CN217077782U - 石墨盘和反应腔室 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种石墨盘和反应腔室，涉及化学气相沉积技术领域。该石墨盘包括：盘体，其中，盘体的一侧设置有第一凹槽，用于容纳衬底，盘体的侧表面设置有第二凹槽，用于减少石墨盘对衬底的边缘的热传导。本实用新型实施例提供的石墨盘，通过设置有盘体结构，在盘体的一侧设置有用于容纳衬底的第一凹槽，盘体的侧表面设置有用于减少石墨盘对衬底的边缘的热传导的第二凹槽的方式，削弱了利用热传导加热给衬底上各点的加热不均匀造成的影响，提高了衬底的温度分布的均匀性，从而提高了化学气相沉积工艺的均匀性，进而提高了外延芯片的良率。

Description

石墨盘和反应腔室

技术领域

本实用新型涉及化学气相沉积技术领域，具体涉及一种石墨盘和反应腔室。

背景技术

化学气相外延沉积工艺(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)广泛用于半导体行业。在化学气相外延沉积工艺中，以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和Ⅴ族、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延生长获得所需薄膜，例如，可以生长各种Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

现有的化学气相沉积工艺的均匀性不高，衬底上各点受热不均匀，导致衬底上各点的温度分布不均匀，进而影响衬底上生长的外延层的均匀性，导致外延芯片的良率偏低。因此，如何提高化学气相沉积工艺的均匀性，进而提高外延芯片的良率成为了亟待解决的问题。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种石墨盘和反应腔室。

第一方面，本实用新型一实施例提供一种石墨盘，包括：盘体，其中，盘体的一侧设置有第一凹槽，用于容纳衬底，盘体的侧表面设置有第二凹槽，用于减少石墨盘对衬底的边缘的热传导。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第二凹槽位于盘体的底面的边缘。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第二凹槽位于第一凹槽的底面和盘体的底面之间。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第二凹槽在平行于石墨盘的底面方向上的投影与第一凹槽在平行于石墨盘的底面方向上的投影重叠；或者第二凹槽在平行于石墨盘的底面方向上向石墨盘的中心嵌入的长度为a，第一凹槽的直径为D，且0＜a＜1/5D。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第二凹槽在垂直于石墨盘的底面方向上的高度用于控制衬底的边缘的温度。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，盘体为圆柱体，第二凹槽呈圆环状。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第一凹槽的底面设置有第三凹槽，用于减少石墨盘对衬底的中部的热传导。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第二凹槽在平行于石墨盘的底面方向上的投影与第三凹槽在平行于石墨盘的底面方向上的投影相邻接；或者第三凹槽在平行于石墨盘的底面方向上的投影的直径为b，第一凹槽的直径为D，且1/2D＜b＜D。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第三凹槽呈球形。

第二方面，本实用新型一实施例提供一种反应腔室，包括上述任一实施例所述的石墨盘。

本实用新型实施例提供的石墨盘，通过设置有盘体结构，在盘体的一侧设置有用于容纳衬底的第一凹槽，盘体的侧表面设置有用于减少石墨盘对衬底的边缘的热传导的第二凹槽的方式，削弱了利用热传导加热给衬底上各点的加热不均匀造成的影响，提高了衬底的温度分布的均匀性，从而提高了化学气相沉积工艺的均匀性，进而提高了外延芯片的良率。

附图说明

通过结合附图对本实用新型实施例进行更详细的描述，本实用新型的上述以及其他目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。

图1所示为本实用新型一实施例提供的石墨盘的结构示意图。

图2所示为本实用新型另一实施例提供的石墨盘的结构示意图。

图3所示为本实用新型另一实施例提供的石墨盘的结构示意图。

图4所示为本实用新型另一实施例提供的石墨盘的结构示意图。

图5所示为本实用新型另一实施例提供的石墨盘的结构示意图。

图6所示为本实用新型另一实施例提供的石墨盘的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

现有技术的化学气相沉积工艺的均匀性不高，由于衬底受热不均匀导致化学气相沉积工艺后在衬底上形成的外延层不均匀。现有的石墨盘结构，外延芯片在生长过程中，由于内部存在应力，导致外延芯片产生翘曲，造成外延芯片受热不均匀，同时由于不同材质及温度差异导致的边缘效应，造成石墨盘在对衬底加热过程中，衬底边缘的温度高于衬底中部的温度，从而降低了衬底上生长的外延层的均匀性，进而降低了外延芯片的良率。

本实用新型提供的石墨盘包括盘体，在盘体的上表面设置有第一凹槽，用于容纳衬底，在盘体的侧表面设置有第二凹槽，用于减少石墨盘对衬底的边缘的热传导，进而降低衬底的边缘的温度，同时，削弱了利用热传导加热给衬底上各点的加热不均匀造成的影响，从而提高了衬底的温度分布的均匀性，提高了外延层受热的均匀性，进而提高了外延芯片的良率。

下面结合附图，对本实用新型实施例进行详细描述。

图1所示为本实用新型一实施例提供的石墨盘的结构示意图。如图1所示，本实用新型实施例提供的石墨盘10包括盘体11，石墨盘中盘体的数目可以为多个，盘体11为圆柱体，其中，在盘体11的上表面设置有第一凹槽12，用于容纳衬底13，第一凹槽12呈圆柱形，位于盘体11的中部，第一凹槽12的直径可以根据衬底13的直径确定。在盘体11的底面的边缘设置有第二凹槽14，用于减少石墨盘10对衬底13的边缘的热传导，第二凹槽14呈圆环状，环绕盘体11的底部一周。换句话说，第二凹槽14在石墨盘底部形成了阶梯状结构。

需要说明的是，在盘体11的底面的边缘设置了第二凹槽14，相较于没有第二凹槽14的盘体来说，因空气的导热系数小于石墨，第二凹槽14位置处的空气的导热性比石墨差，从而有利于降低衬底13的边缘的温度，同时，以热辐射为主进行加热的方式也有利于衬底13的边缘受热的均匀性，削弱了利用热传导加热给衬底13上各点的加热不均匀造成的影响，从而提高了衬底13的温度分布的均匀性，相应改善了化学气相沉积工艺的均匀性和衬底13上生长的外延层的均匀性。

在本实用新型一实施例中，第一凹槽12的深度可以根据衬底13的高度确定，使得衬底13的上表面与盘体11的上表面齐平，以防止盘体11对衬底13上方的气体带来影响，提高衬底13上方的气流分布的均匀性，进而提高生长的外延层的均匀性。

在本实用新型一实施例中，第一凹槽12的直径可以根据衬底13的直径确定，可以是第一凹槽12的直径与衬底13的直径恰好相等，也可以是第一凹槽12的直径大于衬底13的直径，保证第一凹槽12的侧壁与衬底13不直接接触，从而在第一凹槽12的侧壁与衬底13之间留有空隙。因空气的导热系数小于石墨，因此，第一凹槽12的侧壁与衬底13不直接接触相较于第一凹槽12的侧壁与衬底13直接接触来说，导热性会减弱，有利于降低衬底13的边缘的温度，同时，也将第一凹槽12的侧壁以热传导的方式对衬底13的边缘进行加热优化为以热辐射为主的方式对衬底13的边缘进行加热，提高了石墨盘10对衬底13的边缘的加热的均匀性，进而提高了衬底13的温度分布的均匀性，从而改善了衬底13上生长的外延层的均匀性。

另外，本实用新型实施例提供的石墨盘10，通过在盘体11的底面设置第二凹槽14，相比于在盘体11的上表面设置凹槽以提高衬底13受热的均匀性来说，挖槽工艺更加简单，同时也便于石墨盘10的加工制作，降低了石墨盘10的制作成本。

本实用新型实施例提供的石墨盘包括盘体，通过在盘体的底面的边缘设置有第二凹槽，用于减少石墨盘对衬底的边缘的热传导的方式，降低了衬底的边缘的温度，提高了衬底的温度分布的均匀性，进而有利于外延层受热更加均匀，改善了外延芯片在生长过程中出现的翘曲或其他因受热不均匀导致的良率低的问题。同时，第二凹槽的设置，使得石墨盘对衬底的边缘的加热方式由热传导优化为以热辐射为主，改善了衬底的边缘受热的均匀性，削弱了利用热传导加热给衬底上各点的加热不均匀造成的影响，从而提高了衬底的温度分布的均匀性，相应改善了化学气相沉积工艺的均匀性和衬底上生长的外延层的均匀性。

图2所示为本实用新型另一实施例提供的石墨盘的结构示意图。与上述实施例相同的结构采用相同的标号表示。在图1所示实施例基础上延伸出图2所示实施例，下面着重叙述图2所示实施例与图1所示实施例的不同之处，相同之处不再赘述。

如图2所示，本实施例与上述实施例的区别在于，第二凹槽14设置在第一凹槽12的底面与盘体11的底面之间，第二凹槽的位置上移了，使得盘体11的重心下移，有利于提高盘体11的稳定性。

在本实用新型一实施例中，第二凹槽14在平行于石墨盘10的底面方向上的投影与第一凹槽12在平行于石墨盘10的底面方向上的投影重叠，重叠部分即为衬底13的边缘，也就是说，第二凹槽14的宽度可以根据衬底13的边缘的尺寸确定，保证重叠部分恰好为衬底13的边缘，进而减少石墨盘10对衬底13的边缘的热传导，降低衬底13的边缘的温度，提高衬底13的温度分布的均匀性，进而有利于外延层受热更加均匀，改善外延芯片在生长过程中出现的翘曲或其他因受热不均匀导致的良率低的问题。

在本实用新型一实施例中，第二凹槽14在平行于石墨盘10的底面方向上向石墨盘10的中心嵌入的长度设置为a，也就是第二凹槽14的圆环宽度设置为a，第一凹槽12的直径为D，且0＜a＜1/5D。在本实施例中，第二凹槽14的圆环宽度指的是第二凹槽14在平行于石墨盘10的底面方向上的投影的大圆与小圆的半径之差。

需要说明的是，一般认为衬底的边缘为由衬底最外侧向中心靠近1mm-20mm的部分。

在本实用新型一实施例中，第二凹槽14在垂直于石墨盘10的底面方向上的尺寸用于控制衬底13的边缘的温度，也就是说，第二凹槽14的高度用于调节衬底13的边缘温度降低的幅度。具体而言，第二凹槽14的高度越大，容纳的空气越多，导热性越差，从而衬底13的边缘温度降低的幅度越大。反之，第二凹槽14的高度越小，容纳的空气越少，导热性相对要好(与容纳的空气越多相比，但导热性都比石墨差)，从而衬底13的边缘温度降低的幅度越小。总之，第二凹槽14的高度与衬底13的边缘温度降低的幅度成正比。

本实用新型实施例提供的石墨盘的第二凹槽设置在第一凹槽的底面与盘体的底面之间，使得盘体的重心下移，提高了盘体的稳定性。第二凹槽在平行于石墨盘的底面方向上的投影与第一凹槽在平行于石墨盘的底面方向上的投影重叠，重叠部分即为衬底的边缘，第二凹槽的宽度可以根据衬底的边缘的尺寸确定，保证重叠部分恰好为衬底的边缘，进而减少石墨盘对衬底的边缘的热传导，降低衬底的边缘的温度，提高衬底的温度分布的均匀性，进而有利于外延层受热更加均匀，改善外延芯片在生长过程中出现的翘曲或其他因受热不均匀导致的良率低的问题。另外，第二凹槽的高度用于调节衬底的边缘温度降低的幅度，具体地，第二凹槽的高度与衬底的边缘温度降低的幅度成正比。

图3所示为本实用新型另一实施例提供的石墨盘的结构示意图。与上述实施例相同的结构采用相同的标号表示。在上述所示实施例基础上延伸出图3所示实施例，下面着重叙述图3所示实施例与上述所示实施例的不同之处，相同之处不再赘述。

如图3所示，本实施例与上述实施例的区别在于，第一凹槽12的底面设置有第三凹槽15，用于减少石墨盘10对衬底13的热传导，第三凹槽15呈球形。

需要说明的是，第三凹槽15使得石墨盘10对衬底13的中部的加热方式由热传导优化为以热辐射为主，有利于提高衬底13的中部受热的均匀性，削弱了利用热传导加热给衬底13上各点的加热不均匀造成的影响，从而提高了衬底13的温度分布的均匀性，相应改善了化学气相沉积工艺的均匀性和衬底13上生长的外延层的均匀性。

在本实用新型一实施例中，第二凹槽14在平行于石墨盘10的底面方向上的投影与第三凹槽15在平行于石墨盘10的底面方向上的投影相邻接，也就是说，第二凹槽14在水平方向的投影与第三凹槽15在水平方向的投影不重叠，且恰好相邻接，拼成盘体11在水平方向的投影，保证了衬底13的边缘的温度主要由第二凹槽14来控制，衬底13的中部的温度主要由第三凹槽15来控制，使得对衬底13的温度控制更加具有独立性。另外，第二凹槽14在水平方向的投影与第三凹槽15在水平方向的投影也可以相离或重叠，本实用新型实施例对此不进行统一限定。

在本实用新型一实施例中，第三凹槽15在平行于石墨盘10的底面方向上的投影的直径设置为b，也就是第三凹槽15的最大直径设置为b，第一凹槽12的直径为D，且1/2D＜b＜D。

本实用新型实施例提供的石墨盘通过在第一凹槽的底面设置了第三凹槽，减少了石墨盘对衬底的热传导，第三凹槽的设置使得石墨盘对衬底的中部的加热方式由热传导优化为以热辐射为主，有利于衬底的中部受热的均匀性，削弱了利用热传导加热给衬底上各点的加热不均匀造成的影响，从而提高了衬底的温度分布的均匀性，相应改善了化学气相沉积工艺的均匀性和衬底上生长的外延层的均匀性。另外，第二凹槽在平行于石墨盘的底面方向上的投影与第三凹槽在平行于石墨盘的底面方向上的投影相邻接，第二凹槽在水平方向的投影与第三凹槽在水平方向的投影不重叠，且恰好相邻接，拼成盘体在水平方向的投影，保证了衬底的边缘的温度主要由第二凹槽来控制，衬底的中部的温度主要由第三凹槽来控制，使得对衬底的温度控制更加具有独立性。

图4所示为本实用新型另一实施例提供的石墨盘的结构示意图。与上述实施例相同的结构采用相同的标号表示。在上述所示实施例基础上延伸出图4所示实施例，下面着重叙述图4所示实施例与上述所示实施例的不同之处，相同之处不再赘述。

如图4所示，本实施例与上述实施例的区别在于，在第一凹槽12的上表面设置有第一支撑部件16，用于将衬底13悬置。第一支撑部件16具有矩形截面，第一支撑部件16通过矩形截面的顶部与衬底13的底面接触，由此减少了第一凹槽12的底面与衬底13的底面之间的接触面积，使得第一凹槽12的底面与衬底13的底面之间的传热方式由热传导优化为以热辐射为主，有利于衬底13受热的均匀性，削弱了利用热传导加热给衬底13上各点的加热不均匀造成的影响，从而进一步提高了衬底13的温度分布的均匀性，进一步改善了化学气相沉积工艺的均匀性和衬底13上生长的外延层的均匀性。

在本实用新型实施例中，虽然第一支撑部件16的上表面与衬底13的底面仍然有部分接触，通过该部分接触，石墨盘10能够以热传导的方式将部分热量传给衬底13，但是热传导方式传导的热量有限，对衬底13的受热的均匀性影响不大。

在本实用新型一实施例中，为了减少石墨盘10通过第一支撑部件16以热传导的方式将部分热量传给衬底13，从而影响衬底13的受热的均匀性，可以在石墨盘10与第一支撑部件16或者第一支撑部件16与衬底13之间设置绝热层，该绝热层的材质可以为石英、氮化硼、蓝宝石、陶瓷或氧化钴中的一种或者其中的混合。

在本实用新型一实施例中，第一支撑部件16与衬底13的接触面积应尽可能小，以减少第一支撑部件16通过热传导的方式将部分热量传给衬底13。

在本实用新型一实施例中，第一支撑部件16的材质为石墨，可以与石墨盘10一体化加工而成，也可以单独加工，然后通过螺丝螺母等机械零件与石墨盘10固定在一起或者通过耐热胶与石墨盘10粘合为一体，也可根据实际情况确定，本实用新型实施例对此不进行统一限定。

在本实用新型一实施例中，第一支撑部件16可以为球形或锥形或条状或块状，第一支撑部件16的形状可根据实际情况确定，第一支撑部件16的数量为一个或多个，本实用新型实施例对此不进行统一限定。

本实用新型实施例提供的石墨盘通过在第一凹槽的上表面设置了第一支撑部件，将衬底悬置，减少了第一凹槽的底面与衬底的底面之间的接触面积，使得第一凹槽的底面与衬底的底面之间的加热方式由热传导优化为以热辐射为主，进一步提高了衬底受热的均匀性，减少了利用热传导加热给衬底上各点的加热不均匀造成的影响，从而进一步提高了衬底的温度分布的均匀性，进一步改善了化学气相沉积工艺的均匀性和衬底上生长的外延层的均匀性。

图5所示为本实用新型另一实施例提供的石墨盘的结构示意图。与上述实施例相同的结构采用相同的标号表示。在上述所示实施例基础上延伸出图5所示实施例，下面着重叙述图5所示实施例与上述所示实施例的不同之处，相同之处不再赘述。

如图5所示，本实施例与上述实施例的区别在于，在盘体11的远离衬底13一侧的表面设置有第四凹槽17，用于减少石墨盘10对衬底13的热传导，也就是说，在盘体11的底面设置有第四凹槽17。

需要说明的是，第四凹槽17使得石墨盘10对衬底13的中部的加热方式由热传导优化为以热辐射为主，进一步提高了衬底13的中部受热的均匀性，削弱了利用热传导加热给衬底13上各点的加热不均匀造成的影响，进一步提高了衬底13的温度分布的均匀性，从而进一步改善了化学气相沉积工艺的均匀性和衬底13上生长的外延层的均匀性。

在本实用新型一实施例中，第四凹槽17可呈圆柱形或圆台，第四凹槽17的形状可根据实际情况确定，第四凹槽17的数量为一个或多个，本实用新型实施例对此不进行统一限定。

本实用新型实施例通过在盘体的底面设置第四凹槽，使得石墨盘对衬底的中部的加热方式由热传导优化为以热辐射为主，进一步提高了衬底的中部受热的均匀性，削弱了利用热传导加热给衬底上各点的加热不均匀造成的影响，进一步提高了衬底的温度分布的均匀性，从而进一步改善了化学气相沉积工艺的均匀性和衬底上生长的外延层的均匀性。

图6所示为本实用新型另一实施例提供的石墨盘的结构示意图。与上述实施例相同的结构采用相同的标号表示。在上述所示实施例基础上延伸出图6所示实施例，下面着重叙述图6所示实施例与上述所示实施例的不同之处，相同之处不再赘述。

如图6所示，本实施例与上述实施例的区别在于，在第四凹槽17内设置有第二支撑部件18，用于支撑石墨盘10。第二支撑部件18可以为圆柱形或矩形或梯形，数量为一个或多个，位置可沿盘体11的中心对称分布，也可根据实际情况确定，本实用新型实施例对此不进行统一限定。

在本实用新型实施例中，虽然第二支撑部件18与第四凹槽17的上表面仍然有部分接触，通过该部分接触，石墨盘10能够以热传导的方式将部分热量传给衬底13，但是热传导方式传导的热量有限，对衬底13的受热的均匀性影响不大。

在本实用新型一实施例中，为了减少石墨盘10通过第二支撑部件18与第四凹槽17的上表面的接触，以热传导的方式将部分热量传给衬底13，从而影响衬底13的受热的均匀性，可以在第二支撑部件18与第四凹槽17的上表面之间设置绝热层，该绝热层的材质可以为石英、氮化硼、蓝宝石、陶瓷或氧化钴中的一种或者其中的混合。

在本实用新型一实施例中，第二支撑部件18的宽度或横截面积应尽可能小，以减小第二支撑部件18与第四凹槽17的接触。

在本实用新型一实施例中，第二支撑部件18的材质为石墨，可以与石墨盘10一体化加工而成，也可以单独加工，然后通过螺丝螺母等机械零件与石墨盘10固定在一起或者通过耐热胶与石墨盘10粘合为一体，也可根据实际情况确定，本实用新型实施例对此不进行统一限定。

本实用新型实施例通过在第四凹槽内设置第二支撑部件的方式，支撑稳固石墨盘，从而提高了石墨盘的稳定性。

以上结合具体实施例描述了本实用新型的基本原理，但是，需要指出的是，在本实用新型中提及的优点、优势、效果等仅是示例而非限制，不能认为这些优点、优势、效果等是本实用新型的各个实施例必须具备的。另外，上述公开的具体细节仅是为了示例的作用和便于理解的作用，而非限制，上述细节并不限制本实用新型为必须采用上述具体的细节来实现。

本实用新型中涉及的器件、装置、设备、系统的方框图仅作为例示性的例子并且不意图要求或暗示必须按照方框图示出的方式进行连接、布置、配置。如本领域技术人员将认识到的，可以按任意方式连接、布置、配置这些器件、装置、设备、系统。诸如“包括”、“包含”、“具有”等等的词语是开放性词汇，指“包括但不限于”，且可与其互换使用。这里所使用的词汇“或”和“和”指词汇“和/或”，且可与其互换使用，除非上下文明确指示不是如此。这里所使用的词汇“诸如”指词组“诸如但不限于”，且可与其互换使用。

还需要指出的是，在本实用新型的装置中，各部件是可以分解和/或重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为本实用新型的等效方案。

提供所公开的方面的以上描述以使本领域的任何技术人员能够做出或者使用本实用新型。对这些方面的各种修改对于本领域技术人员而言是非常显而易见的，并且在此定义的一般原理可以应用于其他方面而不脱离本实用新型的范围。因此，本实用新型不意图被限制到在此示出的方面，而是按照与在此公开的原理和新颖的特征一致的最宽范围。

为了例示和描述的目的已经给出了以上描述。此外，此描述不意图将本实用新型的实施例限制到在此公开的形式。尽管以上已经讨论了多个示例方面和实施例，但是本领域技术人员将认识到其某些变型、修改、改变、添加和子组合。

Claims (10)

1.一种石墨盘，其特征在于，包括：盘体，

其中，所述盘体的一侧设置有第一凹槽，用于容纳衬底，所述盘体的侧表面设置有第二凹槽，用于减少所述石墨盘对所述衬底的边缘的热传导。

2.根据权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述第二凹槽位于所述盘体的底面的边缘。

3.根据权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述第二凹槽位于所述第一凹槽的底面和所述盘体的底面之间。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的石墨盘，其特征在于，

所述第二凹槽在平行于所述石墨盘的底面方向上的投影与所述第一凹槽在平行于所述石墨盘的底面方向上的投影重叠；或者

所述第二凹槽在平行于所述石墨盘的底面方向上向所述石墨盘的中心嵌入的长度为a，所述第一凹槽的直径为D，且0＜a＜1/5D。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的石墨盘，其特征在于，

所述第二凹槽在垂直于所述石墨盘的底面方向上的高度用于控制所述衬底的边缘的温度。

6.根据权利要求1至3中的任一项所述的石墨盘，其特征在于，所述盘体为圆柱体，所述第二凹槽呈圆环状。

7.根据权利要求1至3中的任一项所述的石墨盘，其特征在于，所述第一凹槽的底面设置有第三凹槽，用于减少所述石墨盘对所述衬底的中部的热传导。

8.根据权利要求7所述的石墨盘，其特征在于，

所述第二凹槽在平行于所述石墨盘的底面方向上的投影与所述第三凹槽在平行于所述石墨盘的底面方向上的投影相邻接；或者

所述第三凹槽在平行于所述石墨盘的底面方向上的投影的直径为b，所述第一凹槽的直径为D，且1/2D＜b＜D。

9.根据权利要求7或8所述的石墨盘，其特征在于，所述第三凹槽呈球形。

10.一种反应腔室，其特征在于，包括如上述权利要求1至9中的任一项所述的石墨盘。

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