CN217324406U - 一种碳纤维保温材料结构pvt单晶体生长装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种碳纤维保温材料结构PVT单晶体生长装置，涉及单晶体制备装置技术领域，包括顶板，所述顶板的下端设有底板，所述顶板与所述底板之间设有保温侧壁，所述顶板的中间位置贯穿设有防护筒，所述底板的中间位置贯穿设有支撑座，所述支撑座的上端设有坩埚，所述防护筒的下端抵在所述坩埚的上端，所述底板的上端且在所述支撑座的外部设有阻热圈，所述顶板及所述保温侧壁的内表面设有碳纤维保温罩，所述碳纤维保温罩的内部且与所述坩埚对应的位置设有石墨加热器，提升单晶体生长装置的保温能力，在籽晶生长过程中保持梯度温度，保证石英坩埚内部及上部温度达到要求的同时，保证单晶体生长装置内温度的可控性。
Description
技术领域
本实用新型涉及单晶体制备装置技术领域，具体涉及一种碳纤维保温材料结构PVT单晶体生长装置。
背景技术
在碳化硅晶体生长过程中，保证坩埚底和坩埚顶有较高可控的温度梯度非常重要。把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚，通过石墨加热器产生的高温将其熔化；然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体(称作籽晶)插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长，在籽晶生长过程中需要保持单晶硅生长炉内保持梯度温度，保证石英坩埚内部及上部温度达到要求的同时，需要保证单晶体生长装置内温度的可控性。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种碳纤维保温材料结构PVT单晶体生长装置，以解决上述背景技术中提出的在籽晶生长过程中需要保持单晶硅生长炉内保持梯度温度，保证石英坩埚内部及上部温度达到要求的同时，需要保证单晶体生长装置内温度的可控性的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种碳纤维保温材料结构PVT单晶体生长装置，包括顶板，所述顶板的下端设有底板，所述顶板与所述底板之间设有保温侧壁，所述顶板的中间位置贯穿设有防护筒，所述底板的中间位置贯穿设有支撑座，所述支撑座的上端设有坩埚，所述防护筒的下端抵在所述坩埚的上端，所述底板的上端且在所述支撑座的外部设有阻热圈，所述顶板及所述保温侧壁的内表面设有碳纤维保温罩，所述碳纤维保温罩的内部且与所述坩埚对应的位置设有石墨加热器。
优选的，所述石墨加热器的上端设有固定脚，所述固定脚的内部设有固定螺母，所述固定螺母通过螺栓与所述顶板固定连接，所述固定脚与所述顶板之间设有定距管，所述碳纤维保温罩的上壁与所述定距管对应的位置开设有通孔，所述定距管通过所述通孔贯穿所述碳纤维保温罩。
优选的，所述顶板及所述底板与所述保温侧壁接触的表面外沿处设有限位沿，所述保温侧壁的上下端外表面抵在所述限位沿上，所述底板的上表面与所述阻热圈对应的位置设有卡接沿，所述阻热圈与所述卡接沿卡接。
优选的，所述碳纤维保温罩的上壁中间位置开设有出料口，所述防护筒贯穿所述出料口。
优选的，所述底板的上表面且在所述阻热圈与所述碳纤维保温罩之间设有耐热砖。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过在生长装置的顶板及保温侧壁的内表面设置碳纤维保温罩，减少单晶体生长装置内部热量对外的散失，在石墨加热器提升单晶体生长装置内部温度后，保持单晶体生长装置内部梯度温度，提升单晶体生长装置的保温能力，在籽晶生长过程中单晶硅生长炉内保持梯度温度，保证石英坩埚内部及上部温度达到要求的同时，保证单晶体生长装置内温度的可控性。
附图说明
图1为本实用新型的主体结构轴测图；
图2为本实用新型的主体结构主视剖视图；
图3为本实用新型的碳纤维保温罩结构轴测图；
图4为本实用新型的石墨加热器结构轴测图；
图5为本实用新型的耐热砖结构轴测图。
图中：1-顶板、2-底板、3-保温侧壁、4-防护筒、5-支撑座、6-坩埚、7-阻热圈、8-碳纤维保温罩、9-石墨加热器、10-固定脚、11-固定螺母、12-定距管、13-通孔、14-限位沿、15-卡接沿、16-出料口、17-耐热砖。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-5，本实用新型提供一种碳纤维保温材料结构PVT单晶体生长装置，包括顶板1，所述顶板1的下端设有底板2，所述顶板1与所述底板2之间设有保温侧壁3，所述顶板1的中间位置贯穿设有防护筒4，所述底板2的中间位置贯穿设有支撑座5，所述支撑座5的上端设有坩埚6，所述防护筒4的下端抵在所述坩埚6的上端，所述底板2的上端且在所述支撑座5的外部设有阻热圈7，所述顶板1及所述保温侧壁3的内表面设有碳纤维保温罩8，所述碳纤维保温罩8的内部且与所述坩埚6对应的位置设有石墨加热器9。
使用时，通过保温侧壁3将顶板1与底板2连接到一起，并在保温侧壁3及顶板1的内部设置碳纤维保温罩8，在单晶体生长时，通过石墨加热器9对坩埚6进行加热，将坩埚6及坩埚6内部的单晶体加热到需要的温度，并通过阻热圈7阻挡热量直接传递到支撑座5上，对支撑座5进行防护，通过碳纤维保温罩8对顶板1、底板2及保温侧壁进行保温，生长出来的单晶体通过防护筒4从坩埚6的内部缓慢向上拉出，避免加热时的碎屑迸溅到单晶体上。
所述石墨加热器9的上端设有固定脚10，所述固定脚10的内部设有固定螺母11，所述固定螺母11通过螺栓与所述顶板1固定连接，所述固定脚10与所述顶板1之间设有定距管12，所述碳纤维保温罩8的上壁与所述定距管12对应的位置开设有通孔13，所述定距管12通过所述通孔13贯穿所述碳纤维保温罩8，通过螺栓与固定螺母11的连接，将固定脚10固定在顶板1上，并在固定脚10与顶板1之间设置定距管12，限定石墨加热器9与顶板1之间的距离，通过在碳纤维保温罩8上设置通孔13，使得定距管12能贯穿碳纤维保温罩8抵在顶板1上。
所述顶板1及所述底板2与所述保温侧壁3接触的表面外沿处设有限位沿14，所述保温侧壁3的上下端外表面抵在所述限位沿14上，所述底板2的上表面与所述阻热圈7对应的位置设有卡接沿15，所述阻热圈7与所述卡接沿15卡接，通过在顶板1及底板2上设置限位沿14，对保温侧壁3进行固定，并通过限位沿14对保温侧壁3进行防护，在底板2上设置卡接沿15使得阻热圈7与底板2卡接。
所述碳纤维保温罩8的上壁中间位置开设有出料口16，所述防护筒4贯穿所述出料口16，在碳纤维保温罩8上开设出料口16，使得防护筒4贯穿碳纤维保温罩8。
所述底板2的上表面且在所述阻热圈7与所述碳纤维保温罩8之间设有耐热砖17，在底板2的上表面且在阻热圈7与碳纤维保温罩8之间设置耐热砖17，避免热量通过底板2向外散失。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (5)
1.一种碳纤维保温材料结构PVT单晶体生长装置，其特征在于：包括顶板(1)，所述顶板(1)的下端设有底板(2)，所述顶板(1)与所述底板(2)之间设有保温侧壁(3)，所述顶板(1)的中间位置贯穿设有防护筒(4)，所述底板(2)的中间位置贯穿设有支撑座(5)，所述支撑座(5)的上端设有坩埚(6)，所述防护筒(4)的下端抵在所述坩埚(6)的上端，所述底板(2)的上端且在所述支撑座(5)的外部设有阻热圈(7)，所述顶板(1)及所述保温侧壁(3)的内表面设有碳纤维保温罩(8)，所述碳纤维保温罩(8)的内部且与所述坩埚(6)对应的位置设有石墨加热器(9)。
2.根据权利要求1所述的一种碳纤维保温材料结构PVT单晶体生长装置，其特征在于：所述石墨加热器(9)的上端设有固定脚(10)，所述固定脚(10)的内部设有固定螺母(11)，所述固定螺母(11)通过螺栓与所述顶板(1)固定连接，所述固定脚(10)与所述顶板(1)之间设有定距管(12)，所述碳纤维保温罩(8)的上壁与所述定距管(12)对应的位置开设有通孔(13)，所述定距管(12)通过所述通孔(13)贯穿所述碳纤维保温罩(8)。
3.根据权利要求1所述的一种碳纤维保温材料结构PVT单晶体生长装置，其特征在于：所述顶板(1)及所述底板(2)与所述保温侧壁(3)接触的表面外沿处设有限位沿(14)，所述保温侧壁(3)的上下端外表面抵在所述限位沿(14)上，所述底板(2)的上表面与所述阻热圈(7)对应的位置设有卡接沿(15)，所述阻热圈(7)与所述卡接沿(15)卡接。
4.根据权利要求1所述的一种碳纤维保温材料结构PVT单晶体生长装置，其特征在于：所述碳纤维保温罩(8)的上壁中间位置开设有出料口(16)，所述防护筒(4)贯穿所述出料口(16)。
5.根据权利要求1所述的一种碳纤维保温材料结构PVT单晶体生长装置，其特征在于：所述底板(2)的上表面且在所述阻热圈(7)与所述碳纤维保温罩(8)之间设有耐热砖(17)。
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