CN216086608U - 一种非接触式开关机电路及低功耗设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种非接触式开关机电路，其包括电源、自锁电路、第一感应件以及第二感应件，自锁电路包括P型MOS管；第一感应件的两端分别与电源供电端和P型MOS管的漏极电连接；第二感应件的第一引脚与P型MOS管的漏极电连接，第二感应件的第二引脚与P型MOS管的栅极电连接；P型MOS管的源极与电源供电端电连接；其中，当第一感应件受强磁感应后导通，以实现自锁电路导通，当第二感应件受强磁感应后，第二感应件的第二引脚产生一高电平，以实现自锁电路断开。本实用新型通过磁感应件，非接触实现控制硬件设备的开关，减少了设备在外围按键方面的工艺处理流程和处理成本，为设备的外形完整和美观提供有产支撑。

Description

一种非接触式开关机电路及低功耗设备

技术领域

本实用新型涉及非接触开关机技术领域，尤其涉及一种非接触式开关机电路及低功耗设备。

背景技术

随着互联网在传统行业的应用越来越多，低功耗类的产品也越来越多，应用在户外、要求低功耗、太阳能供电成为很多设备的刚需，接触式开关增加了设备在外围按键方面的工艺处理流程和处理成本，并且降低了设备的外形完整和美观，因此一种非接触式实现硬件开关机的电路就会很有必要。

实用新型内容

有鉴于此，有必要提供一种非接触式开关机电路，用以解决现有技术中接触式开关增加了工艺处理流程和处理成本，并且破坏外形完整和美观的问题。

为达到上述技术目的，本实用新型采取了以下技术方案：

第一方面，本实用新型提供了一种非接触式开关机电路，包括电源、自锁电路、第一感应件以及第二感应件，自锁电路包括P型MOS管；

第一感应件的两端分别与电源供电端和P型MOS管的漏极电连接；

第二感应件的第一引脚与P型MOS管的漏极电连接，第二感应件的第二引脚与P型MOS管的栅极电连接；

所述P型MOS管的源极与所述电源供电端电连接；

其中，当第一感应件受强磁感应后导通，以实现自锁电路导通，当第二感应件受强磁感应后，第二感应件的第二引脚产生一高电平，以实现自锁电路断开。

优选的，自锁电路还包括NPN型三极管，其中：

NPN型三极管的集电极与P型MOS管的源极连接；

NPN型三极管的基极与第二感应件的第一引脚连接，NPN型三极管的发射极接地；

NPN型三极管的基极与NPN型三极管的发射极连接。

优选的，P型MOS管的源极与NPN型三极管的集电极之间接入电阻R123，NPN型三极管的基极与第二感应件的第一引脚之间接入电阻R124，NPN型三极管的基极与NPN型三极管的发射极之间接入电阻R125。

优选的，第一感应件为常开型干簧管。

优选的，第二感应件为霍尔器件。

优选的，常开型干簧管，包括两个软磁性材料做成的金属簧片触点，在无磁感应时断开。

优选的，霍尔器件为利用霍尔效应制成的固态电子器件，在受强磁感应时产生霍尔电动势。

优选的，还包括负载设备，负载设备接入第一感应件和第二感应件的第一引脚之间。

优选的，电源输出电压为5-12V。

第二方面，本实用新型还提供了一种低功耗设备，能够实现上述任一种实现方式中的非接触式开关机电路。

采用上述实施例的有益效果是通过第一感应件和第二感应件受到强磁感应后实现导通或者截止，从而控制电路的通断，也就实现了非接触控制硬件设备的开关机，减少了设备在外围按键方面的工艺处理流程和处理成本，保障了设备的外形完整和美观。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种非接触式开关机电路的一实施例的结构框图；

图2为本实用新型提供的一种非接触式开关机电路的一实施例的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图来具体描述本实用新型的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本实用新型的实施例一起用于阐释本实用新型的原理，并非用于限定本实用新型的范围。

在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本实用新型的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

本实用新型提供了一种非接触式开关机电路，以下分别进行说明。

请参照图1，图1为本实用新型提供的一种非接触式开关机电路的一实施例的结构框图，本实用新型的一个具体实施例，公开了一种非接触式开关机电路，包括电源10、自锁电路20、第一感应件30以及第二感应件40，自锁电路包括P型MOS管201；

第一感应件的两端分别与电源供电端和P型MOS管的漏极电连接；

第二感应件的第一引脚与P型MOS管的漏极电连接，第二感应件的第二引脚与P型MOS管的栅极电连接；

所述P型MOS管的源极与所述电源供电端电连接；

其中，当第一感应件受强磁感应后导通，以实现自锁电路导通，当第二感应件受强磁感应后，第二感应件的第二引脚产生一高电平，以实现自锁电路断开。

在上述实施例中，当第一感应件受强磁感应导通后，通过分立元件搭建的自锁电路实现通电自锁，以此来实现负载设备的非接触式上电开机，当负载设备上电后，第二感应件受强磁感应后，第二感应件的第二引脚产生一高电平，使得电信号的输出发生变化，从而实现解锁上述的自锁电路以实现负载设备的非接触式断电关机。

可以理解的是，当第一感应件未感受到强磁感应时，电路处于断开状态，设备无法开机；当第一感应件感受到强磁感应，第二感应件未感受到强磁感应时，设备开机；当第一感应件感受到强磁感应，第二感应件也感受到强磁感应时，设备关机。

另外，第一、第二感应件，也可以是红外感应件，温度感应件等其他形式的感应件，本实用新型在此不做进一步限制。

与现有技术相比，本实施例提供的非接触式开关机电路，通过第一感应件和第二感应件受到强磁感应后实现导通或者截止，从而控制电路的通断，也就实现了非接触控制硬件设备的开关机，减少了设备在外围按键方面的工艺处理流程和处理成本，保障了设备的外形完整和美观。

请参照图2，图2为本实用新型提供的一种非接触式开关机电路的一实施例的电路原理图，在本实用新型的一些实施例中，自锁电路还包括NPN型三极管，其中：

NPN型三极管的集电极与P型MOS管的源极连接；

NPN型三极管的基极与第二感应件的第一引脚连接，NPN型三极管的发射极接地；

NPN型三极管的基极与NPN型三极管的发射极连接。

在上述实施例中，自锁电路通过P型MOS管的源极和NPN型三极管实现电路的自锁与解锁，P型MOS管的源极和NPN型三极管起到了开关的作用，当第一感应件受强磁感应导通后，电源B1的2脚正极VCC电源即通过闭合的第一感应件，将VCC的高电平会用到三极管Q20的基极上，当三极管的基极为高电平时，三极管Q20的集电极3脚与发射极2脚将会导通，P型MOS管的栅极1脚将会被拉为低电平，此时P型MOS管的源极2脚和漏极3极将会导通，导通后电源B1的2脚的电压将通过P型MOS管的2脚、3脚作用在三极管Q20的1脚上以形成电源的自锁输出。

在本实用新型的一些实施例中，P型MOS管的源极与NPN型三极管的集电极之间接入电阻R123，NPN型三极管的基极与第二感应件的第一引脚之间接入电阻R124，NPN型三极管的基极与NPN型三极管的发射极之间接入电阻R125。

在上述实施例中，元件之间直接相连，从而产生大电流，会对电路产生损坏，通过电阻的分流作用，在电子元件之间接入电阻，起到了保护电路的作用。

在本实用新型的一些实施例中，第一感应件为常开型干簧管。

在上述实施例中，干簧管是一种磁敏的特殊开关，常开型干簧管在无磁时断开，受强磁感应后将导通，通过常开型干簧管的这一特性就可以实现了对负载设备的非接触式开机。

在本实用新型的一些实施例中，第二感应件为霍尔器件。

在上述实施例中，当霍尔器件受强磁感应后，霍尔器件的2脚产生高电平从而使P型MOS管的栅极为高电平，以此使P型MOS管的源极2脚与漏极3脚断开，使VDD处无电压从而实现断电关机的效果。

在本实用新型的一些实施例中，常开型干簧管，包括两个软磁性材料做成的金属簧片触点，在无磁感应时断开。

在上述实施例中，当常开型干簧管受强磁感应后，两个软磁性材料做成的金属簧片触点接通，将电源的高电压传输到自锁电路，通过分立元件搭建的自锁电路实现通电自锁。

在本实用新型的一些实施例中，霍尔器件为利用霍尔效应制成的固态电子器件，在受强磁感应时产生霍尔电动势。

在上述实施例中，霍尔器件受强磁感应后，引起输出电压变化，霍尔器件的第二引脚产生一高电平，使得P型MOS管的源极2脚与漏极3脚断开，从而自锁电路实现自动解锁，就实现了负载设备的断电关机。

在本实用新型的一些实施例中，还包括负载设备，负载设备接入所述第一感应件和所述第二感应件的第一引脚之间。

在上述实施例中，负载设备接入第一感应件和第二感应件的第一引脚之间，在第一感应件和第二感应件受强磁感应实现导通或者断开时，实现了负载设备的非接触开关机。

在本实用新型的一些实施例中，电源输出电压为5-12V。

在上述实施例中，电源输出电压可以根据实际需要调整，在一些优选的实施例中，电源的输出电压可以达到220V。

本实用新型还提供了一个实施例，提供了一种低功耗设备，能够实现上述任一种实现方式中的非接触式开关机电路。

在上述实施例中，该低功耗设备可以是一种蓝牙音箱，可以实现上述实现方式中的非接触式开关机电路。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种非接触式开关机电路，其特征在于，包括电源、自锁电路、第一感应件以及第二感应件，所述自锁电路包括P型MOS管；

所述第一感应件的两端分别与所述电源供电端和所述P型MOS管的漏极电连接；

所述第二感应件的第一引脚与所述P型MOS管的漏极电连接，所述第二感应件的第二引脚与所述P型MOS管的栅极电连接；

所述P型MOS管的源极与所述电源供电端电连接；

其中，当所述第一感应件受强磁感应后导通，以实现所述自锁电路导通，当所述第二感应件受强磁感应后，所述第二感应件的第二引脚产生一高电平，以实现所述自锁电路断开。

2.根据权利要求1所述的非接触式开关机电路，其特征在于，所述自锁电路还包括NPN型三极管，其中：

所述NPN型三极管的集电极与所述P型MOS管的源极连接；

所述NPN型三极管的基极与所述第二感应件的第一引脚连接，所述NPN型三极管的发射极接地；

所述NPN型三极管的基极与所述NPN型三极管的发射极连接。

3.根据权利要求2所述的非接触式开关机电路，其特征在于，所述P型MOS管的源极与所述NPN型三极管的集电极之间接入电阻R123，所述NPN型三极管的基极与所述第二感应件的第一引脚之间接入电阻R124，所述NPN型三极管的基极与所述NPN型三极管的发射极之间接入电阻R125。

4.根据权利要求1所述的非接触式开关机电路，其特征在于，所述第一感应件为常开型干簧管。

5.根据权利要求1所述的非接触式开关机电路，其特征在于，所述第二感应件为霍尔器件。

6.根据权利要求4所述的非接触式开关机电路，其特征在于，所述常开型干簧管，包括两个软磁性材料做成的金属簧片触点，在无磁感应时断开。

7.根据权利要求5所述的非接触式开关机电路，其特征在于，所述霍尔器件为利用霍尔效应制成的固态电子器件，在受强磁感应时产生霍尔电动势。

8.根据权利要求1所述的非接触式开关机电路，其特征在于，还包括负载设备，负载设备接入所述第一感应件和所述第二感应件的第一引脚之间。

9.根据权利要求1所述的非接触式开关机电路，其特征在于，所述电源输出电压为5-12V。

10.一种低功耗设备，其特征在于，包括上述1-9任一项权利要求所述的非接触式开关机电路。

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