CN216215960U - 一种充电前端过压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种充电前端过压保护电路，包括充电器和负载、以及由电阻(R1、R2、R3、R4、R5、R6)、P‑MOSFET管（Q1）、N‑MOSFET管（Q2）和NPN三极管（Q3）构成的充电前端过压保护电路。该电路在充电器和负载之间，本实用新型在出现充电器故障或者充电器用错的情况下，有效保护负载，避免引发安全事故。
Description
技术领域
本实用新型涉及充电保护技术领域，尤其设计一种充电前端过压保护电路。
背景技术
现实电器应用过程中，由于设备或电器无充电过压保护模块，经常发生充电器用错或充电器故障导致输入高压将设备或者电器烧坏。
发明内容
针对现存的问题，本实用新型的解决方案是在充电器和负载之间提供一种充电前端过压保护电路，包括充电器和负载、电阻(R1、R2、R3、R4、R5、 R6)、P-MOSFET管（Q1）、N-MOSFET管（Q2）和NPN三极管（Q3），其特征在于：
所述的电阻（R4）和电阻（R5）串联后一端接充电器的正端（CHG+）,另外一端接充电器的负端（CHG-）；
所述的NPN三极管（Q3）的基极连接到电阻（R4）和（R5）的连接点，NPN三极管（Q3）的集电极接电阻（R3）的一端，电阻（R3）的另外一端连接到充电器的正端（CHG+），NPN三极管（Q3）的发射极接充电器的负端（CHG-）；
所述的电阻（R6）的一端连接到NPN三极管（Q3）的集电极，电阻（R6）的另外一端连接到充电器的负端（CHG-）；
所述的N-MOSFET管（Q2）的栅极接NPN三极管（Q3）的集电极，N-MOSFET管（Q2）的漏极接到充电器的负端（CHG-）；N-MOSFET管（Q2）的源极分别接到电阻（R1）和电阻（R2）的一端；
所述的电阻（R2）的另外一端，连接到充电器的正端（CHG+）；
所述的P-MOSFET管（Q1）的栅极连接到电阻（R1）的另外一端，P-MOSFET管（Q1）的源极连接到充电器的正端（CHG+），P-MOSFET管（Q1）的漏极连接到负载的一端；
所述的负载的另外一端连接到充电器的负端（CHG-）。
本实用新型克服了现有充电技术的缺点，在出现充电器故障或者充电器用错的情况下，能有效保护负载，避免引发安全事故。
附图说明
图1为本实施例的电路示意图。
图中：1——充电器、2——负载、3——充电前端过压保护电路。
具体实施例
在充电器后和负载前端增加充电前端过压保护电路。包括充电器和负载、电阻(R1、R2、R3、R4、R5、 R6)、P-MOSFET管（Q1）、N-MOSFET管（Q2）和NPN三极管（Q3），其特征在于：
所述的电阻（R4）和电阻（R5）串联后一端接充电器的正端（CHG+）,另外一端接充电器的负端（CHG-）；
所述的NPN三极管（Q3）的基极连接到电阻（R4）和（R5）的连接点，NPN三极管（Q3）的集电极接电阻（R3）的一端，电阻（R3）的另外一端连接到充电器的正端（CHG+），NPN三极管（Q3）的发射极接充电器的负端（CHG-）；
所述的电阻（R6）的一端连接到NPN三极管（Q3）的集电极，电阻（R6）的另外一端连接到充电器的负端（CHG-）；
所述的N-MOSFET管（Q2）的栅极接NPN三极管（Q3）的集电极，N-MOSFET管（Q2）的漏极接到充电器的负端（CHG-）；N-MOSFET管（Q2）的源极分别接到电阻（R1）和电阻（R2）的一端；
所述的电阻（R2）的另外一端，连接到充电器的正端（CHG+）；
所述的P-MOSFET管（Q1）的栅极连接到电阻（R1）的另外一端，P-MOSFET管（Q1）的源极连接到充电器的正端（CHG+），P-MOSFET管（Q1）的漏极连接到负载的一端；
所述的负载的另外一端连接到充电器的负端（CHG-）。
下面结合本实施例的电路示意图，说明本实施例的工作原理：
1、充电器（CHG+）的电压V1正常情况下，经电阻（R4）和（R5）的分压V2的电压＜Q3的VBE（sat），Q3发射极和集电极不导通，V3电压为V1经电阻R3和R6的分压＞Q2的开启电压，Q2的源极和漏极导通，V4电压为CHG-，则Q1的源极和漏极导通，实现了充电器对负载的充电。
2、充电器CHG+的电压V1＞模块2负载所能承受的电压时，经电阻R4和R5的分压V2的电压＞Q3的VBE（sat），Q3发射极和集电极导通，V3电压为CHG-，＜Q2的开启电压，Q2的源极和漏极不导通，V4的电压为CHG+，则Q1源极和漏极不导通，实现了充电器输入过压时切断对模块2负载的充电回路，起到保护作用。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (1)
1.一种充电前端过压保护电路，包括充电器和负载、电阻(R1、R2、R3、R4、R5、 R6)、P-MOSFET管（Q1）、N-MOSFET管（Q2）和NPN三极管（Q3），其特征在于：
所述的电阻（R4）和电阻（R5）串联后一端接充电器的正端（CHG+）,另外一端接充电器的负端（CHG-）；
所述的NPN三极管（Q3）的基极连接到电阻（R4）和（R5）的连接点，NPN三极管（Q3）的集电极接电阻（R3）的一端，电阻（R3）的另外一端连接到充电器的正端（CHG+），NPN三极管（Q3）的发射极接充电器的负端（CHG-）；
所述的电阻（R6）的一端连接到NPN三极管（Q3）的集电极，电阻（R6）的另外一端连接到充电器的负端（CHG-）；
所述的N-MOSFET管（Q2）的栅极接NPN三极管（Q3）的集电极，N-MOSFET管（Q2）的漏极接到充电器的负端（CHG-）；N-MOSFET管（Q2）的源极分别接到电阻（R1）和电阻（R2）的一端；
所述的电阻（R2）的另外一端，连接到充电器的正端（CHG+）；
所述的P-MOSFET管（Q1）的栅极连接到电阻（R1）的另外一端，P-MOSFET管（Q1）的源极连接到充电器的正端（CHG+），P-MOSFET管（Q1）的漏极连接到负载的一端；
所述的负载的另外一端连接到充电器的负端（CHG-）。
Priority Applications (1)
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| CN202122362141.6U CN216215960U (zh) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | 一种充电前端过压保护电路 |
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| CN202122362141.6U Active CN216215960U (zh) | 2021-09-28 | 2021-09-28 | 一种充电前端过压保护电路 |
Country Status (1)
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2021
- 2021-09-28 CN CN202122362141.6U patent/CN216215960U/zh active Active
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