CN215593235U - 半导体级硅单晶炉的底部加热器 - Google Patents
半导体级硅单晶炉的底部加热器 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了半导体级硅单晶炉的底部加热器,包括支撑柱,支撑柱的顶部通过安装螺栓安装有加热炉,加热炉的底部固定有安装板,安装板上安装有风机,加热炉的内部设有加热器块,加热块的底部设有加热器支撑,加热器支撑上安装有卡接装置,加热炉的顶部安装有均热块,通过设有的卡接装置和卡孔,可以方便加热器块的安装拆卸,方便检修提升加热器块的使用寿命,设有的均热块,可以使加热器块的热量集中到均热块上,使加热时均匀加热提高产品的生产质量。
Description
技术领域
本实用新型属于加热器技术领域,具体为半导体级硅单晶炉的底部加热器。
背景技术
半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,硅、锗、砷化镓和硫化镉都是半导体材料,硅是最常见应用最广的半导体材料,单晶硅材料制造要经过如下过程:石英砂-冶金级硅-提纯和精炼-沉积多晶硅锭-单晶硅-硅片切割,其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等,应用广泛。
授权公告号CN206188922U的公开的直拉单晶用加热器,本实用新型涉及直拉单晶用加热器,包括圆筒状的加热器本体,加热器本体包括上部产热部和下部产热部,上部产热部的产热量大于下部产热部的产热量;直拉单晶用加热器安装到单晶炉中后,上部产热部与单晶棒结晶面以及单晶棒结晶面以上的区域对应,能够增大单晶棒的纵向温度梯度;下部产热部与坩埚对应,能够降低坩埚中的硅液的纵向温度梯度。减少了硅液底部的氧含量随着热对流向上移动到单晶棒结晶面,提高了单晶棒的质量。增大单晶棒的纵向温度梯度和降低坩埚中的硅液的纵向温度梯度能够提高单晶棒的拉速,从而提高生产效率和节约成本。
传统的半导体级硅单晶炉的底部加热器,加热时加热温度不均匀,影响局部的加热效果,对加热后产生的产品质量参差不齐,而且加热器的检修极其不便,导致加热器的长时间使用耗费使用寿命并且使加热效果变的极差,影响产品质量。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供半导体级硅单晶炉的底部加热器,以解决加热温度分布不均,加热器检修更换不便的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:半导体级硅单晶炉的底部加热器,包括支撑柱,支撑柱为高强度石墨制成,支撑柱用于支撑加热炉,也用于支撑所要加热的产品,电源的通过支撑柱传递到加热炉中,所述支撑柱的顶部通过安装螺栓安装有加热炉,通过螺栓安装,方便加热炉损坏更换或者加热炉的维修,也可以根据需求更换其他种类的加热器加热,使其应用更加广泛,所述加热炉的底部固定有安装板,所述安装板上安装有风机,安装板用于安装风机,可以通过风机吹送气体,也可以根据需更换其他的辅助加热装置使加热方式多样,所述加热炉的内部设有加热器块,加热器块用于产生高温加热,所述加热块的底部设有加热器支撑,所述加热器支撑上安装有卡接装置,通过卡接装置与加热器支撑,可以方便加热器块的检修,或者更换不同功亏的加热器块以满足加热温度的需求。所述加热炉的顶部安装有均热块,均热块用于可以将顶部发出的热量在圆口处发热均匀,从而使受加热的产品加热均匀,提升产品质量。
优选的,所述支撑柱的底部安装有垫片,垫片为石墨纸材料制成,墨纸散热效率高,可以将支撑柱受到的加热很好的散热,所述支撑柱的内部设有绝热块,绝热块由固化碳毡材料制成,导热系数高可以很好的将热量传递出去。
优选的,所述加热炉的底部设有通孔,所述风机上设有进风管,所述风机的出风口与通孔连接,通过开启风机可以将风吹入通孔,使加热器块发出的热量快速集中到均热块,使均热块可以快速到达高温,也可以将风机更换成其他的辅助加热装置,例如通过然后提高加热能力等。
优选的,所述加热炉的上设有卡接槽,所述加热器支撑上设有卡孔,所述卡接槽与卡孔同轴心,通过设置卡接槽与卡孔同轴心对准,可以使拉杆正常穿过卡孔,可以定位加热器支撑,进而使加热器块固定安装,更加方便更换加热器块。
优选的,所述卡接装置上设有拉杆,所述拉杆安装在卡接槽与卡孔中,所述拉杆上设有卡环,所述卡环的顶部套有弹簧,所述拉杆的一端设有密封垫,拉动拉杆,可以使拉杆的底部脱离卡孔,松开拉杆,弹簧推动卡环将拉杆推入加热器支撑的卡孔中,密封垫卡接槽的出口密封住。
优选的,所述均热块上设有均热环,所述均热环绕均热块中心等角度分布,均热块采用快速吸热的材料,中间凸起较厚,均热环绕均热块中心分布,将热量均匀传递到均热块上,从而使加热的热量传递均匀。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1.通过设有的卡接装置和卡孔,可以方便加热器块的安装拆卸,方便检修提升加热器块的使用寿命;
2.通过设有的均热块,可以使加热器块的热量集中到均热块上,使加热时均匀加热提高产品的生产质量。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图;
图2为本实用新型的卡接装置截面图;
图3为本实用新型的均热块俯视图。
图中:1、支撑柱;11、垫片;2、绝热块;3、加热炉;31、卡接槽;4、安装螺栓;5、加热器块;51、加热器支撑;52、卡孔;6、均热块;61、均热环;7、安装板;8、风机;81、进风管;9、通孔;10、卡接装置;101、拉杆;102、卡环;103、弹簧;104、密封垫。
具体实施方式
请参阅图1、图2、图3,半导体级硅单晶炉的底部加热器,包括支撑柱1,支撑柱1为高强度石墨制成,支撑柱1用于支撑加热炉3,也用于支撑所要加热的产品,电源的通过支撑柱1传递到加热炉3中,支撑柱1的顶部通过安装螺栓4安装有加热炉3,通过螺栓安装,方便加热炉3损坏更换或者加热炉3的维修,也可以根据需求更换其他种类的加热器加热,使其应用更加广泛,加热炉3的底部固定有安装板7,安装板7上安装有风机8,安装板7用于安装风机8,可以通过风机8吹送气体,也可以根据需更换其他的辅助加热装置使加热方式多样,加热炉3的内部设有加热器块5,加热器块5用于产生高温加热,加热器块5的底部设有加热器支撑51,加热器支撑51上安装有卡接装置10,通过卡接装置10与加热器支撑51,可以方便加热器块5的检修,或者更换不同功亏的加热器块5以满足加热温度的需求。加热炉3的顶部安装有均热块6,均热块6用于可以将顶部发出的热量在圆口处发热均匀,从而使受加热的产品加热均匀,提升产品质量。
请参阅图1,支撑柱1的底部安装有垫片11,垫片11为石墨纸材料制成,墨纸散热效率高,可以将支撑柱1受到的加热很好的散热,支撑柱1的内部设有绝热块2,绝热块2由固化碳毡材料制成,导热系数高可以很好的将热量传递出去。
请参阅图1,加热炉3的底部设有通孔9,风机8上设有进风管81,风机8的出风口与通孔9连接,通过开启风机8可以将风吹入通孔9,使加热器块5发出的热量快速集中到均热块6,使均热块6可以快速到达高温,也可以将风机8更换成其他的辅助加热装置,例如通过然后提高加热能力等。
请参阅图1、图2,加热炉3的上设有卡接槽31,加热器支撑51上设有卡孔52,卡接槽31与卡孔52同轴心,通过设置卡接槽31与卡孔52同轴心对准,可以使拉杆101正常穿过卡孔52,可以定位加热器支撑51,进而使加热器块5固定安装,更加方便更换加热器块5。
请参阅图1、图2,卡接装置10上设有拉杆101,拉杆101安装在卡接槽31与卡孔52中,拉杆101上设有卡环102,卡环102的顶部套有弹簧103,拉杆101的一端设有密封垫104,拉动拉杆101,可以使拉杆101的底部脱离卡孔52,松开拉杆101,弹簧103推动卡环102将拉杆101推入加热器支撑51的卡孔52中,密封垫104卡接槽31的出口密封住。
请参阅图1、图3,均热块6上设有均热环61,均热环61绕均热块6中心等角度分布,均热块6采用快速吸热的材料,中间凸起较厚,均热环61绕均热块6中心分布,将热量均匀传递到均热块6上,从而使加热的热量传递均匀。
本方案的工作原理是:开始加热时,将电源接通到支撑柱1上,支撑柱1上的电能传递到加热炉3中的加热器块5上,使加热器块5开始产生热能,此时可以通过启动风机8使加热器块5的热能快速集中到均热块6上,然后通过均热块6将热能均匀加热,支撑柱1上的绝热块2和垫片11可以将加热炉3传递的热量散发出去。
需要检修加热器块5时,首先将均热块6拆卸。然后拉动卡接装置10上的拉杆101使拉杆101将拉杆101脱离加热器支撑51上的卡孔52,然后将加热器块5取出检修,放入加热器块5时,将拉杆101拉起,加热器块5放正后松开拉杆101在弹簧103的回力下拉杆101插入卡孔52中,加热器块5被锁住,拉杆101上的密封垫104将卡接槽31出口密封。
Claims (6)
1.半导体级硅单晶炉的底部加热器,包括支撑柱(1),其特征在于:所述支撑柱(1)的顶部通过安装螺栓(4)安装有加热炉(3),所述加热炉(3)的底部固定有安装板(7),所述安装板(7)上安装有风机(8),所述加热炉(3)的内部设有加热器块(5),所述加热器块的底部设有加热器支撑(51),所述加热器支撑(51)上安装有卡接装置(10),所述加热炉(3)的顶部安装有均热块(6)。
2.根据权利要求1所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器,其特征在于:所述支撑柱(1)的底部安装有垫片(11),所述支撑柱(1)的内部设有绝热块(2)。
3.根据权利要求1所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器,其特征在于:所述加热炉(3)的底部设有通孔(9),所述风机(8)上设有进风管(81),所述风机(8)的出风口与通孔(9)连接。
4.根据权利要求1所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器,其特征在于:所述加热炉(3)的上设有卡接槽(31),所述加热器支撑(51)上设有卡孔(52),所述卡接槽(31)与卡孔(52)同轴心。
5.根据权利要求1所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器,其特征在于:所述卡接装置(10)上设有拉杆(101),所述拉杆(101)安装在卡接槽(31)与卡孔(52)中,所述拉杆(101)上设有卡环(102),所述卡环(102)的顶部套有弹簧(103),所述拉杆(101)的一端设有密封垫(104)。
6.根据权利要求1所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器,其特征在于:所述均热块(6)上设有均热环(61),所述均热环(61)绕均热块(6)中心等角度分布。
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CN202120452264.6U CN215593235U (zh) | 2021-03-02 | 2021-03-02 | 半导体级硅单晶炉的底部加热器 |
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CN202120452264.6U Active CN215593235U (zh) | 2021-03-02 | 2021-03-02 | 半导体级硅单晶炉的底部加热器 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN116180214A (zh) * | 2023-04-28 | 2023-05-30 | 苏州晨晖智能设备有限公司 | 一种单晶炉用降氧式加热装置 |
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2021
- 2021-03-02 CN CN202120452264.6U patent/CN215593235U/zh active Active
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