CN216208610U - 一种用于高通量检测的光电探测阵列装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，包括从上而下依次设置的激发机构、样品装载机构以及探测机构，所述激发机构包括激发光源阵列和导光阵列，所述探测机构包括探测器阵列和滤光阵列；所述导光阵列包括透镜阵列，所述探测器阵列包括光电传感器阵列；所述样品装载机构为多孔阵列结构，且与所述导光阵列和所述滤光阵列上下相对应；采用本实用新型所提供的用于高通量检测的光电探测阵列装置，可以实现多孔道并行检测，大大节省了检测时间。

Description

一种用于高通量检测的光电探测阵列装置

技术领域

本实用新型涉及一种光电探测阵列装置，具体而言，涉及一种用于高通量检测的光电探测阵列装置。

背景技术

光电探测阵列，又称为光电探测转换组件，是实现光衍射、散射信号向电信号转换的器件，它由若干光敏探测部件按一定的阵列排列方式构成光敏探测组，输出电转换信号。它接收的是标准光束照射在悬浮颗粒所产生的沿径向变化的、呈现圆图象的衍射及散射光线，将其转换成相应的电信号。

传统的光电探测阵列，由于其结构的缺陷，一次完成的检测量较低，因此检测效率低，无法满足高效率和高通量的检测要求。

实用新型内容

鉴于此，本实用新型提供了一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，可以实现多孔道并行检测，大大节省了检测时间。

本实用新型提供了一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，包括从上而下依次设置的激发机构、样品装载机构以及探测机构，所述激发机构包括激发光源阵列和导光阵列，所述探测机构包括探测器阵列和滤光阵列；所述导光阵列包括透镜阵列，所述探测器阵列包括光电传感器阵列；所述样品装载机构为多孔阵列结构，且与所述导光阵列和所述滤光阵列上下相对应。

进一步地，所述激发光源阵列中的光源为LED光或LASER光。

进一步地，所述光电传感器阵列中设置有半导体光电二极管。

进一步地，所述半导体光电二极管为PD、APD或SiPM。

进一步地，所述激发光源阵列和探测器阵列均为二维阵列，所述二维阵列的规格为12*8。

进一步地，所述样品装载机构为上样孔板，所述上样孔板的样品孔个数为九十六。

进一步地，所述导光阵列为导光板，所述滤光阵列为滤光片。

本实用新型所提供的一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，主要包括从上而下依次设置的激发机构、样品装载机构以及探测机构，其中，激发机构包括激发光源阵列和导光阵列，激发光源阵列可以提供探测光源，用于分析样本，导光阵列用于将光源有效的送至样品上；探测机构包括探测器阵列和滤光阵列；用来收集样品经激发光照射后发出的光信号，可以是荧光、透射光、散射光等；导光阵列包括透镜阵列，探测器阵列包括光电传感器阵列，能够提高收集效率；样品装载机构为多孔阵列结构，且与导光阵列和滤光阵列上下相对应，能够对样品板进行空位精确定位，以达到最佳的激发或收集效率；总的来说，可以实现多孔道并行检测，大大节省了检测时间。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本实用新型的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为本实用新型实施例提供的一种用于高通量检测的光电探测阵列装置的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种用于高通量检测的光电探测阵列装置的内部解剖示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

实施例一：

参见图1-2，图中示出了本实用新型实施例一提供的一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，其包括从上而下依次设置的激发机构1、样品装载机构2以及探测机构3，激发机构1包括激发光源阵列11和导光阵列12，探测机构3包括探测器阵列31和滤光阵列32；导光阵列12包括透镜阵列，探测器阵列31包括光电传感器阵列；样品装载机构2为多孔阵列结构，且与导光阵列12和滤光阵列32上下相对应。其中，激发光源阵列11中的光源为LED光或LASER光，也可采用其他光源。

本实施例所提供的一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，主要包括从上而下依次设置的激发机构1、样品装载机构2以及探测机构3，其中，激发机构1包括激发光源阵列11和导光阵列12，激发光源阵列11可以提供探测光源，用于分析样本，导光阵列12用于将光源有效的送至样品上；探测机构3包括探测器阵列31和滤光阵列32；用来收集样品经激发光照射后发出的光信号，可以是荧光、透射光、散射光等；导光阵列12包括透镜阵列，探测器阵列31包括光电传感器阵列，能够提高收集效率；样品装载机构42为多孔阵列结构，且与导光阵列12和滤光阵列32上下相对应，能够对样品板进行空位精确定位，以达到最佳的激发或收集效率；总的来说，可以实现多孔道并行检测，大大节省了检测时间。

实施例二：

参见图1，图中示出了本实用新型实施例二提供的一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，本实施例在上述实施例的基础上还进一步地做出了以下作为改进的技术方案：光电传感器阵列中设置有半导体光电二极管；半导体光电二极管为PD、APD或SiPM。

通过上述进一步的改进，使得本实施例相较于现有技术还具有以下优点：结构紧凑，且增加光电传感器表面光信号的收集效率。

实施例三：

参见图1，图中示出了本实用新型实施例三提供的一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，本实施例在上述实施例的基础上还进一步地做出了以下作为改进的技术方案：激发光源阵列11和探测器阵列31均为二维阵列，二维阵列的规格为12*8；样品装载机构2为上样孔板，上样孔板2的样品孔21个数为九十六。

通过上述进一步的改进，使得本实施例相较于现有技术还具有以下优点：能够同时进行多孔道检测工作，大大提高检测效率。

实施例四：

参见图2，图中示出了本实用新型实施例四提供的一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，本实施例在上述实施例的基础上还进一步地做出了以下作为改进的技术方案：导光阵列12为导光板，滤光阵列32为滤光片。

通过上述进一步的改进，使得本实施例相较于现有技术还具有以下优点：进一步提高导光效果和滤光效果。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (7)

1.一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，其特征在于，包括从上而下依次设置的激发机构(1)、样品装载机构(2)以及探测机构(3)，所述激发机构(1)包括激发光源阵列(11)和导光阵列(12)，所述探测机构(3)包括探测器阵列(31)和滤光阵列(32)；所述导光阵列(12)包括透镜阵列，所述探测器阵列(31)包括光电传感器阵列；所述样品装载机构(2)为多孔阵列结构，且与所述导光阵列(12)和所述滤光阵列(32)上下相对应。

2.根据权利要求1所述的一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，其特征在于，所述激发光源阵列(11)中的光源为LED光或LASER光。

3.根据权利要求2所述的一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，其特征在于，所述光电传感器阵列中设置有半导体光电二极管。

4.根据权利要求3所述的一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，其特征在于，所述半导体光电二极管为PD、APD或SiPM。

5.根据权利要求4所述的一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，其特征在于，所述激发光源阵列(11)和探测器阵列(31)均为二维阵列，所述二维阵列的规格为12*8。

6.根据权利要求5所述的一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，其特征在于，所述样品装载机构(2)为上样孔板，所述上样孔板(2)的样品孔(21)个数为九十六。

7.根据权利要求1或6所述的一种用于高通量检测的光电探测阵列装置，其特征在于，所述导光阵列(12)为导光板，所述滤光阵列(32)为滤光片。

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