CN216677690U - 用于半导体废气的处理装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了用于半导体废气的处理装置，涉及工业废气处理技术领域，该用于半导体废气的处理装置，包括：供半导体废气燃烧的内管，且内管管腔为反应腔室；套设在反应腔室外周，并与反应腔室围成通道一以流通气体的套筒；套设在套筒外周，与套筒通过通道二相通的隔绝套管；设于所述套筒和隔绝套管之间的隔热层；套设在隔绝套管外周，并与隔绝套管围成通道三以流通气体的放气套管；以及，套设在放气套管外周，并与放气套管围成储气腔室以储装气体的密封套管。本实用新型通过在反应腔室和储气腔室之间增设套筒、隔热层、隔绝套管和放气套管以缓存反应腔室排放的气体，解决了工作过程中能耗高，热利用率低的问题。

Description

用于半导体废气的处理装置

技术领域

本实用新型涉及工业废气处理技术领域，具体为用于半导体废气的处理装置。

背景技术

半导体制造过程中会产生酸碱气体以及其他有机废气，这样的气体排放到空气中会污染空气，危害人体的健康，对于工业废气必须进行净化处理才可以排放，专利号为CN210345494U的中国专利提出了一种废气燃烧处理设备及其废气处理反应腔，该废气处理反应腔结构简单，制造成本低廉，通过在反应腔室和储装腔室之间设置第一隔热层以减少向外界散失的热量；第一隔热层能够提高反应腔室和储装腔室之间的热阻，使反应腔室内的热量很难向温度较低的储装腔室传导能够减少向外界散失的热量，解决了其工作过程中能耗高的问题。

然而，反应腔室通过第二法兰座与抽气管道连接，将燃烧反应后的气体直接排放到抽气管道内，虽然反应腔室四周减少了向外界散失热量，但是直接排放的气体却带走了大量热量，气体排走的散热量大，使得热量利用率大大降低。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供了用于半导体废气的处理装置，该用于半导体废气的处理装置结构简单，能够通过排出的气体进一步对反应腔室进行保温后散出，在保温基础上做了隔热处理，提高了热量利用率，解决了工作过程中能耗高，热利用率低的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：用于半导体废气的处理装置，包括：

供半导体废气燃烧的内管，且内管管腔为反应腔室；

套设在反应腔室外周，并与反应腔室围成通道一以流通气体的套筒；

套设在套筒外周，与套筒通过通道二相通的隔绝套管；

设于所述套筒和隔绝套管之间的隔热层；

套设在隔绝套管外周，并与隔绝套管围成通道三以流通气体的放气套管；以及，

套设在放气套管外周，并与放气套管围成储气腔室以储装气体的密封套管；

所述放气套管通过下法兰座以连接密封套管，所述内管通过上法兰座以连接套筒、隔绝套管、放气套管以及密封套管，所述密封套管外壁设置进气接头，所述储气腔室与反应腔室通过通道四相通，以进气燃烧，所述通道四设置在上法兰座内。

优选的，所述通道四包括设置在上法兰座底部并与储气腔室相通的环形腔，所述环形腔内壁沿径向设置若干通气孔与反应腔室相通。

优选的，所述通道二由套筒、隔热层以及隔绝套管在同一高度设置轴向相通的孔组成。

优选的，所述隔热层为管型保温层。

优选的，所述密封套管外侧设置冷却腔室。

本实用新型具备以下有益效果：

本实用新型通过在反应腔室和储气腔室之间增设套筒、隔热层、隔绝套管和放气套管以缓存反应腔室排放的气体，且气体沿内管外从下往上流通，利用排放气体的热量以达到流通对反应腔室保温的目的，进一步的通过隔热层隔热保温，减少了向外界散失的热量，提高了热利用率。

附图说明

图1为本实用新型正剖面图；

图2为本实用新型内管结构示意图。

图中：1、内管；11、反应腔室；12、上法兰座；121、通道四；2、套筒；21、通道一；3、隔绝套管；4、通道二；5、隔热层；6、放气套管；61、通道三；62、下法兰座；7、密封套管；71、储气腔室；72、进气接头；8、冷却腔室。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1-2所示，本实用新型提供一种技术方案：用于半导体废气的处理装置，包括：

供半导体废气燃烧的内管1，且内管1管腔为反应腔室11，反应腔室11内的温度高达1200℃以上，由反应腔室11排放的气体温度高；

套设在反应腔室11外周，并与反应腔室11围成通道一21以流通气体的套筒2；

套设在套筒2外周，与套筒2通过通道二4相通的隔绝套管3；

设于套筒2和隔绝套管3之间的隔热层5，为了增强保温效果，可将隔热层5延伸至套筒2底部；

套设在隔绝套管3外周，并与隔绝套管3围成通道三61以流通气体的放气套管6；以及，

套设在放气套管6外周，并与放气套管6围成储气腔室71以储装气体的密封套管7，放气套管6和密封套管7的管壁上可增设管型保温层隔热；

放气套管6通过下法兰座62以连接密封套管7，内管1通过上法兰座12以连接套筒2、隔绝套管3、放气套管6以及密封套管7，密封套管7外壁设置进气接头72，储气腔室71与反应腔室11通过通道四121相通，以进气燃烧，通道四121设置在上法兰座12内；

进气接头72、储气腔室71、通道四121和反应腔室11进气口依次相连通，以流通废气；反应腔室11出气口、通道一21、通道二4和通道三61依次相连通，以流通燃烧后气体。

作为本实用新型的一种技术优化方案，通道四121包括设置在上法兰座12底部并与储气腔室71相通的环形腔，环形腔内壁沿径向设置若干通气孔与反应腔室11相通。

作为本实用新型的一种技术优化方案，通道二4由套筒2、隔热层5以及隔绝套管3在同一高度设置轴向相通的孔组成。

作为本实用新型的一种技术优化方案，隔热层5为管型保温层。

作为本实用新型的一种技术优化方案，密封套管7外侧设置冷却腔室8，冷却腔室8为水冷装置，从下往上循环供水以降温，由于冷却腔室8与反应腔室11之间通过通道一21、隔热层5、通道三61和储气腔室71隔开，因此冷却腔室8对外部进行降温的同时，不会影响到反应腔室11的热量。

综上可得，本实用新型通过在反应腔室11和储气腔室71之间增设套筒2、隔热层5、隔绝套管3和放气套管6以缓存反应腔室11排放的气体，解决了工作过程中能耗高，热利用率低的问题。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.用于半导体废气的处理装置，其特征在于：包括：

供半导体废气燃烧的内管(1)，且内管(1)管腔为反应腔室(11)；

套设在反应腔室(11)外周，并与反应腔室(11)围成通道一(21)以流通气体的套筒(2)；

套设在套筒(2)外周，与套筒(2)通过通道二(4)相通的隔绝套管(3)；

设于所述套筒(2)和隔绝套管(3)之间的隔热层(5)；

套设在隔绝套管(3)外周，并与隔绝套管(3)围成通道三(61)以流通气体的放气套管(6)；以及，

套设在放气套管(6)外周，并与放气套管(6)围成储气腔室(71)以储装气体的密封套管(7)；

所述放气套管(6)通过下法兰座(62)以连接密封套管(7)，所述内管(1)通过上法兰座(12)以连接套筒(2)、隔绝套管(3)、放气套管(6)以及密封套管(7)，所述密封套管(7)外壁设置进气接头(72)，所述储气腔室(71)与反应腔室(11)通过通道四(121)相通，以进气燃烧，所述通道四(121)设置在上法兰座(12)内。

2.根据权利要求1所述的用于半导体废气的处理装置，其特征在于：所述通道四(121)包括设置在上法兰座(12)底部并与储气腔室(71)相通的环形腔，所述环形腔内壁沿径向设置若干通气孔与反应腔室(11)相通。

3.根据权利要求1所述的用于半导体废气的处理装置，其特征在于：所述通道二(4)由套筒(2)、隔热层(5)以及隔绝套管(3)在同一高度设置轴向相通的孔组成。

4.根据权利要求1所述的用于半导体废气的处理装置，其特征在于：所述隔热层(5)为管型保温层。

5.根据权利要求1所述的用于半导体废气的处理装置，其特征在于：所述密封套管(7)外侧设置冷却腔室(8)。

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