CN216851929U - 一种高压mos管驱动电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及MOS管防护技术领域，具体地说，涉及一种高压MOS管驱动电路。其包括电源电路、电流检测电路、保护电路以及传输电路，其中所述电源电路的输出端与电流检测电路连接，所述电流检测电路的输出端与保护电路连接，所述电流检测电路包括芯片U1和电流跟随器GS1，所述芯片U1的输出端与传输电路连接，该高压MOS管驱动电路中，通过设置的电流检测电路，在电流经过的瞬间对其进行检测，当电流不高时则直接跳过保护电路，以便于提高对MOS管M1的供电速度，解决了目前的方式时直接在MOS管前方设置防护电路，但是防护电路并不能根据电流的情况来进行防护，导致电流每次都要经过保护电路的问题。

Description

一种高压MOS管驱动电路

技术领域

本实用新型涉及MOS管防护技术领域，具体地说，涉及一种高压MOS管驱动电路。

背景技术

MOS管又称金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOS管（MOSFET）依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等。

MOS管通常运用在开关电路上，控制着电子元器件的运行，但在一些电流不稳定的地方，当电流不稳定时，电源在对MOS管进行通电时的瞬间，MOS管会受到较强的电流冲击，进而导致MOS管受损，然而目前的方式时直接在MOS管前方设置防护电路，但是防护电路并不能根据电流的情况来进行防护，导致电流每次都要经过保护电路。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高压MOS管驱动电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供一种高压MOS管驱动电路，包括电源电路、电流检测电路、保护电路以及传输电路，其中：

所述电源电路的输出端与电流检测电路连接；

所述电流检测电路的输出端与保护电路连接，所述电流检测电路包括芯片U1和电流跟随器GS1，所述芯片U1的输出端与传输电路连接，所述芯片U1的引脚7与电流跟随器GS1连接，所述电流跟随器GS1的输出端与保护电路连接；

所述保护电路的输出端与传输电路连接，保护电路对电流进行缓冲，防止大电流对传输电路造成损坏。

作为本技术方案的进一步改进，所述芯片U1的引脚1连接有电阻R1，所述电阻R1的输入端与电源电路的输出端连接。

作为本技术方案的进一步改进，所述保护电路包括电阻R2，所述电阻R2的输出端与电流跟随器GS1的输出端连接，所述电阻R2的输出端串联有电阻R3和电容C1，所述电阻R3的输出端里连接有继电器J，所述电阻R3与继电器J之间并联有电容C2和电阻R4。

作为本技术方案的进一步改进，所述传输电路包括线路9和MOS管M1，所述芯片U1的输出端与线路9连接，所述电阻R2的输出端与线路9连接，所述MOS管M1的输入端连接有电容C4，所述MOS管M1的输出端连接有电容C3。

作为本技术方案的进一步改进，所述线路9输出端与MOS管M1之间连接有二极管D1，所述二极管D1的输出端与MOS管M1的输入端连接，所述二极管D1与MOS管M1之间并联有三极管Q1。

作为本技术方案的进一步改进，所述芯片U1的引脚5和引脚6并联后接地。

作为本技术方案的进一步改进，所述二极管D1与MOS管M1之间并联有电阻R5，所述电阻R5的输出端接地。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果：

该高压MOS管驱动电路中，通过设置的电流检测电路，在电流经过的瞬间对其进行检测，当电流不高时则直接跳过保护电路，以便于提高对MOS管M1的供电速度，解决了目前的方式时直接在MOS管前方设置防护电路，但是防护电路并不能根据电流的情况来进行防护，导致电流每次都要经过保护电路的问题。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构工作原理图。

图2为本实用新型的电流检测电路工作原理图。

图3为本实用新型的保护电路工作原理图。

图4为本实用新型的传输电路工作原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

实施例1

请参阅图1-图4所示，本实施例提供一种高压MOS管驱动电路，包括电源电路、电流检测电路、保护电路以及传输电路，其中：

电源电路的输出端与电流检测电路连接；

电流检测电路的输出端与保护电路连接，电流检测电路包括芯片U1和电流跟随器GS1，芯片U1的输出端与传输电路连接，芯片U1的引脚7与电流跟随器GS1连接，电流跟随器GS1的输出端与保护电路连接；

保护电路的输出端与传输电路连接，保护电路对电流进行缓冲，防止大电流对传输电路造成损坏。

除此之外，芯片U1的引脚1连接有电阻R1，电阻R1的输入端与电源电路的输出端连接，通过电阻R1对电流进行限制，防止大电流直接将芯片U1烧穿。

进一步的，保护电路包括电阻R2，电阻R2的输出端与电流跟随器GS1的输出端连接，电阻R2的输出端串联有电阻R3和电容C1，电阻R3的输出端里连接有继电器J，电阻R3与继电器J之间并联有电容C2和电阻R4，合闸时电阻R1限制了电容C1的通电电流，经过一段时间，电容C1上的电流达到预置值或电容C2上电流达到继电器J动作电流时，电阻R1被短路完成了启动，此时电阻R2便将整流后电流传输至传输电路处，进而达到了对传输电路的保护。

进一步的，传输电路包括线路9和MOS管M1，芯片U1的输出端与线路9连接，电阻R2的输出端与线路9连接，MOS管M1的输入端连接有电容C4，MOS管M1的输出端连接有电容C3，线路9将保护电路或者电流检测电路处的电传输至MOS管M1处，进而达到了对MOS管M1的驱动。

除此之外，为了提高对MOS管M1关闭时的损耗，线路9输出端与MOS管M1之间连接有二极管D1，二极管D1的输出端与MOS管M1的输入端连接，二极管D1与MOS管M1之间并联有三极管Q1，如果三极管Q1的发射极没有电阻，当MOS管M1导通时，电容C3和电容C4短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗；还有一个好处，就是电容C3和电容C4上的电荷泄放时电流不经过线路9，提高了可靠性。

进一步的，为了提高芯片U1运行时的稳定性，芯片U1的引脚5和引脚6并联后接地，接地能够抗提高芯片U1的抗干扰性能，进而提高了其运行时的稳定性。

进一步的，为了提高MOS管M1的抗压性能，二极管D1与MOS管M1之间并联有电阻R5，电阻R5的输出端接地，通过电阻R5对MOS管M1受到的电流进行限制，当值防止大电流对MOS管M1造成危害。

本实施例一种高压MOS管驱动电路，在使用时，电源电路内的电通过芯片U1传输至电流跟随器GS1处，电流跟随器GS1对电流机芯检测，并将检测接触通过引脚7发送至芯片U1，芯片U1根据结果来传输电流，当电流较大时，芯片U1控制电流跟随器GS1将电传输至保护电路处，经保护电路缓冲后输送处传出电路，当电流较小时，芯片U1则直接将电流输送至传输电路，跳过保护电路。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本实用新型的优选例，并不用来限制本实用新型，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (7)

1.一种高压MOS管驱动电路，其特征在于：包括电源电路、电流检测电路、保护电路以及传输电路，其中：

所述电源电路的输出端与电流检测电路连接；

所述电流检测电路的输出端与保护电路连接，所述电流检测电路包括芯片U1和电流跟随器GS1，所述芯片U1的输出端与传输电路连接，所述芯片U1的引脚7与电流跟随器GS1连接，所述电流跟随器GS1的输出端与保护电路连接；

所述保护电路的输出端与传输电路连接，保护电路对电流进行缓冲，防止大电流对传输电路造成损坏。

2.根据权利要求1所述的高压MOS管驱动电路，其特征在于：所述芯片U1的引脚1连接有电阻R1，所述电阻R1的输入端与电源电路的输出端连接。

3.根据权利要求1所述的高压MOS管驱动电路，其特征在于：所述保护电路包括电阻R2，所述电阻R2的输出端与电流跟随器GS1的输出端连接，所述电阻R2的输出端串联有电阻R3和电容C1，所述电阻R3的输出端里连接有继电器J，所述电阻R3与继电器J之间并联有电容C2和电阻R4。

4.根据权利要求3所述的高压MOS管驱动电路，其特征在于：所述传输电路包括线路9和MOS管M1，所述芯片U1的输出端与线路9连接，所述电阻R2的输出端与线路9连接，所述MOS管M1的输入端连接有电容C4，所述MOS管M1的输出端连接有电容C3。

5.根据权利要求4所述的高压MOS管驱动电路，其特征在于：所述线路9输出端与MOS管M1之间连接有二极管D1，所述二极管D1的输出端与MOS管M1的输入端连接，所述二极管D1与MOS管M1之间并联有三极管Q1。

6.根据权利要求1所述的高压MOS管驱动电路，其特征在于：所述芯片U1的引脚5和引脚6并联后接地。

7.根据权利要求5所述的高压MOS管驱动电路，其特征在于：所述二极管D1与MOS管M1之间并联有电阻R5，所述电阻R5的输出端接地。

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