CN215872558U - 用于屏蔽层的电位引出结构、屏蔽结构及高频电气设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种用于屏蔽层的电位引出结构、屏蔽结构及高频电气设备，该屏蔽层设有屏蔽层本体，电位引出结构包括：分布式导电体，所述分布式导电体与所述屏蔽层本体分布式电性连接，所述分布式导电体用于对所述屏蔽层本体提供预设电位，及将待屏蔽导体与所述屏蔽层本体之间的容性电流汇流引出；所述分布式导电体包括至少一个条形部，至少一个条形部相互连接异形结构，所述异形结构在垂直于磁场方向的周向方向上非闭合设置。本实用新型通过设置呈异形结构的分布式导电体，实现屏蔽层与其电位引出点分布式接触，有效避免涡流效应，改善屏蔽效果。

Description

用于屏蔽层的电位引出结构、屏蔽结构及高频电气设备

技术领域

本实用新型涉及电磁屏蔽技术领域，尤其涉及一种用于屏蔽层的电位引出结构、屏蔽结构及高频电气设备。

背景技术

在高压绝缘领域，需要在导体主体外围设置电场屏蔽层，该屏蔽层用于改善电场分布，降低局部场强，在实现电场屏蔽时，需要对屏蔽层提供特定电位。

在现有技术中，屏蔽层通常采用半导电材料制作而成，在半导电层中，常采用与半导电层材料有电气连接的小铜片间接进行电位引出。

在屏蔽高频强磁场的应用场景下，现有的电位引出方案中半导电层与导体主体之间的电容效应以及高频下导体的涡流效应不可忽略，其存在以下问题，半导电层的电位引出点集中于铜片，若铜片与半导电层接触面积过小，则半导电层与导体主体之间的容性电流会在接触部为形成高压降，容易引发打火发热现象；若铜片面积过大，则涡流效应显著，会导致铜片温升过高，影响散热，甚至恶化屏蔽层的绝缘性能。

实用新型内容

本实用新型提供一种用于屏蔽层的电位引出结构，以实现通过设置呈异形结构的分布式导电体，实现屏蔽层与其电位引出点分布式接触，有效避免涡流效应。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种用于屏蔽层的电位引出结构，所述屏蔽层设有屏蔽层本体，所述屏蔽层本体对待屏蔽导体进行电场屏蔽，所述电位引出结构包括：分布式导电体，所述分布式导电体与所述屏蔽层本体分布式电性连接，所述分布式导电体用于对所述屏蔽层本体提供预设电位，及将所述待屏蔽导体与所述屏蔽层本体之间的容性电流汇流引出；所述分布式导电体包括至少一个条形部，所述至少一个条形部相互连接形成异形结构，所述异形结构在垂直于待屏蔽导体磁场方向的周向方向上非闭合设置。

可选地，所述异形结构包括一字型结构、鱼骨型结构、S型结构或者M型结构中的任一种。

可选地，所述至少一个条形部包括至少一个沿所述磁场方向延伸的第一条形部和至少一个沿所述周向方向延伸的第二条形部，所述第一条形部与所述第二条形部垂直相交；所述第二条形部在所述周向方向上具有第一端部和第二端部，所述第一端部和所述第二端部沿周向方向具有预设间隔距离。

可选地，所述第一条形部在所述磁场方向的延伸方向具有第一长度，所述屏蔽层本体在所述磁场方向的延伸方向具有第二长度，所述第一长度小于所述第二长度。

可选地，所述条形部在垂直于所述屏蔽层本体所在平面的方向上具有基础厚度，所述条形部在垂直于条形延伸方向上具有基础宽度，所述基础厚度及所述基础宽度均小于预设尺寸上限值。

可选地，所述用于屏蔽层的电位引出结构还包括引出线，所述引出线与所述分布式导电体电性连接，所述引出线用于将所述预设电位传输至所述分布式导电体。

第二方面，本实用新型实施例还提供了一种屏蔽结构，包括：屏蔽层本体、绝缘层及上述电位引出结构，所述电位引出结构与所述屏蔽层本体分布式电性连接；所述电位引出结构设置于所述屏蔽层本体与所述绝缘层之间；或者，所述电位引出结构设置于所述屏蔽层本体背离所述绝缘层的一侧。

可选地，所述屏蔽层本体的面积大于或者等于所述绝缘层的面积。

可选地，所述屏蔽层本体与所述电位引出结构之间设有导电硅胶层。

第三方面，本实用新型实施例还提供了一种高频电气设备，包括：待屏蔽导体及上海苏屏蔽结构，所述屏蔽结构包绕设置于所述待屏蔽导体外围。

本实用新型实施例提供的屏蔽结构和高频电气设备，设置电位引出结构，该电位引出结构设置分布式导电体，该分布式导电体与屏蔽层本体分布式电性连接，分布式导电体用于对屏蔽层本体提供预设电位，及将待屏蔽导体与屏蔽层本体之间的容性电流汇流引出；分布式导电体包括相互连接的至少一个条形部，至少一个条形部组成异形结构，异形结构在垂直于磁场方向的周向方向上非闭合设置，通过设置呈异形结构的分布式导电体实现电位引出点与屏蔽层分布式接触，解决了现有的半导电层在电位引出点易发生打火发热和涡流现象的问题，有利于减小电位引出点在垂直磁场方向上的面积，避免容性电流集中汇流导致的打火现象，改善屏蔽层发热现象，避免在垂直磁场方向形成闭合回路，有效避免涡流效应，改善屏蔽效果。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的一种用于屏蔽层的电位引出结构的结构示意图；

图2是本实用新型实施例一提供的一种电位引出结构的结构示意图；

图3是本实用新型实施例一提供的一种电位引出结构的安装结构示意图；

图4是本实用新型实施例二提供的一种电位引出结构的结构示意图；

图5是本实用新型实施例二提供的一种电位引出结构的安装结构示意图；

图6是本实用新型实施例二提供的另一种电位引出结构的安装结构示意图；

图7是本实用新型实施例三提供的一种电位引出结构的结构示意图；

图8是本实用新型实施例四提供的一种电位引出结构的安装结构示意图；

图9是本实用新型实施例四提供的一种电位引出结构的结构示意图；

图10是本实用新型实施例四提供的一种电位引出结构的安装结构示意图；

图11是图10的后视图；

图12是本实用新型实施例四提供的另一种电位引出结构的安装结构示意图；

图13是图12的后视图；

图14是本实用新型实施例五提供的一种屏蔽结构的结构示意图；

图15是本实用新型实施例五提供的另一种屏蔽结构的结构示意图

图16是本实用新型实施例六提供的一种高频电气设备的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

本实用新型实施例提供一种用于屏蔽层的电位引出结构，本实施例可适用于对高频强磁场应用场景下的屏蔽层进行电位引出，典型地，高频强磁场应用场景包括高频高压变压器或者高频电抗器。

在本实施例中，屏蔽层设有屏蔽层本体，屏蔽层本体采用半导电材料制作而成，该屏蔽层本体可用于对待屏蔽导体进行电场屏蔽，待屏蔽导体可为高频高压变压器或者高频电抗器的线包。具体地，待屏蔽导体内形成磁场，屏蔽层本体01可包绕设置于待屏蔽导体301外围。

图1是本实用新型实施例提供的一种用于屏蔽层的电位引出结构的结构示意图。

如图1所示，该用于屏蔽层的电位引出结构00包括：分布式导电体100，分布式导电体100与屏蔽层本体01分布式电性连接，其中，分布式电性连接是指分布式导电体100与屏蔽层本体01之间的电性引出点在屏蔽层本体01表面分散式排布，分布式导电体100用于对屏蔽层本体01提供预设电位，预设电位的具体数值可根据实际需要进行设置，对此不作限定，分布式导电体100还用于将待屏蔽导体与屏蔽层本体01之间的容性电流汇流引出。

可选地，分布式导电体100与屏蔽层本体01之间可采用压接工艺实现电性连接，或者，可采用导电胶粘接工艺实现电性连接，对此不作限制。

可选地，分布式导电体100具有第一电阻率，屏蔽层本体01具有第二电阻率，第一电阻率低于第二电阻率，分布式导电体100的导电性能优于屏蔽层本体01的导电性能，有利于实现电位传输和容性电流的汇流输出。

示例性地，分布式导电体100可采用铜或者铝等纯金属材料，或者，可采用柔性印制电路板等具有良好导电特性的加工材料。

如图1所示，分布式导电体100包括至少一个条形部101，该条形部101呈一字型，每个条形部101可视为一个电位引出点，至少一个条形部101相互连接形成异形结构，异形结构在垂直于磁场方向的周向方向上非闭合设置，即在垂直于磁场方向的周向方向上，条形部101之间不会形成闭合回路。

具体地，分布式导电体100可采用基础线材制作而成，典型地，基础线材可为铜丝或者铜箔，对基础线材进行一体化加工，形成具有至少一个条形部101的异形结构，将该呈异形结构的分布式导电体100压接或者粘接于屏蔽层本体01，条形部101呈分散式排布于屏蔽层本体01表面，实现电位引出点与屏蔽层的分布式接触，解决了现有的半导电层在电位引出点易发生打火发热和涡流现象的问题，有利于减小电位引出点在垂直磁场方向上的面积，避免容性电流集中汇流导致的打火现象，改善屏蔽层发热现象，该呈异形结构的分布式导电体100在垂直于磁场方向的周向方向上非闭合设置，有效避免涡流效应，改善屏蔽效果。

可选地，异形结构可包括一字型结构、鱼骨型结构、S型结构或者M型结构中的一种或者多种组合，下面将结合附图对不同结构的分布式导电体100进行详细说明。

实施例一

可选地，图2是本实用新型实施例一提供的一种电位引出结构的结构示意图，本实施例中，示例性地示出了一种采用“一字型”结构的分布式导电体100，而非对电位引出结构的具体限定。

如图2所示，“一字型”结构的分布式导电体100包括一个条形部101，该条形部101为非闭合的一字型结构。

可选地，图3是本实用新型实施例一提供的一种电位引出结构的安装结构示意图。

参考图3所示，屏蔽层本体01呈圆柱形结构，可设置该“一字型”结构的分布式导电体100沿周向方向延伸贴合于屏蔽层本体01表面，该条形部在周向方向上具有第一端部101a和第二端部101b，第一端部101a和第二端部101b之间具有预设间隔距离D，即言，该条形部101的首尾两端不闭合，避免在垂直于磁场方向的周向方向上形成回路，有利于改善涡流效应。

实施例二

可选地，图4是本实用新型实施例二提供的一种电位引出结构的结构示意图，本实施例中，示例性地示出了一种采用“S型”结构的电位引出结构，而非对电位引出结构的具体限定。

如图4所示，“S型”结构的分布式导电体100可包括五个条形部101，五个条形部101依次首尾连接，构成非闭合的S型结构。

可选地，图5是本实用新型实施例二提供的一种电位引出结构的安装结构示意图。

参考图5所示，屏蔽层本体01呈圆柱形结构，可设置该“S型”结构的分布式导电体100沿周向方向延伸贴合于屏蔽层本体01表面，该“S型”结构的分布式导电体100可包括三个沿磁场方向延伸的第一条形部101H(仅示出两个101H)和两个沿周向方向延伸的第二条形部101L，第一条形部101H与第二条形部101L垂直相交，形成沿周向方向设置的“S型”结构，两个第二条形部101L在周向方向上具有第一端部101a和第二端部101b，第一端部101a和第二端部101b沿周向方向具有预设间隔距离D，以使分布式导电体100在垂直于磁场方向的周向方向上非闭合设置，避免在垂直于磁场方向的周向方向上形成回路，有利于改善涡流效应。

可选地，图6是本实用新型实施例二提供的另一种电位引出结构的安装结构示意图。

参考图6所示，屏蔽层本体01呈圆柱形结构，可设置该“S型”结构的分布式导电体100沿磁场方向延伸贴合于屏蔽层本体01表面，该“S型”结构的分布式导电体100可包括两个沿磁场方向延伸的第一条形部101H和三个沿周向方向延伸的第二条形部101L，第一条形部101H与第二条形部101L垂直相交，形成沿磁场方向设置的“S型”结构，每个第二条形部101L在周向方向上均具有第一端部101a和第二端部101b，每个第二条形部101L的第一端部101a和第二端部101b沿周向方向均具有预设间隔距离D，以使分布式导电体100在垂直于磁场方向的周向方向上非闭合设置，避免在垂直于磁场方向的周向方向上形成回路，有利于改善涡流效应。

可选地，该“S型”结构的各条形部可对称设置于屏蔽层本体01表面，例如，可将“S型”结构的中心对称点与屏蔽层本体01展开后的平面中心对称点重合设置，以使各电位引出点均匀分布于屏蔽层本体01表面，有利于改善电磁屏蔽效果。

需要说明的是，在保证分布式导电体100在垂直于磁场方向的周向方向上非闭合设置的前提下，该“S型”结构的电位引出结构可沿任一方向压接或者粘接于屏蔽层本体01表面，对此不作限制。

实施例三

可选地，图7是本实用新型实施例三提供的一种电位引出结构的结构示意图，本实施例中，示例性地示出了一种采用“M型”结构的电位引出结构，而非对电位引出结构的具体限定。

如图7所示，该分布式导电体100包括四个条形部101，四个条形部101依次首尾连接，形成非闭合的“M型”结构，“M型”结构具有第一端部101a和第二端部101b。

可选地，图8是本实用新型实施例四提供的一种电位引出结构的安装结构示意图。

参考图8所示，屏蔽层本体01呈圆柱形结构，可设置该“M型”结构的分布式导电体100沿周向方向延伸贴合于屏蔽层本体01表面，该“M型”结构具有第一端部101a和第二端部101b，第一端部101a和第二端部101b沿周向方向均具有预设间隔距离D，以使分布式导电体100在垂直于磁场方向的周向方向上非闭合设置，避免在垂直于磁场方向的周向方向上形成回路，有利于改善涡流效应。

可选地，该“M型”结构的各条形部可对称设置于屏蔽层本体01表面，例如，可将“M型”结构的对称线与屏蔽层本体01展开后的平面对称线重合设置，以使各电位引出点均匀分布于屏蔽层本体01表面，有利于改善电磁屏蔽效果。

需要说明的是，在保证分布式导电体100在垂直于磁场方向的周向方向上非闭合设置的前提下，该“M型”结构的电位引出结构可沿任一方向压接或者粘接于屏蔽层本体01表面，对此不作限制。

实施例四

可选地，图9是本实用新型实施例四提供的一种电位引出结构的结构示意图，本实施例中，示例性地示出了一种采用“鱼骨型”结构的电位引出结构，而非对电位引出结构的具体限定。

可选地，参考图9所示，至少一个条形部101包括至少一个沿磁场方向延伸的第一条形部101H和至少一个沿周向方向延伸的第二条形部101L，第一条形部101H与第二条形部101L垂直相交，形成“鱼骨型”结构。

图10是本实用新型实施例四提供的一种电位引出结构的安装结构示意图；

图11是图10的后视图。

可选地，参考图10和图11所示，“鱼骨型”结构的分布式导电体100包括多个沿磁场方向延伸的第一条形部101H和一个沿周向方向延伸的第二条形部101L，每个第一条形部101H均与第二条形部101L垂直相交，形成沿周向方向设置的“鱼骨型”结构；第二条形部101L在周向方向上具有第一端部101La和第二端部101Lb，第一端部101La和第二端部101Lb沿周向方向具有预设间隔距离D，以使分布式导电体100在垂直于磁场方向的周向方向上非闭合设置，避免在垂直于磁场方向的周向方向上形成回路，有利于改善涡流效应。

图12是本实用新型实施例四提供的另一种电位引出结构的安装结构示意图；图13是图12的后视图。

可选地，参考图12和图13所示，“鱼骨型”结构的分布式导电体100包括一个沿磁场方向延伸的第一条形部101H和至少一个沿周向方向延伸的第二条形部101L，第一条形部101H与第二条形部101L垂直相交，形成沿磁场方向设置的“鱼骨型”结构；每个第二条形部101L在周向方向上均具有第一端部101La和第二端部101Lb，第一端部101La和第二端部101Lb沿周向方向具有预设间隔距离D，以使分布式导电体100在垂直于磁场方向的周向方向上非闭合设置，避免在垂直于磁场方向的周向方向上形成回路，有利于改善涡流效应。

可选地，该“鱼骨型”结构的各条形部可对称设置于屏蔽层本体01表面，例如，可设置分布式导电体100为中心对称的“鱼骨型”结构，将“鱼骨型”结构的中心对称点与屏蔽层本体01展开后的中心对称点重合设置，以使各电位引出点均匀分布于屏蔽层本体01表面，有利于改善电磁屏蔽效果。

需要说明的是，在保证分布式导电体100在垂直于磁场方向的周向方向上非闭合设置的前提下，该“鱼骨型”结构的电位引出结构可沿任一方向压接或者粘接于屏蔽层本体01表面，对此不作限制。

还需说明的是，上述实施例示出了部分异形结构，而非对分布式导电体100的结构形式的限定，分布式导电体100的具体形状、尺寸和布局可根据实际需要进行调整，例如，考虑到端部效应和气隙扩散等因素的影响，可适当改变分布式导电体100的形状进行避让，有利于减小导电体的涡流效应。

可选地，参考图11和图13所示，第一条形部101H在磁场方向的延伸方向具有第一长度H1，屏蔽层本体01在磁场方向的延伸方向具有第二长度H2，第一长度H1小于第二长度H2。

具体地，在导体两端存在端部效应，在磁场方向的延伸方向上，设置第一长度H1小于第二长度H2，有利于避免减少垂直于磁场方向的面积，减小涡流效应。

可选地，继续参考图11和图13所示，用于屏蔽层的电位引出结构还包括引出线102，引出线102与分布式导电体100的任一条形部101电性连接，引出线102用于将预设电位传输至分布式导电体100。

具体地，该引出线102可与分布式导电体100一体成型设置，方便操作，该引出线102对外连接电源装置，将电源装置提供的预设电位传输至分布式导电体100，该预设电位的具体数值可根据实际需要进行设置，对此不作限制。

可选地，条形部101在垂直于屏蔽层本体01所在平面的方向上具有基础厚度，条形部在垂直于条形延伸方向上具有基础宽度，基础厚度及基础宽度均小于预设尺寸上限值。

其中，预设尺寸上限值为形成涡流效应的最小尺寸，设置条形部101的基础厚度及基础宽度均小于该预设尺寸上限值，有利于避免导电体表面的涡流效应。

示例性地，可采用细铜丝或者窄铜箔作为分布式导电体100的基础线材，当采用窄铜箔作为分布式导电体100的基础线材时，方便背胶，便于加工。

实施例五

基于上述任一实施例，本实用新型实施例五还提供了一种屏蔽结构，该屏蔽结构可直接用于对高频高压设备线包进行电场屏蔽。

图14是本实用新型实施例五提供的一种屏蔽结构的结构示意图。

如图14所示，该屏蔽结构200包括：屏蔽层本体01、绝缘层02及上述电位引出结构00，电位引出结构00与屏蔽层本体01分布式电性连接，该电位引出结构00可采用上述任一异形结构，在此不再赘述。

可选地，参考图14所示，电位引出结构00可设置于屏蔽层本体01与绝缘层02之间，其中，屏蔽层本体01采用半导电材料制作而成，用于对待屏蔽导体进行电场屏蔽；绝缘层02用于提供绝缘性能，以使屏蔽层本体01和电位引出结构00的导电材料与待屏蔽的导体相互绝缘；电位引出结构00用于屏蔽层本体01的电位引出及将屏蔽层本体01与待屏蔽导体之间的容性电流汇流引出，其中，待屏蔽导体可为高频高压设备线包。

可选地，电位引出结构00还可设置于屏蔽层本体01背离绝缘层02的一侧，此时，电位引出结构00的表面平整无突起，便于进行电位引出和容性电流引出，方便使用。

图15是本实用新型实施例五提供的另一种屏蔽结构的结构示意图。

可选地，屏蔽层本体01的面积大于或者等于绝缘层02的面积，以使屏蔽层本体01的边缘包绕覆盖绝缘层02的边缘，形成屏蔽层本体01包绕电位引出结构00及绝缘层02的反包结构，将该反包结构应用于屏蔽高频高压设备线包的电场，有利于提高屏蔽层端部的屏蔽效果。

可选地，屏蔽层本体01与电位引出结构00之间设有导电硅胶层。

具体地，该导电硅胶层一方面用于粘接连接屏蔽层本体01与电位引出结构00，另一方面，该导电硅胶层还用于参与电位引出和汇流电流引出，便于加工。

需要说明的是，在保证各层性能要求及贴合可行性的前提下，本领域技术人员可根据实际需要选择屏蔽结构200中各层的材料，对此不作具体限定。

由此，本实用新型实施例提供的屏蔽结构，设置具有分布式导电体的该电位引出结构，该分布式导电体与屏蔽层本体分布式电性连接，分布式导电体用于对屏蔽层本体提供预设电位，及将待屏蔽导体与屏蔽层本体之间的容性电流汇流引出；分布式导电体包括相互连接的至少一个条形部，至少一个条形部组成异形结构，异形结构在垂直于磁场方向的周向方向上非闭合设置，通过设置呈异形结构的分布式导电体实现电位引出点与屏蔽层分布式接触，解决了现有的半导电层在电位引出点易发生打火发热和涡流现象的问题，方便使用，便于进行电位引出和容性电流引出，有利于改善电磁屏蔽效果。

实施例六

基于上述实施例，本实用新型实施例六提供了一种高频电气设备。

图16是本实用新型实施例六提供的一种高频电气设备的结构示意图。

如图16所示，该高频电气设备300包括：待屏蔽导体301及上述屏蔽结构200，屏蔽结构200包绕设置于待屏蔽导体301外围，该屏蔽结构200包括上述电位引出结构，电位引出结构与屏蔽层本体分布式电性连接，该电位引出结构可采用上述任一异形结构，在此不再赘述。

可选地，该高频电气设备包括高频变压器或者高频电抗器中的任一种，待屏蔽导体301可为高频变压器的高压线包、低压线包或者高频电抗器的线包。以高频变压器为例，可采用上述屏蔽结构分别对高频变压器的高压线包和低压线包进行电场屏蔽，有利于优化电场分布。

参考图16所示，该高频电气设备300还包括：磁芯302，待屏蔽导体301包括绕磁芯302设置的内线圈301a及设置于内线圈301a背离铁芯302一侧的外线圈301b，屏蔽结构200包绕设置于内线圈301a朝向外线圈301b的一侧，屏蔽结构200包绕设置于外线圈301b周围，屏蔽结构200对高频电气设备300的高低压线圈进行电场屏蔽，以优化高频电气设备300的电场分布。

综上，本实用新型实施例提供的高频电气设备，设置具有上述电位引出结构的屏蔽结构，该电位引出结构设置分布式导电体，该分布式导电体与屏蔽层本体分布式电性连接，分布式导电体用于对屏蔽层本体提供预设电位，及将待屏蔽导体与屏蔽层本体之间的容性电流汇流引出；分布式导电体包括相互连接的至少一个条形部，至少一个条形部组成异形结构，异形结构在垂直于磁场方向的周向方向上非闭合设置，通过设置呈异形结构的分布式导电体实现电位引出点与屏蔽层分布式接触，解决了现有的半导电层在电位引出点易发生打火发热和涡流现象的问题，有利于减小电位引出点在垂直磁场方向上的面积，避免容性电流集中汇流导致的打火现象，改善屏蔽层发热现象，避免在垂直磁场方向形成闭合回路，有效避免涡流效应，改善电磁屏蔽效果。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种用于屏蔽层的电位引出结构，所述屏蔽层设有屏蔽层本体，屏蔽层本体用于对待屏蔽导体进行电场屏蔽，其特征在于，所述电位引出结构包括：分布式导电体，所述分布式导电体与所述屏蔽层本体分布式电性连接，所述分布式导电体用于对所述屏蔽层本体提供预设电位，及将所述待屏蔽导体与所述屏蔽层本体之间的容性电流汇流引出；

所述分布式导电体包括至少一个条形部，所述至少一个条形部相互连接异形结构，所述异形结构在垂直于待屏蔽导体磁场方向的周向方向上非闭合设置。

2.根据权利要求1所述的用于屏蔽层的电位引出结构，其特征在于，所述异形结构包括一字型结构、鱼骨型结构、S型结构或者M型结构中的一种或者多种组合。

3.根据权利要求1所述的用于屏蔽层的电位引出结构，其特征在于，所述至少一个条形部包括至少一个沿所述磁场方向延伸的第一条形部和至少一个沿所述周向方向延伸的第二条形部，所述第一条形部与所述第二条形部垂直相交；

所述第二条形部在所述周向方向上具有第一端部和第二端部，所述第一端部和所述第二端部沿周向方向具有预设间隔距离。

4.根据权利要求3所述的用于屏蔽层的电位引出结构，其特征在于，所述第一条形部在所述磁场方向的延伸方向具有第一长度，所述屏蔽层本体在所述磁场方向的延伸方向具有第二长度，所述第一长度小于所述第二长度。

5.根据权利要求1所述的用于屏蔽层的电位引出结构，其特征在于，所述条形部在垂直于所述屏蔽层本体所在平面的方向上具有基础厚度，所述条形部在垂直于条形延伸方向上具有基础宽度，所述基础厚度及所述基础宽度均小于预设尺寸上限值。

6.根据权利要求1所述的用于屏蔽层的电位引出结构，其特征在于，还包括引出线，所述引出线与所述分布式导电体电性连接，所述引出线用于将所述预设电位传输至所述分布式导电体。

7.一种屏蔽结构，其特征在于，包括：屏蔽层本体、绝缘层及权利要求1-6中任一项所述的电位引出结构，所述电位引出结构与所述屏蔽层本体分布式电性连接；

所述电位引出结构设置于所述屏蔽层本体与所述绝缘层之间；

或者，所述电位引出结构设置于所述屏蔽层本体背离所述绝缘层的一侧。

8.根据权利要求7所述的屏蔽结构，其特征在于，所述屏蔽层本体的面积大于或者等于所述绝缘层的面积。

9.根据权利要求7所述的屏蔽结构，其特征在于，所述屏蔽层本体与所述电位引出结构之间设有导电硅胶层。

10.一种高频电气设备，其特征在于，包括：待屏蔽导体及权利要求7-9中任一项所述的屏蔽结构，所述屏蔽结构包绕设置于所述待屏蔽导体外围。

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