CN215496038U - 一种适用于高纯锗γ能谱仪的增强准直器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种适用于高纯锗γ能谱仪的增强准直器，包括高纯锗γ能谱仪和高纯锗γ能谱仪探头，所述高纯锗γ能谱仪探头设置于所述高纯锗γ能谱仪上，所述高纯锗γ能谱仪探头外围设置有屏蔽装置，所述屏蔽装置安装于屏蔽装置支架上。与现有技术相比，本实用新型有效解决了高纯锗γ能谱仪在高放场所屏蔽能力差的缺陷，屏蔽环采用钨材料三层嵌套具有较强屏蔽能力，方便分拆运输，同时在一端增加活动挡板，以避免移动过程中屏蔽环滑落，采用滑动导轨便于准直器的滑动工作，提升工作效率和测定精度，可用于高剂量放射性场所，整个装置具备灵活、安全和操作便捷以及良好的经济性等优点，具推广应用的价值。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种放射性源探测设备，尤其涉及一种适用于高纯锗γ能谱仪的增强准直器。
背景技术
放射性废物管理要求放射性废物根据核素及其活度进行准确分类，一般采用机器人、高纯锗γ能谱仪或者人工的方式进行检测，存在不同缺陷：机器人测定费用高昂；人工取样分析严重危害人员健康；常用的高纯锗γ能谱仪仅适用于中低放场所，高放场所由于强放射性干扰，探测器无法准确测量放射性核素活度。
发明内容
本实用新型的目的是要提供一种适用于高纯锗γ能谱仪的增强准直器。
为达到上述目的，本实用新型是按照以下技术方案实施的：
本实用新型包括高纯锗γ能谱仪和高纯锗γ能谱仪探头，所述高纯锗γ能谱仪探头设置于所述高纯锗γ能谱仪上，所述高纯锗γ能谱仪探头外围设置有屏蔽装置，所述屏蔽装置安装于屏蔽装置支架上。
进一步，所述屏蔽装置由屏蔽环外围包壳、包壳端部挡板、端部挡板通孔、外层屏蔽环、中层屏蔽环和内层屏蔽环组成，所述屏蔽环外围包壳的一端开口，所述屏蔽环外围包壳的另一端固定设置所述包壳端部挡板，所述包壳端部挡板的中部设置所述端部挡板通孔，所述端部挡板通孔的直径能够容纳所述高纯锗γ能谱仪探头穿过，所述外层屏蔽环位于所述屏蔽环外围包壳内，并能够活动，所述中层屏蔽环位于所述外层屏蔽环内，并能够活动，所述内层屏蔽环位于所述中层屏蔽环内，并能够活动，所述内层屏蔽环的内部直径与所述端部挡板通孔的直径相等，所述屏蔽环外围包壳安装于所述屏蔽装置支架上。
进一步，所述屏蔽装置支架由底座组件、屏蔽环外壳支架板构成，所述屏蔽环外壳支架板为两片，两片所述屏蔽环外壳支架板的下端与所述底座组件的上端两侧固定连接，两片所述屏蔽环外壳支架板上均设置有与所述屏蔽环外围包壳外径相等的通孔，所述屏蔽环外围包壳同时穿过两片所述屏蔽环外壳支架板的通孔中，所述屏蔽环外围包壳与所述屏蔽环外壳支架板之间固定连接。
作为改进，所述屏蔽环外围包壳的开口端与其中一片所述屏蔽环外壳支架板的侧面齐平，位于所述屏蔽环外围包壳开口端的所述屏蔽环外壳支架板上设置有屏蔽环挡板插槽，所述屏蔽环挡板插槽内活动连接有屏蔽环挡板，所述屏蔽环挡板的中部设置有屏蔽环挡板通孔，所述屏蔽环挡板通孔的直径与所述端部挡板通孔的直径相等。
作为改进，所述底座组件和所述高纯锗γ能谱仪的下端均位于滑轨底板上，所述滑轨底板的上端面与所述底座组件和所述高纯锗γ能谱仪的下端面之间通过滑轨装置滑动连接。
作为改进，所述屏蔽环外壳支架板的上端设置有支架板把手。
作为改进，两片所述屏蔽环外壳支架板的上端之间固定设置有支架板加强连杆，所述支架板加强连杆为两条，两条所述支架板加强连杆分别设置于两片所述屏蔽环外壳支架板的上端两侧之间。
优选的，所述外层屏蔽环、所述中层屏蔽环和所述内层屏蔽环均为钨材质的屏蔽筒。
本实用新型的有益效果是：
本实用新型是一种适用于高纯锗γ能谱仪的增强准直器，与现有技术相比，本实用新型有效解决了高纯锗γ能谱仪在高放场所屏蔽能力差的缺陷，屏蔽环采用钨材料三层嵌套具有较强屏蔽能力，方便分拆运输，同时在一端增加活动挡板，以避免移动过程中屏蔽环滑落，采用滑动导轨便于准直器的滑动工作，提升工作效率和测定精度，可用于高剂量放射性场所，整个装置具备灵活、安全和操作便捷以及良好的经济性等优点，具推广应用的价值。
附图说明
图1是本实用新型的一侧结构示意图；
图2是本实用新型的另一侧结构示意图；
图3是本实用新型的屏蔽装置结构示意图；
图4是本实用新型的应用状态一侧结构示意图；
图5是本实用新型的应用状态另一侧结构示意图。
图中：底座组件1、屏蔽环外壳支架板2、屏蔽环外围包壳3、包壳端部挡板4、端部挡板通孔5、外层屏蔽环6、中层屏蔽环7、内层屏蔽环8、屏蔽环挡板插槽9、屏蔽环挡板10、屏蔽环挡板通孔11、高纯锗γ能谱仪探头12、高纯锗γ能谱仪13、滑轨底板14、滑轨装置15、支架板把手16、支架板加强连杆17。
具体实施方式
下面结合附图以及具体实施例对本实用新型作进一步描述，在此实用新型的示意性实施例以及说明用来解释本实用新型，但并不作为对本实用新型的限定。
如图1-5所示：本实用新型包括高纯锗γ能谱仪13和高纯锗γ能谱仪探头12，所述高纯锗γ能谱仪探头12设置于所述高纯锗γ能谱仪13上，所述高纯锗γ能谱仪探头12外围设置有屏蔽装置，所述屏蔽装置安装于屏蔽装置支架上。
进一步，所述屏蔽装置由屏蔽环外围包壳3、包壳端部挡板4、端部挡板通孔5、外层屏蔽环6、中层屏蔽环7和内层屏蔽环8组成，所述屏蔽环外围包壳3的一端开口，所述屏蔽环外围包壳3的另一端固定设置所述包壳端部挡板4，所述包壳端部挡板4的中部设置所述端部挡板通孔5，所述端部挡板通孔5的直径能够容纳所述高纯锗γ能谱仪探头12穿过，所述外层屏蔽环6位于所述屏蔽环外围包壳3内，并能够活动，所述中层屏蔽环7位于所述外层屏蔽环6内，并能够活动，所述内层屏蔽环8位于所述中层屏蔽环7内，并能够活动，所述内层屏蔽环8的内部直径与所述端部挡板通孔5的直径相等，所述屏蔽环外围包壳3安装于所述屏蔽装置支架上。
进一步，所述屏蔽装置支架由底座组件1、屏蔽环外壳支架板2构成，所述屏蔽环外壳支架板2为两片，两片所述屏蔽环外壳支架板2的下端与所述底座组件1的上端两侧固定连接，两片所述屏蔽环外壳支架板2上均设置有与所述屏蔽环外围包壳3外径相等的通孔，所述屏蔽环外围包壳3同时穿过两片所述屏蔽环外壳支架板2的通孔中，所述屏蔽环外围包壳3与所述屏蔽环外壳支架板2之间固定连接。
作为改进，所述屏蔽环外围包壳3的开口端与其中一片所述屏蔽环外壳支架板2的侧面齐平，位于所述屏蔽环外围包壳3开口端的所述屏蔽环外壳支架板2上设置有屏蔽环挡板插槽9，所述屏蔽环挡板插槽9内活动连接有屏蔽环挡板10，所述屏蔽环挡板10的中部设置有屏蔽环挡板通孔11，所述屏蔽环挡板通孔11的直径与所述端部挡板通孔5的直径相等。
作为改进，所述底座组件1和所述高纯锗γ能谱仪13的下端均位于滑轨底板14上，所述滑轨底板14的上端面与所述底座组件1和所述高纯锗γ能谱仪13的下端面之间通过滑轨装置15滑动连接。
作为改进，所述屏蔽环外壳支架板2的上端设置有支架板把手16。
作为改进，两片所述屏蔽环外壳支架板2的上端之间固定设置有支架板加强连杆17，所述支架板加强连杆17为两条，两条所述支架板加强连杆17分别设置于两片所述屏蔽环外壳支架板2的上端两侧之间。
优选的，所述外层屏蔽环6、所述中层屏蔽环7和所述内层屏蔽环8均为钨材质的屏蔽筒。
本实用新型的工作原理如下：
使用时，将高纯锗γ能谱仪13位于滑轨底板14上，并能够滑动，再将外层屏蔽环6、中层屏蔽环7、内层屏蔽环8均置入屏蔽环外围包壳3中，将屏蔽环挡板10插入屏蔽环挡板插槽9内，防止外层屏蔽环6、中层屏蔽环7或内层屏蔽环8脱落，再将底座组件1置于滑轨底板14上，且位于高纯锗γ能谱仪13上设有高纯锗γ能谱仪探头12的一侧，在滑轨底板14上通过滑轨装置15移动底座组件1，将高纯锗γ能谱仪探头12插入内层屏蔽环8中，采用滑动导轨便于高纯锗γ能谱仪13的滑动工作，提升工作效率和测定精度，外层屏蔽环6、中层屏蔽环7和内层屏蔽环8构成三层嵌套结构设计，能够达到良好的屏蔽效果，当需要转移时，取下屏蔽环挡板10，将外层屏蔽环6、中层屏蔽环7、内层屏蔽环8分散转移，便于移动，解决移动整体较重难以移动的问题。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (8)
1.一种适用于高纯锗γ能谱仪的增强准直器，包括高纯锗γ能谱仪(13)和高纯锗γ能谱仪探头(12)，所述高纯锗γ能谱仪探头(12)设置于所述高纯锗γ能谱仪(13)上，其特征在于：所述高纯锗γ能谱仪探头(12)外围设置有屏蔽装置，所述屏蔽装置安装于屏蔽装置支架上。
2.根据权利要求1所述的适用于高纯锗γ能谱仪的增强准直器，其特征在于：所述屏蔽装置由屏蔽环外围包壳(3)、包壳端部挡板(4)、端部挡板通孔(5)、外层屏蔽环(6)、中层屏蔽环(7)和内层屏蔽环(8)组成，所述屏蔽环外围包壳(3)的一端开口，所述屏蔽环外围包壳(3)的另一端固定设置所述包壳端部挡板(4)，所述包壳端部挡板(4)的中部设置所述端部挡板通孔(5)，所述端部挡板通孔(5)的直径能够容纳所述高纯锗γ能谱仪探头(12)穿过，所述外层屏蔽环(6)位于所述屏蔽环外围包壳(3)内，并能够活动，所述中层屏蔽环(7)位于所述外层屏蔽环(6)内，并能够活动，所述内层屏蔽环(8)位于所述中层屏蔽环(7)内，并能够活动，所述内层屏蔽环(8)的内部直径与所述端部挡板通孔(5)的直径相等，所述屏蔽环外围包壳(3)安装于所述屏蔽装置支架上。
3.根据权利要求2所述的适用于高纯锗γ能谱仪的增强准直器，其特征在于：所述屏蔽装置支架由底座组件(1)、屏蔽环外壳支架板(2)构成，所述屏蔽环外壳支架板(2)为两片，两片所述屏蔽环外壳支架板(2)的下端与所述底座组件(1)的上端两侧固定连接，两片所述屏蔽环外壳支架板(2)上均设置有与所述屏蔽环外围包壳(3)外径相等的通孔，所述屏蔽环外围包壳(3)同时穿过两片所述屏蔽环外壳支架板(2)的通孔中，所述屏蔽环外围包壳(3)与所述屏蔽环外壳支架板(2)之间固定连接。
4.根据权利要求3所述的适用于高纯锗γ能谱仪的增强准直器，其特征在于：所述屏蔽环外围包壳(3)的开口端与其中一片所述屏蔽环外壳支架板(2)的侧面齐平，位于所述屏蔽环外围包壳(3)开口端的所述屏蔽环外壳支架板(2)上设置有屏蔽环挡板插槽(9)，所述屏蔽环挡板插槽(9)内活动连接有屏蔽环挡板(10)，所述屏蔽环挡板(10)的中部设置有屏蔽环挡板通孔(11)，所述屏蔽环挡板通孔(11)的直径与所述端部挡板通孔(5)的直径相等。
5.根据权利要求3所述的适用于高纯锗γ能谱仪的增强准直器，其特征在于：所述底座组件(1)和所述高纯锗γ能谱仪(13)的下端均位于滑轨底板(14)上，所述滑轨底板(14)的上端面与所述底座组件(1)和所述高纯锗γ能谱仪(13)的下端面之间通过滑轨装置(15)滑动连接。
6.根据权利要求3所述的适用于高纯锗γ能谱仪的增强准直器，其特征在于：所述屏蔽环外壳支架板(2)的上端设置有支架板把手(16)。
7.根据权利要求3所述的适用于高纯锗γ能谱仪的增强准直器，其特征在于：两片所述屏蔽环外壳支架板(2)的上端之间固定设置有支架板加强连杆(17)，所述支架板加强连杆(17)为两条，两条所述支架板加强连杆(17)分别设置于两片所述屏蔽环外壳支架板(2)的上端两侧之间。
8.根据权利要求2所述的适用于高纯锗γ能谱仪的增强准直器，其特征在于：所述外层屏蔽环(6)、所述中层屏蔽环(7)和所述内层屏蔽环(8)均为钨材质的屏蔽筒。
Priority Applications (1)
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| CN202122042304.2U CN215496038U (zh) | 2021-08-27 | 2021-08-27 | 一种适用于高纯锗γ能谱仪的增强准直器 |
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