CN216055111U - 一种新型低频滤波器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种新型低频滤波器，包括设于腔体中的多个谐振器，谐振器包括盘状部；相邻两个谐振器，其中一个谐振器的盘状部向外延伸至另一谐振器盘状部的正下方或正上方，使该相邻两个谐振器形成容性耦合，替代常规滤波器中相邻两个谐振器之间的感性耦合。本实用新型除了谐振器与盖板之间的容性耦合，还增加了相邻谐振器之间的容性耦合，在同样的单腔尺寸条件下，本实用新型结构可以大幅度的降低单腔频率，提高单腔Q值，相邻谐振器与谐振器之间的耦合也以容性耦合为主，谐振器上开有耦合调谐避让孔，方便调试。本实用新型结构设计简单、加工方便、调试简单、重量轻，适用于5G小型化产品，完全满足5G通信基站建设对于功能模块小型化的要求。

Description

一种新型低频滤波器

技术领域

本实用新型涉及射频通信技术领域，具体涉及一种新型低频滤波器。

背景技术

作为移动基站射频前端关键器件的收发滤波器，其性能的好坏直接影响通讯的质量， 随着移动通讯网络的发展，大规模MIMO天线在5G通信系统中的应用，前端滤波器的数量将大幅增加，这对滤波器的小型化和轻型化和可集成化都提出了更高的要求。

现有技术中同轴腔体滤波器，是靠谐振器盘和盖板之间的容性耦合来降低频率，一般频率要求低时，主要靠加大谐振器盘的直径，减少谐振器盘和盖板间的距离，下翻谐振器盘，介质加载等方式来实现，在结构尺寸要求小，空间受限的情况下，很难实现低频率，高Q值的要求。并且相邻腔之间是开窗口来实现感性耦合，当受限于空间和尺寸时，感性耦合不够强时时，两谐振器之间的加筋或者加金属片来增强耦合，这样就更难实现低频率的要求，单腔Q值也会减小。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新型低频滤波器，包括腔体，腔体中设有多个谐振器；所述谐振器包括：柱状部，以及位于柱状部顶端的盘状部；其特征在于：相邻两个谐振器，其中一个谐振器的盘状部向外延伸至另一谐振器盘状部的正下方或正上方，使该相邻两个谐振器形成容性耦合，替代常规滤波器中相邻两个谐振器之间的感性耦合。

优选的，所述盘状部向外延伸形成折边，盘状部设有一个、两个或多个折边，且至少有一个折边伸至相邻盘状部的正下方或正上方。

优选的，所述折边向上翻折或向下翻折；折边经过两次或多次翻折。

优选的，所述相邻两个谐振器之间设有第一调谐杆。

优选的，与第一调谐杆正对的折边，其设有可供第一调谐杆贯穿的避让孔。

优选的，所述盘状部为圆形或多边形。

优选的，所述多边形为方形。

优选的，所述腔体顶部由盖板封闭，且谐振器与盖板容性耦合；第一调谐杆设置在盖板上。

优选的，所述盖板上还设有与谐振器正对的第二调谐杆。

优选的，所述盖板上设有用于安装第一调谐杆和第二调谐杆的螺孔，第一调谐杆、第二调谐杆分别与对应的螺孔螺纹连接。

优选的，所述盖板通过紧固螺钉与腔体固接；腔体两端还分别设有射频连接器。

本实用新型的新型低频滤波器，其优点和有益效果在于：

本实用新型的结构除了谐振器与盖板之间的容性耦合，还增加了相邻谐振器之间的容性耦合，在同样的单腔尺寸条件下，本实用新型结构可以大幅度的降低单腔频率，提高单腔Q值，相邻谐振器与谐振器之间的耦合也以容性耦合为主，谐振器上开有耦合调谐避让孔，方便调试。

本实用新型的结构方式更容易实现结构尺寸小、高Q值的低频滤波器产品，且本实用新型的结构设计简单、加工方便、调试简单、重量轻，适用于5G小型化产品，完全满足5G通信基站建设对于功能模块小型化的要求。

本实用新型滤波器加工和安装方式简单，这给滤波器的装配、调试和维修带来了便利，从而提高效率，降低成本。

相邻两个谐振器之间通过耦合窗口进行容性耦合，为了保证耦合窗口是容性的，本实用新型将一个谐振器的盘状部向外延伸至另一谐振器盘状部的正下方或正上方，进而实现容性耦合的耦合窗口，且耦合窗口的距离越小，容性耦合强度越强。

此外，相邻两个谐振器之间的耦合强度还可通过调节位于该相邻两个谐振器中间的第一调谐杆来调谐耦合强弱，第一调谐杆设于该相邻两个谐振器的耦合窗口的正上方，第一调谐杆伸入腔体深度越深，该相邻两个谐振器之间的容性耦合强度越弱，可提高空间利用率，使装备更简单，增加结构和性能稳定性，对互调也有很好的提升。

附图说明

图1是本实用新型滤波器的外观图；

图2是本实用新型滤波器的爆炸图；

图3至图9是谐振器的盘状部和折边的示意图；

图10是相邻两个谐振器之间的耦合窗口的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。

本实用新型具体实施的技术方案如下：

如图1至图10所示，一种新型低频滤波器，包括腔体1，腔体1中设有多个谐振器2；所述谐振器2包括：柱状部21，以及位于柱状部21顶端的盘状部22；所述腔体1顶部由盖板3封闭，且谐振器2与盖板3容性耦合；

相邻两个谐振器2，其中一个谐振器2的盘状部22向外延伸至另一谐振器2盘状部22的正下方或正上方，使该相邻两个谐振器2形成容性耦合，替代常规滤波器中相邻两个谐振器之间的感性耦合；

更具体的：

所述盘状部22如图3所示的方形，需要声明的是，盘状部22也可以是图4所示的圆形；

所述盘状部22向外延伸形成折边23；

所述折边23向下翻折（如图3所示），需要声明的是，折边23也可以是图5所示的向上翻折；

所述折边23经过两次翻折（如图3所示），需要声明的是，折边23也可以是图6所示的经过多次翻折；

所述盘状部22设有一个折边23（如图3所示），需要声明的是，盘状部22也可以设有两个折边23（如图7所示）或多个折边23（如图8所示的三个折边23，如图9所示的四个折边23），且至少有一个折边23伸至相邻盘状部22的正下方或正上方；

所述相邻两个谐振器2之间设有第一调谐杆41，第一调谐杆41设置在盖板3上；与第一调谐杆41正对的折边23，其设有可供第一调谐杆41贯穿的避让孔24；

所述盖板3上还设有与谐振器2正对的第二调谐杆42；

所述盖板3上设有用于安装第一调谐杆41和第二调谐杆42的螺孔31，第一调谐杆41、第二调谐杆42分别与对应的螺孔31螺纹连接；

所述盖板3通过紧固螺钉5与腔体1固接；腔体1两端还分别设有射频连接器6。

相邻两个谐振器2之间通过耦合窗口7进行容性耦合，为了保证耦合窗口7是容性的，本实用新型将一个谐振器2的盘状部22向外延伸至另一谐振器2盘状部22的正下方或正上方，进而实现容性耦合的耦合窗口7，且耦合窗口7的距离越小，容性耦合强度越强。

此外，相邻两个谐振器2之间的耦合强度还可通过调节位于该相邻两个谐振器2中间的第一调谐杆41来调谐耦合强弱，第一调谐杆41设于该相邻两个谐振器2的耦合窗口7的正上方，第一调谐杆41伸入腔体1深度越深，该相邻两个谐振器2之间的容性耦合强度越弱，可提高空间利用率，使装备更简单，增加结构和性能稳定性，对互调也有很好的提升。

本实用新型的结构除了谐振器2与盖板3之间的容性耦合，还增加了相邻谐振器2之间的容性耦合，在同样的单腔尺寸条件下，本实用新型结构可以大幅度的降低单腔频率，提高单腔Q值，相邻谐振器2与谐振器2之间的耦合也以容性耦合为主，谐振器2上开有耦合调谐避让孔24，方便调试。

本实用新型的结构方式更容易实现结构尺寸小、高Q值的低频滤波器产品，且本实用新型的结构设计简单、加工方便、调试简单、重量轻，适用于5G小型化产品，完全满足5G通信基站建设对于功能模块小型化的要求。

本实用新型滤波器加工和安装方式简单，这给滤波器的装配、调试和维修带来了便利，从而提高效率，降低成本。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种新型低频滤波器，包括腔体，腔体中设有多个谐振器；所述谐振器包括盘状部；其特征在于：相邻两个谐振器，其中一个谐振器的盘状部向外延伸至另一谐振器盘状部的正下方或正上方，使该相邻两个谐振器形成容性耦合。

2.根据权利要求1所述的新型低频滤波器，其特征在于，所述盘状部向外延伸形成折边，盘状部设有一个、两个或多个折边。

3.根据权利要求2所述的新型低频滤波器，其特征在于，所述折边向上翻折或向下翻折；且折边经过两次或多次翻折。

4.根据权利要求2所述的新型低频滤波器，其特征在于，所述相邻两个谐振器之间设有第一调谐杆。

5.根据权利要求4所述的新型低频滤波器，其特征在于，与第一调谐杆正对的折边，其设有可供第一调谐杆贯穿的避让孔。

6.根据权利要求1所述的新型低频滤波器，其特征在于，所述盘状部为圆形或多边形。

7.根据权利要求6所述的新型低频滤波器，其特征在于，所述多边形为方形。

8.根据权利要求4所述的新型低频滤波器，其特征在于，所述腔体顶部由盖板封闭，且谐振器与盖板容性耦合；第一调谐杆设置在盖板上。

9.根据权利要求8所述的新型低频滤波器，其特征在于，所述盖板上还设有与谐振器正对的第二调谐杆。

10.根据权利要求1所述的新型低频滤波器，其特征在于，所述盖板上设有用于安装第一调谐杆和第二调谐杆的螺孔，第一调谐杆、第二调谐杆分别与对应的螺孔螺纹连接。

Images