CN215989541U - 一种低驻波比同轴连接器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种低驻波比同轴连接器，属于连接器领域，包括主体，主体包括内壳体以及安装于内壳体的绝缘体，内壳体设有安装孔以及与安装孔连通的连接孔，安装孔的直径大于连接孔的直径，绝缘体安装于安装孔中，绝缘体设有插接孔以及与插接孔连通的空气介质槽，空气介质槽位于绝缘体末端，空气介质槽与连接孔连通，通过上述设计，将主体做成分体式，分为内壳体以及绝缘体，在绝缘体上设置空气介质槽，降低同轴连接器的驻波比。

Description

一种低驻波比同轴连接器

技术领域

本实用新型涉及连接器，尤其是涉及一种低驻波比同轴连接器。

背景技术

驻波比全称为电压驻波比，又名VSWR和SWR，为英文Voltage Standing WaveRatio的简写。指驻波波腹电压与波谷电压幅度之比，又称为驻波系数、驻波比。驻波比等于1时，表示馈线和天线的阻抗完全匹配，此时高频能量全部被天线辐射出去，没有能量的反射损耗；驻波比为无穷大时，表示全反射，能量完全没有辐射出去。

传统TNC型连接器主体部分为一体加工的结构，接软线缆(铆压式)结构的TNC型连接器驻波比较高，性能不好。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的之一在于提供一种低驻波比同轴连接器。

本实用新型的目的之一采用如下技术方案实现：

一种低驻波比同轴连接器，包括主体，所述主体包括内壳体以及安装于所述内壳体的绝缘体，所述内壳体设有安装孔以及与所述安装孔连通的连接孔，所述安装孔的直径大于所述连接孔的直径，所述绝缘体安装于所述安装孔中，所述绝缘体设有插接孔以及与所述插接孔连通的空气介质槽，所述空气介质槽位于所述绝缘体末端，所述空气介质槽与所述连接孔连通。

进一步地，所述空气介质槽的直径大于所述插接孔的直径。

进一步地，所述低驻波比同轴连接器还包括插接件，所述插接件安装于所述插接孔并延伸至所述空气介质槽。

进一步地，所述空气介质槽的宽度为0.8mm-1mm。

进一步地，所述空气介质槽的直径为3mm-5mm。

进一步地，所述低驻波比同轴连接器还包括螺套以及卡环，所述螺套通过所述卡环安装于所述内壳体。

进一步地，所述内壳体的外表面设有第一凹槽，所述螺套设有第二凹槽，所述第二凹槽位于所述螺套的内表面，所述第一凹槽与所述第二凹槽形成卡槽，所述卡环位于所述卡槽中使所述螺套安装于所述内壳体。

进一步地，所述内壳体设有凸台，所述第一凹槽位于凸台上。

进一步地，所述内壳体端部设有若干间隙，相邻两间隙之间形成插接部，若干所述插接部呈圆形排布，所述插接部之间通过所述间隙能够合拢。

相比现有技术，本实用新型低驻波比同轴连接器的主体包括内壳体以及安装于内壳体的绝缘体，内壳体设有安装孔以及与安装孔连通的连接孔，安装孔的直径大于连接孔的直径，绝缘体安装于安装孔中，绝缘体设有插接孔以及与插接孔连通的空气介质槽，空气介质槽位于绝缘体末端，空气介质槽与连接孔连通，通过上述设计，将主体做成分体式，分为内壳体以及绝缘体，在绝缘体上设置空气介质槽，降低同轴连接器的驻波比。

附图说明

图1为本实用新型低驻波比同轴连接器的结构示意图；

图2为图1的低驻波比同轴连接器的内壳体的结构示意图；

图3为图1的低驻波比同轴连接器的绝缘体的结构示意图。

图中：10、内壳体；11、凸台；12、第一凹槽；13、间隙；14、插接部；15、安装孔；16、连接孔；20、螺套；21、第二凹槽；30、卡环；40、垫圈；50、绝缘体；51、插接孔；52、空气介质槽；60、插接件。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，当组件被称为“固定于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在另一中间组件，通过中间组件固定。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在另一中间组件。当一个组件被认为是“设置于”另一个组件，它可以是直接设置在另一个组件上或者可能同时存在另一中间组件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

图1至图3为本实用新型低驻波比同轴连接器，低驻波比同轴连接器包括主体、螺套20、卡环30、垫圈40以及插接件60。

主体为分体式结构，主体包括内壳体10以及绝缘体50。

内壳体10设有凸台11。凸台11位于内壳体10的外表面并位于内壳体10的中部。凸台11上设有第一凹槽12，第一凹槽12设置在凸台11上，能够减少装配时其他部位的摩擦。内壳体10端部设有若干间隙13，两相邻间隙13之间形成插接部14。若干插接部14围成圆形，通过间隙13，若干插接部14能够合拢进行插接。内壳体10还设有安装孔15以及连接孔16。安装孔15与连接孔16连通。安装孔15以及连接孔16贯穿内壳体10。安装孔15的直径大于连接孔16的直径。若干插接部14位于安装孔15远离连接孔16一端。

绝缘体50由绝缘材料制成。绝缘体50设有插接孔51以及空气介质槽52。插接孔51与空气介质槽52连通。插接孔51与空气介质槽52贯穿绝缘体50。插接孔51的直径小于空气介质槽52的直径。空气介质槽52的宽度为0.8mm-1mm。优选地，空气介质槽52的宽度为0.9mm。空气介质槽52的直径为3mm-5mm。优选地，空气介质槽52的直径为4mm。

螺套20设有第二凹槽21，第二凹槽21位于螺套20内壁的凹陷处，便于减少装配时其他部位的摩擦。

卡环30为C形环。卡环30由弹性材料制成。卡环30的厚度大于第一凹槽12以及第二凹槽21的厚度。卡环30的外径大于第一凹槽12的外径。

组装低驻波比同轴连接器时，插接件60插接于绝缘体50的插接孔51中并延伸至空气介质槽52。绝缘体50安装于内壳体10的安装孔15。垫圈40套设于内壳体10的外部。卡环30卡在第一凹槽12上，内壳体10以及卡环30共同安装于螺套20中，在卡入过程中，卡环30收缩。当第一凹槽12与第二凹槽21位于同一位置时，第一凹槽12与第二凹槽21共同形成卡槽，卡环30恢复形变，位于卡槽中(一半在第一凹槽12，另一半在第二凹槽21)，使螺套20与内壳体10不分离。

本申请将主体做成分体式，分为内壳体10以及绝缘体50，在绝缘体50上设置空气介质槽52，降低同轴连接器的驻波比，TNC型接软线缆的驻波比在11GHz频率内小于1.3，其电性能达到了同类型连接器采用半钢或钢型线缆焊接式结构的性能，技术达到国际先进水平。降低了使用成本，同时提高了生产效率。

以上实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进演变，都是依据本实用新型实质技术对以上实施例做的等同修饰与演变，这些都属于本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.一种低驻波比同轴连接器，包括主体，其特征在于：所述主体包括内壳体以及安装于所述内壳体的绝缘体，所述内壳体设有安装孔以及与所述安装孔连通的连接孔，所述安装孔的直径大于所述连接孔的直径，所述绝缘体安装于所述安装孔中，所述绝缘体设有插接孔以及与所述插接孔连通的空气介质槽，所述空气介质槽位于所述绝缘体末端，所述空气介质槽与所述连接孔连通。

2.根据权利要求1所述的低驻波比同轴连接器，其特征在于：所述空气介质槽的直径大于所述插接孔的直径。

3.根据权利要求1所述的低驻波比同轴连接器，其特征在于：所述低驻波比同轴连接器还包括插接件，所述插接件安装于所述插接孔并延伸至所述空气介质槽。

4.根据权利要求1所述的低驻波比同轴连接器，其特征在于：所述空气介质槽的宽度为0.8mm-1mm。

5.根据权利要求1所述的低驻波比同轴连接器，其特征在于：所述空气介质槽的直径为3mm-5mm。

6.根据权利要求1所述的低驻波比同轴连接器，其特征在于：所述低驻波比同轴连接器还包括螺套以及卡环，所述螺套通过所述卡环安装于所述内壳体。

7.根据权利要求6所述的低驻波比同轴连接器，其特征在于：所述内壳体的外表面设有第一凹槽，所述螺套设有第二凹槽，所述第二凹槽位于所述螺套的内表面，所述第一凹槽与所述第二凹槽形成卡槽，所述卡环位于所述卡槽中使所述螺套安装于所述内壳体。

8.根据权利要求7所述的低驻波比同轴连接器，其特征在于：所述内壳体设有凸台，所述第一凹槽位于凸台上。

9.根据权利要求1所述的低驻波比同轴连接器，其特征在于：所述内壳体端部设有若干间隙，相邻两间隙之间形成插接部，若干所述插接部呈圆形排布，所述插接部之间通过所述间隙能够合拢。

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