CN216624524U - 一种介质滤波器 - Google Patents

Abstract

本实用新型适用于通信技术领域，公开了一种介质滤波器，包括偶数个谐振器，每个谐振器设有谐振盲孔，所述偶数个谐振器包括第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器和第四谐振器，第一谐振器与第二谐振器之间、第一谐振器与第三谐振器之间和第三谐振器与第四谐振器之间设有第一正耦合槽，第三谐振器与第四谐振器之间设有负耦合孔，介质滤波器还包括至少一个用于改变介质滤波器产生的谐振的凹陷结构，凹陷结构设于任意两个相邻谐振器之间的空白区域，凹陷结构包括自介质滤波器的表面凹陷形成的盲槽和自盲槽底面凹陷形成的盲孔，盲孔用于微调介质滤波器产生的谐振；该介质滤波器通过设置凹陷结构将不需要的谐波推远，即将不需要的谐波推出5‑6GHZ之外。

Description

一种介质滤波器

技术领域

本实用新型涉及通信技术领域，特别是涉及一种介质滤波器。

背景技术

随着通讯行业的高速发展，尤其进入5G通信网络的部署阶段。Massive MIMO5G天线的模式，对滤波器的需求量大大增加。5G之前的通信网络，RRU主设备上用到的滤波通道是2,4或8个。而一个5GMIMO天线里用到的是64,128或256个通道数，一个简单的三扇面站点就让前面这组数据再多三倍。小型化密集化分布，又是5G通讯站点的部署策略，这都给了5G滤波器的市场创造了很理想的发展前景。

对应市场如此大规模的需求，滤波器良好的性能更是保障市场需求的基础。

陶瓷介质滤波器，由于具有性能体积成本等多方面的优势，已经是5G通讯行业的首选了。常规的陶瓷介质滤波器，是尤固态介电材料构成的陶瓷本体，本体上面至少有两个盲孔来形成谐振。本体会产生高次谐振频率，而高次谐振的落点是受限的。高次谐振产生的频段越低，被视为滤波器的远端抑指标差，如图4所示，其为常规的陶瓷介质滤波器2000，其产生的远端抑制效果如图5所示，5G到6G频段之间的谐振还是很多的，抑制度也很差。

实用新型内容

基于此，本实用新型的目的在于提供一种介质滤波器，其旨在解决现有的介质滤波器远端抑制效果差的技术问题。

为达到上述目的，本实用新型提供的方案是：

一种介质滤波器，包括偶数个谐振器，所述偶数个谐振器相互连接，每个所述谐振器设有谐振盲孔，所述偶数个谐振器包括第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器和第四谐振器，所述第一谐振器和所述第二谐振器为一组，所述第三谐振器和所述第四谐振器为一组，两组所述谐振器沿所述介质滤波器的长度方向设置，所述第一谐振器与所述第二谐振器之间、所述第一谐振器与所述第三谐振器之间和所述第三谐振器与所述第四谐振器之间设有第一正耦合槽，所述第三谐振器与所述第四谐振器之间设有负耦合孔，所述介质滤波器还包括至少一个用于改变所述介质滤波器产生的谐振的凹陷结构，所述凹陷结构设于任意两个相邻所述谐振器之间的空白区域，所述凹陷结构包括自所述介质滤波器的表面凹陷形成的盲槽和自所述盲槽底面凹陷形成的盲孔，所述盲孔用于微调所述介质滤波器产生的谐振。

优选地，所述凹陷结构设于所述第一谐振器与所述第三谐振器之间的空白区域。

优选地，所述凹陷结构设于所述第一谐振器与所述第二谐振器之间的空白区域。

优选地，每个所述谐振器包括由陶瓷材料制成的本体，所述本体表面覆盖有导电层，所述谐振器自本体正面凹陷形成所述谐振盲孔，所述凹陷结构设于相邻两个所述谐振器连接位置的所述本体正面或相邻两个所述谐振器连接位置的所述本体背面。

优选地，所述盲槽为方形槽。

优选地，所述盲孔为圆孔。

优选地，所述第一谐振器与所述第二谐振器之间、所述第一谐振器与所述第三谐振器之间和所述第三谐振器与所述第四谐振器之间的所述第一正耦合槽相互连通，并呈T字形设置，所述第一正耦合槽为通槽。

优选地，所述偶数个谐振器还包括第五谐振器和第六谐振器，所述第五谐振器和所述第六谐振器为一组，三组所述谐振器沿所述介质滤波器的长度方向设置，所述第三谐振器与所述第五谐振器之间、所述第四谐振器与所述第六谐振器之间和所述第五谐振器与所述第六谐振器之间设置有第二正耦合槽，所述第三谐振器和所述第五谐振器均设有输入输出端口，所述输入输出端口的端面围绕设置有隔断层。

优选地，所述第三谐振器与所述第五谐振器之间、所述第四谐振器与所述第六谐振器之间和所述第五谐振器与所述第六谐振器之间的所述第二正耦合槽相互连通，并呈T字形设置，且所述第二正耦合槽为通槽。

优选地，所述凹陷结构设于所述第四谐振器与所述第六谐振器之间的空白区域或者所述第五谐振器与所述第六谐振器之间的空白区域。

本实用新型提供的介质滤波器从自身解决问题，在同体积外形不降低其他性能，不增加任何构件的基础上，通过设置凹陷结构将不需要的谐波推远，即将不需要的谐波推出5-6GHZ之外，实现了介质滤波器远端抑制度的改良，优于在介质滤波器上串联一个微带低通滤波器的技术方案，避免了增加构件导致成本功耗增加的问题。

附图说明

图1为本实用新型的介质滤波器的结构示意图；

图2为图1所示的介质滤波器的另一方向的结构示意图；

图3为图1所示的介质滤波器的产生的远端抑制效果图；

图4为现有的介质滤波器的结构示意图；

图5为图4所示的介质滤波器的产生的远端抑制效果图。

附图中各标号的含义为：

1000、介质滤波器；10、第一谐振器；11、本体；12、谐振盲孔；20、第二谐振器；30、第三谐振器；40、第四谐振器；50、第五谐振器；60、第六谐振器；70、第一正耦合槽；80、第二正耦合槽；90、负耦合孔；100、输入输出端口；101、隔断层；110、凹陷结构；111、盲槽；112、盲孔。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。

本实用新型提供的介质滤波器1000包括偶数个谐振器，每个谐振器包括由陶瓷材料制成的本体11，其相对介电常数较高，例如15、20、35、40等。陶瓷材料通过特定工艺烧制成型，电磁信号在介质内部传输，例如从其中一个谐振器传输到另一个谐振器。本实施例的介质滤波器1000在原有结构的基础上增设至少一个用于改变介质滤波器1000产生的谐振的凹陷结构110，凹陷结构110设于任意两个相邻谐振器之间的空白区域，凹陷结构110包括自介质滤波器1000的表面凹陷形成的盲槽111和自盲槽111底面凹陷形成的盲孔112，盲孔112用于微调介质滤波器1000产生的谐振。

可以理解地，高频段产生的谐振和局部区域陶瓷填充量的大小有直接的关系，局部区域传播介质填充量大，产生的谐波落在相对比较低的频率(谐振腔越大谐振频率越低)。

可以理解地，凹陷结构110的数量根据介质滤波器1000的远端抑效果调整，可以为一个，两个，或多个。

可以理解地，盲槽111的深度和盲孔112的深度，以及盲槽111的尺寸规格和盲孔112的尺寸规格根据远端抑制效果调整。

本实用新型的介质滤波器1000从自身解决问题，在同体积外形不降低其他性能，不增加任何构件的基础上，通过设置凹陷结构110将不需要的谐波推远，即将不需要的谐波推出5-6GHZ之外，实现了介质滤波器1000远端抑制度的改良，优于在介质滤波器1000上串联一个微带低通滤波器的技术方案，避免了增加构件导致成本功耗增加的问题。

请参阅图1-图2，本实用新型以六个谐振器为实施例进行详细说。定义本实施例的介质滤波器1000的长度方向为X轴，宽度方向为Y轴，高度方向为Z轴。

介质滤波器1000包括第一谐振器10、第二谐振器20、第三谐振器30、第四谐振器40、第五谐振器50和第六谐振器60，每个谐振器包括由陶瓷材料制成的本体11，本体11表面覆盖有导电层(图未示)，谐振器自本体11正面凹陷形成谐振盲孔12，谐振盲孔12的作用是通过其深浅对频率进行调整；也可以通过对谐振盲孔12内侧导电层面积的调整，进行对频率的微调。第一谐振器10和第二谐振器20为一组，第三谐振器30和第四谐振器40为一组，第五谐振器50和第六谐振器60为一组，三组谐振器沿介质滤波器1000的长度方向设置。第一谐振器10与第二谐振器20之间、第一谐振器10与第三谐振器30之间和第三谐振器30与第四谐振器40之间设有第一正耦合槽70，第三谐振器30与第五谐振器50之间、第四谐振器40与第六谐振器60之间和第五谐振器50与第六谐振器60之间设置有第二正耦合槽80，第三谐振器30与第四谐振器40之间设有负耦合孔90，第三谐振器30和第五谐振器50均设有输入输出端口100，输入输出端口100的端面围绕设置有隔断层101。

介质滤波器1000还包括至少一个用于改变介质滤波器1000产生的谐振频率的凹陷结构110，凹陷结构110设于任意两个谐振器之间的空白区域，具体地，凹陷结构110设于相邻两个谐振器连接位置的本体11正面或相邻两个谐振器连接位置的本体11背面。凹陷结构110的数量根据介质滤波器1000的远端抑效果调整，可以为一个，两个，或多个。凹陷结构110包括自介质滤波器1000的表面凹陷设置的盲槽111和自盲槽111底面凹陷设置的盲孔112，盲孔112用于微调介质滤波器1000的谐振频率。

如图1和图2所示，凹陷结构110的设置位置可以从以下位置选择：第一谐振器10与第二谐振器20之间的空白区域a，第一谐振器10与第三谐振器30之间的空白区域b，第四谐振器40与第六谐振器60之间的空白区域c，第五谐振器50与第六谐振器60之间的空白区域d，既可以设于两个谐振器连接位置的本体11正面，也可以设于两个谐振器连接位置的本体11背面。

需要说明的是，凹陷结构110优先设置在第一谐振器10与第三谐振器30之间的空白区域b，在本实施例中，凹陷结构110设于第一谐振器10的本体11和第三谐振器30的本体11连接位置的正面，在其他实施例中，凹陷结构110可以设于第一谐振器10的本体11和第三谐振器30的本体11连接位置的背面，或者其他位置，凹陷结构110可以设置以上任意一个或多个位置。

在本实施例中，盲槽111为方形槽。可以理解地，盲槽111也可以圆形槽或者其他任意形状。

在本实施例中，盲孔112为圆孔。可以理解地，盲孔112也可以为方形孔或其他任意形状。

在本实施例中，负耦合孔90为圆形盲孔112。可以理解地，负耦合孔90可以为方形孔或其他任意形状。

在本实施例中，第一谐振器10与第二谐振器20之间、第一谐振器10与第三谐振器30之间和第三谐振器30与第四谐振器40之间的第一正耦合槽70相互连通，并呈T字形设置，且第一正耦合槽70为通槽。

在本实施例中，第三谐振器30与第五谐振器50之间、第四谐振器40与第六谐振器60之间和第五谐振器50与第六谐振器60之间的第二正耦合槽80相互连通，并呈T字形设置，且第二正耦合槽80为通槽。

如图3所示，本实施例的介质滤波器1000通过设置凹陷结构110将不需要的谐波推远，即将不需要的谐波推出5-6GHZ之外，实现了介质滤波器1000远端抑制度的改良。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本实用新型的优选的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种介质滤波器，包括偶数个谐振器，所述偶数个谐振器相互连接，每个所述谐振器设有谐振盲孔，所述偶数个谐振器包括第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器和第四谐振器，所述第一谐振器和所述第二谐振器为一组，所述第三谐振器和所述第四谐振器为一组，两组所述谐振器沿所述介质滤波器的长度方向设置，所述第一谐振器与所述第二谐振器之间、所述第一谐振器与所述第三谐振器之间和所述第三谐振器与所述第四谐振器之间设有第一正耦合槽，所述第三谐振器与所述第四谐振器之间设有负耦合孔，其特征在于：所述介质滤波器还包括至少一个用于改变所述介质滤波器产生的谐振的凹陷结构，所述凹陷结构设于任意两个相邻所述谐振器之间的空白区域，所述凹陷结构包括自所述介质滤波器的表面凹陷形成的盲槽和自所述盲槽底面凹陷形成的盲孔，所述盲孔用于微调所述介质滤波器产生的谐振。

2.如权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述凹陷结构设于所述第一谐振器与所述第三谐振器之间的空白区域。

3.如权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述凹陷结构设于所述第一谐振器与所述第二谐振器之间的空白区域。

4.如权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，每个所述谐振器包括由陶瓷材料制成的本体，所述本体表面覆盖有导电层，所述谐振器自本体正面凹陷形成所述谐振盲孔，所述凹陷结构设于相邻两个所述谐振器连接位置的所述本体正面或相邻两个所述谐振器连接位置的所述本体背面。

5.如权利要求2所述的介质滤波器，其特征在于，所述盲槽为方形槽。

6.如权利要求2所述的介质滤波器，其特征在于，所述盲孔为圆孔。

7.如权利要求2所述的介质滤波器，其特征在于，所述第一谐振器与所述第二谐振器之间、所述第一谐振器与所述第三谐振器之间和所述第三谐振器与所述第四谐振器之间的所述第一正耦合槽相互连通，并呈T字形设置，所述第一正耦合槽为通槽。

8.如权利要求2所述的介质滤波器，其特征在于，所述偶数个谐振器还包括第五谐振器和第六谐振器，所述第五谐振器和所述第六谐振器为一组，三组所述谐振器沿所述介质滤波器的长度方向设置，所述第三谐振器与所述第五谐振器之间、所述第四谐振器与所述第六谐振器之间和所述第五谐振器与所述第六谐振器之间设置有第二正耦合槽，所述第三谐振器和所述第五谐振器均设有输入输出端口，所述输入输出端口的端面围绕设置有隔断层。

9.如权利要求8所述的介质滤波器，其特征在于，所述第三谐振器与所述第五谐振器之间、所述第四谐振器与所述第六谐振器之间和所述第五谐振器与所述第六谐振器之间的所述第二正耦合槽相互连通，并呈T字形设置，且所述第二正耦合槽为通槽。

10.如权利要求8所述的介质滤波器，其特征在于，所述凹陷结构设于所述第四谐振器与所述第六谐振器之间的空白区域或者所述第五谐振器与所述第六谐振器之间的空白区域。

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