CN216412149U - 一种大容量存储系统及设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型适用于存储技术领域，提供了一种大容量存储系统及设备，其中，所述大容量存储系统包括LRM连接器以及与所述LRM连接器电连接的多个存储模块；所述存储模块包括主控芯片、多个存储颗粒以及多个Flash闪存，所述主控芯片与所述LRM连接器电连接，多个所述存储颗粒和多个所述Flash闪存均与所述主控芯片电连接。本实用新型通过采用LRM连接器作为与外部主机连接的接口，并设置多个与LRM连接器电连接的存储模块，从而可以增加存储系统的存储容量，同时使接口的插取更方便，稳定性更高。
Description
技术领域
本实用新型属于存储技术领域，尤其涉及一种大容量存储系统及设备。
背景技术
随着大数据时代的不断发展，对于数据的记录、保存显得尤为重要，而小体积大容量的存储设备更是最受青睐的对象。
但现有的小体积存储设备存储容量较少，同时由于体积的限定，其接口的插取不方便，且稳定性较低。
因此，现急需一种大容量存储系统来解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种大容量存储系统，旨在解决现有的小体积存储设备存储容量少，且由于体积的限定，导致其接口的插取不方便，稳定性较低的问题。
本实用新型实施例提供了一种大容量存储系统，包括LRM连接器以及与所述LRM连接器电连接的多个存储模块；所述存储模块包括主控芯片、多个存储颗粒以及多个Flash闪存，所述主控芯片与所述LRM连接器电连接，多个所述存储颗粒和多个所述Flash闪存均与所述主控芯片电连接。
更进一步地，所述主控芯片的型号为SM224GE0600EN-AA。
更进一步地，所述LRM连接器的型号为LRMV-W40MT4-T。
更进一步地，所述存储颗粒的型号为TH58TFT1DFLBA8P。
更进一步地，所述Flash闪存的型号为MT41K512M16HA-125AIT：A。
更进一步地，所述LRM连接器包括第一模块、第二模块、第三模块以及第四模块。
更进一步地，所述第一模块分别电连接电源接口和打印串口，用于供电和调试控制。
更进一步地，所述第二模块电连接所述存储模块，用于实现数据的传输。
更进一步地，所述第三模块和所述第四模块均电连接所述存储模块，用于控制信号。
本实用新型实施例还提供了一种大容量存储设备，包括外壳以及收容于所述外壳内如上所述的大容量存储系统。
本实用新型所达到的有益效果：通过采用LRM连接器作为与外部主机连接的接口，并设置多个与LRM连接器电连接的存储模块，从而可以增加存储系统的存储容量，同时使接口的插取更方便，稳定性更高。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的一种大容量存储系统的框架示意图一；
图2是本实用新型实施例提供的一种大容量存储系统的框架示意图二；
图3是本实用新型实施例提供的一种大容量存储系统中LRM连接器的P13-1的接口电路图；
图4是本实用新型实施例提供的一种大容量存储系统中LRM连接器的P13-2的接口电路图；
图5是本实用新型实施例提供的一种大容量存储系统中LRM连接器的P13-3的接口电路图；
图6是本实用新型实施例提供的一种大容量存储系统中LRM连接器的P13-4的接口电路图；
图7是本实用新型实施例提供的一种大容量存储系统中LRM连接器的P13-5的接口电路图；
图8是本实用新型实施例提供的一种大容量存储系统中LRM连接器的P13-6的接口电路图；
图9是本实用新型实施例提供的一种大容量存储系统中LRM连接器的P13-7的接口电路图。
其中，100、LRM连接器；200、存储模块；201、主控芯片；202、存储颗粒；203、Flash闪存；300、主机。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件时，它可以是直接连接到另一个元件，或者通过居中元件连接另一个元件。以下实施例中的“连接”，如果被连接的电路、模块、单元等相互之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语包括相关所列项目的任何及所有组合。
实施例一
本实施例提供了一种大容量存储系统，结合附图1和附图2所示，包括LRM连接器100以及分别与所述LRM连接器100电连接的多个存储模块200；所述存储模块200包括主控芯片201、多个存储颗粒202(DDR)以及多个Flash闪存203，所述主控芯片201与所述LRM连接器100电连接，多个所述存储颗粒202和多个所述Flash闪存203均与所述主控芯片201电连接。
其中，所述LRM连接器100作为与外部主机300连接的接口，实现设备之间的通信连接；所述主控芯片201用于通过协议(SATA协议)与用户端进行数据的读写操作；所述存储颗粒202作为数据的存储介质，用于保存数据，起到缓存的作用；所述Flash闪存203用于保存所述存储模块200的数据链表，以提升所述存储模块200的读写速率。
每个单独的所述存储模块200形成一个具有存储功能的固态硬盘，其具有数据的读写及擦除功能。
具体地，所述存储模块200、所述存储颗粒202以及所述Flash闪存203的数量根据实际需求设定。
本实施例中，每个单独的所述存储模块200的存储容量为2TB，整个所述大容量存储系统的总存储容量为20TB，读写速率超过3.2GB/s，且数据保存稳定。
本实施例中，所述主控芯片201的型号为慧荣科技的SM224GE0600EN-AA。当然，根据实际需求，其还可以选择其它的型号。
本实施例中，所述LRM连接器100的型号为中航光电科技LRM系列的LRMV-W40MT4-T。当然，根据实际需求，其还可以选择LRM系列的其它型号。
结合附图3至附图9所示，分别为所述LRM连接器100P13-1至P13-7的接口电路图，其中，每个所述接口由P0、P1、P2、P3四个模块组成，其中，所述P0模块连接至内部的电源接口及打印串口，实现所述大容量存储系统的正常供电及调试控制；所述P1模块连接至所述存储模块200，实现高速数据的传输；所述P2模块及所述P3模块连接至所述存储模块200控制信号，实现相对应的所述存储模块200的控制；而未用到的引脚做悬空或接地处理。
本实施例中，所述存储颗粒202的型号为东芝的TH58TFT1DFLBA8P。当然，根据实际需求，其还可以选择其它的型号。
本实施例中，所述Flash闪存203的型号为镁光的MT41K512M16HA-125AIT：A。当然，根据实际需求，其还可以选择其它的型号。
另外，当所述大容量存储系统在使用时需配备基板或壳体等承载部件，以承载所述大容量存储系统。
本实施例的大容量存储系统采用所述LRM连接器100连接多个所述存储模块200，从而可以实现单设备大容量的存储空间，并缩小占用的空间，满足小型化的设计要求，同时，由于采用所述LRM连接器100作为与外部主机300连接的接口，还使得接口的插取更方面，稳定性更高，适用范围更广，且方便后期的维修及更换。
实施例二
本实施例提供了一种大容量存储设备，所述大容量存储设备包括外壳以及收容于所述外壳内的大容量存储系统；结合附图1和附图2所示，所述大容量存储系统包括LRM连接器100以及分别与所述LRM连接器100电连接的多个存储模块200；所述存储模块200包括主控芯片201、多个存储颗粒202以及多个Flash闪存203，所述主控芯片201与所述LRM连接器100电连接，多个所述存储颗粒202和多个所述Flash闪存203均与所述主控芯片201电连接。
具体地，所述LRM连接器100的型号为中航光电科技LRM系列的LRMV-W40MT4-T。当然，根据实际需求，其还可以选择LRM系列的其它型号。
具体地，所述主控芯片201的型号为慧荣科技的SM224GE0600EN-AA。当然，根据实际需求，其还可以选择其它的型号。
具体地，所述存储颗粒202的型号为东芝的TH58TFT1DFLBA8P。当然，根据实际需求，其还可以选择其它的型号。
具体地，所述Flash闪存203的型号为镁光的MT41K512M16HA-125AIT：A。当然，根据实际需求，其还可以选择其它的型号。
具体地，本实施例中的大容量存储系统与实施例一中的所述大容量存储系统相同，因此，具体的细节参照实施例一，在此不作赘述。
本实施例通过增加一个外壳，从而可以更好的保护所述大容量存储系统，避免所述大容量存储系统过多的外露，而导致积灰或损坏。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，也都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种大容量存储系统，其特征在于，包括LRM连接器以及分别与所述LRM连接器电连接的多个存储模块；所述存储模块包括主控芯片、多个存储颗粒以及多个Flash闪存，所述主控芯片与所述LRM连接器电连接，多个所述存储颗粒和多个所述Flash闪存均与所述主控芯片电连接。
2.如权利要求1所述的大容量存储系统，其特征在于，所述主控芯片的型号为SM224GE0600EN-AA。
3.如权利要求1所述的大容量存储系统，其特征在于，所述LRM连接器的型号为LRMV-W40MT4-T。
4.如权利要求1所述的大容量存储系统，其特征在于，所述存储颗粒的型号为TH58TFT1DFLBA8P。
5.如权利要求1所述的大容量存储系统，其特征在于，所述Flash闪存的型号为MT41K512M16HA-125AIT：A。
6.如权利要求1或3所述的大容量存储系统，其特征在于，所述LRM连接器包括第一模块、第二模块、第三模块以及第四模块。
7.如权利要求6所述的大容量存储系统，其特征在于，所述第一模块分别电连接电源接口和打印串口，用于供电和调试控制。
8.如权利要求7所述的大容量存储系统，其特征在于，所述第二模块电连接所述存储模块，用于实现数据的传输。
9.如权利要求8所述的大容量存储系统，其特征在于，所述第三模块和所述第四模块均电连接所述存储模块，用于控制信号。
10.一种大容量存储设备，其特征在于，所述大容量存储设备包括外壳以及收容于所述外壳内如权利要求1至9任意一项所述的大容量存储系统。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202123431215.3U CN216412149U (zh) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 一种大容量存储系统及设备 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN202123431215.3U CN216412149U (zh) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 一种大容量存储系统及设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN216412149U true CN216412149U (zh) | 2022-04-29 |
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|---|---|---|---|
| CN202123431215.3U Active CN216412149U (zh) | 2021-12-30 | 2021-12-30 | 一种大容量存储系统及设备 |
Country Status (1)
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2021
- 2021-12-30 CN CN202123431215.3U patent/CN216412149U/zh active Active
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