CN216904824U - 功率放大电路、推挽功率放大器及射频前端模组 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种功率放大电路、推挽功率方法器及射频前端模组，该功率放大电路包括第一功率放大器和第一寄生抑制电路；第一寄生抑制电路的第一端耦合至信号输入端，第一寄生抑制电路的第二端与第一功率放大器的输入节点相连，第一寄生抑制电路的第三端与供电电源端相连，第一寄生抑制电路的第四端与第一功率放大器的输出节点和信号输出端相连，第一寄生抑制电路被配置为抑制第一功率放大器的第一寄生电容。本技术方案能够提高第一功率放大器的增益和线性度。

Description

功率放大电路、推挽功率放大器及射频前端模组

技术领域

本实用新型涉及射频技术领域，尤其涉及一种功率放大电路、推挽功率放大器及射频前端模组。

背景技术

功率放大器是移动通信系统的重要组成部分，其作为发射通道最后的放大单元，功率放大器的作用是将小功率的射频信号放大后通过天线进行发射。随着无线通信技术的发展，功率放大器的线性化技术得到进一步的研究和应用。功率放大器的设计指标通常包括输出功率、效率、增益、带宽以及线性度等。然而，现有的功率放大器受线性度的限制，对功率放大器的整体性能带来不利影响。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种功率放大电路、推挽功率放大器及射频前端模组，以解决功率放大器的线性度较差的问题。

一种功率放大电路，包括第一功率放大器和第一寄生抑制电路；

所述第一寄生抑制电路的第一端耦合至信号输入端，所述第一寄生抑制电路的第二端与所述第一功率放大器的输入节点相连，所述第一寄生抑制电路的第三端与供电电源端相连，所述第一寄生抑制电路的第四端与所述第一功率放大器的输出节点和信号输出端相连，所述第一寄生抑制电路被配置为抑制所述第一功率放大器的第一寄生电容。

进一步地，所述第一寄生抑制电路的所述第二端的相位与所述第四端的相位相反。

进一步地，所述第一寄生抑制电路的第二端的相位与所述第一功率放大器的输入节点的相位相反，所述第一寄生抑制电路的第二端的相位与所述第一功率放大器的输出节点的相位相反。

进一步地，所述第一寄生抑制电路包括第一巴伦，所述第一巴伦包括初级绕组和次级绕组；所述初级绕组的第一端与所述信号输入端相连，所述初级绕组的第二端与所述第一功率放大器的输入节点相连；所述次级绕组的第一端与所述供电电源端相连，所述次级绕组的第二端与所述第一功率放大器的输出节点和所述信号输出端相连。

进一步地，所述初级绕组和所述次级绕组之间的线圈匝数比与所述第一功率放大器的尺寸大小呈正相关。

进一步地，所述第一功率放大器包括至少一个功率放大晶体管，每一所述功率放大晶体管的第一端共接形成所述输入节点，每一所述功率放大晶体管的第二端共接形成所述输出节点，每一所述功率放大晶体管的第三端形成接地节点，所述接地节点与接地端相连。

进一步地，至少一个所述功率放大晶体管为BJT晶体管，所述BJT晶体管包括基极、集电极和发射极；每一所述功率放大晶体管的基极共接形成所述输入节点，每一所述功率放大晶体管的集电极共接形成所述输出节点，每一所述功率放大晶体管的发射极形成所述接地节点。

进一步地，所述功率放大电路还包括输入匹配电路；所述输入匹配电路包括第一电容、第二电容和第一电感；

所述第一电容的第一端与所述信号输入端相连，所述第一电容的第二端与所述第二电容的第一端相连，所述第二电容的第二端与所述第一寄生抑制电路的第一端相连；

所述第一电感的第一端与所述第一电容的第二端和所述第二电容的第一端相连，所述第一电感的第二端接地。

一种推挽功率放大器，包括输入转换巴伦、第一功率放大器、第二功率放大器、第一寄生抑制电路和第二寄生抑制电路；

所述输入转换巴伦的输入端与信号输入端相连，所述输入转换巴伦的第一输出端与所述第一寄生抑制电路的第一端相连，所述输入转换巴伦的第二输出端与所述第二寄生抑制电路的第一端相连，所述输入转换巴伦配置为接收射频信号，输出第一射频输入信号和第二射频输入信号；

所述第一寄生抑制电路的第二端与所述第一功率放大器的输入节点相连，所述第一寄生抑制电路的第三端与供电电源端相连，所述第一寄生抑制电路的第四端与所述第一功率放大器的输出节点和信号输出端相连，所述第一寄生抑制电路被配置为抑制所述第一功率放大器的第一寄生电容；

所述第二寄生抑制电路的第二端与所述第二功率放大器的输入节点相连，所述第二寄生抑制电路的第三端与供电电源端相连，所述第二寄生抑制电路的第四端与所述第二功率放大器的输出节点相连，所述第二寄生抑制电路被配置为抑制所述第二功率放大器的第二寄生电容。

一种射频前端模组，包括上述的功率放大电路或上述的推挽功率放大器。

上述功率放大电路、推挽功率放大器及射频前端模组，在功率放大电路中，通过将第一寄生抑制电路的第一端耦合至信号输出端，将第一寄生电路的第二端与第一功率放大器的输入节点相连，通过将第一寄生抑制电路的第三端与供电电源端相连，将第一寄生抑制电路的第四端与第一功率放大器的输出节点和信号输出端相连，由于第一功率放大器的非理想线性原因，第一功率放大器的输入节点和输出节点之间不可避免的会产生第一寄生电容，本实施例通过将第一寄生抑制电路的第一端耦合至信号输出端，将第一寄生电路的第二端与第一功率放大器的输入节点相连，将第一寄生抑制电路的第三端与供电电源端相连，并将第一寄生抑制电路的第四端与第一功率放大器的输出节点和信号输出端相连，以实现通过第一寄生抑制电路对第一功率放大器的输入节点和输出节点之间的第一寄生电容进行抑制，进而提高第一功率放大器的增益和线性度。在推挽功率放大电路中，通过在推挽功率放大电路的第一功率放大器的输入节点和输出节点之间设置第一寄生抑制电路，以及在推挽功率放大电路的第二功率放大器的输入节点和输出节点之间设置第二寄生抑制电路，能实现通过第一寄生抑制电路和第二寄生抑制电路分别对第一功率放大器的第一寄生电容和第二功率放大器的第二寄生电容进行抑制，进而提高推挽功率放大器的线性度。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对本实用新型实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型一实施例中功率放大电路的一电路示意图；

图2是本实用新型一实施例中功率放大电路的另一电路示意图；

图3是本实用新型一实施例中推挽功率放大器的一电路示意图。

图中：11、第一功率放大器；12、第一寄生抑制电路；13、输入匹配电路；21、输入转换巴伦；22、第二功率放大器；23、第二寄生抑制电路。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应当理解的是，本实用新型能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本实用新型的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本实用新型教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本实用新型的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本实用新型，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本实用新型提出的技术方案。本实用新型的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本实用新型还可以具有其他实施方式。

本实施例提供一种功率放大电路，如图1所示，包括第一功率放大器11和第一寄生抑制电路12。第一寄生抑制电路12的第一端耦合至信号输入端，第一寄生抑制电路12的第二端与第一功率放大器11的输入节点相连，第一寄生抑制电路12的第三端与供电电源端VCC相连，第一寄生抑制电路12的第四端与第一功率放大器11的输出节点和信号输出端相连，第一寄生抑制电路12被配置为抑制第一功率放大器11的第一寄生电容Cbc1。需要说明的是，第一寄生电容Cbc1不是实际存在的电容，是由于第一功率放大器11的非理想线性原因，而导致存在的寄生电容，由于寄生电容的存在，从而会影响第一功率放大器11的线性度。

在一具体实施例中，功率放大电路包括第一功率放大器11，该第一功率放大器11用于对射频输入信号进行放大处理，输出射频放大信号。作为一示例，第一功率放大器11的输入节点与功率放大电路的信号输入端相连，第一功率放大器11的输出节点与功率放大电路的信号输出端相连，信号输入端接收射频输入信号，该射频输入信号经过第一功率放大器11放大，形成射频放大信号，该射频放大信号从信号输出端输出。

在一具体实施例中，该第一功率放大器11包括至少一个功率放大晶体管M1。该功率放大晶体管M1可以是BJT晶体管(例如，HBT晶体管)或场效应晶体管。

作为一示例，第一功率放大器11包括一个功率放大晶体管M1，该功率放大晶体管M1为BJT晶体管，该功率放大晶体管M1的基极为第一功率放大器11的输入节点，该功率放大晶体管M1的集电极为第一功率放大器11的输出节点，该功率放大器的发射极为第一功率放大器11的接地节点，该接地节点被配置为与接地端相连。

作为另一示例，该第一功率放大器11包括至少一个功率放大晶体管M1，该功率放大晶体管M1为BJT晶体管，每一功率放大晶体管M1的基极共接形成第一功率放大器11的输入节点，每一功率放大晶体管M1的集电极共接形成第一功率放大器11的输出节点，每一功率放大晶体管M1的发射极共接形成第一功率放大器11的接地节点。

由于第一功率放大器11在工作过程中会形成较大的第一寄生电容Cbc1，例如，第一功率放大器11中的每一功率放大晶体管M1的基极与集电极之间会形成较大的第一寄生电容Cbc1，从而影响功率放大电路的线性度。

为了解决上述问题，在一具体实施例中，功率放大电路还包括第一寄生抑制电路12，该第一寄生抑制电路12的第一端耦合至信号输入端，第一寄生抑制电路12的第二端与第一功率放大器11的输入节点相连，第一寄生抑制电路12的第三端与供电电源端VCC相连，第一寄生抑制电路12的第四端与第一功率放大器11的输出节点和信号输出端相连，第一寄生抑制电路12被配置为抑制第一功率放大器11的第一寄生电容Cbc1。可选地，第一寄生抑制电路12可以为巴伦或者四端口移相电路等。在本实施例中，通过将第一寄生抑制电路12的第一端耦合至信号输出端，将第一寄生电路的第二端与第一功率放大器11的输入节点相连，通过将第一寄生抑制电路12的第三端与供电电源端VCC相连，将第一寄生抑制电路12的第四端与第一功率放大器11的输出节点和信号输出端相连，以实现通过第一寄生抑制电路12对第一功率放大器11的输入节点和输出节点之间的第一寄生电容Cbc1进行抑制，进而提高第一功率放大器11的增益和线性度。

在一实施例中，如图1所示，第一寄生抑制电路12的第二端的相位与第四端的相位相反。

在一具体实施例中，第一寄生抑制电路12的第二端的相位与第一寄生抑制电路12的第四端的相位相反。作为一示例，在第一功率放大器11正常工作时，第一功率放大器11的输入节点相位为正相位，第一功率放大器11的输出节点为负相位，例如，第一功率放大器11中的功率放大晶体管M1的基极的相位为正相位，该功率放大晶体管M1的集电极的相位为负相位，因此，第一功率放大器11中的第一寄生电容Cbc1两端的相位分别与第一功率放大器11的输入节点和输出节点的相位相同。因此，在本实施例中，通过使第一寄生抑制电路12的第二端的相位与第一寄生抑制电路12的第四端的相位相反，例如，使第一寄生抑制电路12的第二端的相位为负相位，使第一寄生抑制电路12的第四端的相位为正相位，从而抵消第一功率放大器11中的第一寄生电容Cbc1，达到对第一寄生电容Cbc1进行抑制的目的。

在一实施例中，如图1所示，第一寄生抑制电路12的第二端的相位与第一功率放大器11的输入节点的相位相反，第一寄生抑制电路12的第二端的相位与第一功率放大器11的输出节点的相位相反。

在一具体实施例中，第一寄生抑制电路12的第二端的相位与第一功率放大器11的输入节点的相位相反，第一寄生抑制电路12的第二端的相位与第一功率放大器11的输出节点的相位相反。在本实施例中，由于第一功率放大器11中的第一寄生电容Cbc1两端的相位分别与第一功率放大器11的输入节点和输出节点的相位相同，因此，通过使第一寄生抑制电路12的第二端的相位与第一功率放大器11的输入节点的相位相反，第一寄生抑制电路12的第二端的相位与第一功率放大器11的输出节点的相位相反，便能够抵消第一功率放大器11中的第一寄生电容Cbc1，提高功率放大电路的线性度。

在一实施例中，如图1所示，第一寄生抑制电路12包括第一巴伦T1，第一巴伦T1包括初级绕组S1和次级绕组S2；初级绕组S1的第一端与信号输入端相连，初级绕组S1的第二端与第一功率放大器11的输入节点相连；次级绕组S2的第一端与供电电源端VCC相连，次级绕组S2的第二端与第一功率放大器11的输出节点和信号输出端相连。

在一具体实施例中，第一寄生抑制电路12包括第一巴伦T1，第一巴伦T1包括相互耦合的初级绕组S1和次级绕组S2。初级绕组S1的第一端与信号输入端相连，初级绕组S1的第二端与第一功率放大器11的输入节点相连，次级绕组S2的第一端与供电电源端VCC相连，次级绕组S2的第二端与第一功率放大器11的输出节点和信号输出端相连。在本实施例中，由于第一巴伦T1初级绕组S1的第二端的相位与次级绕组S2的第二端的相位相反，通过使初级绕组S1的第二端的相位与第一功率放大器11的输入节点的相位相反，使次级绕组S2的第二端的相位与第一功率放大器11的输出节点的相位相反，将第一巴伦T1中的初级绕组S1的第一端与信号输入端相连，将初级绕组S1的第二端与第一功率放大器11的输入节点相连，将次级绕组S2的第一端与供电电源端VCC相连，并将次级绕组S2的第二端与第一功率放大器11的输出节点和信号输出端相连，便能够抵消第一功率放大器11中的第一寄生电容Cbc1，提高功率放大电路的线性度。

在一实施例中，如图1所示，初级绕组S1和次级绕组S2之间的线圈匝数比与第一功率放大器11的尺寸大小呈正相关。

在一具体实施例中，第一功率放大器11的尺寸越大，则第一功率放大器11产生的第一寄生电容Cbc1也越大。因此，在本实施例中，当第一功率放大器11的尺寸越大时，即第一寄生电容Cbc1越大时，通过增加初级绕组S1和次级绕组S2之间的线圈匝数比，使第一巴伦T1第二端和第四端之间的电压增大，且通过第一巴伦T1将第一功率放大器11输出节点的信号反馈至输入节点的反馈信号就越大，由于第一巴伦T1的第二端与第一功率放大器11的输入节点的相位相反，第一巴伦T1的第四端的相位与第一功率放大器11的输出节点的相位相反，所以第一巴伦T1的第二端与第四端之间的电压相当于第一寄生电容Cbc1的反向电压，以抵消尺寸较大的第一功率放大器11产生的第一寄生电容Cbc1。因此，初级绕组S1和次级绕组S2之间的线圈匝数比与第一功率放大器11的尺寸大小呈正相关，以保证将第一功率放大器11的第一寄生电容Cbc1抵消，提高功率放大电路的线性度。

示例性地，初级绕组S1和次级绕组S2之间的匝数比由1:4变成1：2时，初级绕组S1和次级绕组S2之间的匝数比增大，使第一巴伦T1第二端和第四端之间的电压增大，且通过第一巴伦T1将第一功率放大器11输出节点的信号反馈至输入节点的反馈信号就越大，因而能够抵消尺寸较大的第一功率放大器11产生的较大的第一寄生电容Cbc1。

在一实施例中，如图2所示，功率放大电路还包括输入匹配电路13；输入匹配电路13包括第一电容C131、第二电容C132和第一电感L131；第一电容C131的第一端与信号输入端相连，第一电容C131的第二端与第二电容C132的第一端相连，第二电容C132的第二端与第一寄生抑制电路12的第一端相连；第一电感L131的第一端与第一电容C131的第二端和第二电容C132的第一端相连，第一电感L131的第二端接地。

在一具体实施例中，功率放大电路还包括输入匹配电路13，该输入匹配电路13被配置为对功率放大电路的输入阻抗进行阻抗匹配。

在一具体实施例中，输入匹配电路13包括第一电容C131、第二电容C132和第一电感L131。第一电容C131的第一端与信号输入端相连，第一电容C131的第二端与第二电容C132的第一端相连。第二电容C132的第二端与第一寄生抑制电路12的第一端相连。第一电感L131的第一端与第一电容C131的第二端和第二电容C132的第一端相连，第一电感L131的第二端接地。在本实施例中，通过将第一电容C131的第一端与信号输入端相连，并将第一电容C131的第二端与第二电容C132的第一端相连，将第二电容C132的第二端与第一寄生抑制电路12的第一端相连，将第一电感L131的第一端与第一电容C131的第二端和第二电容C132的第一端相连，并将第一电感L131的第二端接地，并根据实际需求配置第一电容C131和第二电容C132的电容值，以及第一电感L131的电感值，便能够对功率放大电路的输入阻抗进行阻抗匹配，减少功率放大电路的功率损耗。

本实施例提供一种推挽功率放大器，如图3所示，包括输入转换巴伦21、第一功率放大器11、第二功率放大器22、第一寄生抑制电路12和第二寄生抑制电路23；输入转换巴伦21的输入端与信号输入端相连，输入转换巴伦21的第一输出端与第一寄生抑制电路12的第一端相连，输入转换巴伦21的第二输出端与第二寄生抑制电路23的第一端相连，输入转换巴伦21配置为接收射频信号，输出第一射频输入信号和第二射频输入信号；第一寄生抑制电路12的第二端与第一功率放大器11的输入节点相连，第一寄生抑制电路12的第三端与供电电源端VCC相连，第一寄生抑制电路12的第四端与第一功率放大器11的输出节点和信号输出端相连，第一寄生抑制电路12被配置为抑制第一功率放大器11的第一寄生电容Cbc1。第二寄生抑制电路23的第二端与第二功率放大器22的输入节点相连，第二寄生抑制电路23的第三端与供电电源端VCC相连，第二寄生抑制电路23的第四端与第二功率放大器22的输出节点相连，第二寄生抑制电路23被配置为抑制第二功率放大器22的第二寄生电容Cbc2。

在一具体实施例中，推完功率放大电路包括输入转换巴伦21，该输入转换巴伦21的第一输入端与信号输入端相连，输入转换巴伦21的第二输入端接地，被配置为接收射频信号，输出第一射频输入信号和第二射频输入信号。输入转换巴伦21的第一输出端与第一寄生抑制电路12的第一端相连，输入转换巴伦21的第二输出端与第二寄生抑制电路23的第一端相连。第一寄生抑制电路12的第三端与供电电源端VCC相连，第一寄生抑制电路12的第四端与第一功率放大器11的输出节点和信号输出端相连，第一寄生抑制电路12被配置为抑制第一功率放大器11的第一寄生电容Cbc1。第二寄生抑制电路23的第二端与第二功率放大器22的输入节点相连，第二寄生抑制电路23的第三端与供电电源端VCC相连，第二寄生抑制电路23的第四端与第二功率放大器22的输出节点相连，第二寄生抑制电路23被配置为抑制第二功率放大器22的第二寄生电容Cbc2。需要说明的是，第一功率放大器11与第二功率放大器22为相同的放大器，第一寄生抑制电路12和第二寄生抑制电路23为相同的电路，对第一功率放大器11和第二功率放大器22能够分别对大小相等相位相反的第一射频输入信号和第二射频输入信号进行放大。第二寄生抑制电路23对第二寄生电容Cbc2进行抑制的原理，与第一寄生抑制电路12对第一寄生电容Cbc1进行抑制的原理相同，在此不再一一赘述。

在本实施例中，通过在推挽功率放大电路的第一功率放大器11的输入节点和输出节点之间设置第一寄生抑制电路12，以及在推挽功率放大电路的第二功率放大器22的输入节点和输出节点之间设置第二寄生抑制电路23，能够抑制第一功率放大器11的第一寄生电容Cbc1和第二功率放大器22的第二寄生电容Cbc2，以提高推挽功率放大器的线性度。

本实施例提供一种射频前端模组，包括上述实施例中的功率放大电路或上述实施例中的的推挽功率放大器。

在本实施例中，射频前端模组包括上述实施例中的功率放大电路，通过功率放大电路中的第一寄生抑制电路12，对功率放大电路中的第一功率放大器11的第一寄生电容Cbc1进行抑制，从而提高功率放大电路的线性度，进而提高射频前端模组的线性度。射频前端模组包括上述实施例中的推挽功率放大器，通过推挽功率放大器中的第一寄生抑制电路12，对推挽功率放大器中的第一功率放大器11的第一寄生电容Cbc1进行抑制，以及推挽功率放大器中的第二寄生抑制电路23，对推挽功率放大器中的第二功率放大器22的第二寄生电容Cbc2进行抑制，从而提高推挽功率放大器的线性度，进而提高射频前端模组的线性度。

以上所述实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种功率放大电路，其特征在于，包括第一功率放大器和第一寄生抑制电路；

所述第一寄生抑制电路的第一端耦合至信号输入端，所述第一寄生抑制电路的第二端与所述第一功率放大器的输入节点相连，所述第一寄生抑制电路的第三端与供电电源端相连，所述第一寄生抑制电路的第四端与所述第一功率放大器的输出节点和信号输出端相连，所述第一寄生抑制电路被配置为抑制所述第一功率放大器的第一寄生电容。

2.如权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一寄生抑制电路的所述第二端的相位与所述第四端的相位相反。

3.如权利要求2所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一寄生抑制电路的第二端的相位与所述第一功率放大器的输入节点的相位相反，所述第一寄生抑制电路的第二端的相位与所述第一功率放大器的输出节点的相位相反。

4.如权利要求2所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一寄生抑制电路包括第一巴伦，所述第一巴伦包括初级绕组和次级绕组；所述初级绕组的第一端与所述信号输入端相连，所述初级绕组的第二端与所述第一功率放大器的输入节点相连；所述次级绕组的第一端与所述供电电源端相连，所述次级绕组的第二端与所述第一功率放大器的输出节点和所述信号输出端相连。

5.如权利要求4所述的功率放大电路，其特征在于，所述初级绕组和所述次级绕组之间的线圈匝数比与所述第一功率放大器的尺寸大小呈正相关。

6.如权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述第一功率放大器包括至少一个功率放大晶体管，每一所述功率放大晶体管的第一端共接形成所述输入节点，每一所述功率放大晶体管的第二端共接形成所述输出节点，每一所述功率放大晶体管的第三端形成接地节点，所述接地节点与接地端相连。

7.如权利要求6所述的功率放大电路，其特征在于，至少一个所述功率放大晶体管为BJT晶体管，所述BJT晶体管包括基极、集电极和发射极；每一所述功率放大晶体管的基极共接形成所述输入节点，每一所述功率放大晶体管的集电极共接形成所述输出节点，每一所述功率放大晶体管的发射极形成所述接地节点。

8.如权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述功率放大电路还包括输入匹配电路；所述输入匹配电路包括第一电容、第二电容和第一电感；

所述第一电容的第一端与所述信号输入端相连，所述第一电容的第二端与所述第二电容的第一端相连，所述第二电容的第二端与所述第一寄生抑制电路的第一端相连；

所述第一电感的第一端与所述第一电容的第二端和所述第二电容的第一端相连，所述第一电感的第二端接地。

9.一种推挽功率放大器，其特征在于，包括输入转换巴伦、第一功率放大器、第二功率放大器、第一寄生抑制电路和第二寄生抑制电路；

所述输入转换巴伦的输入端与信号输入端相连，所述输入转换巴伦的第一输出端与所述第一寄生抑制电路的第一端相连，所述输入转换巴伦的第二输出端与所述第二寄生抑制电路的第一端相连，所述输入转换巴伦配置为接收射频信号，输出第一射频输入信号和第二射频输入信号；

所述第一寄生抑制电路的第二端与所述第一功率放大器的输入节点相连，所述第一寄生抑制电路的第三端与供电电源端相连，所述第一寄生抑制电路的第四端与所述第一功率放大器的输出节点和信号输出端相连，所述第一寄生抑制电路被配置为抑制所述第一功率放大器的第一寄生电容；

所述第二寄生抑制电路的第二端与所述第二功率放大器的输入节点相连，所述第二寄生抑制电路的第三端与供电电源端相连，所述第二寄生抑制电路的第四端与所述第二功率放大器的输出节点相连，所述第二寄生抑制电路被配置为抑制所述第二功率放大器的第二寄生电容。

10.一种射频前端模组，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的功率放大电路或权利要求9所述的推挽功率放大器。

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