式涉及的另一个RFID标签205B的立体图。
具体实施方式
以下，参照图并列举几个具体的例子示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中，对相同的部位标注相同的附图标记。考虑到要点的说明或理解的容易性，方便起见，将实施方式分开示出，但是能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合。在第2实施方式以后，省略关于与第1实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。
《第1实施方式》
图1是示出第1实施方式涉及的RFID标签201的电路结构的图。该RFID标签201包含导电体1和RFID模块101，该RFID模块101配置在与该导电体1进行电磁场耦合的位置。
RFID模块101具备RFIC2、与该RFIC2连接的受电耦合部PR、以及与RFIC2连接的发送耦合部PS。
受电耦合部PR与导电体1进行电磁场耦合而接收受电用的电力。此外，发送耦合部PS与导电体1进行电磁场耦合而向导电体1输出RFID用的发送信号。
受电耦合部PR包含相对于导电体1进行磁场耦合的线圈L1。在该线圈L1并联连接电容器C1A、C1B的串联电路而构成了LC并联谐振电路。该LC并联谐振电路经由电容器CrA、CrB与RFIC2的受电端子Rx+、Rx一连接。
发送耦合部PS包含相对于导电体1进行磁场耦合的线圈L2。在该线圈L2并联连接电容器C2A、C2B的串联电路而构成了LC并联谐振电路。该LC并联谐振电路经由电容器CtA、CtB与RFIC2的发送端子Tx+、Tx-连接。
线圈L1和电容器C1A、C1B的并联电路构成LC谐振电路，其谐振频率被规定在受电频带内。例如，被规定为与LTE的1.7GHz频段至2.5GHz频段的电波、2.4GHz频段的无线LAN的电波进行谐振。
线圈L2和电容器C2A、C2B的并联电路构成LC谐振电路，其谐振频率被规定在发送频带内。例如，在蓝牙(Bluetooth，注册商标)的BLE标准的2.4GHz频段进行谐振。
图1中的虚线分别表示受电耦合部PR的线圈L1和导电体1的磁场耦合、以及发送耦合部PS的线圈L2和导电体1的磁场耦合。
图2是RFID标签201的立体图。RFID标签201通过在长方体形状的导电体1搭载RFID模块101而构成。在RFID模块101的内部，设置有图1所示的RFIC2、线圈L1、L2以及其它电路部件。
导电体1是铝箔、铝板、铜箔、铜板、不锈钢板、进行了镀敷的金属板等。
在图2所示的坐标轴下，导电体1沿着X-Y面呈面状扩展，并具有沿着X轴方向的长边方向。在俯视下(在Z轴方向上观察)，RFID模块101配置在导电体1的沿着长边方向的一边S1的位置，并且配置在一边S1的比两端靠中央的位置。
图3是通过搭载于导电体1的RFID模块101的面处的纵剖视图。图4是示出RFID模块101内的线圈L2的结构以及片式电容器C2A、C2B、CtA、CtB的安装状态的部分立体图。此外，图5是示出RFID模块101内的结构的透视立体图。
RFID模块101具备由包含LTCC(低温共烧陶瓷)等的陶瓷基板、包含玻璃环氧等的树脂基板、聚酰亚胺等形成的基板10。在该基板10上形成有由导电构件形成的线圈L1、L2。此外，在基板10的表面安装有片式电容器C1A、C1B、C2A、C2B等。线圈L1、L2以及上述片式电容器在基板10的上表面被环氧树脂等热固化树脂、由聚氨酯等弹性体形成的模塑树脂11被覆。
RFID模块101通过搭载于导电体1而构成RFID标签201。例如，在RFID模块101的底面形成有粘着层8，RFID模块101经由粘着层8粘着于导电体1的表面。也可以代替该粘着层8而经由例如丙烯酸类粘接剂等的粘接层进行接合。另外，也可以是，该粘接层具有导电性，使接地导体GC与导电体1电导通。
根据图3、图4、图5可明确，设置在RFID模块101的内部的线圈L1、L2的线圈开口处于X-Z面，线圈L1、L2的线圈卷绕轴朝向Y轴方向。也就是说，线圈L1、L2的线圈开口处于同一面内，线圈卷绕轴平行。
如图2、图3中虚线所示的磁通围绕导电体1，在导电体1流过实线的箭头所示的电流i。这样，导电体1作为辐射体(辐射元件)而发挥作用。
在本实施方式中，线圈L1是受电用的，因此通过在导电体1感应出电流i而产生的磁通与线圈L1的线圈开口交链。由此，在线圈L1感应出电流。此外，线圈L2是发送用的，因此通过在线圈L2流过发送信号的电流，从而在导电体1感应出电流i，并作为电磁波向周围辐射。
流过导电体1的电流i由于边缘效应而集中于导电体1的沿着一边S1的部位。此外，与长边方向上的两端相比，中央部的电流密度高。在本实施方式中，RFID模块101的线圈L1、L2的线圈卷绕轴在上述俯视下与一边S1正交(在三维下是扭转了90度的角度的位置的关系)，因此导电体1和线圈L1、L2的耦合度高。因此，导电体1的作为辐射元件的作用效果高。
在基板10的下表面，在线圈L1、L2的形成区域外形成有呈面状扩展的接地导体GC。因此，可抑制从导电体1向RFIC2的噪声传播，此外，从RFIC2到线圈L1、L2的布线变得不易受到导电体1的影响，可抑制特性变动。
图6是带RFID标签的物品301的立体图。该带RFID标签的物品301包含一部分或全部为导电体的物品300和RFID模块101。RFID模块101粘附于物品300的导电体。
像图6所示的例子那样，在包含导电体的物品300具有长边方向的情况下，优选与图2所示的、RFID模块101相对于导电体1的搭载位置的关系同样地，在俯视下(在Z轴方向上观察)，配置在物品300的沿着长边方向的一边的位置，并且配置在一边的比两端靠中央的位置。这是因为可有效地提高物品300和线圈L1、L2的耦合度。
另外，虽然在图1所示的例子中，通过两个电容器C1A、C1B的串联电路构成了与线圈L1并联连接的电容器，但是也可以将单个电容器与线圈L1并联连接。此外，虽然经由两个电容器CrA、CrB将LC并联谐振电路与RFIC2连接，但是也可以经由单个电容器将LC并联谐振电路与RFIC2连接。或者，也可以将LC并联谐振电路直接连接于RFIC2。上述的内容对于发送侧也是同样的。
《第2实施方式》
在第2实施方式中，示出内部的构造与在第1实施方式中示出的例子不同的RFID模块、以及具备该RFID模块的RFID标签。
图7是RFID标签202的立体图。RFID标签202通过在长方体形状的导电体1搭载RFID模块102而构成。若用电路图来表示RFID模块102以及RFID标签202，则与第1实施方式中图1所示的结构相同。在RFID模块102的内部设置有图1所示的RFIC2、线圈L1、L2以及其它电路部件。
在图7所示的坐标轴下，导电体1沿着X-Y面呈面状扩展，并具有沿着X轴方向的长边方向。在俯视下(在Z轴方向上观察)，RFID模块102配置在导电体1的沿着长边方向的一边S1的位置，并且配置在一边S1的比两端靠中央的位置。
图8是示出RFID模块102内的结构的透视立体图。RFID模块102具备基板10。在该基板10上形成有由导电构件形成的线圈L1、L2。此外，在基板10的表面安装有片式电容器C1A、C1B、CrA、CrB、C2A、C2B、CtA、CtB等。线圈L1、L2以及上述片式电容器在基板10的上表面被模塑树脂11被覆。
根据图7、图8可明确，设置在RFID模块102的内部的线圈L1、L2的线圈开口处于X-Z面，线圈L1、L2的线圈卷绕轴朝向Y轴方向。在该例子中，线圈L1、L2的线圈卷绕轴为同轴。
如图7中虚线所示的磁通围绕导电体1，在导电体1流过实线的箭头所示的电流i。像这样，导电体1作为辐射体(辐射元件)而发挥作用。
与第1实施方式同样地，在本实施方式中，线圈L1也是受电用的，因此通过在导电体1感应出电流i而产生的磁通与线圈L1的线圈开口交链。由此，在线圈L1感应出电流。此外，线圈L2是发送用的，因此通过在线圈L2流过发送信号的电流，从而在导电体1感应出电流i，并作为电磁波向周围辐射。
流过导电体1的电流i由于边缘效应而集中于导电体1的沿着一边S1的部位。此外，与长边方向上的两端相比，中央部的电流密度高。在本实施方式中，RFID模块102的线圈L1、L2的线圈卷绕轴在上述俯视下与一边S1正交(在三维下是扭转了90度的角度的位置的关系)，因此导电体1与线圈L1、L2的耦合度高。因此，导电体1的作为辐射元件的作用效果高。
特别是，因为线圈L1位于比线圈L2靠上述一边S1的位置，所以导电体1和线圈L1的耦合度比导电体1和线圈L2的耦合度高。因此，只要将要求更高的耦合度的一者靠一边S1配置即可。
《第3实施方式》
在第3实施方式中，示出发送耦合部相对于导电体进行电场耦合的RFID模块以及RFID标签。
图9是示出第3实施方式涉及的RFID标签203的电路结构的图。该RFID标签203包含导电体1和RFID模块103，该RFID模块103配置在与该导电体1进行电磁场耦合的位置。
RFID模块103具备RFIC2、与该RFIC2连接的受电耦合部PR、以及与RFIC2连接的发送耦合部PS。受电耦合部PR的结构如第1实施方式中图1所示。第3实施方式中的发送耦合部PS具备相对于导电体1进行电场耦合的面状导体31、32。该面状导体31、32经由电感器LB串联地连接。而且，该面状导体31、32以及电感器LB的电路经由电容器CtA、CtB与RFIC2的发送端子Tx+、Tx-连接。面状导体31、32、电感器LB以及电容器CtA、CtB的串联电路构成LC谐振电路，其谐振频率被规定在发送频带内。由此，从RFIC2的发送端子Tx+、Tx-观察了发送耦合部PS侧的阻抗成为给定的匹配的阻抗。
图9中的箭头线表示了在发送耦合部PS的面状导体31、32与导电体1之间产生的电力线E。像这样，发送耦合部PS相对于导电体1进行电场耦合。
图10是RFID标签203的立体图。RFID标签203通过在长方体形状的导电体1搭载RFID模块103而构成。在RFID模块103的内部设置有图9所示的RFIC2、线圈L1、电感器LB以及其它电路部件。
在图10所示的坐标轴下，导电体1沿着X-Y面呈面状扩展，并具有沿着X轴方向的长边方向。在俯视下(在Z轴方向上观察)，RFID模块103配置在导电体1的沿着长边方向的一边S1的位置，并且配置在一边S1的比两端靠中央的位置。而且，RFID模块103的内部的线圈L1的线圈卷绕轴配置为朝向Y轴方向。
图11是示出RFID模块103内的结构的透视立体图。RFID模块103具备基板10。在该基板10上形成有由导电构件形成的线圈L1以及面状导体32。在基板10的下表面形成有面状导体31。此外，在基板10的表面安装有片式电容器CtA、CtB、片式电感器LB等片式部件。线圈L1以及上述片式部件在基板10的上表面被模塑树脂11被覆。线圈L1以及与其连接的电路部分的结构与图4、图5、图8所示的例子相同。在图11中所示的例子中，为了减轻由于RFIC2和面状导体32的耦合而产生的杂散电容，在面状导体32形成有开口部H。
面状导体31、32相对于线圈L1的线圈卷绕轴平行。因此，不易由于穿过线圈L1的线圈开口的磁通而在面状导体31、32产生涡电流。也就是说，面状导体31、32不会对线圈L1和导电体1的磁场耦合造成不良影响。此外，由于面状导体31、32在俯视下远离线圈L1，所以线圈L1不会对面状导体31、32和导电体1的电场耦合造成不良影响。
在图10中，表示了与线圈L1交链且围绕导电体1的磁通中。在本实施方式中，如图10所示，进行磁场耦合的线圈L1配置在导电体1的沿着长边方向(X轴方向)的一边的位置，并且配置在一边的比两端靠中央的位置，因此导电体1和线圈L1的耦合度高。因此，导电体1的作为辐射元件的作用效果高。
在本实施方式中，在发送频率下激励电场，使得在导电体1的短边方向(Y轴方向)上承载电压强度分布的半波长或者1/4波长。在图10中，表示了在面状导体31、32与导电体1之间产生的电力线E。面状导体31、32配置在导电体1的短边方向(Y轴方向)上的比中央靠边缘(边S1)(向边缘偏移)的位置。因此，面状导体31、32和导电体1的电场耦合高，受电电力以高效率对RFIC2进行供电。
在图10、图11所示的例子中，将受电用线圈L1配置于在发送频率下承载半波长或者1/4波长的导电体1的方向(短边方向(Y轴方向))上的最端部，但是在面状导体31、32和导电体1的电场耦合优先的情况下，也可以在导电体1将RFID模块103配置为面状导体31、32位于比线圈L1更靠导电体1的短边方向(Y轴方向)上的端部。
另外，虽然在图9所示的例子中，经由两个电容器CtA、CtB将电感器LB和面状导体31、32的连接电路与RFIC2连接，但是也可以经由单个电容器与RFIC2连接。此外，也可以是，面状导体31、32中的一者与导电体1直接(直流地)导通。例如，在面状导体32与导电体1导通的情况下，通过面状导体31和导电体1的电位差，在其间产生电场。
《第4实施方式》
在第4实施方式中，示出发送耦合部和导电体的耦合构造、或者受电耦合部和导电体的耦合构造与到此为止示出的例子不同的RFID模块以及RFID标签。
图12是示出第4实施方式涉及的RFID标签204A的电路结构的图。该RFID标签204A包含导电体1和RFID模块104A，该RFID模块104A配置在与该导电体1进行电磁场耦合的位置。
RFID模块104A具备RFIC2、与该RFIC2连接的受电耦合部PR、以及与RFIC2连接的发送耦合部PS。受电耦合部PR具备相对于导电体1进行电场耦合的面状导体41、42。该面状导体41、42经由电感器LA串联地连接。而且，该面状导体41、42以及电感器LA的电路经由电容器Cr与RFIC2的受电端子Rx+、Rx-连接。发送耦合部PS具备相对于导电体1进行电场耦合的面状导体31、32。该面状导体31、32经由电感器LB串联地连接。而且，该面状导体31、32以及电感器LB的电路经由电容器Ct与RFIC2的发送端子Tx+、Tx-连接。
图12中的箭头线分别表示了在受电耦合部PR的面状导体41、42与导电体1之间产生的电力线E、以及在发送耦合部PS的面状导体31、32与导电体1之间产生的电力线E。像这样，受电耦合部PR、发送耦合部PS均相对于导电体1进行电场耦合。
面状导体41、42、电感器LA以及电容器Cr的串联电路构成LC谐振电路，其谐振频率规定在受电频带内。由此，从RFIC2的受电端子Rx+、Rx-观察了受电耦合部PR侧的阻抗成为给定的匹配的阻抗。同样地，面状导体31、32、电感器LB以及电容器Ct的串联电路构成LC谐振电路，其谐振频率规定在发送频带内。由此，从RFIC2的发送端子Tx+、Tx-观察了发送耦合部PS侧的阻抗成为给定的匹配的阻抗。
也可以像该RFID标签204A那样，构成为RFID模块104A的受电耦合部、发送耦合部均相对于导电体1进行电场耦合。
图13是示出第4实施方式涉及的另一个RFID标签204B的电路结构的图。该RFID标签204B包含导电体1和RFID模块104B，该RFID模块104B配置在与该导电体1进行电磁场耦合的位置。
RFID模块104B具备RFIC2、与该RFIC2连接的受电耦合部PR、以及与RFIC2连接的发送耦合部PS。受电耦合部PR具备相对于导电体1进行电场耦合的面状导体41、42。该面状导体41、42经由电感器LA串联地连接。而且，该面状导体41、42以及电感器LA的电路经由电容器Cr与RFIC2的受电端子Rx+、Rx-连接。发送耦合部PS包含相对于导电体1进行磁场耦合的线圈L2。在该线圈L2并联连接电容器C2而构成了LC并联谐振电路。该LC并联谐振电路与RFIC2的发送端子Tx+、Tx-连接。
也可以像该RFID标签204B那样，构成为RFID模块104B的受电耦合部相对于导电体1进行电场耦合，且发送耦合部相对于导电体1进行磁场耦合。
《第5实施方式》
在第5实施方式中，示出具备具有不平衡端子的RFIC的RFID模块以及RFID标签。
图14(A)是示出第5实施方式涉及的RFID标签205A的电路结构的图。该RFID标签205A包含导电体1和RFID模块105A，该RFID模块105A配置在与该导电体1进行电磁场耦合的位置。
RFID模块105A具备RFIC2和与该RFIC2连接的受电耦合部PR以及发送耦合部PS。受电耦合部PR具备相对于导电体1进行电场耦合的面状导体41。在该面状导体41串联连接有电感器LA。而且，该面状导体41以及电感器LA的电路经由电容器Cr连接在RFIC2的受电端子Rx与接地GND之间。发送耦合部PS具备相对于导电体1进行电场耦合的面状导体31。在该面状导体31串联连接有电感器LB。而且，该面状导体31以及电感器LB的电路经由电容器Ct连接在RFIC2的发送端子Tx与接地GND之间。而且，接地GND与导电体1连接。
图14(B)是示出第5实施方式涉及的另一个RFID标签205B的电路结构的图。该RFID标签205B包含导电体1和RFID模块105B，该RFID模块105B配置在与该导电体1进行电磁场耦合的位置。
RFID模块105B具备RFIC2和与该RFIC2连接的受电耦合部PR以及发送耦合部PS。发送耦合部PS具备相对于导电体1进行磁场耦合的线圈L2。在该线圈L2并联连接有电容器C2。而且，该并联电路连接在RFIC2的发送端子Tx与接地GND之间。而且，接地GND与导电体1连接。受电耦合部的结构与RFID模块105A相同。
像这样，还能够使用具备不平衡端子的RFIC。此外，也可以是，受电耦合部PR或者发送耦合部PS与导电体1直接导通。
《第6实施方式》
在第6实施方式中，示出RFID模块相对于导电体的搭载位置与到此为止示出的例子不同的RFID标签。
图15(A)是RFID标签205A的立体图，图15(B)是RFID标签205B的立体图。任一RFID标签均通过在长方体形状的导电体1搭载RFID模块104A而构成。RFID模块104A的结构如第4实施方式中图12所示。
在图15(A)所示的例子中，在俯视下(在Z轴方向上观察)，RFID模块104A配置在导电体1的长边方向(X轴方向)上的端部，并且配置在短边方向(Y轴方向)上的中央。此外，在图15(B)所示的例子中，在俯视下(在Z轴方向上观察)，RFID模块104A配置在导电体1的长边方向(X轴方向)上的端部，并且配置在短边方向(Y轴方向)上的端部。
在本实施方式中，在发送频率下或者在受电频率下激励电场，使得在导电体1的长边方向(X轴方向)上承载电压强度分布的半波长或者1/4波长。因此，如图15(A)、图15(B)所示，通过在俯视下(在Z轴方向上观察)将RFID模块104A配置在导电体1的长边方向(X轴方向)上的端部，从而可得到高的电场耦合强度。
此外，在第1频率下激励电场而使得在导电体1的长边方向(X轴方向)上承载电压强度分布的半波长或者1/4波长并且在第2频率下激励电场而使得在导电体1的短边方向(Y轴方向)上承载电压强度分布的半波长或者1/4波长的情况下，如图15(B)所示，通过将RFID模块104A配置在导电体1的长边方向上的端部，并且配置在短边方向上的端部，从而在第1频率以及第2频率中的任一频率下均可得到高的电场耦合强度。
最后，上述的实施方式的说明在所有的方面均为例示，而不是限制性的。对本领域技术人员而言，能够适当地进行变形以及变更。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，本实用新型的范围包含与权利要求书等同的范围内的从实施方式进行的变更。
例如，在以上所示的任一实施方式中，受电耦合部PR都是单个，但是也可以设置多个受电耦合部。此外，也可以使用具有多个受电端子Rx+、Rx-的RFIC。此外，在该情况下，也可以设置进行磁场耦合的受电耦合部和进行电场耦合的受电耦合部。
此外，在图6中，示出了通过在物品300设置RFID模块101而构成带RFID标签的物品301的例子，但是作为RFID模块，能够应用在第2实施方式以后的实施方式中示出的结构的RFID模块，这是不言而喻的。
附图标记说明
C1A、C1B、CrA、CrB、C2A、C2B、CtA、CtB：片式电容器；
C2、Cr、Ct：电容器；
GC：接地导体；
L1：受电用的线圈；
L2：发送用的线圈；
LA、LB：电感器；
PR：受电耦合部；
PS：发送耦合部；
Rx、Rx+、Rx-：受电端子；
S1：边；
Tx、Tx+、Tx-：发送端子；
1：导电体；
2：RFIC；
8：粘着层；
10：基板；
11：模塑树脂；
31、32、41、42：面状导体；
101、102、103、104A、104B、105A、105B：RFID模块；
201、202、203、204A、204B、205A、205B：RFID标签；
300：物品；
301：带RFID标签的物品。

Claims (14)

1.一种RFID模块，配置在与导电体进行电磁场耦合的位置，其特征在于，具备：
RFIC，输入接收受电用的电磁波而感应的电力，并输出RFID用的发送信号；
受电耦合部，与所述导电体进行电磁场耦合而接收所述受电用的电力；以及
发送耦合部，与所述导电体进行电磁场耦合而向所述导电体输出所述RFID用的发送信号。
2.根据权利要求1所述的RFID模块，其特征在于，
所述受电耦合部包含相对于所述导电体进行磁场耦合的线圈。
3.根据权利要求1或2所述的RFID模块，其特征在于，
所述受电耦合部包含相对于所述导电体进行电场耦合的面状导体。
4.根据权利要求1或2所述的RFID模块，其特征在于，
所述发送耦合部包含相对于所述导电体进行磁场耦合的线圈。
5.根据权利要求1或2所述的RFID模块，其特征在于，
所述发送耦合部包含相对于所述导电体进行电场耦合的面状导体。
6.根据权利要求2所述的RFID模块，其特征在于，
所述导电体呈面状扩展，具有长边方向，
所述进行磁场耦合的线圈配置在所述导电体的沿着长边方向的一边的位置，并且配置在所述一边的比两端靠中央的位置。
7.根据权利要求3所述的RFID模块，其特征在于，
所述导电体呈面状扩展，
所述进行电场耦合的所述面状导体配置在与所述导电体的中央相比靠边缘的位置。
8.根据权利要求2所述的RFID模块，其特征在于，
具备与所述线圈一起进行LC谐振的电容器。
9.根据权利要求3所述的RFID模块，其特征在于，
具备与所述面状导体连接的电感器以及电容器，通过所述面状导体、所述电感器以及所述电容器构成了LC谐振电路。
10.根据权利要求1或2所述的RFID模块，其特征在于，
所述导电体呈面状扩展，
所述受电用的电磁波所属的频带和所述发送信号所属的频带相同。
11.根据权利要求1或2所述的RFID模块，其特征在于，
所述导电体呈面状扩展，
所述RFID模块还具备：
第1电容器，与所述受电耦合部连接；以及
第2电容器，与所述发送耦合部连接，
通过所述受电耦合部以及所述第1电容器构成受电用LC谐振电路，
通过所述发送耦合部以及所述第2电容器构成发送用LC谐振电路，
所述受电用LC谐振电路的谐振频率所属的频带和所述发送用LC谐振电路的谐振频率所属的频带相同。
12.一种RFID标签，其特征在于，
包含权利要求1或2所述的RFID模块和所述导电体。
13.根据权利要求12所述的RFID标签，其特征在于，
所述导电体呈面状扩展，
在所述导电体扩展的面的法线方向上观察，所述RFID模块全部与所述导电体重叠。
14.一种带RFID标签的物品，其特征在于，
包含权利要求1或2所述的RFID模块和一部分或全部为所述导电体的物品。
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