CN215814179U - 一种基于iBAT2000芯片实现的超高频读写模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于iBAT2000芯片实现的超高频读写模块，包括耦合器、前端电路、射频主控芯片以及后端电路，耦合器与前端电路连接，前端电路通过射频主控芯片与后端电路连接，后端电路与耦合器连接，射频主控芯片为iBAT2000芯片。本实用新型的超高频读写模块工作于860‑960 MHz频段，通过电磁波反射耦合的方式来读取标签内的存储信息，内部采用国产iBAT2000芯片，能实现国家标准的RFID协议，如ISO‑18000 6C、GB/T 29768等标准，也能实现电子产品代码和标签识别号同时读取，更能实现应用RSSI值来判断标签距离读写器的远近，以防止读写模块的误读，提升其读写灵敏度。
Description
技术领域
本实用新型涉及射频识别模块技术领域，尤其涉及一种基于iBAT2000芯片实现的超高频读写模块。
背景技术
随着物联网的发展，无线射频识别(RFID)技术越来越多的应用到工业现场中。它是在20世纪50年代诞生的一种无线识别技术，可以在不接触的情况下，利用无线电来进行身份识别。根据无线电频率的不同，RFID系统可以分成低频、高频、超高频及微波四种。
最基本的RFID系统一般由四部分组成：电子标签、天线、读写器及应用软件。
电子标签类似于条码系统中的条码，其内部集成了一个可以擦写的芯片，用于存储信息。
天线：连接在读写器上，用于接收/发送电磁波，在标签和读写器间传递射频信号。
读写器：用来读取电子标签的数据并传送到上位机应用软件系统中；有些也可以往电子标签中写数据。
应用软件：基于PC或PLC的软件系统，用来处理读写器发送来的数据。
现有读写器内部的读写模块大多采用进口芯片，随着国内进口芯片紧缺，英频杰R2000芯片断货，RFID厂家面临无芯片可用，急需寻找一款国产芯片替代进口芯片以满足企业生产的需求。
以上不足，有待改进。
发明内容
为了克服现有的技术的不足，本实用新型提供一种基于iBAT2000芯片实现的超高频读写模块。
本实用新型技术方案如下所述：
一种基于iBAT2000芯片实现的超高频读写模块，其特征在于，包括耦合器、前端电路、射频主控芯片以及后端电路，所述耦合器与所述前端电路连接，所述前端电路通过所述射频主控芯片与所述后端电路连接，所述后端电路与所述耦合器连接，所述射频主控芯片为iBAT2000芯片。
根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述前端电路包括第一滤波电路、检波电路以及整形放大电路，所述第一滤波电路的输入端与所述耦合器连接，所述第一滤波电路的输出端与所述检波电路的输入端连接，所述检波电路的输出端与所述整形放大电路的输入端连接，所述整形放大电路的输出端与所述射频主控芯片连接。
根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述后端电路包括第二滤波电路及功率放大器，所述第二滤波电路的输入端与所述射频主控芯片连接，所述第二滤波电路的输出端与所述功率放大器的输入端连接，所述功率放大器的输出端与所述耦合器连接。
根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述耦合器还连接有超高频天线。
根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述超高频天线包括4路超高频天线。
根据上述方案的本实用新型，其特征在于，连接所述超高频天线的接头为SMA接头。
根据上述方案的本实用新型，其有益效果在于，本实用新型的超高频读写模块工作于860-960 MHz频段，通过电磁波反射耦合的方式来读取超高频读写模块标签内的存储信息，超高频读写模块内采用国产iBAT2000芯片，能实现国家标准的RFID协议，如ISO-18000 6C、GB/T 29768等标准，也能实现电子产品代码和标签识别号同时读取，更能实现应用RSSI值来判断标签距离读写器的远近，以防止读写模块的误读，提升超高频读写模块的读写灵敏度和精准度。
本实用新型的超高频读写模块可广泛适应于医疗、智慧仓储、新零售等各类工业和商业环境下使用，具有读取距离远，性能稳定的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的结构框图；
图2为本实用新型的具体实施例结构框图；
图3为本实用新型的射频主控芯片的部分电路图。
具体实施方式
下面结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述：
如图1至图3所示，一种基于iBAT2000芯片实现的超高频读写模块，包括耦合器、前端电路、射频主控芯片以及后端电路，耦合器与前端电路连接，前端电路通过射频主控芯片与后端电路连接，后端电路与耦合器连接，射频主控芯片为iBAT2000芯片。
本实用新型采用国产iBAT2000芯片，在密集读写器模式，iBAT2000芯片可快速判断工作频段内的外部环境干扰，完成对芯片参数的自动调整，扫描速率更快。iBAT2000芯片支持6C标签（ISO-18000 6C）和国际标签（GB/T 29768）读写。iBAT2000芯片支持EPC（电子产品代码）和TID（标签识别号）同时读取。iBAT2000芯片可以应用RSSI值来判断标签距离读写器的远近，以防止读写模块的误读，提升超高频读写模块的读写灵敏度和精准度。
在本实用新型中，前端电路包括第一滤波电路、检波电路以及整形放大电路，第一滤波电路的输入端与耦合器连接，第一滤波电路的输出端与检波电路的输入端连接，检波电路的输出端与整形放大电路的输入端连接，整形放大电路的输出端与射频主控芯片连接。
优选的，检波电路包括发射功率检波电路和接收功率检波电路，第一滤波电路通过发射功率检波电路与整形放大电路连接，第一滤波电路通过接收功率检波电路与整形放大电路连接。
在本实用新型中，耦合器设置在功率放大器的输出端,功率放大器的发射功率经过耦合器后能够平均分配到各路超高频天线及检波电路，使每个超高频天线接口及功率检波电路的发射功率基本相同。检波电路能够精确测量超高频识别芯片的发射功率和接收功率，并对发射功率和接收功率校准，从而提高读写模块的灵敏度和稳定性。
在本实用新型中，后端电路包括第二滤波电路及功率放大器，第二滤波电路的输入端与射频主控芯片连接，第二滤波电路的输出端与功率放大器的输入端连接，功率放大器的输出端与耦合器连接。在本实用新型中增加第二滤波电路，对射频主控芯片输出的基带信号进行处理，去除谐波成分，输出较为理想的中频信号。
优选的，功率放大器还连接有功放电源，功放电源为功率放大器提供工作电压，功放电源输出电压为3.8V。
优选的，射频主控芯片还连接有低压差线性稳压器，低压差线性稳压器输出电压1.8V或低压差线性稳压器输出电压3.3V。
在本实用新型中，耦合器还连接有超高频天线，超高频天线采用稳定的高增益远场天线，具有延长标签的读取距离的效果。
优选的，超高频天线包括4路超高频天线，超高频读写模块支持4路独立天线，使得超高频读写模块能够快速发射和接收射频信号，提高读写速度，进而提高工作效率。
优选的，连接超高频天线的接头为SMA接头，SMA接口频带宽、性能优、高可靠、寿命长，是一种广泛应用于电信通讯、网络、无线通讯以及检测和测量仪器的射频和微波连接器。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
上面结合附图对本实用新型专利进行了示例性的描述，显然本实用新型专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型专利的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本实用新型专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围内。
Claims (6)
1.一种基于iBAT2000芯片实现的超高频读写模块，其特征在于，包括耦合器、前端电路、射频主控芯片以及后端电路，所述耦合器与所述前端电路连接，所述前端电路通过所述射频主控芯片与所述后端电路连接，所述后端电路与所述耦合器连接，所述射频主控芯片为iBAT2000芯片。
2.根据权利要求1所述的基于iBAT2000芯片实现的超高频读写模块，其特征在于，所述前端电路包括第一滤波电路、检波电路以及整形放大电路，所述第一滤波电路的输入端与所述耦合器连接，所述第一滤波电路的输出端与所述检波电路的输入端连接，所述检波电路的输出端与所述整形放大电路的输入端连接，所述整形放大电路的输出端与所述射频主控芯片连接。
3.根据权利要求1所述的基于iBAT2000芯片实现的超高频读写模块，其特征在于，所述后端电路包括第二滤波电路和功率放大器，所述第二滤波电路的输入端与所述射频主控芯片连接，所述第二滤波电路的输出端与所述功率放大器的输入端连接，所述功率放大器的输出端与所述耦合器连接。
4.根据权利要求1所述的基于iBAT2000芯片实现的超高频读写模块，其特征在于，所述耦合器还连接有超高频天线。
5.根据权利要求4所述的基于iBAT2000芯片实现的超高频读写模块，其特征在于，所述超高频天线包括4路超高频天线。
6.根据权利要求4所述的基于iBAT2000芯片实现的超高频读写模块，其特征在于，连接所述超高频天线的接头为SMA接头。
Priority Applications (1)
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2021
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