CN217086843U - 一种基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器,包括:设置在横向波导的上下两侧的金属层,所述横向波导一侧的金属层内设置有至少一个菱形谐振腔,所述横向波导另一侧的金属层内设置有至少一个矩形谐振腔;所述横向波导的对称中心、所述菱形谐振腔的对称中心与所述矩形谐振腔的对称中心相对应,并位于同一水平线上。
Description
技术领域
本实用新型涉及光电子技术领域,尤其涉及一种基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器。
背景技术
表面等离子体是一种特殊的电磁波,它是由外来电磁波与金属中的自由电子相互作用而产生的倏逝波,其沿着金属-介质表面向前传播,并在垂直界面方向呈指数衰减。表面等离子体最大的特点就是能够突破经典衍射极限,可以在亚波长尺度下进行传输和调控,与光子晶体器件相比,等离子体器件可用于设计高集成度的光电路。一般地,适合芯片集成的表面等离子体波导可以分为两种基本类型:即绝缘体-金属-绝缘体(IMI)和金属-绝缘体-金属(MIM)结构。IMI波导在远距离脉冲传输上的损失较小,但它不能将光限制在亚波长范围内,不适合进行高光学集成。而MIM波导具有较强的光学约束能力,能够完成长距离脉冲传输。因此,MIM波导近年来受到了广泛的关注,加速了波导器件在光学元件中的应用。滤波器的结构也会对滤波效果产生影响。因此,实现在亚波长尺度下对于电磁波传输的操纵,并在固定波长位置实现滤波是目前光电子技术领域急需解决的问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提出一种基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器。
基于上述目的,本实用新型提出一种基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器,包括:设置在横向波导的上下两侧的金属层,所述横向波导一侧的金属层内设置有至少一个菱形谐振腔,所述横向波导另一侧的金属层内设置有至少一个矩形谐振腔;所述横向波导的对称中心、所述菱形谐振腔的对称中心与所述矩形谐振腔的对称中心相对应,并位于同一水平线上。
可选的,所述金属背腔的材料为银。
可选的,所述菱形谐振腔、所述矩形谐振腔和所述横向波导的内部填充介质为空气。
可选的,所述横向波导宽度设置为50nm。
可选的,所述菱形谐振腔的边长范围为250nm~360nm。
可选的,所述菱形谐振腔与所述横向波导之间的耦合距离范围为10nm~30nm;所述矩形谐振腔与所述横向波导之间的耦合距离范围为10nm~30nm。
可选的,所述横向波导的长度不小于所述金属层的长度。
可选的,所述横向波导一侧延伸到所述金属层的边缘形成光源入射端;所述横向波导另一侧延伸到所述金属层的边缘形成光源出射端。
可选的,所述菱形谐振腔两侧设置有探测器,以探测所述菱形谐振腔的入射光功率和出射光功率。
从上面所述可以看出,本实用新型提供的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器,由于横向波导中的电磁波在传输过程中部分波长被耦合到菱形谐振腔,电磁波的能量在菱形谐振腔的四个角形成稳定的驻波,使入射的电磁波在菱形谐振腔内发生了强烈的共振,与此同时,腔内的电磁场也会在传输过程中返回波导,与在横向波导中本来传输的电磁波发生相干相消,使得该电磁波在横向波导内有效传输的电磁波急剧减少,从而在传输特性曲线上形成了比较低的透射率谷底。进一步地,通过矩形谐振腔可以使电磁波的能量集中在矩形谐振腔的两端,在矩形谐振腔内形成稳定的驻波,进一步降低了滤波器的最小透射率,增强了滤波器的滤波效果。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例所提供的带有菱形谐振腔滤波器的结构示意图。
图2为本实用新型实施例所提供的带有菱形谐振腔滤波器理论值和模拟值的透射率示意图。
图3(a)-(b)为本实用新型实施例所提供的带有菱形谐振腔滤波器的磁场分布图示意图。
图4(a)-(b)为本实用新型实施例改变菱形谐振腔与横向波导之间的耦合距离以及菱形谐振腔边长参数后透过率变化示意图。
图5为本实用新型实施例所提供的带有矩形谐振腔滤波器的结构示意图。
图6为本实用新型实施例所提供的带有矩形谐振腔滤波器的滤波特性示意图。
图7为本实用新型实施例所提供的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器的结构示意图。
图8为本实用新型实施例所提供的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器的透过率示意图。
图9(a)-(b)为本实用新型实施例所提供的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器的磁场分布示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本公开进一步详细说明。
需要说明的是,除非另外定义,本实用新型使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本实用新型中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
如背景技术部分所述,MIM波导近年来受到了广泛的关注,加速了波导器件在光学元件中的应用。基于表面等离子体的滤波器是一类非常重要的光子器件,在通信工程、微波工程以及纳米光子学中有着很重要的地位。
实用新型人在实现本公开的过程中发现,基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器可以实现在亚波长尺度下对于电磁波传输的操纵,并在固定波长位置实现滤波效果,具有高透过滤和增强效果。
以下,通过具体的实施例进一步详细说明本实用新型的技术方案。
参考图1,为本实用新型实施例所提供的带有菱形谐振腔滤波器的结构示意图。
作为一个可选的实施例,该带有菱形谐振腔滤波器主要是由一条横向波导和一个菱形谐振腔组成,图1中阴影部分为第一介质,空白部分为第二介质,在具体实施中,可以根据实际情况对第一介质和第二介质的材质进行选择。本实用新型实施例中第一介质的材质优选为银,第二介质的材料为空气,空气的相对介电常数被设定为εd=1,银的相对介电常数ε∞可以根据Drude模型得出:
其中,ε∞为银的相对介电常数,ωp为等离子体的谐振频率,也就是金属导体中自由电子共振时的固有频率,ω为入射电磁波的角频率,γ为共振时的阻尼衰减频率,其中,银的相对介电常数ε∞的取值为ε∞=3.7,等离子体的谐振频率ωp的取值为ωp=1.38×1016rad/s,共振时的阻尼衰减频率γ的取值为γ=2.37×1013rad/s。
进一步地,由于滤波器的滤波特性与波导结构相关,所以需要确定本实用新型实施例中所提出的滤波器的结构参数。
作为一个可选的实施例,优选菱形谐振腔与横向波导的耦合距离d1=10nm,菱形谐振腔的边长L=350nm,横向波导的宽度为w=50nm。横向波导的最左侧设置有一入射光源,该入射光源的入射光线与横向波导平行,以使入射光可以在横向波导中有效地激发表面等离子体。菱形谐振腔的左右两侧分别设置有探测器,该探测器用来探测入射光光功率Pin和出射光光功率Pout。本实用新型实施例中入射光的透射率可以定义为:
T=Pout/Pin
其中,T为入射光的透射率,Pin为入射光光功率,Pout为出射光光功率。
作为一个可选的实施例,优选横向波导的宽度远小于入射光电磁波的波长,因此,本实用新型可以在TM模式下进行,TM模式(TM mode)即为在波导中,磁场的纵向分量为零,而电场的纵向分量不为零的传播模式。
进一步地,当TM模式的偏振光通过横向波导时,其沿着第一介质-第二介质的表面同时激发表面等离子体波,入射光电磁波被激发部分频率的表面等离体子波会被耦合进菱形谐振腔,可以满足以下色散关系:
其中,εi为空气的介电常数,εm为银的介电常数,k0为真空状态下入射光的入射波长的矢量,βspp为该滤波器的传播常数,neff为该滤波器结构的有效折射率,λ为真空状态下入射光的入射波长。
在具体实施中,入射光电磁波被激发部分频率的表面等离体子波会被耦合进菱形谐振腔,基于谐振腔的原理,只有在满足以下谐振条件下,才能在菱形谐振腔的空腔内建立稳定的驻波:
其中,Leff为菱形谐振腔的有效长度。
基于谐振腔的原理驻波形成的条件是:
其中,m为共振模式级数。
进一步地,由于考虑到ω频率下的角频带数为:
可得共振波长为:
进一步地,图1中为横向波导中的入射波,为横向波导中的出射波,其中,±为波导模式的传播方向,an(n=1,2)为第n个谐振模式的能量振幅。耦合模理论(coupled-mode theory)是指研究两个或多个电磁波模式间耦合的一般规律的理论。耦合可以发生在同一波导(腔体)中不同的电磁波的模式之间,也可以发生在不同波导的电磁波模式之间
在本实用新型实施例中,耦合模理论(coupled-mode theory)的公式可以如下表示:
其中,ωn为第n个谐振模式的谐振角频率。1/τin=ωn/(2Qin)和1/τcn=ωn/(2Qcn)分别为内部损耗和耦合到菱形谐振器腔内损耗的衰减率(n=1,2)。Qin和Qcn是相应的内部和腔体的质量因子。
进一步地,根据能量守恒定律,可以得到方程:
进一步地,根据上述公式,可以得到本实用新型实施例所提供的带有菱形谐振腔滤波器得的传递函数:
T=|t|2
参考图2,为本实用新型实施例所提供的带有菱形谐振腔滤波器理论值和模拟值的透射率示意图。
线1和线2分别代表本实用新型实施例所提供的带有菱形谐振腔滤波器的模拟值和理论值,由图2可知,在波长范围为550nm到1000nm出现了两个谷底,谷底的出现表示该波长的电磁波在菱形谐振腔内发生了强烈的共振,由于横向波导中的电磁波在传输过程中部分波长被耦合到菱形谐振腔,与此同时,腔内的电磁场也会在传输过程中返回波导,与在波导中本来传输的电磁波发生相干相消,使得该波长的电磁波在波导内传输的电磁波急剧减少,从而在传输特性曲线上形成了比较低的透射率谷底。线2参数C=1,当共振角频率ω1=2.93×1015rad/s和ω2=2.23×1015rad/s,τc1=116.71fs,τc2=189.61fs,τi1=421.56 fs,τi2=506.93fs。
参考图3(a)-(b),为本实用新型实施例所提供的带有菱形谐振腔滤波器的磁场分布图示意图。
图3(a)和(b)两个峰对应的共振波长分别为λ1=643nm、λ2=845nm,能量集中在菱形谐振腔内,形成明显的驻波,难以继续传播,因此在出口处几乎没有磁场。λ1和λ2的最小透射率分别为12.52%和14.27%,具有较好的滤波效果。半峰全宽(FWHM)分别为4.8nm和5.5nm,品质因子Q(Q=λm/FWHM),Q1=136,Q2=154。
作为一个可选的实施例,菱形谐振腔与横向波导之间的耦合距离范围以及菱形谐振腔边长参数可以根据实际需求进行灵活设置,在本实用新型实施例中,菱形谐振腔与横向波导之间的耦合距离范围优选为10nm~30nm;矩形谐振腔与横向波导之间的耦合距离范围优选为10nm~30nm。菱形谐振腔的边长范围优选为250nm~360nm。
参考图4(a)-(b),为本实用新型实施例改变菱形谐振腔与横向波导之间的耦合距离以及菱形谐振腔边长参数后透过率变化示意图。
由图4(a)可知,当菱形谐振腔与横向波导之间的耦合距离d1增加时,透射谱线上的共振峰会发生轻微蓝移,最小透过率逐渐增大。由图4(b)可知,随着菱形边长L的增大,共振峰发生红移现象并且最小透过率逐渐增大。
参考图5,为本实用新型实施例所提供的带有矩形谐振腔滤波器的结构示意图。
作为一个可选的实施例,该带有矩形谐振腔滤波器主要是由一条横向波导和一个矩形谐振腔组成。具体地,横向波导和矩形谐振腔的宽度都是w,矩形谐振腔的长度为L2,横向波导和矩形谐振腔之间的距离为d2,各参数分别设置为:L2=265nm,w=50nm,d2=50nm。
参考图6,为本实用新型实施例所提供的带有矩形谐振腔滤波器的滤波特性示意图。
在波长范围为550nm到1000nm出现了一个谷底,对应的共振波长为λ1=845nm,其最小透射率为34.62%,具有较好的滤波效果,半峰全宽为7nm,可以发现矩形谐振腔滤波器与上述提出的菱形谐振腔滤波器具有相同的共振波长。
参考图7,为本实用新型实施例所提供的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器的结构示意图。
作为一个可选的实施例,该滤波器包括:设置在横向波导1的上下两侧的金属层,横向波导1一侧的金属层2内设置有一个菱形谐振腔4,横向波导1另一侧的金属层3内设置有一个矩形谐振腔5;横向波导1的对称中心、菱形谐振腔的对称中心与矩形谐振腔的对称中心相对应,并位于同一水平线上。
该实施例为上述带有菱形谐振腔的滤波器和带有矩形谐振腔的滤波器的结合体,其具体参数与上述所述带有菱形谐振腔的滤波器和带有矩形谐振腔的滤波器的参数保持一致。
具体地,菱形谐振腔4与横向波导1的耦合距离d1=10nm,菱形谐振腔4的边长L=350nm,横向波导1的宽度为w=50nm。横向波导1和矩形谐振腔5的宽度都是w,矩形谐振腔5的长度为L2,横向波导1和矩形谐振腔5之间的距离为d2,各参数分别设置为:L2=265nm,d2=50nm。横向波导1的最左侧设置有一入射光源SPPS,该入射光源的入射光线Pin与横向波导1平行,以使入射光线Pin可以在横向波导1中有效地激发表面等离子体。菱形谐振腔4的左右两侧分别设置有探测器,该探测器用来探测入射光光功率Pin和出射光光功率Pout。
参考图8,为本实用新型实施例所提供的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器的透过率示意图。
当波长范围为550nm-1000nm时,共振波长λ1=643nm,最小透射率为12.66%,半峰全宽为4.8nm,λ2=845nm,最小透射率为0.17%,半峰全宽为6.1nm。从上述数据中可以发现,在带有菱形谐振腔的滤波器的基础上添加矩形谐振腔,可以在共振波长λ2=845nm处达到增强效果,增强约为14.10%。
参考图9(a)-(b),为本实用新型实施例所提供的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器的磁场分布示意图。
图9(a)为共振波长λ1=643nm时的磁场分布图,由图可知,第一个共振波长位置的最小透射率没有明显的变化。图9(b)为共振波长λ2=845nm时的磁场分布图,由图可知,驻波主要在菱形腔中形成,菱形腔与矩形腔都耦合能量,所以该滤波器的最小透射率低于滤波器1,达到增强的效果。
需要说明的是,本实用新型实施例提供的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器的菱形谐振腔和矩形谐振腔的可以灵活设置,相互交换。此外,可以但不限于包括一个菱形谐振腔和一个矩形谐振腔,还可以包括至少两个菱形谐振腔和至少两个矩形谐振腔,每一组菱形谐振腔与矩形谐振腔的设置方式与上述所述的菱形谐振腔与矩形谐振腔的设置方式相同,其实现的滤波特性也相应增强,在此不再赘述。
从上面所述可以看出,本实用新型提供的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器,由于横向波导中的电磁波在传输过程中部分波长被耦合到菱形谐振腔,使入射的电磁波在菱形谐振腔内发生了强烈的共振,与此同时,腔内的电磁场也会在传输过程中返回波导,与在横向波导中本来传输的电磁波发生相干相消,使得该电磁波在横向波导内有效传输的电磁波急剧减少,从而在传输特性曲线上形成了比较低的透射率谷底。进一步通过矩形谐振腔使电磁波的能量集中在矩形谐振腔的两端,在矩形谐振腔内形成稳定的驻波,进一步降低了滤波器的最小透射率,增强了滤波器的滤波效果。
所属领域的普通技术人员应当理解:以上任何实施例的讨论仅为示例性的,并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子;在本公开的思路下,以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合,步骤可以以任意顺序实现,并存在如上所述的本说明书一个或多个实施例的不同方面的许多其它变化,为了简明它们没有在细节中提供。
另外,为简化说明和讨论,并且为了不会使本说明书一个或多个实施例难以理解,在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路(IC)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此外,可以以框图的形式示出装置,以便避免使本说明书一个或多个实施例难以理解,并且这也考虑了以下事实,即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本说明书一个或多个实施例的平台的(即,这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节(例如,电路)以描述本公开的示例性实施例的情况下,对本领域技术人员来说显而易见的是,可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本说明书一个或多个实施例。因此,这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。
尽管已经结合了本公开的具体实施例对本公开进行了描述,但是根据前面的描述,这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例如,其它存储器架构(例如,动态RAM(DRAM))可以使用所讨论的实施例。
本说明书一个或多个实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此,凡在本说明书一个或多个实施例的精神和原则之内,所做的任何省略、修改、等同替换、改进等,均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器,其特征在于,包括:设置在横向波导的上下两侧的金属层,所述横向波导一侧的金属层内设置有至少一个菱形谐振腔,所述横向波导另一侧的金属层内设置有至少一个矩形谐振腔;所述横向波导的对称中心、所述菱形谐振腔的对称中心与所述矩形谐振腔的对称中心相对应,并位于同一水平线上。
2.根据权利要求1所述的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器,其特征在于,所述金属背腔的材料为银。
3.根据权利要求1所述的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器,其特征在于,所述菱形谐振腔、所述矩形谐振腔和所述横向波导的内部填充介质为空气。
4.根据权利要求1所述的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器,其特征在于,所述横向波导宽度设置为50nm。
5.根据权利要求1所述的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器,其特征在于,所述菱形谐振腔的边长范围为250nm~360nm。
6.根据权利要求1所述的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器,其特征在于,所述菱形谐振腔与所述横向波导之间的耦合距离范围为10nm~30nm;所述矩形谐振腔与所述横向波导之间的耦合距离范围为10nm~30nm。
7.根据权利要求1所述的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器,其特征在于,所述横向波导的长度不小于所述金属层的长度。
8.根据权利要求1所述的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器,其特征在于,所述横向波导一侧延伸到所述金属层的边缘形成光源入射端;所述横向波导另一侧延伸到所述金属层的边缘形成光源出射端。
9.根据权利要求1所述的基于菱形结构的等离子体波导带阻滤波器,其特征在于,所述菱形谐振腔两侧设置有探测器,以探测所述菱形谐振腔的入射光功率和出射光功率。
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GR01 | Patent grant | ||
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