CN216015643U - 一种大功率高隔离微波开关 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及微波开关技术领域,公开了一种大功率高隔离微波开关，包括底座和盖板，底座的顶部开设有沟槽，沟槽底部的左部、中部和右部分别开设有左容腔、中容腔和右容腔，盖板安装在底座的顶部，盖板盖住沟槽，在实际使用时，由于左容腔、中容腔和右容腔中的导体的连接通断由射频簧片的上升和下降控制，本实用新型通过在盖板底部开设第一凹槽和第二凹槽，当第一射频簧片和第二射频簧片中的一个射频簧片不用于控制两个导体连通时，该射频簧片便位于相应的凹槽中，进而能够增加第一射频簧片和第二射频簧片之间的距离，避免本实用新型应用在大功率场合时第一射频簧片和第二射频簧片之间出现击穿现象，提高了本实用新型的功率耐受能力和隔离度。

Description

一种大功率高隔离微波开关

技术领域

本实用新型涉及微波开关技术领域，具体涉及一种大功率高隔离微波开关。

背景技术

在移动通信领域，常使用微波开关来切换通信通道，以此实现不同频率的信号接收和发射。微波开关按照工作原理可以分为机电开关和固态开关，机电开关是依靠机械部件的运动实现信号通道的导通和关断，固态开关按照采用开关元器件的不同又可以分为FET和PIN二极管两大类。

机电开关中的通道切换大多通过线圈和电磁铁的吸合来实现，即通过向线圈通电产生磁场，磁场会吸合电磁铁上下移动，当在电磁铁上安装能进行信号传输的传输件时，电磁铁上下移动会带动传输件上下移动，而传输件上下移动便能实现通信通道的导通或者关断。目前机电开关中的用于控制每个通道的导通或者关断的传输件距离较近，当该微波开关应用在大功率场合时容易出现击穿现象，且隔离度较差、信号泄漏严重。

实用新型内容

鉴于背景技术的不足，本实用新型提供了一种大功率高隔离微波开关，所要解决的技术问题是现有微波开关中的控制每个通道的导通或者关断的传输件距离较近，当应用在大功率场合时容易出现击穿现象，且隔离度较差、信号泄漏严重。

为解决以上技术问题，本实用新型提供了如下技术方案：一种大功率高隔离微波开关，包括底座和盖板，所述底座的顶部开设有沟槽，所述沟槽底部的左部、中部和右部分别开设有左容腔、中容腔和右容腔，所述左容腔、中容腔和右容腔分别贯穿所述底座，所述盖板安装在所述底座的顶部，所述盖板盖住所述沟槽，所述盖板的底部在所述左容腔和中容腔之间区域的对应处开设有第一凹槽，所述盖板的底部在所述中容腔和右容腔之间区域的对应处开设有第二凹槽。

在某种实施方式中，所述左容腔、中容腔和右容腔中分别安装有左连接器组件、中连接器组件和右连接器组件，所述盖板在所述第一凹槽和第二凹槽上分别安装有可上下移动的第一推杆和第二推杆，所述第一推杆的底部连接有第一射频簧片，所述第二推杆的底部安装有第二射频簧片，所述第一射频簧片的两端分别在所述左连接器组件和中连接器组件上方，所述第二射频簧片的两端分别在所述中连接器组件和右连接器组件上方。

在某种实施方式中，所述左容腔、右容腔和中容腔分别包括从上往下设置的第一容腔和第二容腔，所述第一容腔和第二容腔均为圆柱形状，所述第一容腔的直径小于第二容腔的直径。

在某种实施方式中，所述左连接器组件、中连接器组件和右连接器组件分别包括外导体、内导体和介质撑，所述介质撑嵌于所述外导体的顶部，所述内导体从下往上分别穿过所述外导体和介质撑，所述内导体的顶部位于所述沟槽内，所述第一射频簧片的两端分别在所述左连接器组件的内导体和中连接器组件的内导体上方，所述第二射频簧片的两端分别在所述中连接器组件的内导体和右连接器组件的内导体上方。

本实用新型与现有技术相比所具有的有益效果是：由于左容腔、中容腔和右容腔中的导体的连接通断由射频簧片的上升和下降控制，本实用新型通过在盖板底部开设第一凹槽和第二凹槽，当第一射频簧片和第二射频簧片中的一个射频簧片不用于控制两个导体连通时，该射频簧片变位于相应的凹槽中，进而能够增加第一射频簧片和第二射频簧片之间的距离，避免本实用新型应用在大功率场合时第一射频簧片和第二射频簧片之间出现击穿现象，提高了本实用新型功率耐受能力；同时，由于凹槽的存在，断开后的射频通道为矩形波导，而非传统的脊波导，矩形波导具有更高的下截至频率，有利于提高本实用新型的隔离度。

附图说明

图1为实施例中的本实用新型的结构示意图；

图2为底座上开设有两条沟槽的示意图。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图1所示，一种大功率高隔离微波开关，包括底座1和盖板2，底座1的顶部开设有沟槽3，沟槽3底部的左部、中部和右部分别开设有左容腔、中容腔和右容腔，由于左容腔、中容腔和右容腔中分别安装有左连接器组件10、中连接器组件11和右连接器组件12，左容腔、中容腔和右容腔在图1中未标出，左容腔、中容腔和右容腔分别贯穿底座1，盖板2安装在底座1的顶部，盖板2盖住沟槽3，盖板2的底部在左容腔和中容腔之间区域的对应处开设有第一凹槽4，盖板2的底部在中容腔和右容腔之间区域的对应处开设有第二凹槽5。

由于图1中的底座顶只开设了一条沟槽3，该沟槽3用作双通道微波开关。在某种实施方式中，可以在底座1的顶部开设有具有公共区域的多条沟槽3，然后在每条沟槽中开设相应的容腔来制作多通道微波开关，例如在图2中，底座1的顶部开设有两条沟槽3，两条沟槽3呈十字形状分布，共组成了四个微波通道。

在图1中，左容腔、中容腔和右容腔中分别安装有左连接器组件10、中连接器组件11和右连接器组件12，盖板2在第一凹槽4和第二凹槽5上分别安装有可上下移动的第一推杆6和第二推杆8，所述第一推杆6的底部连接有第一射频簧片7，第二推杆8的底部安装有第二射频簧片9，第一射频簧片7的两端分别在左连接器组件10和中连接器组件11上方，第二射频簧片9的两端分别在中连接器组件11和右连接器组件12上方。以第一射频簧片7为例，当第一推杆6带动第一射频簧片7下降使其两端分别与左连接器组件10和右连接器组件11接触时，左连接器组件10和右连接器组件11连通。另外在实际使用时，第一凹槽4用于容纳第一射频簧片7，第二凹槽5用于容纳第二射频簧片9。

具体地，左连接器组件10、中连接器组件11和右连接器组件12分别包括外导体13、内导体14和介质撑15，介质撑15嵌于外导体13的顶部，内导体14从下往上分别穿过外导体13和介质撑15，内导体14的顶部位于沟槽3内，第一射频簧片7的两端分别在左连接器组件10的内导体14和中连接器组件11的内导体14上方，第二射频簧片9的两端分别在中连接器组件11的内导体14和右连接器组件12的内导体14上方。相应地，在图1中，左容腔、右容腔和中容腔分别包括从上往下设置的第一容腔和第二容腔，第一容腔和第二容腔均为圆柱形状，第一容腔和第二容腔的中心线在同一条直线上，第一容腔的直径小于第二容腔的直径，外导体13安装在第二容腔中。

在实际使用时，由于左容腔、中容腔和右容腔中的导体的连接通断由射频簧片的上升和下降控制，本实用新型通过在盖板2底部开设第一凹槽4和第二凹槽5，当第一射频簧片7和第二射频簧片9中的一个射频簧片不用于控制两个导体连通时，该射频簧片变位于相应的凹槽中，进而能够增加第一射频簧片7和第二射频簧片9之间的距离，避免本实用新型应用在大功率场合时第一射频簧片7和第二射频簧片9之间出现击穿现象，提高了本实用新型功率耐受能力；同时，由于凹槽的存在，断开后的射频通道为矩形波导，而非传统的脊波导，矩形波导具有更高的下截至频率，有利于提高本实用新型的隔离度。

上述依据本实用新型为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (4)

1.一种大功率高隔离微波开关，其特征在于，包括底座和盖板，所述底座的顶部开设有沟槽，所述沟槽底部的左部、中部和右部分别开设有左容腔、中容腔和右容腔，所述左容腔、中容腔和右容腔分别贯穿所述底座，所述盖板安装在所述底座的顶部，所述盖板盖住所述沟槽，所述盖板的底部在所述左容腔和中容腔之间区域的对应处开设有第一凹槽，所述盖板的底部在所述中容腔和右容腔之间区域的对应处开设有第二凹槽。

2.根据权利要求1所述的一种大功率高隔离微波开关，其特征在于，所述左容腔、中容腔和右容腔中分别安装有左连接器组件、中连接器组件和右连接器组件，所述盖板在所述第一凹槽和第二凹槽上分别安装有可上下移动的第一推杆和第二推杆，所述第一推杆的底部连接有第一射频簧片，所述第二推杆的底部安装有第二射频簧片，所述第一射频簧片的两端分别在所述左连接器组件和中连接器组件上方，所述第二射频簧片的两端分别在所述中连接器组件和右连接器组件上方。

3.根据权利要求2所述的一种大功率高隔离微波开关，其特征在于，所述左容腔、右容腔和中容腔分别包括从上往下设置的第一容腔和第二容腔，所述第一容腔和第二容腔均为圆柱形状，所述第一容腔的直径小于第二容腔的直径。

4.根据权利要求3所述的一种大功率高隔离微波开关，其特征在于，所述左连接器组件、中连接器组件和右连接器组件分别包括外导体、内导体和介质撑，所述介质撑嵌于所述外导体的顶部，所述内导体从下往上分别穿过所述外导体和介质撑，所述内导体的顶部位于所述沟槽内，所述第一射频簧片的两端分别在所述左连接器组件的内导体和中连接器组件的内导体上方，所述第二射频簧片的两端分别在所述中连接器组件的内导体和右连接器组件的内导体上方。

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