CN216849859U - 适用于半导体制造设备的废气处理系统及半导体制造设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及废气处理领域，提供一种适用于半导体制造设备的废气处理系统及半导体制造设备。适用于半导体制造设备的废气处理系统包括若干封闭室，各封闭室内设置有真空泵和废气处理装置；排风管路，流体连通于封闭室；消防管路，流体连通于封闭室。该适用于半导体制造设备的废气处理系统能够节省建筑施工成本，还能够将废气处理装置产生的热量以及潜在的废气及时排走，能够火情进行及时的消除。降低了相关技术中半导体制造设备的废气处理系统中容易出现的火灾、爆炸等危险事宜出现的可能性，提高了半导体制造设备的废气处理系统的安全处理能力。

Description

适用于半导体制造设备的废气处理系统及半导体制造设备

技术领域

本实用新型涉及废气处理领域，特别是涉及一种适用于半导体制造设备的废气处理系统及半导体制造设备。

背景技术

半导体制造工艺最常见的工艺反应气体有氢气、二氯二氢硅、氯化氢等。但是在工艺反应中，只有1％的工艺气体被用于晶圆片的工艺生产，其余的气体都被真空泵沿着真空管路送到废气处理装置中进行处理。这些残余的气体和副产物部分会附着到传送管路的内壁上。

当维护人员对设备进行维护、拆解或对管路进行维护操作时，这些附着在管路内壁上的副产物会暴露于大气环境中。副产物中残留的二氯二氢硅遇到空气会出现自燃的现象，从而引发副产物中残留的氢气发生爆炸。甚至当维护操作过程中对管路进行的敲击动作、碰撞动作时，都会引发爆炸的风险

在设备完成维护后，设备进行重启操作抽真空时，会有大量的空气进入到管路系统和真空泵系统中，此时，这些副产物也会与空气进行接触发生自燃与爆炸的风险。当设备完成维护后，若管路中出现漏点导致空气进入到管路中，同样会引发爆炸的风险。

由于制造工艺的风险系数极高，为了应对这一问题，部分工厂会对制造工艺区域建立独立的场地空间，但是这就导致半导体制造的废气处理存在建设成本高的问题。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种适用于半导体制造设备的废气处理系统，能够降低废气处理系统的施工建设成本，提高废气处理的安全性。

本实用新型第二方面实施例提供一种半导体制造设备。

本实用新型第一方面实施例提供一种适用于半导体制造设备的废气处理系统，包括：

若干封闭室，各所述封闭室内设置有真空泵和废气处理装置；

排风管路，流体连通于所述封闭室；

消防管路，流体连通于所述封闭室。

根据本实用新型第一方面实施例提供的适用于半导体制造设备的废气处理系统，通过设置若干封闭室，并在各个封闭室内设置真空泵和废气处理装置，省去了相关技术中为半导体制造设备设置独立场区的施工步骤。通过在封闭室上连通排风管，能够通过排风管将废气处理装置产生的热量以及潜在的废气及时排走，进而避免了封闭室中的废气浓度过大时容易造成火灾、爆炸的问题。通过在封闭室上连通消防管路，当封闭室内出现火情时，能够通过消防管路对火情进行及时的消除。由此就能够降低相关技术中半导体制造设备的废气处理系统中容易出现的火灾、爆炸等危险事宜出现的可能性，提高了导体制造设备的废气处理系统的安全处理能力。

根据本实用新型的一个实施例，所述排风管路上设置有与若干所述封闭室一一对应的第一接口；

所述消防管路上设置有与若干所述封闭室一一对应的第二接口。

根据本实用新型的一个实施例，还包括第一检测件，所述第一检测件适于检测所述封闭室的温度和/或烟雾，所述消防管路适于基于所述第一检测件的第一检测信号启停。

根据本实用新型的一个实施例，还包括保护气管路，所述保护气管路流体连通于所述封闭室。

根据本实用新型的一个实施例，还包括第二检测件，所述第二检测件适于检测所述封闭室的废气浓度，所述保护气管路适于基于所述第二检测件的第二检测信号启停。

根据本实用新型的一个实施例，所述保护气管路上设置有与若干所述封闭室一一对应的第三接口。

根据本实用新型的一个实施例，所述保护气管路内设置有适于由所述封闭室的外部向内部单向导通的第一止回阀。

根据本实用新型的一个实施例，所述保护气管路内适于流通氮气。

根据本实用新型的一个实施例，所述排风管路中设置有适于由所述封闭室的内部向外部单向导通的第二止回阀。

本实用新型第二方面实施例提供一种半导体制造设备，包括上述的适用于半导体制造的废气处理系统。

根据本实用新型第二方面实施例提供的半导体制造设备，通过设置上述的适用于半导体制造的废气处理系统，能够降低相关技术中半导体制造设备的废气处理系统中容易出现的火灾、爆炸等危险事宜出现的可能性，提高了导体制造设备的废气处理系统的安全处理能力。

本实用新型中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果之一：

根据本实用新型第一方面实施例提供的适用于半导体制造设备的废气处理系统，通过设置若干封闭室，并在各个封闭室内设置真空泵和废气处理装置，省去了相关技术中为半导体制造设备设置独立场区的施工步骤。通过在封闭室上连通排风管，能够通过排风管将废气处理装置产生的热量以及潜在的废气及时排走，进而避免了封闭室中的废气浓度过大时容易造成火灾、爆炸的问题。通过在封闭室上连通消防管路，当封闭室内出现火情时，能够通过消防管路对火情进行及时的消除。由此就能够降低相关技术中半导体制造设备的废气处理系统中容易出现的火灾、爆炸等危险事宜出现的可能性，提高了导体制造设备的废气处理系统的安全处理能力。

根据本实用新型第二方面实施例提供的半导体制造设备，通过设置上述的适用于半导体制造的废气处理系统，能够降低相关技术中半导体制造设备的废气处理系统中容易出现的火灾、爆炸等危险事宜出现的可能性，提高了导体制造设备的废气处理系统的安全处理能力。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的适用于半导体制造设备的废气处理系统的示意性结构图。

附图标记：

100、封闭室；102、真空泵；104、废气处理装置；106、排风管路；108、消防管路；110、第一接口；112、第二接口；114、保护气管路；116、第三接口；118、半导体制造机台。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型的实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不能用来限制本实用新型的范围。

在本实用新型实施例的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型实施例的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型实施例中的具体含义。

在本实用新型实施例中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

如图1所示，本实用新型第一方面实施例提供一种适用于半导体制造设备的废气处理系统，包括若干封闭室100、排风管路106以及消防管路108；其中，各封闭室100内设置有真空泵102和废气处理装置104；排风管路106流体连通于封闭室100；消防管路108流体连通于封闭室100。

根据本实用新型第一方面实施例提供的适用于半导体制造设备的废气处理系统，通过设置若干封闭室100，并在各个封闭室100内设置真空泵102和废气处理装置104，省去了相关技术中为半导体制造设备设置独立场区的施工步骤。通过在封闭室100上连通排风管，能够通过排风管将废气处理装置104产生的热量以及潜在的废气及时排走，进而避免了封闭室100中的废气浓度过大时容易造成火灾、爆炸的问题。通过在封闭室100上连通消防管路108，当封闭室100内出现火情时，能够通过消防管路108对火情进行及时的消除。由此就能够降低相关技术中半导体制造设备的废气处理系统中容易出现的火灾、爆炸等危险事宜出现的可能性，提高了导体制造设备的废气处理系统的安全处理能力。

在本实用新型实施例中，封闭室100可由若干钢板围合而成，钢板可以选用厚度在3毫米至5毫米范围内的钢板。通过钢板围设形成封闭室100，并将真空泵102、废气处理装置104以及二者之间的连接管路均设置在封闭室100内，能够将上述部件进行针对性地隔离设置。其中，真空泵102通过管路与半导体制造机台118相连以将半导体制造机台118所产生的废气吸入。

根据本实用新型的一个实施例，排风管路106上设置有与若干封闭室100一一对应的第一接口110；消防管路108上设置有与若干封闭室100一一对应的第二接口112。

参见图1，在排风管路106上设置有多个第一接口110，多个第一接口110与各封闭室100一一对应地设置，这样一来，就能够将每个封闭室100内的废气及时排走，同时还能够降低排风管路106的施工建设成本。需要说明的是，在本实用新型实施例中，排风管路106持续工作以降低封闭室100内的废气浓度。

同样，在消防管路108上设置有多个第二接口112，多个第二接口112与各封闭室100一一对应地设置，这样一来，就能够针对每个封闭室100内的火情进行及时处理，同样可以降低消防管路108的施工建设成本。

根据本实用新型的一个实施例，还包括第一检测件，第一检测件适于检测封闭室100的温度和/或烟雾，消防管路108适于基于第一检测件的第一检测信号启停。

在本实用新型实施例中，在各个封闭室100内还设置有第一检测件，第一检测件用于检测封闭室100内的温度、烟雾浓度中的至少一个，例如，第一检测件可以使用烟雾传感器或火焰传感器。以火焰传感器为例，当火焰传感器检测到封闭室100内出现火情时，能够生成用于表征该封闭室100内出现火情的第一检测信号，控制器在接收到该第一检测信号后，能够控制消防管路108对该封闭室100进行喷淋灭火处理。

根据本实用新型的一个实施例，还包括保护气管路114，保护气管路114流体连通于封闭室100；保护气管路114内适于流通氮气。

请继续参见图1，在本实用新型实施例中，在各个封闭室100上还连通有保护气管路114，其中，保护气管路114的作用在于对封闭室100内的空气废气浓度进行稀释。

保护气管路114可以持续开启或者间歇性开启，保护气管路114中可以通入氮气等保护气。当然，在其他的一些实施例中，还可以在保护气管路114中通入其他类型的保护气体，例如可以选用化学性质不活泼的稀有气体作为保护气，如氦气、氖气、氩气等。

在本实用新型实施例中，处于成本的考虑，保护气选用氮气，由于空气中氮气的含量较高，制取相对容易，因而选用氮气作为保护气。

根据本实用新型的一个实施例，还包括第二检测件，第二检测件适于检测封闭室100的废气浓度，保护气管路114适于基于第二检测件的第二检测信号启停。

在本实用新型实施例中，在各个封闭室100内还设置有第二检测件，第二检测件用于检测封闭室100内的废气浓度，例如，第二检测件可以使用废气浓度传感器。当废气浓度传感器检测到封闭室100内废气浓度超出设定阈值时，能够生成用于表征该封闭室100内的废气浓度过高的第二检测信号，控制器在接收到该第二检测信号后，能够控制保护气管路114对该封闭室100进行空气稀释处理。

根据本实用新型的一个实施例，保护气管路114上设置有与若干封闭室100一一对应的第三接口116。

在保护气管路114上设置有多个第三接口116，多个第三接口116与各封闭室100一一对应地设置，这样一来，就能够针对每个封闭室100内的空气浓度进行及时稀释，同时还可以降低保护气管路114的施工建设成本。

根据本实用新型的一个实施例，保护气管路114内设置有适于由封闭室100的外部向内部单向导通的第一止回阀。

通过在保护气管路114内设置第一止回阀，能够防止保护气管路114中的保护气回流，避免了保护气无法流入封闭室100的现象发生。当然，在其他的一些实施例中，还可以通过其他方式实现上述目的，例如可以将保护气管路114设置成始终开启的形式等。

根据本实用新型的一个实施例，排风管路106中设置有适于由封闭室100的内部向外部单向导通的第二止回阀。

通过在排风管路106中设置第二止回阀，能够防止进入到排风管路106中的废气倒流回封闭室100中，进而避免了封闭室100中的废气浓度的提高。

本实用新型第二方面实施例提供一种半导体制造设备，包括上述的适用于半导体制造的废气处理系统。

根据本实用新型第二方面实施例提供的半导体制造设备，通过设置上述的适用于半导体制造的废气处理系统，能够降低相关技术中半导体制造设备的废气处理系统中容易出现的火灾、爆炸等危险事宜出现的可能性，提高了导体制造设备的废气处理系统的安全处理能力。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种适用于半导体制造设备的废气处理系统，其特征在于，包括：

若干封闭室(100)，各所述封闭室(100)内设置有真空泵(102)和废气处理装置(104)；

排风管路(106)，流体连通于所述封闭室(100)；

消防管路(108)，流体连通于所述封闭室(100)。

2.根据权利要求1所述的适用于半导体制造设备的废气处理系统，其特征在于，所述排风管路(106)上设置有与若干所述封闭室(100)一一对应的第一接口(110)；

所述消防管路(108)上设置有与若干所述封闭室(100)一一对应的第二接口(112)。

3.根据权利要求1所述的适用于半导体制造设备的废气处理系统，其特征在于，还包括第一检测件，所述第一检测件适于检测所述封闭室(100)的温度和/或烟雾，所述消防管路(108)适于基于所述第一检测件的第一检测信号启停。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的适用于半导体制造设备的废气处理系统，其特征在于，还包括保护气管路(114)，所述保护气管路(114)流体连通于所述封闭室(100)。

5.根据权利要求4所述的适用于半导体制造设备的废气处理系统，其特征在于，还包括第二检测件，所述第二检测件适于检测所述封闭室(100)的废气浓度，所述保护气管路(114)适于基于所述第二检测件的第二检测信号启停。

6.根据权利要求4所述的适用于半导体制造设备的废气处理系统，其特征在于，所述保护气管路(114)上设置有与若干所述封闭室(100)一一对应的第三接口(116)。

7.根据权利要求4所述的适用于半导体制造设备的废气处理系统，其特征在于，所述保护气管路(114)内设置有适于由所述封闭室(100)的外部向内部单向导通的第一止回阀。

8.根据权利要求4所述的适用于半导体制造设备的废气处理系统，其特征在于，所述保护气管路(114)内适于流通氮气。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的适用于半导体制造设备的废气处理系统，其特征在于，所述排风管路(106)中设置有适于由所述封闭室(100)的内部向外部单向导通的第二止回阀。

10.一种半导体制造设备，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的适用于半导体制造的废气处理系统。

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