CN217334018U - 一种半导体处理设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半导体处理设备，其包括：竖向叠放的两个半导体处理模块，每个半导体处理模块内设置有一台半导体处理装置；紧邻所述半导体处理模块的第一侧设置的设备前端组件；设置于所述半导体处理模块上方的风机过滤模块；位于所述半导体处理模块下方的流体承载模块；和紧邻所述半导体处理模块的与第一侧相邻的第二侧设置的阀门模块，所述阀门模块包括多个受控阀门。本实用新型中的半导体处理设备由几个模块组成，具有结构简单，组装方便灵活、结构紧凑等特点，还能够提高晶圆的处理效率。

Description

一种半导体处理设备

【技术领域】

本实用新型涉及半导体处理领域，尤其涉及一种对半导体晶圆进行处理的半导体处理设备。

【背景技术】

申请号为201610446274.2，申请日为2016年06月21日的中国专利申请公开了一种模块化半导体处理设备。然而这种半导体处理设备每次只能处理一个晶圆，处理能力和效率较低。对于需要处理大量晶圆的应用来说，这种模块化半导体处理设备的处理效率明显不能满足要求。

在集成电路芯片制造生产中,几乎每道工序都有可能对晶圆表面造成污染，影响器件的性能和寿命,甚至能使整个晶圆上的大多数器件报废,造成低良率。因此，在结构较复杂的芯片制造过程中，尤其是高端小刻线的芯片制造过程，晶圆表面污染的监测和控制是确保生产良率和芯片质量的重要环节。

在半导体制造行业，存在各种各样的晶圆表面的污染检测技术，可以把他们分成物理方法和化学方法两大类。物理方法主要是利用光电原理了检测晶圆表面的污染，如全反射X荧光(TXRF)分析技术、表面光电压法(SPV)及扫描电镜(SEM)和二次离子质谱仪(SIMS)等。化学方法主要是采用微量的化学混合溶液，在晶圆表面扫描，与晶圆表面上的污染物发生化学和物理反应，将污染物溶解并收集到溶液中。选用合适的测量仪器，定性定量地测量收集到溶液里的污染元素或离子或分子的浓度。可换算成晶圆单位面积上某污染物的原子个数或离子个数或分子个数。

在高端芯片的制造过程中，非常痕量的污染，尤其是金属污染，就能导致生产良率和芯片质量的降低。污染监控是确保芯片生产良率和芯片性能质量的重要环节。污染监控的整个检测过程，包括取样和测量，每一个环节的每一步骤的洁净度决定了检测方法的检出限和准确度。尽可能地简化取样和测量步骤，减少可能的污染来源，实现全自动在线取样、测量和数据分析能确保和提升检测的能力和质量。因此，需要一个流体处理装置，该装置能够收集从污染物提取设备，如动态薄层晶圆表面污染取样设备，送出来的提取溶液，然后再把提取溶液输送给测量仪器，如电感耦合等离子体质谱仪。该装置还能够精准收集微量的多种化学溶液，进行自动混合后送给取样设备或测量仪器；还能自动进行超净清洗，确保整个过程的超净。

【实用新型内容】

本实用新型要解决的技术问题在于提供一种半导体处理设备，其具有结构简单，组装方便灵活、结构紧凑等特点，还能够提高晶圆的处理效率。

为了解决上述问题，根据本实用新型的一个方面，本实用新型提供了一种半导体处理设备，其包括：竖向叠放的两个半导体处理模块，每个半导体处理模块内设置有一台半导体处理装置，所述半导体处理装置包括：第一腔室部、第二腔室部和驱动第二腔室部可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的驱动部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入，第一腔室部和/第二腔室部上设置有与所述微腔室连通的一个或多个通孔，所述通孔用于向所述微腔室内引入或引出流体；紧邻所述半导体处理模块的第一侧设置的设备前端组件，其包括晶圆承载装置和晶圆搬运装置，所述晶圆搬运装置通过机械手将晶圆承载装置中的半导体晶圆放入所述半导体处理装置的第一腔室部和第二腔室部之间，从所述半导体处理装置的第一腔室部和第二腔室部之间取出所述半导体晶圆并搬运至所述晶圆承载装置；设置于所述半导体处理模块上方的风机过滤模块，所述风机过滤模块包括风机过滤模组件，所述风机过滤模组件向所述半导体处理模块方向提供清洁空气；位于所述半导体处理模块下方的流体承载模块，用于承载各种未使用过的流体和/或已使用过的流体；和紧邻所述半导体处理模块的与第一侧相邻的第二侧设置的阀门模块，所述阀门模块包括多个受控阀门，通过所述受控阀门将所述流体承载模块提供的流体通过管线和所述通孔受控的传输至所述微腔室内，通过所述受控阀门将所述微腔室内的流体通过管线和所述通孔受控的传输至所述流体承载模块。

与现有技术相比，本实用新型中的半导体处理设备由几个模块组成，具有组装方便灵活、结构紧凑的特点，并且能够提高晶圆的处理效率。

关于本实用新型的其他目的，特征以及优点，下面将结合附图在具体实施方式中详细描述。

【附图说明】

结合参考附图及接下来的详细描述，本实用新型将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中：

图1为本实用新型中的半导体处理设备在一个实施例中的立体结构示意图；

图2为去除设备前端组件后的半导体处理设备的一个角度的立体结构示意图；

图3为去除设备前端组件后的半导体处理设备的另一个角度的立体结构示意图；

图4为本实用新型中的风机过滤模块的立体结构示意图；

图5为本实用新型中的半导体处理模块的立体结构示意图；

图6为本实用新型中的流体承载模块的立体结构示意图；

图7为本实用新型中的阀门模块的立体结构示意图；

图8为本实用新型中的阀门模块去除受控阀门后的两个角度的立体结构示意图；

图9为本实用新型中的控制模块的立体结构示意图；

图10为本实用新型中的厂务对接模块的立体结构示意图；

图11为本实用新型中的半导体处理设备在一个实施例中的原理结构示意图；

图12a为本实用新型中的半导体处理装置在一个实施例中的剖视示意图；

图12b为图12a中的圈A的放大示意图；

图12c为图12a中的圈B的放大示意图；

图13a为本实用新型中的下腔室部在一个实施例中的俯视图；

图13b为图13a中的圈C的放大示意图；

图13c为图13a中的圈D的放大示意图；

图13d为沿图13a中的剖面线A-A的剖视示意图；

图13e为图13d中的圈E的放大示意图；

图13f为图13d中的圈F的放大示意图；

图14a为本实用新型中的上腔室部在一个实施例中的俯视图；

图14b为图14a中的圈G的放大示意图；

图14c为图14a中的圈H的放大示意图。

【具体实施方式】

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指与所述实施例相关的特定特征、结构或特性至少可包含于本实用新型至少一个实现方式中。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非必须都指同一个实施例，也不必须是与其他实施例互相排斥的单独或选择实施例。本实用新型中的“多个”、“若干”表示两个或两个以上。本实用新型中的“和/或”表示“和”或者“或”。

半导体处理设备

图1为本实用新型中的半导体处理设备在一个实施例中的立体结构图。图2 为去除设备前端组件后的半导体处理设备的一个角度的立体结构示意图。图3 为去除设备前端组件后的半导体处理设备的另一个角度的立体结构示意图。图 11为本实用新型中的半导体处理设备在一个实施例中的原理结构示意图；

如图1-3所示的，所述半导体处理设备包括：竖向叠放的两个半导体处理模块40、设置于所述半导体处理模块40上方的风机过滤模块30、紧邻所述半导体处理模块40的第一侧设置的设备前端组件10、位于所述半导体处理模块40 下方的流体承载模块50、紧邻所述半导体处理模块40的与第一侧相邻的第二侧设置的阀门模块80、与所述阀门模块80并排设置的控制模块70。

图5为本实用新型中的半导体处理模块40的立体结构示意图。每个半导体处理模块包括支撑框以及设置于支撑框内的一台半导体处理装置41。所述支撑框的外侧面可以由挡板遮挡，以使得外观更为美观，同时也将外部环境隔开。每个半导体处理装置41包括第一腔室部、第二腔室部和驱动第二腔室部可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的驱动部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入，第一腔室部和/第二腔室部上设置有与所述微腔室连通的一个或多个通孔，所述通孔用于向所述微腔室内引入或引出流体。所述驱动部可以是气囊，通过给气囊的充放气实现上下腔室部的开合。通过通孔将提取液引入所述微腔室，进入所述微腔室的提取液在所述半导体晶圆表面流动以溶解所述半导体晶圆表面上的污染物，随后溶解有污染物的提取液经过所述通孔流出所述微腔室，这样实现了污染物的高浓度的取样。由于在微腔室中取样，使用的提取液的量非常小，节省了提取液的用量，另外由于提取液的量小，污染物在提取液中的浓度较高，检出效果会更好。关于半导体处理装置41的详细介绍以及使用原理将会在下文详细描述，这里暂不详述。

如图2所示的，所述设备前端组件10包括晶圆承载装置和晶圆搬运装置，所述晶圆搬运装置通过机械手将晶圆承载装置中的半导体晶圆放入所述半导体处理装置的第一腔室部和第二腔室部之间，从所述半导体处理装置的第一腔室部和第二腔室部之间取出所述半导体晶圆并搬运至所述晶圆承载装置。所述设备前端组件10可以同时为两个半导体处理装置41传输半导体晶圆，这样可以大大的提高所述半导体处理设备的处理效率，提高半导体晶圆的处理量。所述设备前端组件10包括封闭式壳体，所述晶圆承载装置和所述晶圆搬运装置设置于所述封闭式壳体内，这样可以提供相对封闭的空间。如图1所示的，所述设备前端组件10位于所述半导体处理模块40、阀门模块80的同一侧。

图4为本实用新型中的风机过滤模块的立体结构示意图。如图4所示的，所述风机过滤模块30包括支撑框和放置于所述支撑框内的风机过滤模组件31，所述风机过滤模组件31向所述半导体处理模块40方向提供清洁空气。

所述流体承载模块50用于承载各种未使用过的流体和/或已使用过的流体。图6为本实用新型中的流体承载模块50的立体结构示意图。所述流体承载模块 50包括支撑框及放置于所述支撑框内的多个容器51，所述容器51容纳用于处理所述半导体晶圆所需要的各种未使用流体和/或处理过所述半导体晶圆的各种已使用流体。所述流体承载模块50还包括安装于所述支撑框上的面板(未图示)。所述容器51可以是存储瓶，其内可以存储未使用过的溶液、超纯水、化学液等，也可以存储回收的废液，也可以容纳各种气体。所述存储瓶可以包括化学液瓶、空气瓶、真空瓶及废液瓶等。所述流体承载模块50中还可以放置有真空泵，所述真空泵可以提供驱动动力。所述容器是可以承受较高压力的容器，这样在所述容器被加压时，所述容器中的流体可以通过管线被压出来。

图7为本实用新型中的阀门模块的立体结构示意图。所述阀门模块80包括多个受控阀门81，所述受控阀门81包括旋转阀和气动阀，这些受控阀门81分成两组，两组受控阀门81分别对应两个半导体处理装置41。如图11所示的，通过所述受控阀门81将所述流体承载模块50提供的流体通过管线82和所述通孔受控的传输至所述微腔室内，通过所述受控阀门81将所述微腔室内的流体通过管线82和所述通孔受控的传输至所述流体承载模块50的容器51内。所述管线为能够通过气体或液体的管道。

图9为本实用新型中的控制模块70的立体结构示意图。每个控制模块包括支撑框和控制单元71，如图11所示的，所述控制单元71通过线缆73与所述半导体处理装置41、所述受控阀门81电性相连，所述控制单元71通过控制所述驱动部控制所述半导体处理装置41的打开和关闭，所述控制单元71控制所述阀门模块80中的受控阀门81。所述控制单元71通过线缆73与所述真空泵电性相连，所述控制单元71控制所述流体承载模块50中的真空泵，所述真空泵用于提供负压驱动所述流体承载模块的容器51中的流体进入所述微腔室，或者，驱动所述微腔室内的流体流出并进入所述流体承载模块50的容器51中。在其他实施例中，所述控制模块70也可以是一个或两个等，可以根据需要的所述控制单元71的体积来决定使用几个所述控制模块，各个控制单元71之间可以互相电性相连，也可以互相独立。另外，也可以向所述容器中加压，驱动所述容器中的流体流出，经过受控阀门、管线进入所述半导体处理装置41内，从所述半导体处理装置41流出的流体也可以被加压的气体，比如氮气，驱动着流出而进入所述容器51或其他管道中。

如图9所示的，所述控制模块70包括位于下部的气体厂务组件72，所述气体厂务组件72包括各种阀门以将工厂提供的气体接入所述半导体处理设备，以给所述容器提供压力，或者给所述半导体处理装置微腔室提供气体。

如图1所示的，所述半导体处理设备还包括安装于设备前端组件10上的人机交互控制台20。所述人机交互控制台20可以与所述控制单元71相连，也可以与设备前端组件10中的晶圆承载装置和晶圆搬运装置相连，从而可以配置和控制所述晶圆承载装置、所述晶圆搬运装置、所述控制单元71。通过所述人机交互控制台20可以实现半导体处理设备的人机交互。

如图1-3所示的，所述半导体处理设备还包括设置于所述半导体处理模块40的与第二侧相对的第三侧的厂务对接模块95。图10为本实用新型中的厂务对接模块的立体结构示意图。所述厂务对接模块95包括厂务液体对接组件、标液模块和出样模块96(图11)，所述厂务液体对接组件包括阀门组件、自动控制组件、加热模块等。所述厂务液体对接组件用于将工厂提供的各种液体传输至所述流体承载模块50的容器51中。

所述半导体处理设备还包括设置于所述厂务对接模块95一侧的等离子体质谱仪90。

如图2、8、10所示的，所述半导体处理设备还包括位于所述阀门模块80 和所述半导体处理模块40之间以及位于所述厂务对接模块95和所述半导体处理模块40之间的通风组件60。所述通风组件包括有一个或多个通风管61。如图8所示的，一个通风管61和所述阀门模块80集成在一起。如图10所示的，另一个通风管61和所述厂务对接模块95集成在一起。气体从所述通风管61的侧面进入，从所述通风管61的顶部排出。当然，根据需要，也可以设置更多个或更少的通风管61。所述风机过滤模块30和所述通风组件60配合，可以使得所述半导体处理设备内部可以保持空气干净，挥发的各种化学液气体能够被及时带走。所述厂务对接模块95、所述半导体处理模块40和所述阀门模块80中都会流入腐蚀性的化学液，这些化学液挥发后会对设备造成损坏，因此需要对这几个模块进行通风处理。

下面介绍一下半导体处理设备的工作原理。

在使用时，所述设备前端组件10可以给两个半导体处理模块同时提供半导体晶圆，或从两个半导体处理模块中取出晶圆。这样两个半导体处理模块可以同步的对半导体晶圆进行处理，提高了处理效率。对于每个半导体处理装置，都有自己对应的受控阀门81、控制单元71、线缆73、管线82和容器51。所述控制单元71通过控制所述受控阀门81、真空泵和/或容器中的气压将所述容器 51中的提取液送入所述半导体处理装置的微腔室内，所述提取液在所述半导体晶圆表面流动以溶解所述半导体晶圆表面上的污染物，随后溶解有污染物的提取液经过所述通孔、管线被传送至所述厂务对接模块95的出样模块96中，所述出样模块中的溶解有污染物的提取液被传送至所述等离子体质谱仪90进行检测。

在一些应用中，所述控制单元71通过控制所述受控阀门81、真空泵和/或容器中的气压将所述容器51中的清洗液送入所述半导体处理装置的微腔室内，以对所述半导体晶圆表面进行清洗，清洗后的废液经过所述通孔、所述受控阀门81、管线被传送至所述容器51中。

在一些应用中，通过控制受控阀门81可以利用所述容器51中的液体进行配液，从而可以得到所述提取液，所述提取液可以被盛放在一个容器51中待用。

在一个实施例中，从所述微处理腔内排出的废液都可以直接通过厂务对接模块95排出至工厂的废液中心。

半导体处理装置

图12a为本实用新型中的半导体处理装置100在一个实施例中的剖视示意图。图12b为图12a中的圈A的放大示意图；图12c为图12a中的圈B的放大示意图。如图12a所示的，所述半导体处理装置100包括上腔室部110和下腔室部120。所述半导体处理装置100可以用作上文所述的半导体处理装置41。所述半导体处理装置的驱动部在此实施例中并未示出。

所述上腔室部110包括上腔室板111和自上腔室板的周边向下延伸而成的第一凸缘112。所述下腔室部120包括下腔室板121和在所述下腔室板121的周边向下凹陷而成的第一凹槽122。

所述上腔室部110可相对于下腔室部120在打开位置和关闭位置之间移动。在所述上腔室部110相对于下腔室部120处于打开位置时，可以将待处理半导体晶圆放置于所述下腔室部120的内壁表面上，或者可以从所述下腔室部120 的内壁表面上取出所述待处理半导体晶圆。在所述上腔室部110相对于下腔室部120处于关闭位置时，在所述上腔室部110相对于下腔室部120处于关闭位置时，所述第一凸缘112与第一凹槽122配合，以在上腔室板和下腔室板之间形成密封的微腔室，所述待处理半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，等待被后续处理。

图13a为本实用新型中的下腔室部120在一个实施例中的俯视图。图13b 为图13a中的圈C的放大示意图。图13c为图13a中的圈D的放大示意图。图 13d为沿图13a中的剖面线A-A的剖视示意图。图13e为图13d中的圈E的放大示意图。图13f为图13d中的圈F的放大示意图。

结合图13a-13f所示，所述下腔室部120具有自该下腔室部120面向所述微腔室的内壁表面123凹陷形成的凹槽道124、自外部穿过该下腔室部以与所述凹槽道124的第一位置连通的第一通孔125和自外部穿过该下腔室部以与所述凹槽道124的第二位置连通的第二通孔126。所述凹槽道124的截面可以为U形、 V形或半圆形，还可以是其他形状。所述凹槽道124内的通孔数量可以大于或等于1个。

如图12a、12b和12c所示的，在所述上腔室部110相对于下腔室部120位于所述关闭位置且所述待处理半导体晶圆200容纳于所述微腔室内时，所述待处理半导体晶圆200的一个表面(下表面)与形成所述凹槽道124的内壁表面 123相抵靠，此时所述凹槽道124借助所述待处理半导体晶圆200的所述表面的阻挡形成一条封闭通道，该条封闭通道通过第一通孔125和第二通孔126与外部相通。在应用时，处理流体能够通过第一通孔125进入所述封闭通道，进入所述封闭通道的流体能够沿所述封闭通道的导引前行，此时所述处理流体能够接触到并处理所述待处理半导体晶圆200的所述表面的部分区域，处理过所述待处理半导体晶圆200的所述表面的流体能够通过第二通孔126流出并被提取。这样，这样不仅可以精确的控制处理流体的流动方向以及流动速度，还可以大大节省处理流体的用量。

在一个实施例中，如图13a、13b和13c所示的，所述凹槽道124环绕形成螺旋状，其中第一通孔125位于所述螺旋状的凹槽道中心区域(圈D的区域)，第二通孔126位于所述螺旋状的凹槽道124周边区域(圈C的区域)。第一通孔125可以被用作为入口，第二通孔126可以被用作为出口。在其他实施例中，也可以将第一通孔125可以被用作为出口，第二通孔126可以被用作为入口。

在一个实施例中，如图13d、13e和13f所示的，第一通孔125包括与所述凹槽道124直接相通且较所述凹槽道124更深、更宽的第一缓冲口部125a和与该第一缓冲口部125a直接相通的第一通孔部125b。由于设置了第一缓冲口部 125a，可以避免处理流体通过第一通孔125进入的初速度过快导致所述半导体晶圆的中心区域被过分处理。第二通孔126包括与所述凹槽道124直接相通且较所述凹槽道124更深、更宽的第二缓冲口部126a和与该第二缓冲口部126a 直接相通的第二通孔部126b。由于设置了第二缓冲口部126a，可以防止处理流体不能及时从第二通孔126排出而溢出。优选的，第一缓冲口部125a可以为锥形凹槽，第二缓冲口部126a可以为圆柱形凹槽。

图14a为本实用新型中的上腔室部110在一个实施例中的俯视图；图14b 为图14a中的圈G的放大示意图；图14c为图14a中的圈H的放大示意图。

结合图14a至14c所示的，所述上腔室部110包括上腔室板111和自上腔室板111的周边向下延伸而成的第一凸缘112。上腔室部110具有自该上腔室部面向所述微腔室的内壁表面113凹陷形成的凹槽道113，形成于上腔室部的内壁表面113上的凹槽道114的槽壁(相邻的凹槽道114之间的部分)与形成于下腔室部120的内壁表面123上的凹槽道124的槽壁(相邻的凹槽道124之间的部分)相对应(图12b、图12c)。这样，在所述上腔室部110相对于下腔室部120 位于所述关闭位置且所述待处理半导体晶圆200容纳于所述微腔室内时，所述上腔室部110的凹槽道114的槽壁能够抵压所述待处理半导体晶圆200的相应位置，并使得所述待处理半导体晶圆200能够更紧地抵靠于所述下腔室部120 的凹槽道124的槽壁上，使得最后形成的封闭通道的封闭性能更好。此外，形成于上腔室部的内壁表面113上的凹槽道114的槽壁(相邻的凹槽道114之间的部分)与形成于下腔室部120的内壁表面123上的凹槽道124的槽壁(相邻的凹槽道124之间的部分)也可以相交错排布。

本实用新型还提出了一种利用上述半导体处理装置的半导体处理方法。所述半导体处理方法包括如下步骤。

步骤一、将下腔室部120置于相对于上腔室部110的打开位置；

步骤二，将待处理半导体晶圆放于下腔室部120和第二腔室部110之间；

步骤三，将下腔室部120置于相对于上腔室部110的关闭位置；

步骤四，通过第一通孔125向所述凹槽道124内注入提取液；

步骤五，用驱动流体推动所述提取液沿所述封闭通道行进直到第二通孔126；

步骤六，从第二通孔126提取所述提取液。

在一个实施例中，基于提取液可以进行元素的检测，这样可以得到待处理半导体晶圆的表面上残留的元素以及其浓度。该方法可以用于对表面只有容易在提取液中溶解的隔离层以及表面没有任何隔离层的单晶硅晶圆片的表面污染的检测。

在一个实施例中，所述驱动流体为不易反应的超纯气体或超纯液体，比如氮气、氦气、氩气、超纯水、丙酮、四氯甲烷等。

在一个实施例中，在通过第一通孔向所述凹槽道内注入提取液前，所述方法还包括：通过第一通孔125向所述凹槽道124内注入反应流体，以使得所述反应流体与其接触到的所述待处理半导体晶圆的表面进行反应。

这样，对于表面具有不容易在提取液中溶解的或者溶解速度缓慢的隔离层的单晶硅晶圆片的表面污染检测。

上述说明已经充分揭露了本实用新型的具体实施方式。需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本实用新型的具体实施方式所做的任何改动均不脱离本实用新型的权利要求书的范围。相应地，本实用新型的权利要求的范围也并不仅仅局限于前述具体实施方式。

Claims (10)

1.一种半导体处理设备，其特征在于，其包括：

竖向叠放的两个半导体处理模块，每个半导体处理模块内设置有一台半导体处理装置，所述半导体处理装置包括：第一腔室部、第二腔室部和驱动第二腔室部可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的驱动部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入，第一腔室部和/第二腔室部上设置有与所述微腔室连通的一个或多个通孔，所述通孔用于向所述微腔室内引入或引出流体；

紧邻所述半导体处理模块的第一侧设置的设备前端组件，其包括晶圆承载装置和晶圆搬运装置，所述晶圆搬运装置通过机械手将晶圆承载装置中的半导体晶圆放入所述半导体处理装置的第一腔室部和第二腔室部之间，从所述半导体处理装置的第一腔室部和第二腔室部之间取出所述半导体晶圆并搬运至所述晶圆承载装置；

设置于所述半导体处理模块上方的风机过滤模块，所述风机过滤模块包括风机过滤模组件，所述风机过滤模组件向所述半导体处理模块方向提供清洁空气；

位于所述半导体处理模块下方的流体承载模块，用于承载各种未使用过的流体和/或已使用过的流体；和

紧邻所述半导体处理模块的与第一侧相邻的第二侧设置的阀门模块，所述阀门模块包括多个受控阀门，通过所述受控阀门将所述流体承载模块提供的流体通过管线和所述通孔受控的传输至所述微腔室内，通过所述受控阀门将所述微腔室内的流体通过管线和所述通孔受控的传输至所述流体承载模块。

2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述流体承载模块包括支撑框及放置于所述支撑框内的多个容器，所述容器容纳用于处理所述半导体晶圆所需要的各种未使用流体和/或处理过所述半导体晶圆的已使用流体，

所述流体承载模块中放置有真空泵，所述真空泵用于提供负压以驱动所述流体承载模块的容器中的流体通过管线和所述受控阀门进入所述微腔室，和/或驱动所述微腔室内的流体流出并通过管线和所述受控阀门进入所述流体承载模块的容器中，通过在所述容器内加压以驱动所述容器内流体通过管线和所述受控阀门进入所述微腔室，

所述受控阀门包括旋转阀和气动阀。

3.根据权利要求2所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包括：

与所述阀门模块并排设置的控制模块，所述控制模块包括支撑框和控制单元，所述控制单元通过线缆与所述半导体处理装置、所述受控阀门相连，所述控制单元控制所述半导体处理装置的打开和关闭，所述控制单元控制所述受控阀门，

其中所述控制模块包括位于下部的气体厂务组件，所述气体厂务组件包括各种阀门以将工厂提供的气体接入所述半导体处理设备，以给所述容器提供压力，或者给所述半导体处理装置微腔室提供气体。

4.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，其还包括：

位于所述阀门模块和所述半导体处理模块之间的通风组件，所述通风组件包括有一个或多个通风管，气体从所述通风管的侧面进入，从所述通风管的顶部排出。

5.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，其还包括：

人机交互控制台，安装于设备前端组件上；

所述设备前端组件包括有封闭式壳体，所述晶圆承载装置和所述晶圆搬运装置设置于所述封闭式壳体内。

6.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，其还包括：

设置于所述半导体处理模块的与第二侧相对的第三侧的厂务对接模块，所述厂务对接模块包括厂务液体对接组件、标液模块和出样模块，所述厂务液体对接组件包括阀门组件、自动控制组件、加热模块；

设置于所述厂务对接模块一侧的等离子体质谱仪。

7.根据权利要求6所述的半导体处理设备，其特征在于，将所述流体承载模块一个容器中的提取液通过所述受控阀门、管线、通孔送入所述微腔室，所述提取液在所述半导体晶圆表面流动以溶解所述半导体晶圆表面上的污染物，随后溶解有污染物的提取液经过所述通孔、管线被传送至所述出样模块中，所述出样模块中的溶解有污染物的提取液被传送至所述等离子体质谱仪进行检测。

8.根据权利要求7所述的半导体处理设备，其特征在于，在每个半导体处理装置中，

第一腔室部具有自该第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面凹陷形成的凹槽道、自外部穿过该第一腔室部以与所述凹槽道的第一位置连通的第一通孔和自外部穿过该第一腔室部以与所述凹槽道的第二位置连通的第二通孔，

在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述半导体晶圆容纳于所述微腔室内时，所述半导体晶圆的一个表面与形成所述凹槽道的内壁表面相抵靠，此时所述凹槽道借助所述半导体晶圆的所述表面的阻挡形成一条封闭通道，该条封闭通道通过第一通孔和第二通孔与外部相通，提取液能够通过第一通孔进入所述封闭通道，进入所述封闭通道的流体能够沿所述封闭通道的导引前行，此时所述流体能够接触到并处理所述半导体晶圆的所述表面的部分区域，处理过所述半导体晶圆的所述表面的流体能够通过第二通孔流出并被提取。

9.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其特征在于，所述凹槽道环绕形成螺旋状，其中第一通孔位于所述螺旋状的凹槽道中心区域，第二通孔位于所述螺旋状的凹槽道周边区域。

10.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其特征在于，第二腔室部具有自该第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面凹陷形成的凹槽道，形成于第一腔室部的内壁表面上的凹槽道的槽壁与形成于第二腔室部的内壁表面上的凹槽道的槽壁相对应。

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