CN216902817U - 硅片的洗边装置及硅片加工设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种硅片的洗边装置，包括硅片旋涂工作台、洗边装置、背冲洗装置和供液系统；洗边装置包括喷头安装座，喷头安装座上安装有第一喷头、第二喷头和第三喷头，第一喷头用于喷射第一溶剂，第二喷头用于喷射清除含硅抗反射层的第二溶剂，第三喷头用于喷射第三溶剂，第一喷头、第二喷头和第三喷头通过不同的溶剂管连接供液系统；背冲洗装置设置于硅片旋涂工作台的侧下部，用于防止洗边操作对硅片的背侧的污染。避免了含硅抗反射层碎屑对产品和设备的污染和影响，节省了设备和产品的后续清洁步骤，提高了硅片的后续加工效率，提高了硅片生产的产品良率。本实用新型还提供了包括硅片的洗边装置的硅片加工设备。

Description

硅片的洗边装置及硅片加工设备

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域，尤其涉及一种硅片的洗边装置及硅片加工设备。

背景技术

在硅片的生产过程中，在光刻时，需要先在硅片上涂上光刻材料，旋涂光刻材料后，如果不加其他处理，多余的光刻胶会被离心力推到硅片的边缘，大部分被甩离硅片，有一部分残留在硅片边缘。由于硅片边缘的气流相对速度很大，导致残留的光刻胶很快固化，形成隆起的边缘，在表面张力的作用下，少量的光刻胶甚至沿着边缘流到硅片背面，对硅片背面造成污染。粘附在硅片边缘和背面的光刻胶会在后续的工艺中污染机械手、热盘和其他后续工艺所使用的设备。

现有去除粘附硅片的光刻胶的方法如下：

光刻胶旋涂成膜之后，对硅片的边缘和背面进行清洗处理，即在硅片1边缘设置洗边喷嘴12来喷有机溶剂质量组分为70％的丙二醇单甲醚(PGME)和质量组分为30％丙二醇单甲醚醋酸酯(PGMEA)的混合溶液，并按照一定的程序旋转硅片1，将距离硅片1边缘一定宽度范围内的光刻材料溶解去除，如图1。

但随着光刻技术的发展，光刻材料会使用旋涂碳层(SOC)11和含硅抗反射层(SiARC)10，即先涂SOC再在硅片上面涂SiARC，最后涂光刻胶。上述去除粘附硅片的光刻胶的方法中采用的有机溶剂对SOC和光刻胶有一定的去除能力，但因为含硅抗反射材料中含有40％左右的Si，上述的有机溶剂对大多数含硅抗反射层的溶解能力很弱，会在洗边的边界位置堆叠，形成鼓包101，如图2；根据实际切片的结果这种鼓包101的厚度大约是实际膜层厚度的10倍。因为鼓包101太厚，在后续的刻蚀和去胶工艺过程中无法去除干净，且现在先进工艺节点制作一层图形需要多次光刻和刻蚀，这就造成SOC和SiARC的重复堆积，鼓包101的厚度变得越来越厚，如图3。带光刻材料鼓包的硅片在后续的工艺中进入炉管等长膜的腔体里就很容易污染相关的机台，且在后续的工艺过程中会有其他的膜层生长在上面，在后续工艺中由于应力或温度的变化，鼓包101极易崩裂，产生大量颗粒102，这些颗粒102会掉落在硅片的图形区，造成缺陷从而影响产品良率，如图4。

公开号为CN 110941152 A的中国专利公开了一种用于处理基板的边缘光刻胶去除系统，其包括具有主体和从主体突出的两个臂的边缘光刻胶去除头。臂彼此隔开，从而在它们之间限定了用于容纳待处理的基板的接收空间。突出臂各自具有彼此面对的功能表面，并且其中功能表面各自包括至少一个流体出口。此外，描述了一种处理基板的方法。但是该处理基板的边缘光刻胶去除系统和方法并未解决上述所用的有机溶剂很难溶解含硅抗反射层而影响产品良率的问题。

因此，有必要提供一种硅片的洗边装置及硅片加工设备以解决上述的现有技术中存在的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于一种硅片的洗边装置及硅片加工设备，以解决现有技术中所用的有机溶剂很难溶解硅片上含硅抗反射层而影响产品良率的问题。

为实现上述目的，本实用新型的所述硅片的洗边装置，包括硅片旋涂工作台、洗边装置、背冲洗装置和供液系统；

所述供液系统用于对所述洗边装置和所述背冲洗装置提供溶剂；

所述洗边装置设置于所述硅片旋涂工作台的侧上部，用于对所述硅片进行洗边操作；

所述洗边装置包括喷头安装座，所述喷头安装座上安装有第一喷头、第二喷头和第三喷头，所述第一喷头用于喷射第一溶剂，所述第二喷头用于喷射清除含硅抗反射层的第二溶剂，所述第三喷头用于喷射第三溶剂，所述第一喷头、所述第二喷头和所述第三喷头通过不同的溶剂管连接供液系统；

所述背冲洗装置设置于所述硅片旋涂工作台的侧下部，用于防止所述洗边操作对所述硅片的背侧的污染。

本实用新型的所述硅片的洗边装置的有益效果在于：

当所述硅片旋涂工作台对硅片旋涂含硅抗反射层后，通过所述第二喷头喷射清除所述硅片边缘的含硅抗反射层的第二溶剂，并通过背冲洗装置防止洗边操作对硅片背侧的污染，从而实现了对硅片的完整清洗；能对涂含硅抗反射层的硅片进行洗边，多个喷头可以喷射多种不同的溶剂，以清除硅片边缘上不同的光刻材料，提高了所述硅片的洗边装置的适用性，扩大了应用范围；能完整去除硅片上含硅抗反射层，防止含硅抗反射层的堆叠从而避免形成鼓包，解决了现有技术中所用的有机溶剂很难溶解含硅抗反射层而影响产品良率的问题；同时，由于避免了鼓包和含硅抗反射层碎屑的产生，避免了含硅抗反射层碎屑对产品和设备的污染和影响，从而节省了设备和产品的后续清洁步骤，提高了硅片的后续加工效率，保证了设备的加工质量和硅片的生产质量，提高了硅片生产的产品良率。

可选地，所述第二溶剂包括剥离液，所述供液系统包括剥离液供液装置，所述剥离液供液装置包括：

至少一个前置过滤器，用于对剥离液进行初步过滤以去除金属离子和杂质；

缓冲容器，连接所述前置过滤器，用于保存初步过滤后的剥离液并保持所述剥离液的温度；

输送泵，连接所述缓冲容器，用于输送所述剥离液；

后置过滤器，连接所述输送泵的输出端，用于对所述剥离液进行二次过滤，所述输送泵通过所述溶剂管将二次过滤后的剥离液输送至所述第二喷头，以对所述第二喷头提供所述剥离液。其有益效果在于，通过所述前置过滤器和所述后置过滤器过滤所述剥离液从而提高所述剥离液的纯度，从而保证清除所述硅片边缘的含硅抗反射层的效率；通过所述缓冲容器来保持所述剥离液的温度，从而使得所述剥离液的输送更加顺畅，从而降低沉淀，保证剥离液能从所述第二喷头喷射的效率，保证清除含硅抗反射层的效率。

可选地，所述缓冲容器的数量为两个，两个所述缓冲容器间通过剥离液循环系统连接，以使所述剥离液在两个所述缓冲容器内循环流动。其有益效果在于，在所述第二喷头处于待工作状态时，通过剥离液循环系统使得所述剥离液在两个所述缓冲容器内循环流动，从而避免剥离液的凝固，节省了预热步骤，提高了喷射剥离液的效率。

可选地，每个所述缓冲容器内均设置有温度监控控制系统，以控制所述缓冲容器内的剥离液的温度。其有益效果在于，进一步保证剥离液的温度和流动顺畅，从而提高了喷射剥离液和清除含硅抗反射层的效率。

可选地，所述第一溶剂包括有机溶液，所述供液系统还包括有机溶剂供液装置，所述有机溶剂供液装置通过所述溶剂管连接所述第一喷头，以对所述第一喷头提供用于去除有机抗反射层的所述有机溶剂。

可选地，所述第三溶剂包括去离子水，所述供液系统还包括去离子水供液装置，所述去离子水供液装置通过所述溶剂管连接所述第三喷头，以对所述第三喷头提供用于清洗杂质的所述去离子水。其有益效果在于，起到清洗的作用，从而将清除光刻胶和含硅抗反射层的杂质清除，提高洗边后硅片的清洁度，保证后续硅片的加工质量。

可选地，所述洗边装置还包括设置于所述喷头安装座上的喷头转换机构，所述喷头转换机构用于控制所述第一喷头、所述第二喷头和所述第三喷头的开关及位置，以使所述第一喷头、所述第二喷头和所述第三喷头按需求工作。其有益效果在于，便于控制所述第一喷头、所述第二喷头和所述第三喷头的开关和位置，从而切换喷头进行工作，从而控制三个喷头的工作顺序，使得第一喷头、第二喷头和第三喷头按需求工作。

可选地，所述背冲洗装置包括第四喷头，所述第四喷头连接所述有机溶剂供液装置，以向所述硅片的背侧喷射用于去除洗边时流到硅片背面杂质的有机溶剂。

本实用新型还提供一种硅片加工设备，包括所述的硅片的洗边装置。

本实用新型的所述的硅片加工设备有益效果在于：

由于所述硅片加工设备包括所述硅片的洗边装置，解决了现有技术所用的有机溶剂很难溶解含硅抗反射层而影响产品良率的问题；同时，由于避免了鼓包和含硅抗反射层碎屑的产生，避免了含硅抗反射层碎屑对产品和设备的污染和影响，从而节省了设备和产品的后续清洁步骤，提高了硅片的后续加工效率，保证了设备的加工质量和硅片的生产质量，提高了硅片生产的产品良率。

附图说明

图1为现有技术中洗边装置结构示意图；

图2为现有技术中硅片上鼓包的形成示意图；

图3为现有技术中鼓包的结构示意图；

图4为现有技术中鼓包崩裂后形成的结构示意图；

图5为本实用新型实施例的硅片的洗边装置的结构示意图；

图6为本实用新型的供液系统的结构示意图；

图7为本实用新型实施例的喷头转换机构与喷头安装座连接的示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。

针对现有技术存在的问题，本实用新型实施例提供了一种硅片的洗边装置，图5为本实用新型实施例的硅片的洗边装置的结构示意图。

参照图5，所述硅片的洗边装置包括硅片旋涂工作台2、洗边装置3、背冲洗装置4和供液系统5；

所述硅片旋涂工作台2用于对硅片进行旋涂操作；

其中，所述旋涂操作包括在硅片上旋涂有机抗反射层和含硅抗反射层中的任意一种；根据硅片加工需求，还可在硅片上旋涂其他的光刻材料。

所述供液系统5用于对所述洗边装置3和所述背冲洗装置4提供溶剂；

所述洗边装置3设置于所述硅片旋涂工作台2的侧上部，用于对所述硅片进行洗边操作；

在本实用新型的某些具体的实施例子中，所述旋涂工作台2的侧上部是指所述旋涂工作台的顶部的侧边缘。

所述洗边装置3包括喷头安装座30，所述喷头安装座30上安装有第一喷头31、第二喷头32和第三喷头33，所述第一喷头31用于喷射第一溶剂，所述第二喷头32用于喷射清除含硅抗反射层的第二溶剂，所述第三喷头33用于喷射第三溶剂，所述第一喷头31、所述第二喷头32和所述第三喷头33通过不同的溶剂管35连接供液系统5；

所述背冲洗装置4设置于所述硅片旋涂工作台2的侧下部，用于防止所述洗边操作对所述硅片的背侧的污染；其中，旋涂工作台2的侧下部是指旋涂工作台2的底部的任意一侧的边缘；为便于背冲洗装置4冲洗掉洗边装置产生的杂质，背冲洗装置4可以设置于洗边装置3的正下方；另外，背冲洗装置4和洗边装置3的位置均可以根据洗边需要进行调整，以精准对硅片的边缘进行洗边。

所述硅片的洗边装置的优点为：当所述硅片旋涂工作台2对硅片旋涂含硅抗反射层后，通过所述第二喷头32喷射清除所述硅片边缘的含硅抗反射层的第二溶剂，并通过背冲洗装置4防止洗边操作对硅片背侧的污染，从而实现了对硅片的完整清洗；能对涂含硅抗反射层的硅片进行洗边，多个喷头可以喷射多种不同的溶剂，以清除硅片边缘上不同的光刻材料，提高了所述硅片的洗边装置的适用性，扩大了应用范围；能完整去除硅片上含硅抗反射层，防止含硅抗反射层的堆叠从而避免形成鼓包，节省了设备和产品的后续清洁步骤，提高了硅片的后续加工效率，保证了设备的加工质量和硅片的生产质量，提高了硅片生产的产品良率。

需说明的是，本实用新型的所述硅片边缘是指由硅片的外侧边和硅片上距离所述硅片的外侧边0.5-2mm的圆组成的环形区域。

在一些实施例中，参照图5，所述硅片旋涂工作台2包括喷胶装置21、旋转驱动装置22和工作台，所述工作台用于盛放并固定硅片；

所述喷胶装置21位于工作台的正上方，用于喷涂含硅抗反射层材料；

所述旋转驱动装置22与所述工作台连接，用于驱动所述工作台旋转，从而便于含硅抗反射层材料均匀旋涂于硅片并在硅片上表面扩散。在清除硅片边缘含硅抗反射层材料时，所述工作台带动硅片旋转旋转，洗边装置3和背冲洗装置4均启动从而对旋转的硅片边缘进行冲洗，从而保证硅片边缘含硅抗反射层材料去除效率和清洗清洁度。

在一些实施例中，所述旋转驱动装置22为电机、齿轮系统和传动轴的组合，通过电机带动齿轮系统旋转，从而使传动轴带动工作台旋转，实现所述硅片的旋转涂胶和旋转冲洗。

图6为本实用新型的供液系统的结构示意图，其中图中箭头表示剥离液的流动方向。

作为本实用新型一种可选的实施方式，参照图5和图6，所述第二溶剂包括剥离液，所述供液系统5包括剥离液供液装置，包括：

至少一个前置过滤器51，用于对剥离液进行初步过滤以去除金属离子和杂质；

缓冲容器50，连接所述前置过滤器51，用于保存初步过滤后的剥离液并保持所述剥离液的温度；

输送泵52，连接所述缓冲容器50，用于输送所述剥离液；

后置过滤器53，连接所述输送泵52的输出端，用于对所述剥离液进行二次过滤，通过所述输送泵52将二次过滤后的剥离液通过所述溶剂管35输送至所述第二喷头32，以对所述第二喷头32提供用于清除所述硅片边缘的含硅抗反射层的剥离液。其优点为，通过所述前置过滤器51和所述后置过滤器53过滤所述剥离液从而提高所述剥离液的纯度，从而保证清除所述硅片边缘的含硅抗反射层的效率；通过所述缓冲容器50来保持所述剥离液的温度，保证剥离液的溶解效率，从而使得所述剥离液的输送更加顺畅，从而降低沉淀，保证剥离液能从所述第二喷头32喷射的效率，进一步保证清除含硅抗反射层的效率。

在一些实施例中，参照图6，所述前置过滤器51的数量为两个，两个前置过滤器51依次连接，从而对剥离液进行多次过滤，所述前置过滤器51通过管道56依次连接所述缓冲容器50、所述输送泵52和所述后置过滤器53，所述后置过滤器53通过所述溶剂管35连接所述第二喷头32。

所述后置过滤器53用于清除剥离液中的杂质以及剥离液中的凝结块颗粒，从而提高喷射剥离液的顺畅度和效率。

作为本实用新型一种可选的实施方式，参照图6，所述缓冲容器50的数量为两个，两个所述缓冲容器50间通过剥离液循环系统501连接，以使所述剥离液在两个所述缓冲容器50内循环流动。其优点为，在所述第二喷头32处于待工作状态时，通过剥离液循环系统501使得所述剥离液在两个所述缓冲容器50内循环流动，从而避免剥离液的凝固和杂质的形成，节省了预热步骤，提高了喷射剥离液的效率和洁净度。

在一些实施例中，参照图6，所述剥离液循环系统501包括循环泵，通过所述循环泵实现剥离液在两个所述缓冲容器50间的循环，从而避免剥离液在未喷射情况下以防止剥离液长时间静止产生杂质沉淀或凝结成块，以保证剥离液的洁净度。

作为本实用新型一种可选的实施方式，参照图6，每个所述缓冲容器50内均设置有温度监控控制系统502，以控制所述缓冲容器50内的剥离液的温度。其优点为，进一步保证剥离液的温度和流动顺畅，从而提高了喷射剥离液和清除含硅抗反射层的效率。

在一些实施例中，所述温度监控控制系统502包括温度检测装置、加热装置和温度控制装置，所述温度检测装置用于实时检测所述缓冲器内剥离液的温度，所述温度控制装置依据所述温度检测装置的检测温度结果，以控制所述加热装置对所述缓冲容器50内的剥离液进行加热，从而保持缓冲容器50内剥离液的温度。

在一些可选的实施例中，所述剥离液为T系列剥离液，其被喷射在硅片边缘时，能较好地去除含硅抗反射层(SiARC)。T系列剥离液用于去除SiARC的剥离液，该系列剥离液可以在35-45℃之间具备较优效果，例如40℃。

在一些实施例中，通过所述温度控制装置控制所述加热装置对所述剥离液进行加热，从而使所述缓冲容器50内剥离液的温度保持在40℃。

作为本实用新型一种可选的实施方式，第一溶剂包括用于去除硅片边缘的有机抗反射层的有机溶剂。参照图5，所述供液系统5还包括有机溶剂供液装置55，通过所述溶剂管35连接所述第一喷头31，用于对所述第一喷头31提供所述去除有机抗反射层的有机溶剂。

作为本实用新型一种可选的实施方式，参照图5，所述背冲洗装置4包括第四喷头40，所述第四喷头40连接所述有机溶剂供液装置54，以向所述硅片的背侧喷射所述去除光刻胶的溶剂。

在一些实施例中，所述背冲洗装置4还包括喷头控制系统41，用于控制所述第四喷头40的开关、位置及喷射角度。

在一些实施例中，所述去除有机抗反射层的有机溶剂的组成包括：质量组分为65-75％的丙二醇单甲醚(PGME)和质量组分为35-25％的丙二醇单甲醚醋酸酯(PGMEA)，所述去除有机抗反射层的有机溶剂被喷射在硅片边缘的光刻胶上时，可以较好地去除硅片上的有机抗反射层。

在一些实施例中，第三溶剂包括用于清洗杂质的去离子水。参照图5，所述供液系统5还包括去离子水供液装置54，通过所述溶剂管35连接所述第三喷头33，用于对所述第三喷头33提供所述去离子水。其优点为，起到清洗的作用，从而将清除光刻胶和含硅抗反射层的杂质清除，提高洗边后硅片的清洁度，保证后续硅片的加工质量。

作为本实用新型一种可选的实施方式，参照图5，所述洗边装置3还包括设置于所述喷头安装座30上的喷头转换机构34，用于控制所述第一喷头31、所述第二喷头32和所述第三喷头33的开关及位置，以使所述第一喷头31、所述第二喷头32和所述第三喷头33按需求工作。其优点为，便于控制所述第一喷头31、所述第二喷头32和所述第三喷头33的开关和位置，从而切换喷头进行工作，从而控制三个喷头的工作顺序，使得第一喷头31、第二喷头32和第三喷头33按需求工作，保证清除所述硅片边缘的含硅抗反射材料的步骤完整性。

图7为本实用新型实施例的喷头转换机构与喷头安装座的结构框图。

在一些实施方式中，参照图7，所述喷头转换机构34包括控制系统344、喷头调节装置340、第一电动阀门341、第二电动阀门342和第三电动阀门343，所述喷头调节装置340与所述喷头安装座30连接，所述喷头调节装置340包括位置调节机构和角度调节机构，通过所述位置调节机构调节所述喷头安装座30的位置，通过所述角度调节机构调节所述喷头安装座30的角度，以调节第一喷头31、第二喷头32和第三喷头33的位置和角度；

所述控制系统344依据喷射溶剂的顺序控制所述喷头调节装置340以调节喷头的位置和角度，使得所述第一喷头31、所述第二喷头32和所述第三喷头33位移到合适的位置，并相应调节喷头的喷射溶剂的角度，从而保证较高的洗边效率。同时，所述控制系统344还用于：

控制所述第一电动阀门341的开闭以控制所述第一喷头31的开关，控制所述第二电动阀门342的开闭以控制所述第二喷头32的开关，控制所述第三电动阀门343的开闭以控制所述第三喷头33的开关，以控制三个喷头在不同的时间段内喷射不同的溶剂，有序地完成硅片的洗边操作。

可选地，所述第一喷头31、所述第二喷头32和所述第三喷头33按需求工作时，所述第一喷头31、所述第二喷头32和所述第三喷头33的喷射方向朝向所述硅片的边缘外侧。其优点为，使得洗边和清洗后的杂质和溶剂向硅片的外侧流动，避免对硅片中心造成污染。

在一些具体实施例中，本实用新型的所述硅片的洗边装置的洗边过程如下：

参照图5至图7，所述硅片旋涂工作台2在对硅片涂含硅抗反射层并匀胶后，在硅片上形成厚度均匀的含硅抗反射层膜；

控制所述第二喷头32位移至洗边位置，并调节第二喷头32的洗边角度，使第一喷头31和第三喷头33均处于关闭状态，打开第二喷头32使所述第二喷头32向硅片的边缘喷射剥离液，硅片旋转，通过喷射剥离液将硅片边缘的含硅抗反射层洗去；第四喷头40保持打开状态以喷洗硅片的背面，避免洗边杂质污染硅片背面；

控制所述第三喷头33位移至洗边位置，并调节第三喷头33的洗边角度，使第一喷头31和第二喷头32处于关闭状态，打开第三喷头33使所述第三喷头33向硅片的边缘喷射去离子水，以去除洗边过程产生的杂质；第四喷头40保持打开状态以喷洗硅片的背面，避免杂质污染硅片背面；

硅片洗边完毕后，关闭第一喷头31、第二喷头32和第三喷头33，使其回到原始位置；

每一个洗边步骤开始后，重复上述步骤。

在另一些具体实施例中，所述硅片旋涂工作台2还可以用于对硅片旋涂有机抗反射层，当所述硅片旋涂有机抗反射层形成有机抗反射层膜后，需要通过有机溶剂来洗边；

具体地，通过控制第一喷头31位移至洗边位置，并调节第一喷头31的洗边角度，第二喷头32和第三喷头33均处于关闭状态，打开第一喷头31以使第一喷头31喷出所述去除光刻胶的溶剂，洗边的宽度可以根据需求进行调节，第一喷头31喷射所述去除光刻胶的溶剂时，第一喷头31位置不变，硅片在所述硅片涂胶工作台2的带动下旋转，从而实现对硅片上有机抗反射层膜的去除；在第一喷头31喷射所述去除光刻胶的溶剂的同时，所述第四喷头40向所述硅片的背侧边缘喷射所述去除光刻胶的溶剂，从而避免洗边杂质污染硅片背面；

控制所述第三喷头33位移至洗边位置，并调节第三喷头33的洗边角度，使第一喷头31和第二喷头32处于关闭状态，打开第三喷头33使所述第三喷头33向硅片的边缘喷射去离子水，以去除洗边过程产生的杂质；第四喷头40保持打开状态以喷洗硅片的背面，避免杂质污染硅片背面。

需说明的是，硅片顶面只旋涂有机抗反射材料和含硅抗反射材料中的一种；当硅片涂有机抗反射层材料时通过控制所述第一喷头31喷射有机溶剂来进行洗边操作，以去除所述有机抗反射层材料；当硅片涂含硅抗反射层材料时通过控制所述第二喷头32喷射的剥离液来进行洗边操作，以去除所述含硅抗反射层材料。

本实用新型还提供一种硅片加工设备，包括所述的硅片的洗边装置。

本实用新型的所述的硅片加工设备优点为：由于所述硅片加工设备包括所述硅片的洗边装置，解决了现有技术中所用的有机溶剂很难溶解含硅抗反射层而影响产品良率的问题；避免了含硅抗反射层碎屑对产品和设备的污染和影响，从而节省了设备和产品的后续清洁步骤，提高了硅片的后续加工效率，保证了设备的加工质量和硅片的生产质量，提高了硅片生产的产品良率。

虽然在上文中详细说明了本实用新型的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本实用新型的范围和精神之内。而且，在此说明的本实用新型可有其它的实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。

Claims (9)

1.一种硅片的洗边装置，其特征在于，包括硅片旋涂工作台、洗边装置、背冲洗装置和供液系统；

所述供液系统用于对所述洗边装置和所述背冲洗装置提供溶剂；

所述洗边装置设置于所述硅片旋涂工作台的侧上部，用于对所述硅片进行洗边操作；

所述洗边装置包括喷头安装座，所述喷头安装座上安装有第一喷头、第二喷头和第三喷头，所述第一喷头用于喷射第一溶剂，所述第二喷头用于喷射清除含硅抗反射层的第二溶剂，所述第三喷头用于喷射第三溶剂，所述第一喷头、所述第二喷头和所述第三喷头通过不同的溶剂管连接所述供液系统；

所述背冲洗装置设置于所述硅片旋涂工作台的侧下部，用于防止所述洗边操作对所述硅片的背侧的污染。

2.如权利要求1所述的硅片的洗边装置，其特征在于，所述第二喷头用于喷射剥离液，所述供液系统包括剥离液供液装置，所述剥离液供液装置包括：

至少一个前置过滤器，用于对剥离液进行初步过滤以去除金属离子和杂质；

缓冲容器，连接所述前置过滤器，用于保存初步过滤后的剥离液并保持剥离液的温度；

输送泵，连接所述缓冲容器，用于输送所述剥离液；

后置过滤器，连接所述输送泵的输出端，用于对所述剥离液进行二次过滤，所述输送泵通过所述溶剂管将二次过滤后的剥离液输送至所述第二喷头，以对所述第二喷头提供所述剥离液。

3.如权利要求2所述的硅片的洗边装置，其特征在于，所述缓冲容器的数量为两个，两个所述缓冲容器间通过剥离液循环系统连接，以使所述剥离液在两个所述缓冲容器内循环流动。

4.如权利要求3所述的硅片的洗边装置，其特征在于，每个所述缓冲容器内均设置有温度监控控制系统，以控制所述缓冲容器内的所述剥离液的温度。

5.如权利要求2所述的硅片的洗边装置，其特征在于，所述第一喷头用于喷射有机溶液，所述供液系统还包括有机溶剂供液装置，所述有机溶剂供液装置通过所述溶剂管连接所述第一喷头，以对所述第一喷头提供用于去除有机抗反射层的所述有机溶剂。

6.如权利要求2所述的硅片的洗边装置，其特征在于，所述第三喷头用于喷射去离子水，所述供液系统还包括去离子水供液装置，所述去离子水供液装置通过所述溶剂管连接所述第三喷头，以对所述第三喷头提供用于清洗杂质的所述去离子水。

7.如权利要求1所述的硅片的洗边装置，其特征在于，所述洗边装置还包括设置于所述喷头安装座上的喷头转换机构，所述喷头转换机构用于控制所述第一喷头、所述第二喷头和所述第三喷头的开关及位置，以使所述第一喷头、所述第二喷头和所述第三喷头按需求工作。

8.如权利要求5所述的硅片的洗边装置，其特征在于，所述背冲洗装置包括第四喷头，所述第四喷头连接所述有机溶剂供液装置，以向所述硅片的背侧喷射用于去除洗边时流到硅片背面杂质的有机溶剂。

9.一种硅片加工设备，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的硅片的洗边装置。

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