CN216529362U

CN216529362U - 低剖面二维波束扫描阵列天线

Info

Publication number: CN216529362U
Application number: CN202122730695.7U
Authority: CN
Inventors: 胡南
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2021-11-09
Filing date: 2021-11-09
Publication date: 2022-05-13
Anticipated expiration: 2031-11-09

Abstract

本实用新型公开了一种低剖面二维波束扫描阵列天线，涉及阵列天线技术领域。所述阵列天线包括位于下侧的谐振器天线ERA本体，所述天线本体包括部分反射表面PRS，所述部分反射表面PRS的上侧固定有底层全金属相位校正结构，所述底层全金属相位校正结构的上侧固定有中层全金属相位校正结构，所述中层全金属相位校正结构的上侧固定有顶层全金属相位校正结构，所述底层全金属相位校正结构与所述部分反射表面PRS之间的距离为λ₀/4，所述全金属相位校正结构之间的距离为λ₀/3。所述阵列具有天线结构简单，成本低，功率容量较大等优点，天线相位均匀性得到了显著改善。

Description

低剖面二维波束扫描阵列天线

技术领域

本实用新型涉及阵列天线技术领域，尤其涉及一种低剖面二维波束扫描阵列天线。

背景技术

具有波束扫描特性的阵列天线在各个领域具有广泛的应用。现有的高增益波束扫描天线主要有机械旋转抛物面天线和电控相控阵天线两大类。其中，旋转抛物面天线具有结构简单、成本低、效率高等优点，但其外形为特殊的曲面、体积庞大、重量沉且波束扫描速度慢、伺服系统要求高。电扫相控阵天线可以较好地克服上述不足，其不仅扫描速度快、性能更加灵活，平面或共形结构也更有利于与载体保持共形，但其馈电网络设计复杂，尤其当天线口径增大时，馈电损耗较高，天线的辐射效率较低，可实现的增益受限。虽然在单元中引入固态收发组件可以减小馈电损耗，但系统的成本、重量将大幅提高，这些都限制了其大规模应用。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是如何提供一种结构简单，成本低，功率容量较大，相位均匀性得到显著改善的低剖面二维波束扫描阵列天线。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种低剖面二维波束扫描阵列天线，其特征在于：包括位于下侧的谐振器天线ERA本体，所述天线ERA本体包括部分反射表面PRS，所述部分反射表面PRS的上侧固定有底层全金属相位校正结构，所述底层全金属相位校正结构的上侧固定有中层全金属相位校正结构，所述中层全金属相位校正结构的上侧固定有顶层全金属相位校正结构，所述底层全金属相位校正结构与所述部分反射表面PRS之间的距离为λ₀/4，所述底层全金属相位校正结构与所述中层全金属相位校正结构之间的距离为λ₀/3，所述中层全金属相位校正结构与所述顶层全金属相位校正结构之间的距离为λ₀/3，所述λ₀为所述谐振器天线ERA本体工作频率下的自由空间波长；所述底层全金属相位校正结构与部分反射表面PRS之间、中层全金属相位校正结构与底层全金属相位校正结构之间以及顶层全金属相位校正结构与中层全金属相位校正结构之间通过绝缘柱固定到一起；所述底层全金属相位校正结构、中层全金属相位校正结构和顶层全金属相位校正结构上形成有用于调节相位的校正单元。

进一步的技术方案在于：所述顶层全金属相位校正结构包括若干个第一校正单元、若干个第二校正单元、若干个圆盘以及连接线，所述顶层全金属相位校正结构的外圈形成有一圈相互连接的第一校正单元，所述第一校正单元包括位于中间的第一方形块和与第一方形块的四条边分别连接的第一连接线，位于外圈的所述第一校正单元的内侧形成有两圈相互连接第二校正单元，所述第一校正单元与相邻的第二校正单元相互连接，所述第二校正单元包括位于中间的第二方形块和与第二方形块的四条边分别连接的第二连接线，所述第一方形块的面积大于所述第二方形块的面积，所述第一方形块与第一校正单元之间通过第一连接线连接，所述第一校正单元与第二校正单元之间通过第一连接线以及第二连接线相互连接，位于内圈的第二校正单元的内侧形成有一圈圆盘，所述圆盘与内圈的所述第二校正单元之间通过连接线互联，所述圆盘的内圈形成有呈十字交叉的连接线，且位于圆盘内圈的连接线的端部具有自由端，使得所述顶层全金属相位校正结构的圆心形成有空档，支撑用连接盘位于所述第一校正单元的外侧的顶层全金属相位校正结构的四个角处，且所述支撑用连接盘与所述第一校正单元连接，所述支撑用连接盘的中心形成有安装孔。

进一步的技术方案在于：所述中层全金属相位校正结构包括若干个第一校正单元、若干个第二校正单元、若干个圆盘以及连接线，所述中层全金属相位校正结构的外圈形成有三圈相互连接的第二校正单元，所述第二校正单元包括位于中间的第二方形块和与第二方形块的四条边分别连接的第二连接线，位于内圈的所述第二校正单元的内侧形成有两圈相互连接第一校正单元，所述第一校正单元与相邻的第二校正单元相互连接，所述第一校正单元包括位于中间的第一方形块和与第一方形块的四条边分别连接的第一连接线，所述第一方形块的面积大于所述第二方形块的面积，所述第一方形块与第一校正单元之间通过第一连接线连接，所述第一校正单元与第二校正单元之间通过第一连接线以及第二连接线相互连接，位于内圈的第一校正单元的内侧形成有一圈圆盘，所述圆盘与内圈的所述第一校正单元之间通过连接线互联，所述圆盘的内圈形成有呈十字交叉的连接线，支撑用连接盘位于所述第二校正单元的外侧的中层全金属相位校正结构的四个角处，且所述支撑用连接盘与所述第二校正单元连接，所述支撑用连接盘的中心形成有安装孔。

进一步的技术方案在于：所述底层全金属相位校正结构包括若干个第一校正单元、若干个第二校正单元、若干个圆盘以及连接线，所述底层全金属相位校正结构的外圈形成有一圈相互连接的第一校正单元，所述第一校正单元包括位于中间的第一方形块和与第一方形块的四条边分别连接的第一连接线，位于外圈的所述第一校正单元的内侧形成有两圈相互连接第二校正单元，所述第一校正单元与相邻的第二校正单元相互连接，所述第二校正单元包括位于中间的第二方形块和与第二方形块的四条边分别连接的第二连接线，所述第一方形块的面积大于所述第二方形块的面积，所述第一方形块与第一校正单元之间通过第一连接线连接，所述第一校正单元与第二校正单元之间通过第一连接线以及第二连接线相互连接，位于内圈的第二校正单元的内侧形成有一圈圆盘，所述圆盘与内圈的所述第二校正单元之间通过连接线互联，所述圆盘的内圈形成有呈十字交叉的连接线，支撑用连接盘位于所述第一校正单元的外侧的底层全金属相位校正结构的四个角处，且所述支撑用连接盘与所述第一校正单元连接，所述支撑用连接盘的中心形成有安装孔。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本申请中所述阵列天线包括底层、中层以及顶层全金属相位校正结构（AMPCS），AMPCS 既不需要昂贵的微波基板，也不需要任何键合技术，大大降低了制造成本，消除了ERAs应用的主要障碍。利用现有的激光切割技术制作了AMPCS，并将其放置在距ERA亚波长距离处。AMPCS显著补偿了天线孔径的非均匀相位延迟，使天线的峰值增益显著增加了8.4dB，1dB增益带宽约为 6%，测量的辐射方向图非常稳定，旁瓣电平SLL在E平面和H平面中均优于−13dB。所提出的独立式 AMPCS 不需要任何机械支撑或保护，可用于其他孔径天线，用于近场增强。使用 ERA 进行测试以验证其结果，功率容量较大，表明ERA孔径的相位均匀性得到显著改善，天线峰值增益提高8.4dB，旁瓣电平(SLLs)得到改善。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

图1是本实用新型实施例所述阵列天线的结构示意图；

图2是本实用新型实施例所述阵列天线中顶层全金属相位校正结构（AMPCS）的示意图（其中白色为金属部分，黑色为空洞部分）；

图3是本实用新型实施例所述阵列天线中中层全金属相位校正结构（AMPCS）的示意图（其中白色为金属部分，黑色为空洞部分）；

图4是本实用新型实施例所述阵列天线中底层全金属相位校正结构（AMPCS）的示意图（其中白色为金属部分，黑色为空洞部分）；

图5是图2-图4中第一校正单元的结构示意图；

图6是图2-图4中第二校正单元的结构示意图；

图7是存在 AMPCS 的情况下阵列天线的 E 平面电场分布图；

图8a-图8b是本实用新型实施例所述阵列天线的工作频率为11GHz时扫描特性仿真结果；

其中：1、谐振器天线ERA本体；2、部分反射表面PRS；3、底层全金属相位校正结构；4、中层全金属相位校正结构；5、顶层全金属相位校正结构；6、绝缘柱；7、第一校正单元；8、第二校正单元；9、圆盘；10、第一方形块；11、第一连接线；12、第二方形块；13、第二连接线；14、支撑用连接盘。

具体实施方式

下面结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

如图1所示，本实用新型实施例公开了一种低剖面二维波束扫描阵列天线，包括位于下侧的谐振器天线ERA本体1，所述天线ERA本体包括部分反射表面PRS 2，所述部分反射表面PRS 2的上侧固定有底层全金属相位校正结构3，所述底层全金属相位校正结构3的上侧固定有中层全金属相位校正结构4，所述中层全金属相位校正结构4的上侧固定有顶层全金属相位校正结构5，所述底层全金属相位校正结构3与所述部分反射表面PRS 2之间的距离为λ₀/4，所述底层全金属相位校正结构3与所述中层全金属相位校正结构4之间的距离为λ₀/3，所述中层全金属相位校正结构4与所述顶层全金属相位校正结构5之间的距离为λ₀/3，所述λ₀为所述谐振器天线ERA本体工作频率下的自由空间波长。

进一步的，如图1所示，所述底层全金属相位校正结构3与部分反射表面PRS 2之间、中层全金属相位校正结构4与底层全金属相位校正结构3之间以及顶层全金属相位校正结构5与中层全金属相位校正结构4之间通过绝缘柱6固定到一起。

进一步的，所述底层全金属相位校正结构3、中层全金属相位校正结构4和顶层全金属相位校正结构5上形成有用于调节相位的校正单元。在设计所述全金属相位校正单元（AMPCS）时选择合适的校正单元，并将它们进行排列。

由于金属制造技术的最新进展，有多种制造方法可用于实现所提出的AMPCS。有五种可能的原型制作程序，包括计算机数控(CNC)加工、等离子切割、金属增材制造、水射流切割和激光切割。其中，优选最后两种方法用于AMPCS 原型制作。本申请中的 AMPCS 由不锈钢板使用尖端激光技术制成。金属板的厚度在AMPCS的制造和耐用性方面起着至关重要的作用。从封装的角度来看，最好选择更大的厚度，因为它是更可持续，不需要任何额外的支撑，例如天线罩或泡沫基材。然而，由于厚金属板吸收了过多的热量，金属厚度的增加会增加制造过程中金属失效的机会。因此，在设计过程之初就需要进行权衡。在此设计中，考虑到在 AMPCS 的每个表面上进行的大量穿孔，建议使用 1mm 的厚度。这样的选择确保了独立式 AMPCS 的可制造性和坚固性。

图2-图4显示了由激光切割机制造的三层AMPCS，最大线切割速度为800mm/s。这些层用四个尼龙间隔分开形成AMPCS并放置在距离PRSλ₀/4的天线上，如图所示，图1在 PRS和 AMPCS 之间选择λ₀/4 空间的原因是因为天线孔径场的局部相位值是在与 PRS 相同距离的假想平面上捕获的，因此，AMPCS 预计在距辐射孔径的这个距离处具有最佳性能。应该提到的是，AMPCS 的设计程序不依赖于 PRS，并且可以应用于ERA，而不管它们的 PRS 类型如何。

使用CST MWS的时域求解器对天线系统的近电场进行了数值计算，如图7所示。可以看出，天线系统的孔径相位分布得到了显著增强，将均匀相位区扩大了一倍以上。均匀相位区是指相位误差小于50的天线孔径面积。

ERA的输入反射系数分别使用CST MWS和Agilent PNA-XN5242 A矢量网络分析仪进行模拟和测量，并绘制在图中。根据实测结果，10dB |S11| AMPCS 天线的带宽50°，从10.6 GHz到16.3GHz为 42%，这与CST MWS的预测值非常一致。在近场系统中测量了AMPCSERA的远场峰值增益和方向性，球形近场范围与预测结果相比，验证天线峰值增益显著提高8.4dB。根据测量，1dB方向性和增益带宽为6.4 % 和 5.9% 分别验证了天线系统在所需的典型频段内稳定的远场性能。

由于天线孔径的相位分布增强，使用 AMPCS 提高了 ERA 的方向性和增益，这可以从 E平面中的可视化电场辐射中看出，如图所示。该辐射快照描绘了将球面波前转换为Ey 的近平面波前，由于 AMPCS，天线的孔径效率从 4% 显着增加到 28%。AMPCS 的透明度可以通过检查代表强度的颜色来估计图中 AMPCS 输入和输出处电场的变化。可以观察到，AMPCS 下方和上方几乎有相同的颜色（强度），除了相位校正外，还表现出良好的传输特性。图中绘制了两个主平面中天线的方向图，分别显示 E 平面和 H 平面中的 SLL 分别为 -13.2 dB 和 -13.5dB，表明 E平面中的 SLL 提高了约 8dB。

进一步的，图2为一种顶层全金属相位校正结构的示意图，如图2以及图5-图6所示，所述顶层全金属相位校正结构5包括若干个第一校正单元7、若干个第二校正单元8、若干个圆盘9以及连接线。所述顶层全金属相位校正结构5的外圈形成有一圈相互连接的第一校正单元7，所述第一校正单元7包括位于中间的第一方形块10和与第一方形块10的四条边分别垂直连接的第一连接线11，位于外圈的所述第一校正单元7的内侧形成有两圈相互连接第二校正单元8，所述第一校正单元7与相邻的第二校正单元8相互连接，所述第二校正单元8包括位于中间的第二方形块12和与第二方形块12的四条边分别垂直连接的第二连接线13，所述第一方形块10的面积大于所述第二方形块12的面积，所述第一方形块10与第一校正单元7之间通过第一连接线11连接，所述第一校正单元7与第二校正单元8之间通过第一连接线11以及第二连接线13相互连接，位于内圈的第二校正单元8的内侧形成有一圈圆盘9，所述圆盘9与内圈的所述第二校正单元8之间通过连接线互联，所述圆盘9的内圈形成有呈十字交叉的连接线，且位于圆盘9内圈的连接线的端部具有自由端，使得所述顶层全金属相位校正结构5的圆心形成有空档，支撑用连接盘14位于所述第一校正单元7的外侧的顶层全金属相位校正结构5的四个角处，且所述支撑用连接盘14与所述第一校正单元7连接，所述支撑用连接盘14的中心形成有安装孔。

进一步的，图3为一种中层全金属相位校正结构的示意图，如图3以及图5-图6所示，所述中层全金属相位校正结构4包括若干个第一校正单元7、若干个第二校正单元8、若干个圆盘9以及连接线，所述中层全金属相位校正结构4的外圈形成有三圈相互连接的第二校正单元8，所述第二校正单元8包括位于中间的第二方形块12和与第二方形块12的四条边分别垂直连接的第二连接线13，位于内圈的所述第二校正单元8的内侧形成有两圈相互连接第一校正单元7，所述第一校正单元7与相邻的第二校正单元8相互连接，所述第一校正单元7包括位于中间的第一方形块10和与第一方形块10的四条边分别垂直连接的第一连接线11，所述第一方形块10的面积大于所述第二方形块12的面积，所述第一方形块10与第一校正单元7之间通过第一连接线11连接，所述第一校正单元7与第二校正单元8之间通过第一连接线11以及第二连接线13相互连接，位于内圈的第一校正单元7的内侧形成有一圈圆盘9，所述圆盘9与内圈的所述第一校正单元7之间通过连接线互联，所述圆盘9的内圈形成有呈十字交叉的连接线，支撑用连接盘14位于所述第二校正单元8的外侧的中层全金属相位校正结构4的四个角处，且所述支撑用连接盘14与所述第二校正单元8连接，所述支撑用连接盘14的中心形成有安装孔。

进一步的，图4为一种中层全金属相位校正结构的示意图，如图3以及图5-图6所示，所述底层全金属相位校正结构3包括若干个第一校正单元7、若干个第二校正单元8、若干个圆盘9以及连接线。所述底层全金属相位校正结构3的外圈形成有一圈相互连接的第一校正单元7，所述第一校正单元7包括位于中间的第一方形块10和与第一方形块10的四条边分别垂直连接的第一连接线11，位于外圈的所述第一校正单元7的内侧形成有两圈相互连接第二校正单元8，所述第一校正单元7与相邻的第二校正单元8相互连接，所述第二校正单元8包括位于中间的第二方形块12和与第二方形块12的四条边分别垂直连接的第二连接线13，所述第一方形块10的面积大于所述第二方形块12的面积，所述第一方形块10与第一校正单元7之间通过第一连接线11连接，所述第一校正单元7与第二校正单元8之间通过第一连接线11以及第二连接线13相互连接，位于内圈的第二校正单元8的内侧形成有一圈圆盘9，所述圆盘9与内圈的所述第二校正单元8之间通过连接线互联，所述圆盘的内圈形成有呈十字交叉的连接线，支撑用连接盘14位于所述第一校正单元7的外侧的底层全金属相位校正结构3的四个角处，且所述支撑用连接盘14与所述第一校正单元7连接，所述支撑用连接盘14的中心形成有安装孔。

需要说明的是，本申请所述阵列天线中底层全金属相位校正结构3、中层全金属相位校正结构4以及顶层全金属相位校正结构5 通过上述设置能够获得较好的相位校正作用。其中，图7是存在 AMPCS 的情况下阵列天线的 E 平面电场分布图；图8a-图8b是本实用新型实施例所述阵列天线的工作频率为11GHz时扫描特性仿真结果。

综上，与现有 PCS 的不同的是，本申请阵列天线中 AMPCS制作成本极低，并使用ERA 进行测试以验证其结果，表明ERA孔径的相位均匀性得到显著改善，天线峰值增益提高8.4dB，旁瓣电平(SLLs)得到改善。

Claims

1.一种低剖面二维波束扫描阵列天线，其特征在于：包括位于下侧的谐振器天线ERA本体（1），所述天线ERA本体包括部分反射表面PRS（2），所述部分反射表面PRS（2）的上侧固定有底层全金属相位校正结构（3），所述底层全金属相位校正结构（3）的上侧固定有中层全金属相位校正结构（4），所述中层全金属相位校正结构（4）的上侧固定有顶层全金属相位校正结构（5），所述底层全金属相位校正结构（3）与所述部分反射表面PRS（2）之间的距离为λ₀/4，所述底层全金属相位校正结构（3）与所述中层全金属相位校正结构（4）之间的距离为λ₀/3，所述中层全金属相位校正结构（4）与所述顶层全金属相位校正结构（5）之间的距离为λ₀/3，所述λ₀为所述谐振器天线ERA本体工作频率下的自由空间波长；所述底层全金属相位校正结构（3）与部分反射表面PRS（2）之间、中层全金属相位校正结构（4）与底层全金属相位校正结构（3）之间以及顶层全金属相位校正结构（5）与中层全金属相位校正结构（4）之间通过绝缘柱（6）固定到一起；所述底层全金属相位校正结构（3）、中层全金属相位校正结构（4）和顶层全金属相位校正结构（5）上形成有用于调节相位的校正单元。

2.如权利要求1所述的低剖面二维波束扫描阵列天线，其特征在于：所述底层全金属相位校正结构（3）、中层全金属相位校正结构（4）和顶层全金属相位校正结构（5）的厚度为1mm。

3.如权利要求1所述的低剖面二维波束扫描阵列天线，其特征在于：所述底层全金属相位校正结构（3）、中层全金属相位校正结构（4）和顶层全金属相位校正结构（5）使用不锈钢通过激光切割或水射流切割工艺进行制作。

4.如权利要求1所述的低剖面二维波束扫描阵列天线，其特征在于：所述顶层全金属相位校正结构（5）包括若干个第一校正单元（7）、若干个第二校正单元（8）、若干个圆盘（9）以及连接线，所述顶层全金属相位校正结构（5）的外圈形成有一圈相互连接的第一校正单元（7），所述第一校正单元（7）包括位于中间的第一方形块（10）和与第一方形块（10）的四条边分别垂直连接的第一连接线（11），位于外圈的所述第一校正单元（7）的内侧形成有两圈相互连接第二校正单元（8），所述第一校正单元（7）与相邻的第二校正单元（8）相互连接，所述第二校正单元（8）包括位于中间的第二方形块（12）和与第二方形块（12）的四条边分别垂直连接的第二连接线（13），所述第一方形块（10）的面积大于所述第二方形块（12）的面积，所述第一方形块（10）与第一校正单元（7）之间通过第一连接线（11）连接，所述第一校正单元（7）与第二校正单元（8）之间通过第一连接线（11）以及第二连接线（13）相互连接，位于内圈的第二校正单元（8）的内侧形成有一圈圆盘（9），所述圆盘（9）与内圈的所述第二校正单元（8）之间通过连接线互联，所述圆盘（9）的内圈形成有呈十字交叉的连接线，且位于圆盘（9）内圈的连接线的端部具有自由端，使得所述顶层全金属相位校正结构（5）的圆心形成有空档，支撑用连接盘（14）位于所述第一校正单元（7）的外侧的顶层全金属相位校正结构（5）的四个角处，且所述支撑用连接盘（14）与所述第一校正单元（7）连接，所述支撑用连接盘（14）的中心形成有安装孔。

5.如权利要求1所述的低剖面二维波束扫描阵列天线，其特征在于：所述中层全金属相位校正结构（4）包括若干个第一校正单元（7）、若干个第二校正单元（8）、若干个圆盘（9）以及连接线，所述中层全金属相位校正结构（4）的外圈形成有三圈相互连接的第二校正单元（8），所述第二校正单元（8）包括位于中间的第二方形块（12）和与第二方形块（12）的四条边分别垂直连接的第二连接线（13），位于内圈的所述第二校正单元（8）的内侧形成有两圈相互连接第一校正单元（7），所述第一校正单元（7）与相邻的第二校正单元（8）相互连接，所述第一校正单元（7）包括位于中间的第一方形块（10）和与第一方形块（10）的四条边分别垂直连接的第一连接线（11），所述第一方形块（10）的面积大于所述第二方形块（12）的面积，所述第一方形块（10）与第一校正单元（7）之间通过第一连接线（11）连接，所述第一校正单元（7）与第二校正单元（8）之间通过第一连接线（11）以及第二连接线（13）相互连接，位于内圈的第一校正单元（7）的内侧形成有一圈圆盘（9），所述圆盘（9）与内圈的所述第一校正单元（7）之间通过连接线互联，所述圆盘（9）的内圈形成有呈十字交叉的连接线，支撑用连接盘（14）位于所述第二校正单元（8）的外侧的中层全金属相位校正结构（4）的四个角处，且所述支撑用连接盘（14）与所述第二校正单元（8）连接，所述支撑用连接盘（14）的中心形成有安装孔。

6.如权利要求1所述的低剖面二维波束扫描阵列天线，其特征在于：所述底层全金属相位校正结构（3）包括若干个第一校正单元（7）、若干个第二校正单元（8）、若干个圆盘（9）以及连接线，所述底层全金属相位校正结构（3）的外圈形成有一圈相互连接的第一校正单元（7），所述第一校正单元（7）包括位于中间的第一方形块（10）和与第一方形块（10）的四条边分别垂直连接的第一连接线（11），位于外圈的所述第一校正单元（7）的内侧形成有两圈相互连接第二校正单元（8），所述第一校正单元（7）与相邻的第二校正单元（8）相互连接，所述第二校正单元（8）包括位于中间的第二方形块（12）和与第二方形块（12）的四条边分别垂直连接的第二连接线（13），所述第一方形块（10）的面积大于所述第二方形块（12）的面积，所述第一方形块（10）与第一校正单元（7）之间通过第一连接线（11）连接，所述第一校正单元（7）与第二校正单元（8）之间通过第一连接线（11）以及第二连接线（13）相互连接，位于内圈的第二校正单元（8）的内侧形成有一圈圆盘（9），所述圆盘（9）与内圈的所述第二校正单元（8）之间通过连接线互联，所述圆盘的内圈形成有呈十字交叉的连接线，支撑用连接盘（14）位于所述第一校正单元（7）的外侧的底层全金属相位校正结构（3）的四个角处，且所述支撑用连接盘（14）与所述第一校正单元（7）连接，所述支撑用连接盘（14）的中心形成有安装孔。

7.如权利要求1所述的低剖面二维波束扫描阵列天线，其特征在于：所述绝缘柱（6）采用尼龙材质制作。