CN116931200B - 一种400g dr4光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种400G DR4光器件,包括:光纤阵列,光纤阵列的四道V型槽中具有四条光纤,每条光纤分别与MT插芯的一个接口相连,在光纤阵列光口所在侧对应每个光口各设有一条相对光口轴线倾斜布置的耦合光路。有益效果为:将耦合光路倾斜布置,使得光纤阵列上相邻两道V型槽之间的间距小于1000um,减小了光纤阵列占用光器件的空间,并且光纤阵列与MT插芯之间的光纤弯曲半径大幅增加,从而不会出现光性能下降的问题。
Description
技术领域
本发明涉及光器件领域,具体涉及一种400G DR4光器件。
背景技术
现有透镜尺寸一般最小为600um,因此,目前400G DR4光器件中的光纤阵列上相邻两道V型槽之间的间距一般最小选用1000um,在400G DR4光器件中光纤阵列占用光器件的空间过大,如图1所示,光纤合并到MT插芯时弯曲半径过小导致插损变大。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种400G DR4光器件,以克服上述现有技术中的不足。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种400G DR4光器件,包括:光纤阵列,光纤阵列的四道V型槽中具有四条光纤,每条光纤分别与MT插芯的一个接口相连,在光纤阵列光口所在侧对应每个光口各设有一条相对光口轴线倾斜布置的耦合光路,所有耦合光路相对光纤阵列呈收缩状分布。
本发明的有益效果是:将耦合光路倾斜布置,使得光纤阵列上相邻两道V型槽之间的间距小于1000um,减小了光纤阵列占用光器件的空间,并且光纤阵列与MT插芯之间的光纤弯曲半径大幅增加,从而不会出现光性能下降的问题。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步,耦合光路的倾斜角度为5°~15°。
采用上述进一步的有益效果为:该范围下一方面可以使得光纤阵列上相邻两道V型槽之间的间距小于1000um,另一方面可以避免耦合效率下降。
进一步,耦合光路的倾斜角度为8°。
采用上述进一步的有益效果为:使得光纤阵列中相邻两道V型槽之间的间距为500um,大幅度减小了光纤阵列占用光器件的空间,并且光纤阵列与MT插芯之间的光纤弯曲半径大幅增加,从而不会出现光性能下降的问题。
进一步,光纤阵列具有光口的端面为0度面。
采用上述进一步的有益效果为:由于耦合光路倾斜布置,因此,所采用的光纤阵列具有光口的端面可以为0度面,相对于现有的斜面而言,成本更低,且不会因为0度端面导致光纤阵列端面光反射引起光性能下降。
进一步,耦合光路包括:激光器芯片和光隔离器,激光器芯片所发射的光束经过光隔离器后入射在光纤阵列的光口中。
进一步,耦合光路还包括:透镜,激光器芯片所发射的光束依次经过透镜、光隔离器后入射在光纤阵列的光口中。
进一步,所有耦合光路中每两条为一组并共用一个光隔离器。
采用上述进一步的有益效果为:减少光隔离器组装次数、即节省工序。
进一步,所有耦合光路对称分布。
采用上述进一步的有益效果为:降低加工难度。
附图说明
图1为现有技术中所述400G DR4光器件的结构图;
图2为本发明中所述400G DR4光器件的结构图。
附图中,各标号所代表的部件列表如下:
1、光纤阵列,2、MT插芯,3、激光器芯片,4、光隔离器,5、透镜,6、光纤。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
实施例1
如图2所示,一种400G DR4光器件,包括:光纤阵列1,光纤阵列1的四道V型槽中具有四条光纤6,每条光纤6分别与MT插芯2的一个接口相连;在光纤阵列1光口所在侧对应每个光口各设有一条相对光口轴线倾斜布置的耦合光路,所有耦合光路相对光纤阵列1呈收缩状分布,将耦合光路倾斜布置,使得光纤阵列1上相邻两道V型槽之间的间距小于1000um,减小了光纤阵列占用光器件的空间,并且光纤阵列与MT插芯2之间的光纤6弯曲半径大幅增加,从而不会出现光性能下降的问题。
实施例2
如图2所示,本实施例为在实施例1的基础上对其所进行的进一步改进,具体如下:
耦合光路的倾斜角度为5°~15°,在该范围下一方面可以使得光纤阵列上相邻两道V型槽之间的间距小于1000um,另一方面可以避免耦合效率下降。
更进一步:耦合光路的倾斜角度优选为8°,使得光纤阵列中相邻两道V型槽之间的间距为500um,大幅度减小了光纤阵列占用光器件的空间,并且光纤阵列与MT插芯之间的光纤弯曲半径大幅增加,从而不会出现光性能下降的问题,虽然可以增大角度以进一步变小间距,即可以实现间距变为250um,但是继续增大角度会大幅度降低耦合效率,反而使得整体性能下降。
实施例3
如图2所示,本实施例为在实施例1或2的基础上对其所进行的进一步改进,具体如下:
由于耦合光路倾斜布置,因此,所采用的光纤阵列1具有光口的端面可以为0度面,相对于现有的斜面而言,成本更低,且不会因为0度端面导致光纤阵列1端面光反射引起光性能下降。
实施例4
如图2所示,本实施例为在实施例1或2或3的基础上对其所进行的进一步改进,具体如下:
耦合光路包括:激光器芯片3和光隔离器4,激光器芯片3所发射的光束经过光隔离器4后入射在光纤阵列1的光口中,按照图所示,可以理解为:激光器芯片3所发射的光束为倾斜的,因此激光器芯片3所发射的光束在经过光隔离器4后实际上是倾斜入射在光纤阵列1的光口中。
更进一步:耦合光路还包括:透镜5,激光器芯片3所发射的光束依次经过透镜5、光隔离器4后入射在光纤阵列1的光口中。
实施例5
如图2所示,本实施例为在实施例4的基础上对其所进行的进一步改进,具体如下:
所有耦合光路中每两条为一组并共用一个光隔离器4,降低加工难度。
实施例6
如图2所示,本实施例为在实施例1~5任一实施例的基础上对其所进行的进一步改进,具体如下:
所有耦合光路对称分布,降低加工难度。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (6)
1.一种400G DR4光器件,包括:光纤阵列(1),所述光纤阵列(1)的四道V型槽中具有四条光纤(6),每条光纤(6)分别与MT插芯(2)的一个接口相连,其特征在于:在所述光纤阵列(1)光口所在侧对应每个光口各设有一条相对光口轴线倾斜布置的耦合光路,所述耦合光路的倾斜角度为5°~15°,所有耦合光路相对光纤阵列(1)呈收缩状分布,所述光纤阵列(1)具有光口的端面为0度面。
2.根据权利要求1所述一种400G DR4光器件,其特征在于,所述耦合光路的倾斜角度为8°。
3.根据权利要求1所述一种400G DR4光器件,其特征在于,所述耦合光路包括:激光器芯片(3)和光隔离器(4),所述激光器芯片(3)所发射的光束经过光隔离器(4)后入射在光纤阵列(1)的光口中。
4.根据权利要求3所述一种400G DR4光器件,其特征在于,所述耦合光路还包括:透镜(5),所述激光器芯片(3)所发射的光束依次经过透镜(5)、光隔离器(4)后入射在光纤阵列(1)的光口中。
5.根据权利要求3或4所述一种400G DR4光器件,其特征在于,所有耦合光路中每两条为一组并共用一个光隔离器(4)。
6.根据权利要求1所述一种400G DR4光器件,其特征在于:所有耦合光路对称分布。
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