CN217240314U - 一种基于集成电路的ovp保护电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及集成电路芯片的过压保护技术领域，具体涉及到一种基于集成电路的OVP保护电路。本申请的一种基于集成电路的OVP保护电路，包括过压保护IC，所述过压保护IC内部设置有三极管，外部通过导线连接有第一电阻、第二电阻，所述第二电阻另一端通过导线分别连接有稳压二极管D4、第三电阻，所述第三电阻另一端通过导线连接有第一电容C1，所述第一电容C1、稳压二极管D4、第一电阻分别通过导线连接外部电源，实现对大电压的冲击抵抗，有效地避免了由于大电压冲击而产生的损坏。本实用新型结构简单，设计合理，成本低廉，有效地解决了大电压输入而导致产品损坏的问题。

Description

一种基于集成电路的OVP保护电路

技术领域

本实用新型涉及集成电路芯片的过压保护技术领域，具体涉及到一种基于集成电路的OVP保护电路。

背景技术

随着电子技术的不断发展，电子产品被广泛应用到各种场合。电池作为电子产品的电源，也被广泛的使用。为了提高电池使用的安全性和延长电池的使用寿命，都会设置专门的电池保护电路以实现对电池的保护。

目前，公知的电池保护板系统是由电池管理IC和保护IC组成，当输入有大电压时，电池管理IC会被大电压冲击损坏，导致整个保护板不工作。

实用新型内容

本实用新型的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种基于集成电路的OVP保护电路。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：一种基于集成电路的OVP保护电路，包括过压保护IC，所述过压保护IC内部设置有三极管，外部通过导线连接有第一电阻、第二电阻，所述第二电阻另一端通过导线分别连接有稳压二极管D4、第三电阻，所述第三电阻另一端通过导线连接有第一电容，所述第一电容、稳压二极管D4、第一电阻分别通过导线连接外部电源。

进一步的，过压保护IC为MOS管芯片。

进一步的，MOS管芯片设置有管脚INGND1、SWGND2、OVFLAG3、SWOUT4、FB5、OVFLAG6，其中所述管脚INGND1与管脚SWGND2相连接，所述管脚OVFLAG3与管脚OVFLAG6相连接。

进一步的，外部电源设置有第一电源引脚VIN、第二电源引脚VIN，所述第一电源引脚VIN通过导线连接有第二电容，且所述第二电容另一端连接于管脚INGND1、SWGND2。

进一步的，第一电源引脚VIN通过导线连接有稳压二极管D3，且所述稳压二极管D3另一端连接于管脚INGND1、SWGND2。

进一步的，管脚FB5与所述第一电容相连接。

进一步的，管脚SWOUT4接地。

进一步的，过压保护IC为ETA7008主芯片。

进一步的，稳压二极管D4为5.6V稳压二极管。

进一步的，第二电阻、第三电阻设置为10k，第一电阻设置为100K。

本实用新型的有益效果：由上述对本实用新型的描述可知，与现有技术相比，本实用新型的一种基于集成电路的OVP保护电路，包括过压保护IC，所述过压保护IC内部设置有三极管，外部通过导线连接有第一电阻、第二电阻，所述第二电阻另一端通过导线分别连接有稳压二极管D4、第三电阻，所述第三电阻另一端通过导线连接有第一电容C1，所述第一电容C1、稳压二极管D4、第一电阻分别通过导线连接外部电源，实现对大电压的冲击抵抗，有效地避免了由于大电压冲击而产生的损坏。本实用新型结构简单，设计合理，成本低廉，有效地解决了大电压输入而导致产品损坏的问题。

附图说明

图1为本实用新型优选实施例中一种基于集成电路的OVP保护电路的结构示意图；

图2本实用新型优选实施例中过压保护IC的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

参照图1所示，本实用新型的优选实施例，一种基于集成电路的OVP保护电路，包括过压保护IC，所述过压保护IC内部设置有三极管，外部通过导线连接有第一电阻、第二电阻，所述第二电阻另一端通过导线分别连接有稳压二极管D4、第三电阻，所述第三电阻另一端通过导线连接有第一电容C8，所述第一电容C8、稳压二极管D4、第一电阻分别通过导线连接外部电源，实现对大电压的冲击抵抗，有效地避免了由于大电压冲击而产生的损坏。本实用新型结构简单，设计合理，成本低廉，有效地解决了大电压输入而导致产品损坏的问题。

作为本实用新型的优选实施例，其还可具有以下附加技术特征：过压保护IC为MOS管芯片，该MOS管芯片设置有管脚INGND1、SWGND2、OVFLAG3、SWOUT4、FB5、OVFLAG6，其中所述管脚INGND1与管脚SWGND2相连接，所述管脚OVFLAG3与管脚OVFLAG6相连接。

本实施例中，外部电源设置有第一电源引脚VIN、第二电源引脚VIN，所述第一电源引脚VIN通过导线连接有第二电容C7，且所述第二电容C7另一端连接于管脚INGND1、SWGND2；其中第一电源引脚VIN通过导线连接有稳压二极管D3，且所述稳压二极管D3另一端连接于管脚INGND1、SWGND2。

本实施例中，管脚FB5与所述第一电容C1相连接。

本实施例中，管脚SWOUT4接地。

本实施例中，过压保护IC为ETA7008主芯片。

本实施例中，稳压二极管D4为5.6V稳压二极管；第二电阻、第三电阻设置为10k，第一电阻设置为100K，有效避免大电压输入而导致产品损坏的问题。

本实用新型的工作原理：整个电路由过压保护IC，3个电阻，2个电容，1个稳压二极管组成。通过第二电阻R18和第三电阻R20负责过压条件的IC内部三极管导通，实现对大电压的冲击抵抗，D4为5.6V稳压二极管，R17负责正常电压下IC内部MOS导通。

当输入的电压低于5.6V时，D4没有被击穿，处于截至状态，因此IC内部的三极管Q1通过第二电阻R18和第三电阻R20上拉到第一电源VIN，处于截至状态，IC内部的MOS通过第一电阻R17满足导通条件而导通；

当输入电压大于5.6V时，稳压二极管D4反向击穿，将电压稳定在5.6V，Q1达到导通条件开始导通，而MOS管GS相当于短接，此时第二电源VIN1无输出，从而实现对大电压的冲击抵抗，有效地避免了由于大电压冲击而产生的损坏。

在不出现冲突的前提下，本领域技术人员可以将上述附加技术特征自由组合以及叠加使用。

可以理解，本实用新型是通过一些实施例进行描述的，本领域技术人员知悉的，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，可以对这些特征和实施例进行各种改变或等效替换。另外，在本实用新型的教导下，可以对这些特征和实施例进行修改以适应具体的情况及材料而不会脱离本实用新型的精神和范围。因此，本实用新型不受此处所公开的具体实施例的限制，所有落入本申请的权利要求范围内的实施例都属于本实用新型所保护的范围内。

Claims (10)

1.一种基于集成电路的OVP保护电路，其特征在于：包括过压保护IC，所述过压保护IC内部设置有三极管，外部通过导线连接有第一电阻、第二电阻，所述第二电阻另一端通过导线分别连接有稳压二极管D4、第三电阻，所述第三电阻另一端通过导线连接有第一电容，所述第一电容、稳压二极管D4、第一电阻分别通过导线连接外部电源。

2.根据权利要求1所述的基于集成电路的OVP保护电路，其特征在于：所述过压保护IC为MOS管芯片。

3.根据权利要求2所述的基于集成电路的OVP保护电路，其特征在于：所述MOS管芯片设置有管脚INGND1、SWGND2、OVFLAG3、SWOUT4、FB5、OVFLAG6，其中所述管脚INGND1与管脚SWGND2相连接，所述管脚OVFLAG3与管脚OVFLAG6相连接。

4.根据权利要求3所述的基于集成电路的OVP保护电路，其特征在于：所述外部电源设置有第一电源引脚VIN、第二电源引脚VIN，所述第一电源引脚VIN通过导线连接有第二电容，且所述第二电容另一端连接于管脚INGND1、SWGND2。

5.根据权利要求4所述的基于集成电路的OVP保护电路，其特征在于：所述第一电源引脚VIN通过导线连接有稳压二极管D3，且所述稳压二极管D3另一端连接于管脚INGND1、SWGND2。

6.根据权利要求3所述的基于集成电路的OVP保护电路，其特征在于：所述管脚FB5与所述第一电容相连接。

7.根据权利要求3所述的基于集成电路的OVP保护电路，其特征在于：所述管脚SWOUT4接地。

8.根据权利要求1所述的基于集成电路的OVP保护电路，其特征在于：所述过压保护IC为ETA7008主芯片。

9.根据权利要求1所述的基于集成电路的OVP保护电路，其特征在于：所述稳压二极管D4为5.6V稳压二极管。

10.根据权利要求1所述的基于集成电路的OVP保护电路，其特征在于：所述第二电阻、第三电阻设置为10k，第一电阻设置为100K。

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