CN216351371U - 用于光通道高度转换光纤阵列无源件、波分复用的rosa器件以及多通道光模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种用于光通道高度转换光纤阵列无源件,包括玻璃盖板、若干条光纤以及呈长条状的V槽,沿V槽的长度方向,V槽包括可研磨成斜面的第一研磨段、搁置光纤的搁置段以及可研磨成斜面的第二研磨段,各光纤贯穿第一研磨段、搁置段以及第二研磨段,且各光纤均设于第一研磨段、搁置段以及第二研磨段的上表面,玻璃盖板盖压于V槽的上表面上,各光纤位于玻璃盖板和V槽之间。还提供一种波分复用的ROSA器件。还提供一种多通道光模块。本实用新型可以缩小器件尺寸,减小光路长度,降低block制作难度,可直接适用于0.25mmpitch的光芯片,可增大集成度,降低器件成本;不仅可以利用在波分复用rosa端,也可用在平面多通道结构的单纤双向光路中。
Description
技术领域
本实用新型涉及光纤通信高速光模块技术领域,特别是对于100G、200G 波分复用光器件或多通道单纤双向COB光器件或光模块中,具体为一种用于光通道高度转换光纤阵列无源件、波分复用的ROSA器件以及多通道光模块。
背景技术
光通信高速器件中,芯片成本占器件总成本比例很高,为了降低成本,加大集成度,接收器件或光路中通常采用集成度较高的阵列PD,一般pitch 为0.25mm或0.75mm,集成度越高,芯片越便宜;目前行业常用的是采用 Z-block空间光路——棱镜+滤波膜片组合解复用,还要一种是采用平面波导光路分光,如AWG、MZ等,其中Z-block膜片分光以低廉成本、高温度稳定性、高可靠性、低串扰等优良的特性,在波分复用的ROSA器件和光模块中占据重要地位,但Z-block空间光路分光方式受膜片切割、装配等影响,无法直接匹配到0.25mmpitch的阵列芯片使用,一般只能匹配使用750um pitch 的芯片。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种用于光通道高度转换光纤阵列无源件、波分复用的ROSA器件以及多通道光模块,可降低器件成本、增加器件小型化和可集成性。
为实现上述目的,本实用新型实施例提供如下技术方案:一种用于光通道高度转换光纤阵列无源件,包括玻璃盖板、若干条光纤以及呈长条状的V 槽,沿所述V槽的长度方向,所述V槽包括可研磨成斜面的第一研磨段、搁置所述光纤的搁置段以及可研磨成斜面的第二研磨段,各所述光纤贯穿所述第一研磨段、所述搁置段以及所述第二研磨段,且各所述光纤均设于所述第一研磨段、所述搁置段以及所述第二研磨段的上表面,所述玻璃盖板盖压于所述V槽的上表面上,各所述光纤位于所述玻璃盖板和所述V槽之间。
进一步,各所述光纤均通过第一胶水粘接在所述V槽上。
进一步,所述第一胶水有三处,其中一处所述第一胶水设于所述第一研磨段和所述搁置段的连接处,另外一处所述第一胶水设于所述第二研磨段和所述搁置段的连接处,剩下一处所述第一胶水设于所述搁置段上,三处所述第一胶水沿所述第一研磨段至所述第二研磨段依次间隔布设。
进一步,所述玻璃盖板通过第二胶水粘接在所述V槽上。
进一步,所述V槽的上表面上均滴设有所述第二胶水。
进一步,所述搁置段的上表面为平面。
进一步,每一所述光纤均为裸纤,且包层的直径均为125μm,涂覆层的直径均为220~230μm。
进一步,所述V槽的长度在10~13mm之间,宽度在4~6mm之间。
本实用新型实施例提供另一种技术方案:一种波分复用的ROSA器件,包括上述的用于光通道高度转换光纤阵列无源件。
本实用新型实施例提供另一种技术方案:一种多通道光模块,包括上述的用于光通道高度转换光纤阵列无源件。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:可以缩小器件尺寸,减小光路长度,降低block制作难度,可直接适用于0.25mm pitch的光芯片,可增大集成度,降低器件成本;不仅可以利用在波分复用rosa端,也可用在平面多通道结构的单纤双向光路中。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的一种用于光通道高度转换光纤阵列无源件的示意图;
图2为本实用新型实施例提供的一种用于光通道高度转换光纤阵列无源件的第一胶水布设示意图;
图3为本实用新型实施例提供的一种用于光通道高度转换光纤阵列无源件的玻璃盖板盖下的示意图;
图4为本实用新型实施例提供的一种多通道光模块的侧视图;
图5为本实用新型实施例提供的一种多通道光模块的俯视图;
附图标记中:1-玻璃盖板;2-V槽;20-第一研磨段;21-搁置段;22-第二研磨段;3-光纤;4-第一胶水;5-第二胶水;6-准直器;7-Z-block;8-第一lens array;9-光纤阵列无源件;10-第二lens array;11-PD array。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1至图3,本实用新型实施例提供一种用于光通道高度转换光纤阵列无源件,包括玻璃盖板1、若干条光纤3以及呈长条状的V槽2,沿所述 V槽2的长度方向,所述V槽2包括可研磨成斜面的第一研磨段20、搁置所述光纤3的搁置段21以及可研磨成斜面的第二研磨段22,各所述光纤3贯穿所述第一研磨段20、所述搁置段21以及所述第二研磨段22,且各所述光纤3 均设于所述第一研磨段20、所述搁置段21以及所述第二研磨段22的上表面,所述玻璃盖板1盖压于所述V槽2的上表面上,各所述光纤3位于所述玻璃盖板1和所述V槽2之间。在本实施例中,本光纤阵列无源件9可以缩小器件尺寸,减小光路长度,降低block制作难度,可直接适用于0.25mm pitch的光芯片,可增大集成度,降低器件成本。具体地,该V槽2为光纤阵列石英玻璃V槽,将V槽2细化为三段式,分别定义为第一研磨段20、搁置段21和第二研磨段22,优选的,第一研磨段20可以研磨成8°角,其与竖直线之间的夹角为8°,第二研磨段22可以研磨成41°,其与竖直线之间的夹角为41°,且该第一研磨段20的高度为750μm,第二研磨段22的高度为250μm,该第二研磨段22加镀内增反膜,用于100G CWDM4或LANWDM4接收COB光路中,先从准直器6出来,再从Z-block7(复用解复用器)分出的四束光经过第一lens array8(透镜阵列)耦合到上述光纤阵列无源件9中,然后光纤阵列无源件9经过250um pitch(高度)端膜系反射到第二lens array10,再经过第二lens array10聚焦到PDarray11表面完成光电转换。
作为本实用新型实施例的优化方案,请参阅图1至图3,各所述光纤3均通过第一胶水4粘接在所述V槽2上。所述第一胶水4有三处,其中一处所述第一胶水4设于所述第一研磨段20和所述搁置段21的连接处,另外一处所述第一胶水4设于所述第二研磨段22和所述搁置段21的连接处,剩下一处所述第一胶水4设于所述搁置段21上,三处所述第一胶水4沿所述第一研磨段20至所述第二研磨段22依次间隔布设。在本实施例中,该第一胶水4 为UV光学胶水,通过紫外线固化,设在三处可以确保光纤3稳定地固定在V 槽2上。
作为本实用新型实施例的优化方案,请参阅图1至图3,所述玻璃盖板1 通过第二胶水5粘接在所述V槽2上。所述V槽2的上表面上均滴设有所述第二胶水5。在本实施例中,第二胶水5也可以是UV光学胶水,通过紫外线固化。在固化后,再把第一研磨段20和第二研磨段22进行研磨、抛光成所需的角度。
作为本实用新型实施例的优化方案,请参阅图1至图3,所述搁置段21 的上表面为平面。在本实施例中,将该处加工研磨成平面,利于光纤3微弯。
作为本实用新型实施例的优化方案,每一所述光纤3均为裸纤,且包层的直径均为125μm,涂覆层的直径均为220~230μm。在本实施例中,该光纤3可以是单模/多模光纤也可以是特种光纤,光纤3两端涂覆层被剥离。
作为本实用新型实施例的优化方案,所述V槽2的长度在10~13mm之间,宽度在4~6mm之间。在本实施例中,此尺寸可以确保光纤3的最小弯曲半径大于等于10mm,石英玻璃V槽2中段~10mm通过研磨工艺被磨平,研磨深度0.2~0.25mm。单模光纤最小弯曲半径可控制在3mm,多模光纤弯曲半径可控制在8mm,弯曲损耗<0.2dB;石英玻璃V槽长度截取需要在两个因素中做平衡:尽量增大光纤3在pitch转换中弯曲半径,尽量减小整个元件尺寸。
本实用新型实施例提供一种波分复用的ROSA器件,包括上述的用于光通道高度转换光纤阵列无源件9。在本实施例中,上述的光纤阵列无源件9可以用在波分复用的ROSA端。
请参阅图1至图5,本实用新型实施例提供一种多通道光模块,包括上述的用于光通道高度转换光纤阵列无源件9,可以缩小器件尺寸,减小光路长度,降低block制作难度,可直接适用于0.25mm pitch的光芯片,可增大集成度,降低器件成本。具体地,将V槽2细化为三段式,分别定义为第一研磨段20、搁置段21和第二研磨段22,优选的,第一研磨段20可以研磨成8°角,其与竖直线之间的夹角为8°,第二研磨段22可以研磨成41°,其与竖直线之间的夹角为41°,且该第一研磨段20的高度为750μm,第二研磨段22的高度为 250μm,该第二研磨段22加镀内增反膜,用于100G CWDM4或LAN WDM4 接收COB光路中,先从准直器6出来,再从Z-block7(复用解复用器)分出的四束光经过第一lens array8(透镜阵列)耦合到上述光纤阵列无源件9中,然后光纤阵列无源件9经过250um pitch(高度)端膜系反射到第二lens array10,再经过第二lens array10聚焦到PD array11表面完成光电转换。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种用于光通道高度转换光纤阵列无源件,其特征在于:包括玻璃盖板、若干条光纤以及呈长条状的V槽,沿所述V槽的长度方向,所述V槽包括可研磨成斜面的第一研磨段、搁置所述光纤的搁置段以及可研磨成斜面的第二研磨段,各所述光纤贯穿所述第一研磨段、所述搁置段以及所述第二研磨段,且各所述光纤均设于所述第一研磨段、所述搁置段以及所述第二研磨段的上表面,所述玻璃盖板盖压于所述V槽的上表面上,各所述光纤位于所述玻璃盖板和所述V槽之间。
2.如权利要求1所述的用于光通道高度转换光纤阵列无源件,其特征在于:各所述光纤均通过第一胶水粘接在所述V槽上。
3.如权利要求2所述的用于光通道高度转换光纤阵列无源件,其特征在于:所述第一胶水有三处,其中一处所述第一胶水设于所述第一研磨段和所述搁置段的连接处,另外一处所述第一胶水设于所述第二研磨段和所述搁置段的连接处,剩下一处所述第一胶水设于所述搁置段上,三处所述第一胶水沿所述第一研磨段至所述第二研磨段依次间隔布设。
4.如权利要求1所述的用于光通道高度转换光纤阵列无源件,其特征在于:所述玻璃盖板通过第二胶水粘接在所述V槽上。
5.如权利要求4所述的用于光通道高度转换光纤阵列无源件,其特征在于:所述V槽的上表面上均滴设有所述第二胶水。
6.如权利要求1所述的用于光通道高度转换光纤阵列无源件,其特征在于:所述搁置段的上表面为平面。
7.如权利要求1所述的用于光通道高度转换光纤阵列无源件,其特征在于:每一所述光纤均为裸纤,且包层的直径均为125μm,涂覆层的直径均为220~230μm。
8.如权利要求1所述的用于光通道高度转换光纤阵列无源件,其特征在于:所述V槽的长度在10~13mm之间,宽度在4~6mm之间。
9.一种波分复用的ROSA器件,其特征在于:包括如权利要求1-8任一所述的用于光通道高度转换光纤阵列无源件。
10.一种多通道光模块,其特征在于:包括如权利要求1-8任一所述的用于光通道高度转换光纤阵列无源件。
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CN202121161865.8U CN216351371U (zh) | 2021-05-27 | 2021-05-27 | 用于光通道高度转换光纤阵列无源件、波分复用的rosa器件以及多通道光模块 |
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CN116931200A (zh) * | 2023-09-19 | 2023-10-24 | 武汉钧恒科技有限公司 | 一种400g dr4光器件 |
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