CN216673352U - 一种分立件自震式可控硅深度调光电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及深度调光电路技术领域，特别涉及一种分立件自震式可控硅深度调光电路，电源输入端通过可控硅调光器连接所述电路后控制LED负载光源，包括EMC电路、整流滤波电路、分立件自震电路、纹波平滑电路与深度调光电路；还包括初级线圈与次级线圈分别连接所述分立件自震电路与纹波平滑电路的变压器。本实用新型的提出解决了现有的可控硅调光电路不能实现较好的调光深度，不能支持市面上大部分的可控硅调光器，工频纹波大，调光过程抖动、闪烁以及成本高的问题。

Description

一种分立件自震式可控硅深度调光电路

技术领域

本实用新型涉及深度调光电路技术领域，特别涉及一种分立件自震式可控硅深度调光电路。

背景技术

调光电路，就是调节LED或者灯泡的亮度，实现方法通常包括：模拟调光、定时器调光、PWM脉冲宽度调光与可控硅调光等。

现有的可控硅调光电路中，通常会出现不能实现较好的调光深度，不能支持市面上大部分的可控硅调光器，工频纹波大，调光过程抖动、闪烁以及成本高的问题。

因此，一种分立件自震式可控硅深度调光电路应运而生。

实用新型内容

本实用新型的实用新型内容在于提供一种分立件自震式可控硅深度调光电路，主要解决了现有的可控硅调光电路不能实现较好的调光深度，不能支持市面上大部分的可控硅调光器，工频纹波大，调光过程抖动、闪烁以及成本高的问题。

本实用新型提出了一种分立件自震式可控硅深度调光电路，电源输入端通过可控硅调光器连接所述电路后控制LED负载光源，包括EMC电路、整流滤波电路、分立件自震电路、纹波平滑电路与深度调光电路；还包括初级线圈与次级线圈分别连接所述分立件自震电路与纹波平滑电路的变压器；

整流滤波电路，用于对输入电压进行整流以获得整流电压；

分立件自震电路，用于将整流电压转换成PWM电压信号；

纹波平滑电路，用于去除输入的交流分量；

深度调光电路，用于稳定可控硅调光器中流动的电流振荡；还用于当输入电压是切相电压时，提供稳定的动态负载。

优选地，所述分立件自震电路包括电阻R2、电阻R3、电阻R6、电阻R6A、电阻RS1、电阻RS2、变压器T1、三极管Q1、三极管Q2、电容C5与二极管D1。

优选地，所述电阻RS1与电阻RS2并联，且作为限流采样电阻；所述分立件自震电路内还设置有变压器漏感泄放电路，且所述变压器漏感泄放电路包括电阻R8、电阻R8A与电容C6、二极管D3。

优选地，所述纹波平滑电路包括电容C9、电容C10、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、二极管D11、二极管D13、二极管D14、稳压二极管Z3、稳压二极管Z4与NMOS管Q5。

优选地，所述电容C9、二极管D13串联后接入所述变压器的次级线圈，且所述二极管D13的阴极接地；所述电容C10的阳极连接电阻R21、电阻R20后再接入所述二极管D4的阴极并联接入所述电容C9的一端；所述电容C9的另一端通过电阻R19后再通过二极管D11接入所述电阻R20与电阻R21间；所述D4的阴极还并联接有二极管D14的阳极、电阻R24与NMOS管Q5的漏极；所述二极管D14的阴极连接稳压管Z3的阴极；所述NMOS管的源极接入稳压管Z4的阳极。

优选地，所述深度调光电路包括电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、二极管D8、二极管D9、三极管Q6与三极管Q7。

优选地，所述三极管Q6与三极管Q7构成可控硅触发按键电路。

优选地，还包括并联设置于所述分立件自震电路与LED负载光源之间的短路保护电路与开路保护电路。

由上可知，应用本实用新型提供的技术方案可以得到以下有益效果：

第一，本实用新型提出的电路中设置有深度调光电路，可用于支持1～100％的调光深度，进而控制LED负载光源实现更大调光范围，调光步进值更小，调光效果更好；

第二，本实用新型提出的电路中设置有分立件自震电路，其采用分立件器件实现自激振荡，成本更低；

第三，本实用新型提出的电路可适配高达95％的可控硅调光器，还可实现输出小于1％的纹波系数，以及在调光过程中无抖动闪烁，实现平滑调光。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例中分立件自震式可控硅深度调光电路的实际应用连接图；

图2为本实用新型实施例中分立件自震式可控硅深度调光电路的内部框图；

图3为本实用新型实施例中分立件自震式可控硅深度调光电路的具体电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

现有的可控硅调光电路不能实现较好的调光深度，不能支持市面上大部分的可控硅调光器，工频纹波大，调光过程抖动、闪烁以及成本高的问题。

如图1～图3所示，为了解决上述问题，本实施例提出了一种分立件自震式可控硅调光电路，电源输入端通过可控硅调光器连接电路后控制LED负载光源，该电路包括EMC电路、整流滤波电路、分立件自震电路、纹波平滑电路与深度调光电路；还包括初级线圈与次级线圈分别连接分立件自震电路与纹波平滑电路的变压器。

其中，整流滤波电路，用于对输入电压进行整流以获取整流电压；分立件自震电路，用于将整流电压转换成PWM电压信号；纹波贫化电炉，用于去除输入的交流分量；深度调光电路，用于稳定可控硅调光器中流动的电流震荡；还用于当输入电压是切相电压时，提供稳定的动态负载。

优选地，EMC电路包括电感L1、安规电容X2组成LC电路，抑制外界对驱动电源的传导干扰。

更具体地，分立件自震电路包括电阻R2、电阻R3、电阻R6、电阻R6A、电阻RS1、电阻RS2、变压器T1、三极管Q1、三极管Q2、电容C5以及二极管D1。

更具体地，电阻RS1与电阻RS2并联，且作为限流采样电阻；分立件执政电路内还设置有变压器漏感泄放电路，且变压器漏感泄放电路包括电阻R8、电阻R8A、电容C3与二极管D3。

在本实施例中，当接通AC电压，经整流滤波电路给直流母线提供一个直流电压，使电阻R2与R3两端产生一个电压，电流经过R2与R3给主开关三极管Q1的基极供电，同时给VCC电容C5充电，使主开关三极管Q1微导通；电压加在变压器T1的原边绕组，辅助绕组上；PIN1和PIN4为同名端，导致辅助绕上一个感应电压，电流经过D1流到主开关三极管Q1的基极，加速主开关三极管Q1导通；此时主开关三极管Q1电流经集电极流向发射极，经限流检测电阻RS1//RS2到地，随着主开关三极管Q1的电流加大，限流检测电阻RS1//RS2两端的电压也增大，三极管Q2基极检测电阻R9检测到0.7V的电压，三极管Q2导通，等同主开关三极管Q1的基极-发射极短路；主开关三极管Q1停止工作；当开关管Q1关断时。变压器T1辅助绕组电压反向，电流经辅助绕组VCC端流向电阻R6//R6A,经电容C5流向主开关三极管Q1基极，主开关三极管Q1导通。主开关三极管Q1高速的开/关给次级提供一个持续的负载能量。

更具体地，纹波平滑电路包括电容C9、电容C10、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、二极管D11、二极管D13、二极管D14、稳压二极管Z3、稳压二极管Z4与NMOS管Q5。

其中，电容C9、二极管D13串联后接入变压器的次级线圈，且二极管D13的阴极接地；电容C10的阳极连接电阻R21、电阻R20后再接入二极管D4的阴极并联接入电容C9的一端；电容C9的另一端通过电阻R19后再通过二极管D11接入电阻R20与电阻R21间；二极管D4的阴极还并联接有二极管D14的阳极、电阻R24与NMOS管Q5的漏极；二极管D14的阴极连接稳压管Z3的阴极；NMOS管的源极接入稳压管Z4的阳极。

在本实施例中，当主变压器T1的P6为输出端高电位时，电流通过二极管D4流经电阻R20、R21到电容C10，流经电阻R22到NMOS管Q5，给NMOS管G极供电。嵌位稳压管二极管Z4并联在NMOS管的G极跟S极，使NMOS管G-S极的电压嵌位在一个电压值。同时当主变压器T1的P6为输出端高电位时，电流通过二极管D4流经电阻R24，给NMOS管G极供电。嵌位稳压管二极管Z4并联在NMOS管的G极跟S极，使NMOS管G-S极的电压嵌位在一个电压值.

当主变压器T1的P6为输出端高电位时，电流经电容C9流经电阻R19，经二极管D11；经电阻R21到电容C10，流经电阻R22到NMOS管Q5，给NMOS管G极供电。嵌位稳压管二极管Z4并联在NMOS管的G极跟S极，使NMOS管G-S极的电压嵌位在一个电压值。当主变压器T1的P7为输出端高电位时，电流经二极管D13，流经电阻R18 R19，经二极管D11；经电阻R21到电容C10，流经电阻R22到NMOS管Q5，给NMOS管G极提供一个持续的供电。

更具体地，深度调光电路包括电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、二极管D8、二极管D9、三极管Q6与三极管Q7。

其中，三极管Q6与三极管Q7构成可控硅触发按键电路。

在本实施例中，当输出电路工作正常时，电流经负载O+到O-，经并联的电阻R14与电阻R15到SG；电阻R14//R15两端产生一个0.7V的电压，经电阻R16到三极管Q7的基极，同时O+经电阻R13到三极管Q7的集电极，三极管Q7导通，形成一个很小的假负载，三极管Q6的基极截止。

当交流输入电压调低时，输出负载电压也降低，电阻R14//R15两端的电压下降到三极管Q7截止时，三极管Q7关断，停止工作；负载电流经O+到O-，经电阻R13到Q6的基极，经电阻R17到三极管Q6集电极到发射极，三极管Q6正偏导通，R17为功率电阻，形成一个低电压段的假负载。更好的为前端电路提供一个稳定动态负载。

优选地，本实施例还包括并联设置于分立件自震电路与LED负载光源之间的短路保护电路与开路保护电路。

其中，电路由器件主变压器T1，电阻R6//R6A，电容C5，主开关三极管Q1组成。当主变压器T1的副边绕组输出短路时，产生一个很小的电压，此时返回到主变压器T1的VCC辅助绕组磁能也很小，产生一个低电压，达不到主开关三极管Q1的开启电压。顾主开关三极管Q1不工作，实现达到保护电路。

其中，电路由器件稳压二极管Z1、三极管Q3、三极管Q4、电阻R5与电容C3组成。当输出电压工作正常时，电流经稳压二极管Z1，经电阻R5，电容C3到R4，经D2到VCC，三极管Q3 Q4截止。当输出电压变高时，主变压器T1的辅助绕组VCC端电压也升高，电流经电阻R6//R6A，经电容到主开关三极管Q1的基极，三极管Q4的发射极产生一个高电位，三极管Q3与三极管Q4导通，电流经稳压二极管到PG，三极管Q4的电流从发射极经集电极到稳压二极管Z1到PG.主开关三极管Q1的基极低电位，主开关三极管Q1的停止工作，实现开路保护作用。

综上所述，本实施例提出的一种分立件自震式可控硅深度调光电路，其通过整流滤波电路对输入电压进行整流以获得整流电压，再分立件自震电路将整流电压转换成PWM电压信号，纹波平滑电路将输入的交流分量除去，深度调光电路可以稳定可控硅调光器中流动的电流的振荡，并且当输入电压是切相电压时，深度调光电路提供一个稳定的动态负载。获得输入电压是切相电压还是非切相电压的负载，维持可控硅调光器的工作特性。符合安全要求，采用常规分立元器件组成，产品性能一致稳定，降低制造经济成本，提高效益。

以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种分立件自震式可控硅深度调光电路，电源输入端通过可控硅调光器连接所述电路后控制LED负载光源，其特征在于：包括EMC电路、整流滤波电路、分立件自震电路、纹波平滑电路与深度调光电路；还包括初级线圈与次级线圈分别连接所述分立件自震电路与纹波平滑电路的变压器；

整流滤波电路，用于对输入电压进行整流以获得整流电压；

分立件自震电路，用于将整流电压转换成PWM电压信号；

纹波平滑电路，用于去除输入的交流分量；

深度调光电路，用于稳定可控硅调光器中流动的电流振荡；还用于当输入电压是切相电压时，提供稳定的动态负载。

2.根据权利要求1所述的一种分立件自震式可控硅深度调光电路，其特征在于：所述分立件自震电路包括电阻R2、电阻R3、电阻R6、电阻R6A、电阻RS1、电阻RS2、变压器T1、三极管Q1、三极管Q2、电容C5与二极管D1。

3.根据权利要求2所述的一种分立件自震式可控硅深度调光电路，其特征在于：所述电阻RS1与电阻RS2并联，且作为限流采样电阻；所述分立件自震电路内还设置有变压器漏感泄放电路，且所述变压器漏感泄放电路包括电阻R8、电阻R8A与电容C6、二极管D3。

4.根据权利要求1所述的一种分立件自震式可控硅深度调光电路，其特征在于：所述纹波平滑电路包括电容C9、电容C10、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、二极管D11、二极管D13、二极管D14、稳压二极管Z3、稳压二极管Z4与NMOS管Q5。

5.根据权利要求4所述的一种分立件自震式可控硅深度调光电路，其特征在于：所述电容C9、二极管D13串联后接入所述变压器的次级线圈，且所述二极管D13的阴极接地；所述电容C10的阳极连接电阻R21、电阻R20后再接入所述二极管D4的阴极并联接入所述电容C9的一端；所述电容C9的另一端通过电阻R19后再通过二极管D11接入所述电阻R20与电阻R21间；所述D4的阴极还并联接有二极管D14的阳极、电阻R24与NMOS管Q5的漏极；所述二极管D14的阴极连接稳压管Z3的阴极；所述NMOS管的源极接入稳压管Z4的阳极。

6.根据权利要求1所述的一种分立件自震式可控硅深度调光电路，其特征在于：所述深度调光电路包括电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、二极管D8、二极管D9、三极管Q6与三极管Q7。

7.根据权利要求6所述的一种分立件自震式可控硅深度调光电路，其特征在于：所述三极管Q6与三极管Q7构成可控硅触发按键电路。

8.根据权利要求1～7任一项所述的一种分立件自震式可控硅深度调光电路，其特征在于：还包括并联设置于所述分立件自震电路与LED负载光源之间的短路保护电路与开路保护电路。

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