CN215711775U - 一种多晶硅生产中还原尾气的回收装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种多晶硅生产中还原尾气的回收装置，包括第一冷却系统、淋洗装置、第一压缩装置、第二冷却系统、吸收塔、解吸塔、贫富液换热系统和氢气吸附装置，其中，第一冷却系统的气体出口与淋洗装置的气体入口连接，第一冷却系统的冷凝液出口与淋洗装置的液体入口连接；淋洗装置的气体出口与第一压缩装置的气体进口连接，淋洗装置的液体出口与解吸塔的液体进口连接；第二冷却系统的气体进口与第一压缩装置的气体出口连接，第二冷却系统的气体出口与吸收塔的气体进口连接；吸收塔的气体出口与氢气吸附装置的气体进口连接。本实用新型的回收装置能够对冷量实现充分回收，降低投资运行成本，回收后的氢气品质高，满足了多晶硅生产的要求。

Description

一种多晶硅生产中还原尾气的回收装置

技术领域

本实用新型属于多晶硅生产技术领域，具体涉及一种多晶硅生产中还原尾气的回收装置。

背景技术

多晶硅生产中，从还原炉输出的还原尾气主要包括H₂、HCl气体和气相氯硅烷等，其中气相氯硅烷包括SiHCl₃气体、SiCl₄气体和SiH₂Cl₂气体的混合物，还原尾气需要进入尾气回收系统进行回收处理，以回收其中的氢气、氯化氢、以及氯硅烷，目前，还原尾气的回收工艺主要包括以下三种：湿法回收、干法回收和膜分离回收。

湿法尾气回收工艺会造成物料损失较大，成本较高，膜分离尾气回收工艺存在高压及苛刻的分离膜使用条件等技术问题，而干法尾气回收工艺实现简单，还可将多晶硅尾气全部回收利用，使整个多晶硅生产系统达到了闭路循环，不仅能降低原料和动力能源的消耗，还可以达到减少污染和保护环境的目的，因此，目前普遍采用干法尾气回收工艺对还原尾气进行回收处理。但目前的干法回收工艺中普遍存在冷源利用不充分，能耗高，回收的氢气纯度不高等问题，因此，需要开发一种能够充分回收利用冷源、降低能耗、提高回收氢气纯度的多晶硅生产中还原尾气的回收方法。

实用新型内容

本实用新型是基于发明人对以下事实和问题的发现和认识做出的：干法尾气回收工艺首先要对进入的还原尾气进行冷却，利用还原尾气中各组分沸点的不同将还原尾气中大部分的氯硅烷冷凝下来，从而使不凝气(即氢气、氯化氢和少量氯硅烷的混合气)与液相氯硅烷分离开来。之后将不凝气引入吸收塔，用来自解析塔的贫液氯硅烷吸收不凝气中的氯化氢杂质，从而完成氯化氢从还原尾气中分离。从吸收塔塔顶输出的含有少量氯化氢的氢气再经过吸附柱纯化，得到纯净的氢气，并从吸收塔塔釜输出含有大量氯化氢的富液氯硅烷。富液氯硅烷进入解析塔分离出轻组分，以形成贫液氯硅烷，再将贫液氯硅烷送入吸收塔以吸收不凝气中的氯化氢杂质，分离出来的氢气、氯化氢及氯硅烷分别送往上、下游工序回收利用，从而实现还原尾气从敞开式生产发展到闭式循环生产。

相关技术中，CN207792717U公开了一种多晶硅生产尾气中氯硅烷的回收系统，该专利中吸附塔采用盘管式的导热油加热模式，吸附工序复杂，能耗高。

CN104923026B公开了多晶硅尾气回收方法及装置，该专利在还原尾气前期处理中，只对多晶硅尾气进行冷凝处理，以将所述多晶硅尾气中的氯硅烷冷凝成液态，冷源单一，没有充分回收利用冷源。

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本实用新型的实施例提出了一种多晶硅生产中还原尾气的回收装置，该装置能够对冷量实现充分回收，显著降低了投资运行成本，分离回收后的氢气品质高，能够满足后续多晶硅生产的要求。

根据本实用新型实施例的一种多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其包括第一冷却系统、淋洗装置、第一压缩装置、第二冷却系统、吸收塔、解吸塔、贫富液换热系统和氢气吸附装置，其中，

所述第一冷却系统的气体出口与所述淋洗装置的气体入口连接，所述第一冷却系统的冷凝液出口与所述淋洗装置的液体入口连接；

所述淋洗装置的气体出口与所述第一压缩装置的气体进口连接，所述淋洗装置的液体出口与所述解吸塔的液体进口连接；

所述第二冷却系统的气体进口与所述第一压缩装置的气体出口连接，所述第二冷却系统的气体出口与所述吸收塔的气体进口连接；

所述吸收塔的气体出口与所述氢气吸附装置的气体进口连接，所述吸收塔的液体进口与所述贫富液换热系统的贫液出口连接，所述吸收塔的液体出口与所述贫富液换热系统的富液进口连接；

所述贫富液换热系统的富液出口与所述解吸塔的液体进口连接，所述贫富液换热系统的贫液进口与所述解吸塔的液体出口连接。

根据本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置带来的优点和技术效果，1、本实用新型实施例的回收装置，在第一冷却系统后增设了淋洗装置，用冷却分离得到的氯硅烷冷凝液对尾气进行淋洗，能够将尾气中的细硅粉完全淋洗下来，避免了细硅粉随尾气带入后续压缩装置和冷却系统，对压缩装置和冷却系统造成不利影响，提高了压缩装置和冷却系统的使用寿命，氯硅烷冷凝液在淋洗下来尾气中细硅粉的同时，还能够吸收尾气中的氯化氢气体，实现吸收氯化氢的作用，而且，进入淋洗装置的氯硅烷为低温氯硅烷，在对尾气进行淋洗后，离开淋洗装置的氯硅烷经过与尾气的淋洗接触实现了换热，降低了尾气温度，氯硅烷自身温度提升，充分回收了氯硅烷的冷量，本实用新型实施例中增设的淋洗装置实现了除尘、吸收和冷量回收的多重作用；2、本实用新型实施例的回收装置，在淋洗装置后增设第一压缩装置，使淋洗后的尾气进行压缩加压处理，提升了尾气的压力，使吸收塔在高压下运行，完成吸收，可以减少吸收剂的用量，降低对冷媒的需求，从而实现节能的目的，采用高压吸收，可以节能20％以上；3、本实用新型实施例的回收装置能够实现对冷量的充分回收，显著降低了投资运行成本，分离回收后的氢气品质高，能够满足后续多晶硅生产的要求。

根据本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其中，所述第一冷却系统包括依次连接的空冷器、水冷却器、气气换热器和还原尾气冷冻水冷却器。

根据本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其中，所述淋洗装置为鼓泡塔。

根据本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其中，所述第二冷却系统包括依次连接的一级双效换热器、压缩后尾气冷冻水冷器、二级双效换热器、压缩后尾气冷却器、三级双效换热器和压缩后尾气深冷器。

根据本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其中，所述贫富液换热系统包括依次连接的贫液冷冻水冷却器、贫液冷却器和贫液深冷器。

根据本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其中，所述解吸塔上部设置中冷器。

根据本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其中，所述氢气吸附装置包括依次连接的第一吸附塔、第二吸附塔和第三吸附塔。

根据本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其中，所述氢气吸附装置为内部设置气体分布器的空筒结构。

根据本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其中，所述第二吸附塔和第三吸附塔之间设置加热装置。

根据本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其中，所述第三吸附塔气体出口依次连接第二压缩装置、第三冷却系统和除磷硼装置。

附图说明

图1是本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

如图1所示，本实用新型实施例的一种多晶硅生产中还原尾气的回收装置100，其包括第一冷却系统1、淋洗装置2、第一压缩装置3、第二冷却系统4、吸收塔5、解吸塔6、贫富液换热系统7和氢气吸附装置，其中，第一冷却系统1的气体出口与淋洗装置2的气体入口连接，第一冷却系统1的冷凝液出口与淋洗装置2的液体入口连接；淋洗装置2的气体出口与第一压缩装置3的气体进口连接，淋洗装置2的液体出口与解吸塔6的液体进口连接；第二冷却系统4的气体进口与第一压缩装置3的气体出口连接，第二冷却系统4的气体出口与吸收塔5的气体进口连接；吸收塔5的气体出口与氢气吸附装置的气体进口连接，吸收塔5的液体进口与贫富液换热系统7的贫液出口连接，吸收塔5的液体出口与贫富液换热系统7的富液进口连接；贫富液换热系统7的富液出口与解吸塔6的液体进口连接，贫富液换热系统7的贫液进口与解吸塔6的液体出口连接。

根据本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置带来的优点和技术效果，1、本实用新型实施例的回收装置，在第一冷却系统后增设了淋洗装置，用冷却分离得到的氯硅烷冷凝液对尾气进行淋洗，能够将尾气中的细硅粉完全淋洗下来，避免了细硅粉随尾气带入后续压缩装置和冷却系统，对压缩装置和冷却系统造成不利影响，提高了压缩装置和冷却系统的使用寿命，氯硅烷冷凝液在淋洗下来尾气中细硅粉的同时，还能够吸收尾气中的氯化氢气体，实现吸收氯化氢的作用，而且，进入淋洗装置的氯硅烷为低温氯硅烷，在对尾气进行淋洗后，离开淋洗装置的氯硅烷经过与尾气的淋洗接触实现了换热，降低了尾气温度，氯硅烷自身温度提升，充分回收了氯硅烷的冷量，本实用新型实施例中增设的淋洗装置实现了除尘、吸收和冷量回收的多重作用；2、本实用新型实施例的回收装置，在淋洗装置后增设第一压缩装置，使淋洗后的尾气进行压缩加压处理，提升了尾气的压力，使吸收塔在高压下运行，完成吸收，可以减少吸收剂的用量，降低对冷媒的需求，从而实现节能的目的，采用高压吸收，可以节能20％以上；3、本实用新型实施例的回收装置能够实现对冷量的充分回收，显著降低了投资运行成本，分离回收后的氢气品质高，能够满足后续多晶硅生产的要求。

根据本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其中，优选地，第一冷却系统1包括依次连接的空冷器、水冷却器、气气换热器和还原尾气冷冻水冷却器(图中未示出)；第二冷却系统4包括依次连接的一级双效换热器、压缩后尾气冷冻水冷器、二级双效换热器、压缩后尾气冷却器、三级双效换热器和压缩后尾气深冷器(图中未示出)；贫富液换热系统7包括依次连接的贫液冷冻水冷却器、贫液冷却器和贫液深冷器(图中未示出)。本实用新型实施例中，各冷却系统通过设置多种类、逐级递进的冷源，对冷量进行充分回收，大大减少了投资运行成本。

根据本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其中，淋洗装置2为鼓泡塔。本实用新型实施例中，淋洗装置优选为鼓泡塔，还原尾气通过鼓泡起到了除尘的作用，能够有效去除还原尾气中的细硅粉，鼓泡塔可以采用现有的鼓泡塔进行优化，在现有鼓泡塔的基础上根据处理气量增设5-10层塔板，易于实施。

根据本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其中，解吸塔6上部设置中冷器，采用7℃水为冷媒，以降低解吸塔塔顶冷凝器的负荷，能够达到进一步节能的效果。

根据本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其中，氢气吸附装置包括依次连接的第一吸附塔8、第二吸附塔9和第三吸附塔11，优选地，第一吸附塔8为内部设置气体分布器的空筒结构，第二吸附塔9和第三吸附塔11与第一吸附塔8结构相同。进一步优选地，第二吸附塔9和第三吸附塔11之间设置加热装置10，第三吸附塔11气体出口依次连接第二压缩装置12、第三冷却系统13和除硼磷装置14。本实用新型实施例中，第一吸附塔8中的吸附剂处于具备吸附能力的状态，第二吸附塔9中的吸附剂处于需要再生的状态，第三吸附塔11中的吸附剂处于需要脱附的状态。吸附装置中设置吸附、再生、脱附三种过程的吸附塔，来自吸收塔的富含氢气的尾气，通入处于高压低温吸附状态的第一吸附塔进行吸附，通过活性炭和分子筛组合吸附剂吸附杂质进而纯化氢气，得到高纯氢气，从高纯氢气产品中引出部分氢气通入处于再生状态的第二吸附塔，利用低温氢气自身所携带的冷量给第二吸附塔降温，以使第二吸附塔降温再生，达到再次吸附的条件，第三吸附塔处于脱附状态，将第二吸附塔出来的氢气通过加热系统加热到高温后，送入第三吸附塔进行加热脱附，将从第三吸附塔出来的氢气先进行水冷却器降至常温，再送入第二压缩装置和第三冷却系统中，经过冷却后的氢气进一步进行除硼和除磷处理，将其中富集的硼、磷化合物分离出来。经过除硼和除磷后的高纯氢气与第一吸附塔出来的高纯氢气形成最终的高纯氢气产品。

本实用新型实施例中的氢气吸附装置，包括三个吸附塔，每个吸附塔自身进行着吸附-脱附-再生三个模式，先进行吸附过程，即作为第一吸附塔，吸附完毕后转换成脱附状态，即作为第三吸附塔，进行升温脱附处理，脱附完毕后，转换成再生降温状态，即作为第二吸附塔，进行降温再生，以达到满足后续吸附的状态，再生降温结束后，再转换成吸附状态，循环进行。

下面结合附图和实施例详细描述本实用新型。

如图1所示，本实用新型实施例的多晶硅生产中还原尾气的回收装置100包括第一冷却系统1、淋洗装置2、第一压缩装置3、第二冷却系统4、吸收塔5、解吸塔6、贫富液换热系统7和氢气吸附装置，氢气吸附装置包括依次连接的第一吸附塔8、第二吸附塔9和第三吸附塔11。其中，第一冷却系统1的气体出口与淋洗装置2的气体入口连接，第一冷却系统1的冷凝液出口与淋洗装置2的液体入口连接；淋洗装置2的气体出口与第一压缩装置3的气体进口连接，淋洗装置2的液体出口与解吸塔6的液体进口连接；第二冷却系统4的气体进口与第一压缩装置3的气体出口连接，第二冷却系统4的气体出口与吸收塔5的气体进口连接；吸收塔5的气体出口与第一吸附塔8的气体进口连接，吸收塔5的液体进口与贫富液换热系统7的贫液出口连接，吸收塔5的液体出口与贫富液换热系统7的富液进口连接；贫富液换热系统7的富液出口与解吸塔6的液体进口连接，贫富液换热系统7的贫液进口与解吸塔6的液体出口连接。

优选地，淋洗装置2为鼓泡塔。第一吸附塔8为内部设置气体分布器的空筒结构，第二吸附塔9和第三吸附塔11与第一吸附塔8结构相同。进一步优选地，第二吸附塔9和第三吸附塔11之间设置加热装置10，第三吸附塔11气体出口依次连接第二压缩装置12、脱附后冷却系统13和除硼磷装置14。

优选地，第一冷却系统1包括依次连接的空冷器、水冷却器、气气换热器和还原尾气冷冻水冷却器(图中未示出)；第二冷却系统4包括依次连接的一级双效换热器、压缩后尾气冷冻水冷器、二级双效换热器、压缩后尾气冷却器、三级双效换热器和压缩后尾气深冷器(图中未示出)；贫富液换热系统7包括依次连接的贫液冷冻水冷却器、贫液冷却器和贫液深冷器(图中未示出)。

下面结合图1描述本实用新型多晶硅生产中还原尾气的回收装置的工作过程。

如图1所示，将来自还原车间的还原尾气送入第一冷却系统1，第一冷却系统1包括空冷器、水冷却器、气气换热器和还原尾气冷冻水冷却器(图中未示出)，使还原尾气温度降低至12～25℃，优选为13℃，可以有效降低运行成本，还原尾气经过第一冷却系统1后，分离得到尾气和氯硅烷冷凝液。

将分离得到的尾气和氯硅烷冷凝液分别送入淋洗装置2，优选地，对氯硅烷冷凝液先进行冷却，优选采用-35℃的冷媒，之后将冷却后的氯硅烷冷凝液送入淋洗装置2，采用氯硅烷冷凝液在鼓泡塔中对尾气进行淋洗除杂处理，为避免后续进入压缩过程中出现凝液，一般控制淋洗装置2气体出口的气体温度不高于10℃，优选为-5℃。淋洗装置工作压力为0.45～0.55MPa(表)。

将经过淋洗装置2处理后的尾气送入第一压缩装置3进行加压处理，优选地，将尾气压力提升至1.1-1.5MPa(表)，高压有利于降低整体设备投资和整体运行成本，且加压有利于氯硅烷的分离。综合整体能耗，进一步优选地，第一压缩装置3的进口压力(表)为0.55MPa，出口压力(表)为1.4MPa，进口尾气温度为5℃，出口尾气温度为42℃。尾气离开第一压缩装置3后进入第二冷却系统4进行冷却处理，冷却后尾气温度为15℃。

离开第二冷却系统4的尾气进入吸收塔5，吸收塔5中采用氯硅烷为吸收液，吸收尾气中的氯化氢气体，吸收塔5的塔底得到富含氯化氢的氯硅烷富液，塔顶得到富含氢气的尾气，吸收塔5中工作压力为1.4MPa(表)，工作温度为-30～-50℃，优选地，工作温度为-40℃，氯化氢吸收率达99％，优选地，塔底氯硅烷富液温度为-35℃。

将富含氯化氢的氯硅烷富液通过贫富液换热系统7后送入解吸塔6中，经过解吸塔6处理后，在塔顶得到氯化氢气体，塔底得到氯硅烷贫液。优选地，解吸塔6的工作压力为5～8MPa(表)，进一步优选为6MPa(表)；塔系统温度为-45～130℃。塔底可以采用蒸汽或者高温导热油进行加热，优选地，氯硅烷贫液温度为100～120℃，进一步优选地，塔釜温度为113℃，塔顶采出质量含量为99％以上的氯化氢气体。将氯硅烷贫液送入贫富液换热系统7中，与氯硅烷富液进行热交换后送入吸收塔5中用作吸收液。优选地，贫富液换热系统7使用三级冷源，分别为冷冻水冷却器(采用7℃冷冻水)，贫液冷却器(采用-30℃冷媒)、贫液深冷器(采用-55℃冷媒)，最低冷却温度可以达到-50℃。低温的氯硅烷富液通过3～4级双效换热器，与高温的氯硅烷贫液逐级、充分实现换热，回收热能。

离开吸收塔5的富含氢气的尾气含有微量杂质，如四氯化硅、三氯氢硅、二氯二氢硅、氯化氢、硼化物、磷化物等，将富含氢气的尾气送入氢气吸附装置进行除杂处理。氢气吸附装置可以根据处理气量设置多组，每组吸附装置中包括第一吸附塔8、第二吸附塔9和第三吸附塔11三种吸附塔，能分别进行吸附、再生和脱附三种过程操作。

优选地，将离开吸收塔5的富含氢气的尾气送入第二冷却系统4中与离开第一压缩装置3的尾气进行换热，优选地，换热后富含氢气的尾气温度为-10℃、压力为1.4MPa(表)，将富含氢气的尾气送入处于高压低温吸附状态的第一吸附塔8中进行吸附，吸附杂质进而纯化氢气，吸附剂为包括活性炭和分子筛的组合吸附剂，经过吸附后可以得到高压低温高纯氢气产品，氢气温度约为0℃、压力约为1.3MPa(表)。

从离开第一吸附塔8的高纯氢气产品中引出部分氢气，优选为高纯氢气产品总体积的3-5％，送入处于中压降温再生状态的第二吸附塔9中，利用低温氢气自身所携带的冷量给第二吸附塔9降温。从第二吸附塔9出来的中压中温高纯氢气的温度是逐渐降低的，温度为180～-10℃，压力为0.4～0.8MPa(表)。降温刚开始时由于吸附柱温度较高会使经过第二吸附塔9的氢气温度也较高，随着第二吸附塔9温度逐渐降低，离开吸附塔9的氢气温度也逐渐降低。

第三吸附塔11处于低压升温脱附状态，将离开第二吸附塔9的氢气送入加热系统10加热，优选地，加热后氢气温度为180℃，压力为0.4～0.8MPa(表)，将加热后的氢气送入第三吸附塔11，氢气利用自身携带的热量对第三吸附塔11进行加热脱附，离开第三吸附塔11氢气为低压高温低纯氢气，氢气温度处于一直上升状态，温度为-10～180℃、压力为0.01～0.05MPa(表)，随着吸附塔温度的升高，直到升温平衡，温度不再变化为止。

将离开第三吸附塔11的氢气送入水冷却器降至常温，之后送入第二压缩装置12，经过压缩后，氢气压力达到离开第一吸附塔8的高纯氢气产品的压力。经过加压后的高压常温低纯氢气进入第三冷却系统13。第三冷却系统13包括双效换热器、冷冻水冷却器和冷媒冷却器。第三冷却系统13的温度可以达到-40～-60℃，使其中的氯硅烷充分冷凝，经过第三冷却系统13冷却处理后，离开第三冷却系统13的氢气温度约-10℃。

将离开第三冷却系统13的氢气送入除硼磷装置14，进一步将氢气中富集的硼、磷化合物分离出来，以保证高纯氢气产品硼、磷含量的要求，优选地，除硼磷装置中装填含氧化铝的分子筛吸附剂(市场购买，如河南星诺环保材料有限公司)，吸附剂饱和以后可以每隔一段时间加热以将吸附剂中的硼、磷化合物完全脱附出来。经过除硼磷装置14分离硼、磷化合物后的高压低温高纯氢气温度约为0℃，压力约1.4MPa(表)，与离开第一吸附塔8的高压低温高纯氢气(0℃、1.4MPa(表))汇合后形成最终的高纯氢气产品，氢气的纯度为99％。

经过本实施例方法的处理，还原尾气中，氯化氢气体的回收率为99％以上，氯硅烷的回收率为99％以上，氢气的回收率为99％以上，氢气产品纯度为99％以上。

对比例

与本实用新型实施例的装置相同，不同之处在于不设置第一压缩装置3，对经过淋洗装置2处理后的尾气不进行压缩加压处理，而是直接送入吸收塔5中。

采用对比例的装置，氯硅烷的回收率为85％，氯化氢气体的回收率为99％，氢气的回收率为99，氢气产品纯度为99。

本实用新型实施例与对比例的装置相比，设置第一压缩装置，采用加压处理有利于氯硅烷的冷凝，压力增大，气体的沸点升高，冷凝温度提高，采用较低品位的冷源即可以实现同等冷凝效果，节约了冷源，降低了冷耗，整体能耗同对比例相比下降了20％，并且显著提升了氯硅烷的回收率，使氯硅烷的回收率达到99％以上。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本实用新型中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (9)

1.一种多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其特征在于，包括第一冷却系统、淋洗装置、第一压缩装置、第二冷却系统、吸收塔、解吸塔、贫富液换热系统和氢气吸附装置，其中，

所述第一冷却系统的气体出口与所述淋洗装置的气体入口连接，所述第一冷却系统的冷凝液出口与所述淋洗装置的液体入口连接；

所述淋洗装置的气体出口与所述第一压缩装置的气体进口连接，所述淋洗装置的液体出口与所述解吸塔的液体进口连接；

所述第二冷却系统的气体进口与所述第一压缩装置的气体出口连接，所述第二冷却系统的气体出口与所述吸收塔的气体进口连接；

所述吸收塔的气体出口与所述氢气吸附装置的气体进口连接，所述吸收塔的液体进口与所述贫富液换热系统的贫液出口连接，所述吸收塔的液体出口与所述贫富液换热系统的富液进口连接；

所述贫富液换热系统的富液出口与所述解吸塔的液体进口连接，所述贫富液换热系统的贫液进口与所述解吸塔的液体出口连接。

2.根据权利要求1所述的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其特征在于，所述第一冷却系统包括依次连接的空冷器、水冷却器、气气换热器和还原尾气冷冻水冷却器。

3.根据权利要求1所述的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其特征在于，所述第二冷却系统包括依次连接的一级双效换热器、压缩后尾气冷冻水冷器、二级双效换热器、压缩后尾气冷却器、三级双效换热器和压缩后尾气深冷器。

4.根据权利要求1所述的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其特征在于，所述贫富液换热系统包括依次连接的贫液冷冻水冷却器、贫液冷却器和贫液深冷器。

5.根据权利要求1所述的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其特征在于，所述解吸塔上部设置中冷器。

6.根据权利要求1所述的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其特征在于，所述氢气吸附装置包括依次连接的第一吸附塔、第二吸附塔和第三吸附塔。

7.根据权利要求1或6所述的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其特征在于，所述氢气吸附装置为内部设置气体分布器的空筒结构。

8.根据权利要求6所述的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其特征在于，所述第二吸附塔和第三吸附塔之间设置加热装置。

9.根据权利要求6或8所述的多晶硅生产中还原尾气的回收装置，其特征在于，所述第三吸附塔气体出口依次连接第二压缩装置、第三冷却系统和除磷硼装置。

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