CN216310573U - 一种新型多通道rs485传感网络采集支点控制电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种新型多通道RS485传感网络采集支点控制电路，其可以提供多种输出电压对应与不同型号的485传感器连接，从而提高了整体电路的适配性。其包括MCU主控模块，MCU主控模块通过采集模块连接四路结构相同的485通信模块及温度采集模块，其还包括分别与MCU主控模块、采集模块、485通信模块及温度采集模块连接的电源模块，电源模块包括电源切换模块、降压模块、多路供电模块及两路12VDC供电模块，其中MCU主控模块和采集模块分别包括AT128单片机IC5、AT1284单片机IC3，两路12VDC供电模块包括两路结构相同的升压芯片IC23、IC27，两个升压芯片IC23、IC27分别与模拟多路复用器IC35连接并选择输出5V、9V或12V电压源，其还包括与AT1284单片机IC3连接的轮盘开关S2。

Description

一种新型多通道RS485传感网络采集支点控制电路

技术领域

本实用新型涉及数据采集技术领域，具体为一种新型多通道RS485传感网络采集支点控制电路。

背景技术

RS485是流行的一种布网方式，实施简单方便，同时支持RS485的仪表也很多。中国实用新型专利申请号为201920842989.9公布了一种四通道RS485传感网络采集支点控制电路，其通过AT128单片机实现总体控制，再设计四路结构相同的485通信电路及模拟多路复用器与AT1284单片机实现数据采集，同时其内部设有电源模块实现内部供电。然而由于该控制电路的电源模块仅能输出单一规格的电压，该电压仅能支持连接相应电压的485传感器，从而使得该控制电路在使用时适配性较低，具有局限性。

实用新型内容

针对现有的四通道RS485传感网络采集支点控制电路，其仅能支持一种型号的485传感器，导致该控制电路适配性较低的问题，本实用新型提供了一种新型多通道RS485传感网络采集支点控制电路，其可以提供多种输出电压对应与不同型号的485传感器连接，从而提高了整体电路的适配性。

其技术方案是这样的：一种新型多通道RS485传感网络采集支点控制电路，其包括MCU主控模块，所述MCU主控模块通过采集模块连接四路结构相同的485通信模块及温度采集模块，其还包括分别与MCU主控模块、采集模块、485通信模块及温度采集模块连接的电源模块，所述电源模块包括电源切换模块、降压模块、多路供电模块及两路12VDC供电模块，其中所述MCU主控模块和采集模块分别包括AT128单片机IC5、AT1284单片机IC3，其特征在于：所述两路12VDC供电模块包括两路结构相同的升压芯片IC23、IC27，两个升压芯片IC23、IC27分别与模拟多路复用器IC35连接并选择输出5V、9V或12V电压源，其还包括与所述AT1284单片机IC3连接的轮盘开关S2，所述轮盘开关S2的3、6管脚连接所述AT1284单片机IC3的43、44管脚，所述轮盘开关S2的2、5管脚相连后连接电阻R89一端，所述电阻R89另一端接地，所述升压芯片IC23的1、3管脚分别连接电感L6、L7的一端，所述电感L6的另一端与所述电感L7的另一端相连后连接所述升压芯片IC23的5管脚、电阻R43一端、MOS管Q7的5至8管脚，所述电阻R43的另一端连接所述升压芯片IC23的11管脚，所述MOS管Q7的1至3管脚相连后连接电阻R44的一端、电容C73一端、电容C72一端及VCC-MAIN电压源，所述MOS管Q7的4管脚连接所述电阻R44的另一端、三极管Q10的集电极，所述三极管Q10的基极连接电容C77一端、电阻R50一端，所述电阻R50另一端连接所述AT1284单片机IC3的15管脚，所述三极管Q10的发射极、所述电容C77的另一端、电容C73的另一端、电容C72的另一端相连后接地，所述升压芯片IC23的7、8管脚分别连接电容C76一端、电阻R52一端，所述电容C76的另一端连接所述电阻R52的另一端、所述升压芯片IC23的6、17管脚并接，所述升压芯片IC23的2、4、12管脚接地，所述升压芯片IC23的9管脚连接电容C75一端、 电容C74一端，所述电容C75的另一端连接电阻R54一端，所述电阻R54的另一端连接所述电容C74的另一端、电容C66至电容C68一端并接地，所述电容C66至电容C68的另一端连接电阻R42一端、MOS管Q6的漏极、电阻R31一端、MOS管QS的漏极、电阻R49一端、电阻R46一端、电容C64一端及升压芯片IC23的13管脚，所述电容C64的另一端连接所述升压芯片IC23的16管脚，所述电阻R46的另一端连接电容C71一端，所述电容C71的另一端连接所述电阻R49的另一端、升压芯IC23的10管脚、电阻R94一端及所述模拟多路复用器IC35的13管脚，所述电阻R42的另一端连接所述MOS管Q6的门极、三极管Q8的集电极，所述三极管Q8的基极连接电阻R45一端、电容C70一端，所述电阻R45的另一端连接所述AT1284单片机IC3的24管脚，所述电容C70的另一端连接所述三极管Q8的发射极并接地，所述MOS管Q6的源极连接保险丝F6的一端，所述保险丝F6的另一端连接电容C65一端、电容C69一端及接口J8的5管脚，所述电容C65的另一端与所述电容C69的另一端相连后连接所述接口J8的4管脚并接地，所述接口J8的1管脚接地，所述接口J8的2、3管脚连接其中一路所述485通信模块及485传感器供电；所述电阻R31的另一端连接所述MOS管Q3的门极、三极管Q4的集电极，所述三极管Q4的基极连接电阻R33一端、电容C61一端，所述电阻R33的另一端连接所述AT1284单片机IC3的23管脚，所述电容C61的另一端连接所述三极管Q4的发射极并接地，所述MOS管Q3的源极连接保险丝F2的一端，所述保险丝F2的另一端连接电容C54一端、电容C58一端及接口J7的5管脚，所述电容C54的另一端与所述电容C58的另一端相连后连接所述接口J7的4管脚并接地，所述接口J7的1管脚接地，所述接口J7的2、3管脚连接其中一路所述485通信模块及485传感器供电；所述模拟多路复用器IC35的2、5、14、15管脚分别连接电阻R93、电阻R92、电阻R95、电阻R96一端，所述电阻R94另一端、电阻R95另一端、电阻R96另一端相连后接地，所述电阻R93另一端、电阻R93另一端、电阻R91一端相连后接地，所述电阻R91的另一端连接所述模拟多路复用器IC35的3管脚及升压芯片IC27，所述模拟多路复用器IC35的6、7、8管脚接地，所述模拟多路复用器IC35的9、10管脚分别连接所述AT1284单片机IC3的30、31管脚，所述模拟多路复用器IC35的16管脚连接电容C126一端及3V2电压源，所述电容C126的另一端接地。

其进一步特征在于：其还包括与所述AT128单片机IC5连接的无线模块，所述无线模块包括WL-30无线芯片IC7，所述无线芯片IC7的1、8管脚接地，所述无线芯片IC7的2至5管脚、11、12管脚、14至16管脚分别对应连接所述AT128单片机IC5的32、31、30、16、51、48、53、50、49管脚，所述无线芯片IC7的6管脚连接所述AT128单片机IC5的14管脚、电阻R87一端，所述电阻R87的另一端连接3.3V电压源，所述无线芯片IC7的9管脚连接电容C107一端、电阻R88一端，所述电阻R88的另一端连接电容C108一端、晶闸管D21的一端、接口X1的1管脚，所述电容C107的另一端连接所述电容C108的另一端、晶闸管D21的另一端、接口X1的2管脚、无线芯片IC7的10管脚相连后接地，所述无线芯片IC7的13管脚连接电容C106一端、电容C17一端及3.3V电压源，所述电容C106的另一端与电容C17另一端相连后接地；

所述降压模块包括LMR14050降压芯片IC16，所述降压芯片IC16的2、3管脚相连后连接电容C29一端、电容C125一端、二极管D6的负极，所述二极管D6的正极连接电容C31一端、电容C30一端、保险丝F1的一端，所述保险丝F1的另一端连接SWITCH-DC-IN电源端，所述降压芯片IC16的4、6管脚分别连接电阻R19一端、电容C32一端，所述电容C30另一端、电容C31另一端、电容C125另一端、电容C29另一端、电阻R19另一端、电容C32另一端相连后接地，所述降压芯片IC16的1管脚连接电容C28一端，所述电容C28另一端连接电感L3一端、二极管D7的负极及所述降压芯片IC16的8管脚，所述电感L3的另一端连接电阻R18的一端、电容C33至C36一端、二极管D8的正极并输出VOUT1电压源，所述电阻R18另一端连接所述降压芯片IC16的5管脚、电阻R22一端，所述电阻R22的另一端、电容C33至C36另一端接地，所述二极管D8的负极连接电阻R28一端、MOS管Q2的1至3管脚、电容C42至C44一端、二极管D13的负极、MOS管 Q22的1至3管脚、二极管D19的正极并输出VCC-MAIN电压源，所述电容C42至电容C44另一端相连后接地，所述电阻R28的另一端连接MOS管Q2的4管脚、MOS管Q1的4管脚、电阻R30一端、MOS管Q21的漏极，所述MOS管Q21的门极连接电阻R86一端、电阻R85一端，所述电阻R85的另一端连接升压芯片IC29，所述电阻R30的另一端连接MOS管Q21的源极、电阻R86另一端并接地，所述MOS管Q2的5至8管脚相连后与MOS管Q1的 5至8管脚相连后连接，所述二极管D13的正极连接电容C37一端、电容C45一端、升压芯片IC18的1管脚、所述升压芯片IC18的3管脚连接所述电容C37的另一端、电容C45的另一端、电阻R29一端并接地，所述电阻R29的另一端连接所述升压芯片IC18的4管脚，所述升压芯片IC18的2管脚连接电感L4一端、所述电感L4的另一端连接电阻R27一端、所述升压芯片IC18的5管脚及SWITCH-BATT电源，所述电阻R27另一端连接所述升压芯片IC18的6管脚，所述MOS管Q22的4管脚连接MOS管Q23的4管脚、电阻R32一端、MOS管Q24的漏极，所述MOS管Q22的5至8管脚相连后与MOS管Q23的 5至8管脚相连后连接，所述二极管D19的负极连接二极管D18的负极、所述电阻R32另一端，所述二极管D18的正极连接电容C109至电容C112一端，所述电容C109至电容C112的另一端相连后连接MOS管Q24的源极并接地，所述MOS管Q24的门极连接电阻R37一端、MOS管Q25的漏极、电阻R90一端、MOS管Q26的漏极，所述电阻R37的另一端连接所述AT1284单片机IC3的22管脚，所述MOS管Q25的门极连接电阻R35一端、二极管D20的负极，所述二极管D20的正极连接所述MOS管Q25的源极、MOS管Q26的源极并接地，所述电阻R35的另一端连接电源切换模块，所述电阻R90另一端与所述MOS管Q26的门极相连后连接电源切换模块；所述MOS管Q1的1至3管脚相连后连接电容C48至电容C50一端、电容C103一端、电阻R75一端、电阻R77一端、MOS管Q19的源极及升压芯片IC29的4、5、10、20、21管脚，所述电容C48至电容C50另一端相连后接地，所述电容C103另一端连接电阻R76一端，所述电阻R75的另一端连接电阻R76另一端、电阻R80一端及升压芯片IC29的12管脚，所述MOS管Q19的漏极连接电容C101一端、电容C102一端、二极管D14至D17的负极，所述MOS管Q19的门极连接所述二极管D14的正极，所述二极管D14至D17的正极分别对应连接电感L10至L13一端及升压芯片IC29的3、6、19、22管脚，所述电感L10至L13的另一端连接电容C100一端、所述升压芯片IC29的29管脚、电容C98一端、电容C99一端及SWITCH-BATT电源，所述电容C100的另一端连接所述升压芯片IC29的9、26管脚并接地吗，所述升压芯片IC29的31管脚连接电阻R73一端、MOS管Q20的漏极、电阻R83一端，所述电阻R73的另一端连接所述AT1284单片机IC3的32管脚，所述MOS管Q20的门极连接电阻R82一端、电阻R84一端，所述电阻R82的另一端连接VOUT1电压源，所述电阻R84另一端、MOS管Q20的源极、电阻R83另一端相连后接地，所述升压芯片IC29的14管脚通过电阻R74连接VOUT2电压源，所述升压芯片IC29的27、28、32管脚分别连接电阻R79一端、电阻R78一端、电容C105一端，所述电阻R78另一端、电阻R79另一端、电容C105另一端、电阻R81一端、电阻R80另一端及所述升压芯片IC29的11、1、2、7、8、17、18、23、24、33、30管脚相连后接地，所述电阻R81的另一端通过电容C104连接所述升压芯片IC29的32管脚。

采用了上述结构后，由于两路12VDC供电模块包括两路结构相同的升压芯片IC23、IC27，并且两个升压芯片IC23、IC27分别与模拟多路复用器IC35连接，通过控制轮盘开关S2选择不同的档位信号传送至AT1284单片机IC3，AT1284单片机IC3则控制模拟多路复用器IC35输出不同的反馈电阻使得升压芯片IC23、IC27分别输出5V、9V或12V电压源，不同的电压源匹配使用不同型号的485传感器，从而提高了整体电路的适配性。

进一步的，该控制电路还包括无线模块，从而可以使用868MHz/915MHz无线频段，从而提高了网络使用的兼容性。

附图说明

图1为本实用新型MCU主控模块的电路原理图；

图2为本实用新型采集模块的电路原理图；

图3为本实用新型485通信模块的电路原理图；

图4为本实用新型温度采集模块的电路原理图；

图5为本实用新型电源切换模块的电路原理图；

图6为本实用新型降压模块的电路原理图；

图7为本实用新型多路供电模块的电路原理图；

图8为本实用新型两路12VDC供电模块的电路原理图；

图9为本实用新型无线模块的电路原理图；

图10为本实用新型测试点的电路原理图。

具体实施方式

如图1至图10所示，一种新型多通道RS485传感网络采集支点控制电路，包括MCU主控模块，MCU模块包括AT128系列单片机IC5，AT128系列单片机IC5连接时钟芯片IC6、晶振X3、闪存IC1，MCU主控模块通过采集模块连接四路结构相同的485通信模块及温度采集模块，其中采集模块包括AT1284系列单片机IC3，AT1284系列单片机IC3连接晶振X2、串口调试口J3及5路调试串口，该控制电路还包括分别与MCU主控模块、采集模块、485通信模块及温度采集模块连接的电源模块，通过电源模块为其他各模块提供内部供电，具体的，电源模块包括电源切换模块、降压模块、多路供电模块及两路12VDC供电模块，其中两路12VDC供电模块包括两路结构相同的升压芯片IC23、IC27，两个升压芯片IC23、IC27分别与模拟多路复用器IC35连接并选择输出5V、9V或12V电压源，其还包括与AT1284单片机IC3连接的轮盘开关S2，轮盘开关S2的3、6管脚连接AT1284单片机IC3的43、44管脚，轮盘开关S2的2、5管脚相连后连接电阻R89一端，电阻R89另一端接地，升压芯片IC23的1、3管脚分别连接电感L6、L7的一端，电感L6的另一端与电感L7的另一端相连后连接升压芯片IC23的5管脚、电阻R43一端、MOS管Q7的5至8管脚，电阻R43的另一端连接升压芯片IC23的11管脚，MOS管Q7的1至3管脚相连后连接电阻R44的一端、电容C73一端、电容C72一端及VCC-MAIN电压源，MOS管Q7的4管脚连接电阻R44的另一端、三极管Q10的集电极，三极管Q10的基极连接电容C77一端、电阻R50一端，电阻R50另一端连接AT1284单片机IC3的15管脚，三极管Q10的发射极、电容C77的另一端、电容C73的另一端、电容C72的另一端相连后接地，升压芯片IC23的7、8管脚分别连接电容C76一端、电阻R52一端，电容C76的另一端连接电阻R52的另一端、升压芯片IC23的6、17管脚并接，升压芯片IC23的2、4、12管脚接地，升压芯片IC23的9管脚连接电容C75一端、 电容C74一端，电容C75的另一端连接电阻R54一端，电阻R54的另一端连接电容C74的另一端、电容C66至电容C68一端并接地，电容C66至电容C68的另一端连接电阻R42一端、MOS管Q6的漏极、电阻R31一端、MOS管QS的漏极、电阻R49一端、电阻R46一端、电容C64一端及升压芯片IC23的13管脚，电容C64的另一端连接升压芯片IC23的16管脚，电阻R46的另一端连接电容C71一端，电容C71的另一端连接电阻R49的另一端、升压芯IC23的10管脚、电阻R94一端及模拟多路复用器IC35的13管脚，电阻R42的另一端连接MOS管Q6的门极、三极管Q8的集电极，三极管Q8的基极连接电阻R45一端、电容C70一端，电阻R45的另一端连接AT1284单片机IC3的24管脚，电容C70的另一端连接三极管Q8的发射极并接地，MOS管Q6的源极连接保险丝F6的一端，保险丝F6的另一端连接电容C65一端、电容C69一端及接口J8的5管脚，电容C65的另一端与电容C69的另一端相连后连接接口J8的4管脚并接地，接口J8的1管脚接地，接口J8的2、3管脚连接其中一路485通信模块及485传感器供电；电阻R31的另一端连接MOS管Q3的门极、三极管Q4的集电极，三极管Q4的基极连接电阻R33一端、电容C61一端，电阻R33的另一端连接AT1284单片机IC3的23管脚，电容C61的另一端连接三极管Q4的发射极并接地，MOS管Q3的源极连接保险丝F2的一端，保险丝F2的另一端连接电容C54一端、电容C58一端及接口J7的5管脚，电容C54的另一端与电容C58的另一端相连后连接接口J7的4管脚并接地，接口J7的1管脚接地，接口J7的2、3管脚连接其中一路485通信模块及485传感器供电；模拟多路复用器IC35的2、5、14、15管脚分别连接电阻R93、电阻R92、电阻R95、电阻R96一端，电阻R94另一端、电阻R95另一端、电阻R96另一端相连后接地，电阻R93另一端、电阻R93另一端、电阻R91一端相连后接地，电阻R91的另一端连接模拟多路复用器IC35的3管脚及升压芯片IC27，模拟多路复用器IC35的6、7、8管脚接地，模拟多路复用器IC35的9、10管脚分别连接AT1284单片机IC3的30、31管脚，模拟多路复用器IC35的16管脚连接电容C126一端及3V2电压源，电容C126的另一端接地。通过调节轮盘开关S2,轮盘开关S2的信号传输至AT1284系列单片机IC3，AT1284系列单片机IC3分析处理后则控制模拟多路复用器IC35输出不同的反馈阻值，从而使得与升压芯片IC23、IC27连接的接口J7至J10输出5V、9V或12V电压源，通过接口J7至J10不仅连接四路485通信模块进行通讯，同时还连接不同型号的485传感器为其供电，因而提高了整体电路的适配性，更加符合实际应用的需要。

其还包括与AT128单片机IC5连接的无线模块，无线模块包括WL-30无线芯片IC7，无线芯片IC7的1、8管脚接地，无线芯片IC7的2至5管脚、11、12管脚、14至16管脚分别对应连接AT128单片机IC5的32、31、30、16、51、48、53、50、49管脚，无线芯片IC7的6管脚连接AT128单片机IC5的14管脚、电阻R87一端，电阻R87的另一端连接3.3V电压源，无线芯片IC7的9管脚连接电容C107一端、电阻R88一端，电阻R88的另一端连接电容C108一端、晶闸管D21的一端、接口X1的1管脚，电容C107的另一端连接电容C108的另一端、晶闸管D21的另一端、接口X1的2管脚、无线芯片IC7的10管脚相连后接地，无线芯片IC7的13管脚连接电容C106一端、电容C17一端及3.3V电压源，电容C106的另一端与电容C17另一端相连后接地。通过该WL-30无线芯片IC7，则可以接收的无线频段为868MHz/915MHz，提高了使用的兼容性。

降压模块包括LMR14050降压芯片IC16，降压芯片IC16的2、3管脚相连后连接电容C29一端、电容C125一端、二极管D6的负极，二极管D6的正极连接电容C31一端、电容C30一端、保险丝F1的一端，保险丝F1的另一端连接SWITCH-DC-IN电源端，降压芯片IC16的4、6管脚分别连接电阻R19一端、电容C32一端，电容C30另一端、电容C31另一端、电容C125另一端、电容C29另一端、电阻R19另一端、电容C32另一端相连后接地，降压芯片IC16的1管脚连接电容C28一端，电容C28另一端连接电感L3一端、二极管D7的负极及降压芯片IC16的8管脚，电感L3的另一端连接电阻R18的一端、电容C33至C36一端、二极管D8的正极并输出VOUT1电压源，电阻R18另一端连接降压芯片IC16的5管脚、电阻R22一端，电阻R22的另一端、电容C33至C36另一端接地，二极管D8的负极连接电阻R28一端、MOS管Q2的1至3管脚、电容C42至C44一端、二极管D13的负极、MOS管 Q22的1至3管脚、二极管D19的正极并输出VCC-MAIN电压源，电容C42至电容C44另一端相连后接地，电阻R28的另一端连接MOS管Q2的4管脚、MOS管Q1的4管脚、电阻R30一端、MOS管Q21的漏极，MOS管Q21的门极连接电阻R86一端、电阻R85一端，电阻R85的另一端连接升压芯片IC29，电阻R30的另一端连接MOS管Q21的源极、电阻R86另一端并接地，MOS管Q2的5至8管脚相连后与MOS管Q1的 5至8管脚相连后连接，二极管D13的正极连接电容C37一端、电容C45一端、升压芯片IC18的1管脚、升压芯片IC18的3管脚连接电容C37的另一端、电容C45的另一端、电阻R29一端并接地，电阻R29的另一端连接升压芯片IC18的4管脚，升压芯片IC18的2管脚连接电感L4一端、电感L4的另一端连接电阻R27一端、升压芯片IC18的5管脚及SWITCH-BATT电源，电阻R27另一端连接升压芯片IC18的6管脚，MOS管Q22的4管脚连接MOS管Q23的4管脚、电阻R32一端、MOS管Q24的漏极，MOS管Q22的5至8管脚相连后与MOS管Q23的 5至8管脚相连后连接，二极管D19的负极连接二极管D18的负极、电阻R32另一端，二极管D18的正极连接电容C109至电容C112一端，电容C109至电容C112的另一端相连后连接MOS管Q24的源极并接地，MOS管Q24的门极连接电阻R37一端、MOS管Q25的漏极、电阻R90一端、MOS管Q26的漏极，电阻R37的另一端连接AT1284单片机IC3的22管脚，MOS管Q25的门极连接电阻R35一端、二极管D20的负极，二极管D20的正极连接MOS管Q25的源极、MOS管Q26的源极并接地，电阻R35的另一端连接电源切换模块，电阻R90另一端与MOS管Q26的门极相连后连接电源切换模块；MOS管Q1的1至3管脚相连后连接电容C48至电容C50一端、电容C103一端、电阻R75一端、电阻R77一端、MOS管Q19的源极及升压芯片IC29的4、5、10、20、21管脚，电容C48至电容C50另一端相连后接地，电容C103另一端连接电阻R76一端，电阻R75的另一端连接电阻R76另一端、电阻R80一端及升压芯片IC29的12管脚，MOS管Q19的漏极连接电容C101一端、电容C102一端、二极管D14至D17的负极，MOS管Q19的门极连接二极管D14的正极，二极管D14至D17的正极分别对应连接电感L10至L13一端及升压芯片IC29的3、6、19、22管脚，电感L10至L13的另一端连接电容C100一端、升压芯片IC29的29管脚、电容C98一端、电容C99一端及SWITCH-BATT电源，电容C100的另一端连接升压芯片IC29的9、26管脚并接地吗，升压芯片IC29的31管脚连接电阻R73一端、MOS管Q20的漏极、电阻R83一端，电阻R73的另一端连接AT1284单片机IC3的32管脚，MOS管Q20的门极连接电阻R82一端、电阻R84一端，电阻R82的另一端连接VOUT1电压源，电阻R84另一端、MOS管Q20的源极、电阻R83另一端相连后接地，升压芯片IC29的14管脚通过电阻R74连接VOUT2电压源，升压芯片IC29的27、28、32管脚分别连接电阻R79一端、电阻R78一端、电容C105一端，电阻R78另一端、电阻R79另一端、电容C105另一端、电阻R81一端、电阻R80另一端及升压芯片IC29的11、1、2、7、8、17、18、23、24、33、30管脚相连后接地，电阻R81的另一端通过电容C104连接升压芯片IC29的32管脚。

以上，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本实用新型所揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (3)

1.一种新型多通道RS485传感网络采集支点控制电路，其包括MCU主控模块，所述MCU主控模块通过采集模块连接四路结构相同的485通信模块及温度采集模块，其还包括分别与MCU主控模块、采集模块、485通信模块及温度采集模块连接的电源模块，所述电源模块包括电源切换模块、降压模块、多路供电模块及两路12VDC供电模块，其中所述MCU主控模块和采集模块分别包括AT128单片机IC5、AT1284单片机IC3，其特征在于：所述两路12VDC供电模块包括两路结构相同的升压芯片IC23、IC27，两个升压芯片IC23、IC27分别与模拟多路复用器IC35连接并选择输出5V、9V或12V电压源，其还包括与所述AT1284单片机IC3连接的轮盘开关S2，所述轮盘开关S2的3、6管脚连接所述AT1284单片机IC3的43、44管脚，所述轮盘开关S2的2、5管脚相连后连接电阻R89一端，所述电阻R89另一端接地，所述升压芯片IC23的1、3管脚分别连接电感L6、L7的一端，所述电感L6的另一端与所述电感L7的另一端相连后连接所述升压芯片IC23的5管脚、电阻R43一端、MOS管Q7的5至8管脚，所述电阻R43的另一端连接所述升压芯片IC23的11管脚，所述MOS管Q7的1至3管脚相连后连接电阻R44的一端、电容C73一端、电容C72一端及VCC-MAIN电压源，所述MOS管Q7的4管脚连接所述电阻R44的另一端、三极管Q10的集电极，所述三极管Q10的基极连接电容C77一端、电阻R50一端，所述电阻R50另一端连接所述AT1284单片机IC3的15管脚，所述三极管Q10的发射极、所述电容C77的另一端、电容C73的另一端、电容C72的另一端相连后接地，所述升压芯片IC23的7、8管脚分别连接电容C76一端、电阻R52一端，所述电容C76的另一端连接所述电阻R52的另一端、所述升压芯片IC23的6、17管脚并接，所述升压芯片IC23的2、4、12管脚接地，所述升压芯片IC23的9管脚连接电容C75一端、 电容C74一端，所述电容C75的另一端连接电阻R54一端，所述电阻R54的另一端连接所述电容C74的另一端、电容C66至电容C68一端并接地，所述电容C66至电容C68的另一端连接电阻R42一端、MOS管Q6的漏极、电阻R31一端、MOS管QS的漏极、电阻R49一端、电阻R46一端、电容C64一端及升压芯片IC23的13管脚，所述电容C64的另一端连接所述升压芯片IC23的16管脚，所述电阻R46的另一端连接电容C71一端，所述电容C71的另一端连接所述电阻R49的另一端、升压芯IC23的10管脚、电阻R94一端及所述模拟多路复用器IC35的13管脚，所述电阻R42的另一端连接所述MOS管Q6的门极、三极管Q8的集电极，所述三极管Q8的基极连接电阻R45一端、电容C70一端，所述电阻R45的另一端连接所述AT1284单片机IC3的24管脚，所述电容C70的另一端连接所述三极管Q8的发射极并接地，所述MOS管Q6的源极连接保险丝F6的一端，所述保险丝F6的另一端连接电容C65一端、电容C69一端及接口J8的5管脚，所述电容C65的另一端与所述电容C69的另一端相连后连接所述接口J8的4管脚并接地，所述接口J8的1管脚接地，所述接口J8的2、3管脚连接其中一路所述485通信模块及485传感器供电；所述电阻R31的另一端连接所述MOS管Q3的门极、三极管Q4的集电极，所述三极管Q4的基极连接电阻R33一端、电容C61一端，所述电阻R33的另一端连接所述AT1284单片机IC3的23管脚，所述电容C61的另一端连接所述三极管Q4的发射极并接地，所述MOS管Q3的源极连接保险丝F2的一端，所述保险丝F2的另一端连接电容C54一端、电容C58一端及接口J7的5管脚，所述电容C54的另一端与所述电容C58的另一端相连后连接所述接口J7的4管脚并接地，所述接口J7的1管脚接地，所述接口J7的2、3管脚连接其中一路所述485通信模块及485传感器供电；所述模拟多路复用器IC35的2、5、14、15管脚分别连接电阻R93、电阻R92、电阻R95、电阻R96一端，所述电阻R94另一端、电阻R95另一端、电阻R96另一端相连后接地，所述电阻R93另一端、电阻R93另一端、电阻R91一端相连后接地，所述电阻R91的另一端连接所述模拟多路复用器IC35的3管脚及升压芯片IC27，所述模拟多路复用器IC35的6、7、8管脚接地，所述模拟多路复用器IC35的9、10管脚分别连接所述AT1284单片机IC3的30、31管脚，所述模拟多路复用器IC35的16管脚连接电容C126一端及3V2电压源，所述电容C126的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的一种新型多通道RS485传感网络采集支点控制电路，其特征在于：其还包括与所述AT128单片机IC5连接的无线模块，所述无线模块包括WL-30无线芯片IC7，所述无线芯片IC7的1、8管脚接地，所述无线芯片IC7的2至5管脚、11、12管脚、14至16管脚分别对应连接所述AT128单片机IC5的32、31、30、16、51、48、53、50、49管脚，所述无线芯片IC7的6管脚连接所述AT128单片机IC5的14管脚、电阻R87一端，所述电阻R87的另一端连接3.3V电压源，所述无线芯片IC7的9管脚连接电容C107一端、电阻R88一端，所述电阻R88的另一端连接电容C108一端、晶闸管D21的一端、接口X1的1管脚，所述电容C107的另一端连接所述电容C108的另一端、晶闸管D21的另一端、接口X1的2管脚、无线芯片IC7的10管脚相连后接地，所述无线芯片IC7的13管脚连接电容C106一端、电容C17一端及3.3V电压源，所述电容C106的另一端与电容C17另一端相连后接地。

3.根据权利要求2所述的一种新型多通道RS485传感网络采集支点控制电路，其特征在于：所述降压模块包括LMR14050降压芯片IC16，所述降压芯片IC16的2、3管脚相连后连接电容C29一端、电容C125一端、二极管D6的负极，所述二极管D6的正极连接电容C31一端、电容C30一端、保险丝F1的一端，所述保险丝F1的另一端连接SWITCH-DC-IN电源端，所述降压芯片IC16的4、6管脚分别连接电阻R19一端、电容C32一端，所述电容C30另一端、电容C31另一端、电容C125另一端、电容C29另一端、电阻R19另一端、电容C32另一端相连后接地，所述降压芯片IC16的1管脚连接电容C28一端，所述电容C28另一端连接电感L3一端、二极管D7的负极及所述降压芯片IC16的8管脚，所述电感L3的另一端连接电阻R18的一端、电容C33至C36一端、二极管D8的正极并输出VOUT1电压源，所述电阻R18另一端连接所述降压芯片IC16的5管脚、电阻R22一端，所述电阻R22的另一端、电容C33至C36另一端接地，所述二极管D8的负极连接电阻R28一端、MOS管Q2的1至3管脚、电容C42至C44一端、二极管D13的负极、MOS管Q22的1至3管脚、二极管D19的正极并输出VCC-MAIN电压源，所述电容C42至电容C44另一端相连后接地，所述电阻R28的另一端连接MOS管Q2的4管脚、MOS管Q1的4管脚、电阻R30一端、MOS管Q21的漏极，所述MOS管Q21的门极连接电阻R86一端、电阻R85一端，所述电阻R85的另一端连接升压芯片IC29，所述电阻R30的另一端连接MOS管Q21的源极、电阻R86另一端并接地，所述MOS管Q2的5至8管脚相连后与MOS管Q1的 5至8管脚相连后连接，所述二极管D13的正极连接电容C37一端、电容C45一端、升压芯片IC18的1管脚、所述升压芯片IC18的3管脚连接所述电容C37的另一端、电容C45的另一端、电阻R29一端并接地，所述电阻R29的另一端连接所述升压芯片IC18的4管脚，所述升压芯片IC18的2管脚连接电感L4一端、所述电感L4的另一端连接电阻R27一端、所述升压芯片IC18的5管脚及SWITCH-BATT电源，所述电阻R27另一端连接所述升压芯片IC18的6管脚，所述MOS管Q22的4管脚连接MOS管Q23的4管脚、电阻R32一端、MOS管Q24的漏极，所述MOS管Q22的5至8管脚相连后与MOS管Q23的 5至8管脚相连后连接，所述二极管D19的负极连接二极管D18的负极、所述电阻R32另一端，所述二极管D18的正极连接电容C109至电容C112一端，所述电容C109至电容C112的另一端相连后连接MOS管Q24的源极并接地，所述MOS管Q24的门极连接电阻R37一端、MOS管Q25的漏极、电阻R90一端、MOS管Q26的漏极，所述电阻R37的另一端连接所述AT1284单片机IC3的22管脚，所述MOS管Q25的门极连接电阻R35一端、二极管D20的负极，所述二极管D20的正极连接所述MOS管Q25的源极、MOS管Q26的源极并接地，所述电阻R35的另一端连接电源切换模块，所述电阻R90另一端与所述MOS管Q26的门极相连后连接电源切换模块；所述MOS管Q1的1至3管脚相连后连接电容C48至电容C50一端、电容C103一端、电阻R75一端、电阻R77一端、MOS管Q19的源极及升压芯片IC29的4、5、10、20、21管脚，所述电容C48至电容C50另一端相连后接地，所述电容C103另一端连接电阻R76一端，所述电阻R75的另一端连接电阻R76另一端、电阻R80一端及升压芯片IC29的12管脚，所述MOS管Q19的漏极连接电容C101一端、电容C102一端、二极管D14至D17的负极，所述MOS管Q19的门极连接所述二极管D14的正极，所述二极管D14至D17的正极分别对应连接电感L10至L13一端及升压芯片IC29的3、6、19、22管脚，所述电感L10至L13的另一端连接电容C100一端、所述升压芯片IC29的29管脚、电容C98一端、电容C99一端及SWITCH-BATT电源，所述电容C100的另一端连接所述升压芯片IC29的9、26管脚并接地吗，所述升压芯片IC29的31管脚连接电阻R73一端、MOS管Q20的漏极、电阻R83一端，所述电阻R73的另一端连接所述AT1284单片机IC3的32管脚，所述MOS管Q20的门极连接电阻R82一端、电阻R84一端，所述电阻R82的另一端连接VOUT1电压源，所述电阻R84另一端、MOS管Q20的源极、电阻R83另一端相连后接地，所述升压芯片IC29的14管脚通过电阻R74连接VOUT2电压源，所述升压芯片IC29的27、28、32管脚分别连接电阻R79一端、电阻R78一端、电容C105一端，所述电阻R78另一端、电阻R79另一端、电容C105另一端、电阻R81一端、电阻R80另一端及所述升压芯片IC29的11、1、2、7、8、17、18、23、24、33、30管脚相连后接地，所述电阻R81的另一端通过电容C104连接所述升压芯片IC29的32管脚。

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