CN216624322U - 一种长寿命低衰耗半导体发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种长寿命低衰耗半导体发光二极管，其包括连接座和本体，本体的底部通过一对限定组件设置在连接座的侧面内，本体的两侧均固接有多个连接条，限定组件包括固接在本体底部侧面上的支撑垫，支撑垫的底部固接有连接柱，且连接柱的外侧面上对称开设有两个导槽，两个导槽的内部均通过弹簧固接有限定块，连接座的顶部相对于连接柱的位置开设有安放槽，且安放槽的内侧壁相对于限定块的位置开设有连接槽，连接柱插接在安放槽内，且两个限定块均与对应的连接槽相接触，有效的避免本体在锡焊连接时本体容易出现晃动影响本体装配的准确性，同时本体与连接座在连接好后，本体的接触面会形成一个缝隙，有助于本体在使用过程中的散热。
Description
技术领域
本申请涉及半导体发光器件的技术领域，尤其是涉及一种长寿命低衰耗半导体发光二极管。
背景技术
半导体发光二极管是一种利用外电源向PN结注入电子来发光的电子配件，由于其结构较为简单、体积小、工作电流小且使用方便，所以在光电系统中的应用极为普遍。
但是，现有的半导体发光二极管在进行装配时，通常是将半导体发光二极管贴着外部的基座，然后将其焊接在基座上，但是由于没有设计连接机构，单纯的靠工具按压扶正焊接，无法实现半导体发光二极管的快速稳固连接，且保证不了半导体发光二极管焊接过程中的准确性。因此，本领域技术人员提供了一种长寿命低衰耗半导体发光二极管，以解决上述背景技术中提出的问题。
实用新型内容
为了解决上述背景技术中提出的问题，本申请提供一种长寿命低衰耗半导体发光二极管。
本申请提供的一种长寿命低衰耗半导体发光二极管采用如下的技术方案：
一种长寿命低衰耗半导体发光二极管，包括连接座和本体，所述本体的底部通过一对限定组件设置在连接座的侧面内，所述本体的两侧均固接有多个连接条，所述限定组件包括固接在本体底部侧面上的支撑垫，所述支撑垫的底部固接有连接柱，且连接柱的外侧面上对称开设有两个导槽，两个所述导槽的内部均通过弹簧固接有限定块，所述连接座的顶部相对于连接柱的位置开设有安放槽，且安放槽的内侧壁相对于限定块的位置开设有连接槽，所述连接柱插接在安放槽内，且两个限定块均与对应的连接槽相接触。
通过采用上述技术方案，从而达到了可以快速稳固的连接好本体，有效的避免本体在锡焊连接时本体容易出现晃动影响本体装配的准确性，同时本体与连接座在连接好后，本体的接触面会形成一个缝隙，有助于本体在使用过程中的散热。
优选的，所述连接槽和限定块的形状均倒三角形。
通过采用上述技术方案，保证连接柱在安放槽内无法拔出，进而也保证了本体连接的稳固性。
优选的，所述连接条与本体之间固接有加强垫，且连接条的侧面上固接有用于增大连接条接触面积的垫片。
通过采用上述技术方案，增强了连接条与本体之间的牢固性，避免了使用人员在调节连接条位置时连接条容易断裂的问题，垫片的设置，方便了使用人员焊接。
优选的，所述本体的底部侧面开设有导孔。
通过采用上述技术方案，进一步的增加了本体与连接座之间的缝隙，有效保证了本体的散热。
优选的，所述导孔内侧面上固接有多个导热片。
通过采用上述技术方案，可以将本体产生的热量进行外导，使得本体可以快速的导热，有效的提高了本体的使用寿命。
综上所述，本申请包括以下有益技术效果：
通过连接柱插入安放槽的过程中，连接柱外侧面上的两个限定块会在安放槽内侧壁的作用下移动进入导槽内并挤压弹簧，当连接柱完全插接好后，限定块的位置刚好与连接槽对应上，此时弹簧不在受力会进行伸展并推动限定块移动进入对应的连接槽内，从而完成连接柱在安放槽的连接工作，连接柱与本体之间还设置有支撑垫，两个支撑垫可以将本体与连接座之间分隔开使其互不接触的结构设计，从而达到了可以快速稳固的连接好本体，有效的避免本体在锡焊连接时本体容易出现晃动影响本体装配的准确性，同时本体与连接座在连接好后，本体的接触面会形成一个缝隙，有助于本体在使用过程中的散热。
附图说明
图1是本申请实施例中一种长寿命低衰耗半导体发光二极管的结构示意图；
图2是本申请实施例中一种长寿命低衰耗半导体发光二极管的俯视结构示意图；
图3是图1中A处放大的结构示意图。
附图标记说明：1、连接座；2、本体；3、连接条；4、支撑垫；5、连接柱；6、导槽；7、弹簧；8、限定块；9、安放槽；10、连接槽；11、加强垫；12、垫片；13、导孔；14、导热片。
具体实施方式
以下结合附图1-3对本申请作进一步详细说明。
本申请实施例公开一种长寿命低衰耗半导体发光二极管。参照图1-3，一种长寿命低衰耗半导体发光二极管包括连接座1和本体2，连接座1为外部安装基板，本体2为半导体发光二极管，本体2的底部通过一对限定组件设置在连接座1的侧面内，且两个限定组件是对称等距的分布在本体2侧面上，本体2的两侧均固接有多个连接条3，限定组件包括固接在本体2底部侧面上的支撑垫4，支撑垫4的底部固接有连接柱5，且连接柱5的外侧面上对称开设有两个导槽6，两个导槽6的内部均通过弹簧7固接有限定块8，连接座1的顶部相对于连接柱5的位置开设有安放槽9，且安放槽9的内侧壁相对于限定块8的位置开设有连接槽10，连接柱5插接在安放槽9内，且两个限定块8均与对应的连接槽10相接触，在连接本体2时，首先将本体2上的两个连接柱5对准连接座1上的两个安放槽9，然后在按压本体2使得两个连接柱5插接在对应的安放槽9内，从而使得本体2可以稳固的装配在连接座1上，在连接柱5插入安放槽9的过程中，连接柱5外侧面上的两个限定块8会在安放槽9内侧壁的作用下移动进入导槽6内并挤压弹簧7，当连接柱5完全插接好后，限定块8的位置刚好与连接槽10对应上，此时弹簧7不在受力会进行伸展并推动限定块8移动进入对应的连接槽10内，从而完成连接柱5在安放槽9的连接工作，连接柱5与本体2之间还设置有支撑垫4，两个支撑垫4可以将本体2与连接座1之间分隔开使其互不接触，接着在通过本体2上的连接条3进行锡焊即可装配好本体2，通过该结构设计，从而达到了可以快速稳固的连接好本体2，有效的避免本体2在锡焊连接时本体2容易出现晃动影响本体2装配的准确性，同时本体2与连接座1在连接好后，本体2的接触面会形成一个缝隙，有助于本体2在使用过程中的散热，连接槽10和限定块8的形状均倒三角形，连接槽10和限定块8为倒三角形的设置，使得限定块8可以稳固的与连接槽10接触，保证连接柱5在安放槽9内无法拔出，进而也保证了本体2连接的稳固性，连接条3与本体2之间固接有加强垫11，且连接条3的侧面上固接有用于增大连接条3接触面积的垫片12，加强垫11的设置，增强了连接条3与本体2之间的牢固性，避免了使用人员在调节连接条3位置时连接条3容易断裂的问题，垫片12的设置，方便了使用人员焊接，本体2的底部侧面开设有导孔13，导孔13的设置，进一步的增加了本体2与连接座1之间的缝隙，有效保证了本体2的散热，导孔13内侧面上固接有多个导热片14，多个导热片14的设置，可以将本体2产生的热量进行外导，使得本体2可以快速的导热，有效的提高了本体2的使用寿命。
本申请实施例一种长寿命低衰耗半导体发光二极管的实施原理为：首先，使用人员通过将本体2上的两个连接柱5对准连接座1上的两个安放槽9，然后在按压本体2使得两个连接柱5插接在对应的安放槽9内，从而使得本体2可以稳固的装配在连接座1上，在连接柱5插入安放槽9的过程中，连接柱5外侧面上的两个限定块8会在安放槽9内侧壁的作用下移动进入导槽6内并挤压弹簧7，当连接柱5完全插接好后，限定块8的位置刚好与连接槽10对应上，此时弹簧7不在受力会进行伸展并推动限定块8移动进入对应的连接槽10内，从而完成连接柱5在安放槽9的连接工作，连接柱5与本体2之间还设置有支撑垫4，两个支撑垫4可以将本体2与连接座1之间分隔开使其互不接触，接着在通过本体2上的连接条3进行锡焊即可装配好本体2，通过该结构设计，从而达到了可以快速稳固的连接好本体2，有效的避免本体2在锡焊连接时本体2容易出现晃动影响本体2装配的准确性，同时本体2与连接座1在连接好后，本体2的接触面会形成一个缝隙，有助于本体2在使用过程中的散热，同时在本体2工作时，产热的热量可以通过多个导热片14进行导出在由本体2与连接座1之间的缝隙进行散热。
以上均为本申请的较佳实施例，并非依此限制本申请的保护范围，故：凡依本申请的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本申请的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种长寿命低衰耗半导体发光二极管，包括连接座(1)和本体(2)，其特征在于：所述本体(2)的底部通过一对限定组件设置在连接座(1)的侧面内，所述本体(2)的两侧均固接有多个连接条(3)，所述限定组件包括固接在本体(2)底部侧面上的支撑垫(4)，所述支撑垫(4)的底部固接有连接柱(5)，且连接柱(5)的外侧面上对称开设有两个导槽(6)，两个所述导槽(6)的内部均通过弹簧(7)固接有限定块(8)，所述连接座(1)的顶部相对于连接柱(5)的位置开设有安放槽(9)，且安放槽(9)的内侧壁相对于限定块(8)的位置开设有连接槽(10)，所述连接柱(5)插接在安放槽(9)内，且两个限定块(8)均与对应的连接槽(10)相接触。
2.根据权利要求1所述的一种长寿命低衰耗半导体发光二极管，其特征在于：所述连接槽(10)和限定块(8)的形状均倒三角形。
3.根据权利要求1所述的一种长寿命低衰耗半导体发光二极管，其特征在于：所述连接条(3)与本体(2)之间固接有加强垫(11)，且连接条(3)的侧面上固接有用于增大连接条(3)接触面积的垫片(12)。
4.根据权利要求1所述的一种长寿命低衰耗半导体发光二极管，其特征在于：所述本体(2)的底部侧面开设有导孔(13)。
5.根据权利要求4所述的一种长寿命低衰耗半导体发光二极管，其特征在于：所述导孔(13)内侧面上固接有多个导热片(14)。
Priority Applications (1)
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| CN202123137284.3U CN216624322U (zh) | 2021-12-14 | 2021-12-14 | 一种长寿命低衰耗半导体发光二极管 |
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2021
- 2021-12-14 CN CN202123137284.3U patent/CN216624322U/zh active Active
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